JPH01243487A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
- Publication number
- JPH01243487A JPH01243487A JP6941988A JP6941988A JPH01243487A JP H01243487 A JPH01243487 A JP H01243487A JP 6941988 A JP6941988 A JP 6941988A JP 6941988 A JP6941988 A JP 6941988A JP H01243487 A JPH01243487 A JP H01243487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- fet
- diode
- signal current
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信や光ディスクなどにおける半導体レーザ
光源の駆動回路に係り、特に、ＦＥＴを用いたＩＣ化に
好適なレーザ駆動回路に関する。
光源の駆動回路に係り、特に、ＦＥＴを用いたＩＣ化に
好適なレーザ駆動回路に関する。
近年、Ｇ ｂ ／ ｓ光伝送システムの開発が活発化し
ているが、このようなシステムの実用化には装置の高速
化、信頼性の向上、消費電力の低減、小形化などの観点
から、モノリシックエ＝Ｃ技術の導入が必須の状況にあ
る。Ｇ ｂ ／ ｓ伝送用ＩＣは主としてＳｉバイポー
ラ技術の適用により実用化が進められてきた。しかし、
高速・大電流スイッチグが要求される半導体レーザ（以
下、ＬＤと略す）の駆動用ＩＣの実現はＳｉバイポーラ
技術では難しく、このためＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ （シ
ョットキ接合形電界効果トランジスタ）技術が適用され
ている。
ているが、このようなシステムの実用化には装置の高速
化、信頼性の向上、消費電力の低減、小形化などの観点
から、モノリシックエ＝Ｃ技術の導入が必須の状況にあ
る。Ｇ ｂ ／ ｓ伝送用ＩＣは主としてＳｉバイポー
ラ技術の適用により実用化が進められてきた。しかし、
高速・大電流スイッチグが要求される半導体レーザ（以
下、ＬＤと略す）の駆動用ＩＣの実現はＳｉバイポーラ
技術では難しく、このためＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ （シ
ョットキ接合形電界効果トランジスタ）技術が適用され
ている。
第２図は、Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ技
術を用いて実現されたＬＤ駆動用ＩＣの従来構成例を示
したものである。半導体レーザは発振閾電流を有するた
め、通常、バイアス電流に信号電流を重畳した電流で駆
動される。第２図で、ＦＥＴＩＩ、１２゜１３が電流ス
イッチ１４を構成しており、第１及び第２の信号入力レ
ベルに応じてＦＥＴ１３から供給される電流をＦＥＴＩ
Ｉ、１２の差動対によってスイッチングして生成される
信号電流で端子５に接続されるＬＤを変調する。一方、
バイアス電流はバイアス電流供給回路９より端子５を介
してＬＤに供給される。ＬＤの発振閾電流は大きな温度
依存性をもつため、端子７に印加される制御信号によっ
てバイアス電流が制御され光出力の安定化が図られる。
術を用いて実現されたＬＤ駆動用ＩＣの従来構成例を示
したものである。半導体レーザは発振閾電流を有するた
め、通常、バイアス電流に信号電流を重畳した電流で駆
動される。第２図で、ＦＥＴＩＩ、１２゜１３が電流ス
イッチ１４を構成しており、第１及び第２の信号入力レ
ベルに応じてＦＥＴ１３から供給される電流をＦＥＴＩ
Ｉ、１２の差動対によってスイッチングして生成される
信号電流で端子５に接続されるＬＤを変調する。一方、
バイアス電流はバイアス電流供給回路９より端子５を介
してＬＤに供給される。ＬＤの発振閾電流は大きな温度
依存性をもつため、端子７に印加される制御信号によっ
てバイアス電流が制御され光出力の安定化が図られる。
又、信号電流の設定は端子６に印加される電圧レベルを
調整することによって行なわれる。尚、バイアス供給回
路９及びレベルシフト回路８は、例えば信学技報５ＳＤ
８５−１４０に示されるように、夫々、ＦＥＴ及びＦＥ
Ｔとダイオードで構成される。
調整することによって行なわれる。尚、バイアス供給回
路９及びレベルシフト回路８は、例えば信学技報５ＳＤ
８５−１４０に示されるように、夫々、ＦＥＴ及びＦＥ
Ｔとダイオードで構成される。
信号電流は光出力信号の振幅と一対一の関係にあるため
、温度、電源電圧などの環境条件の変化やデバイスの製
造偏差に対する安定化が不可欠である。上記、従来技術
はこれらの点について配慮されていないため、端子６に
電圧を供給する外部回路が必要となること、又、この回
路には環境条件の変動やＦＥＴ１３の製造偏差を抑圧す
るための複雑な機能が必要となり、規模も大きくなり易
いこと、信号電流が端子６の電圧に敏感に反応すること
などの他、使い勝手も悪いと云う問題があった。
、温度、電源電圧などの環境条件の変化やデバイスの製
造偏差に対する安定化が不可欠である。上記、従来技術
はこれらの点について配慮されていないため、端子６に
電圧を供給する外部回路が必要となること、又、この回
路には環境条件の変動やＦＥＴ１３の製造偏差を抑圧す
るための複雑な機能が必要となり、規模も大きくなり易
いこと、信号電流が端子６の電圧に敏感に反応すること
などの他、使い勝手も悪いと云う問題があった。
本発明の目的は上記従来技術の欠点を解消し。
内部組込みが可能で簡易な補償回路によって信号電流を
安定化できるＩＣ化に適した半導体レーザ駆動回路を提
供することにある。
安定化できるＩＣ化に適した半導体レーザ駆動回路を提
供することにある。
上記本発明の目的は第２図においてＦＥＴ１３のゲート
電位をダイオードと抵抗から成るクランプ回路によって
クランプし、且つ、ＦＥＴ１３のソースと負電源端子２
の間に電流制限用の抵抗を挿入することにより達成され
る。
電位をダイオードと抵抗から成るクランプ回路によって
クランプし、且つ、ＦＥＴ１３のソースと負電源端子２
の間に電流制限用の抵抗を挿入することにより達成され
る。
以下、第１図を用いて本発明の基本動作を説明する。信
号電流の安定化のために、クラップ回路５２を介してＦ
ＥＴ１３のゲート電圧が与えられる。クラップ回路は定
電流源５１によりバイアスされる。又、抵抗５４をＦＥ
Ｔ１３のソースに接続し電流負帰還効果を利用して環境
条件の変化やＦＥＴ１３の製造偏差による信号電流の変
動を抑圧している。第１図は、本発明の基本的な実施例
を示したもので、クランプ回路をダイオード５３で構成
している。今、定電流源５１の出力インピーダンスをＲ
１、ダイオード５３の両端の電圧をＶＤ及び流れる電流
を工、端子１の電位をｏｖ。
号電流の安定化のために、クラップ回路５２を介してＦ
ＥＴ１３のゲート電圧が与えられる。クラップ回路は定
電流源５１によりバイアスされる。又、抵抗５４をＦＥ
Ｔ１３のソースに接続し電流負帰還効果を利用して環境
条件の変化やＦＥＴ１３の製造偏差による信号電流の変
動を抑圧している。第１図は、本発明の基本的な実施例
を示したもので、クランプ回路をダイオード５３で構成
している。今、定電流源５１の出力インピーダンスをＲ
１、ダイオード５３の両端の電圧をＶＤ及び流れる電流
を工、端子１の電位をｏｖ。
端子２の電圧をｖ５８とすると次式が成立つ６Ｒ１Ｉ
＋ Ｖ□＝ Ｖｓｓ ’・’・”−（１）又、
ＩとＶ。どの関係は で与えられる。ここで、ＩＯ，βは物理定数である。従
って、電源電圧Ｖ。の変動によるＶ。の変化は式（１）
（２）より となる。１／βは約２５’ｍＶであるから、Ｉ＝１ｍＡ
とすればｒ６は２５Ωとなる。又、ＲｆはＶ。
＋ Ｖ□＝ Ｖｓｓ ’・’・”−（１）又、
ＩとＶ。どの関係は で与えられる。ここで、ＩＯ，βは物理定数である。従
って、電源電圧Ｖ。の変動によるＶ。の変化は式（１）
（２）より となる。１／βは約２５’ｍＶであるから、Ｉ＝１ｍＡ
とすればｒ６は２５Ωとなる。又、ＲｆはＶ。
を−５，２Ｖ、Ｖｄを０．６ｖとすれば４．６にΩとな
る。よって２式（３）からＶ。の変化量は電源電圧の１
０％の変動に対して ＝２．８（ｍＶ） と非常に対さく、電源電圧変動による信号電流の変化を
僅小にできる。ちなみに、抵抗５４の値は１０Ω程度で
あるから信号電流の変化量は約０．３ｍＡである。
る。よって２式（３）からＶ。の変化量は電源電圧の１
０％の変動に対して ＝２．８（ｍＶ） と非常に対さく、電源電圧変動による信号電流の変化を
僅小にできる。ちなみに、抵抗５４の値は１０Ω程度で
あるから信号電流の変化量は約０．３ｍＡである。
ところで、ＦＥＴ１３の閾電圧■ｔ□と相互コンダクタ
ンクス係数には温度依存性をもち、温度上昇により前者
は深くなり電流を増加する方向に、後者は小さくなり電
流を減少する方向に働く。しかし、総体的には閾電圧の
変動かに値の変動より大きいため、閾電圧の温度依存性
を低減ることが課題である。その方策として本発明では
ダイオード５３の温度依存性を利用している。ダイオー
ドは一般に温度が上昇すると端子電圧が漸減する。
ンクス係数には温度依存性をもち、温度上昇により前者
は深くなり電流を増加する方向に、後者は小さくなり電
流を減少する方向に働く。しかし、総体的には閾電圧の
変動かに値の変動より大きいため、閾電圧の温度依存性
を低減ることが課題である。その方策として本発明では
ダイオード５３の温度依存性を利用している。ダイオー
ドは一般に温度が上昇すると端子電圧が漸減する。
従って、第１図の結線によれば、ＦＥＴ１３のゲート電
位が温度上昇と共に下降し、電流が減少する。それ故、
この電流の減少分とＦＥＴ１３の閾電圧の温度依存性に
よって増加する分とが相殺するようにダイオード５３の
電流密度を設定すれば信号電流の温度依存性を消去でき
る。
位が温度上昇と共に下降し、電流が減少する。それ故、
この電流の減少分とＦＥＴ１３の閾電圧の温度依存性に
よって増加する分とが相殺するようにダイオード５３の
電流密度を設定すれば信号電流の温度依存性を消去でき
る。
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔでは閾電圧の
製造偏差が他の定数に比べて最も大きい。よって、この
対策が信号電流の安定化には必須となる。抵抗５３の値
をＲｇ、信号電流をＩ８とすると工、はＩ ｓ＝ Ｋ（
Ｖｏ Ｖｔ−ＲＩ ｓ）”で表わされる。従って、信
号電流の変化分ΔＩ８は閾電圧の変動分をΔＶｔとする
と式（４）よりとなる。ちなみに、Ｖｔ＝ ＩＶ 、Ｒ
ｇ＝１０Ω。
製造偏差が他の定数に比べて最も大きい。よって、この
対策が信号電流の安定化には必須となる。抵抗５３の値
をＲｇ、信号電流をＩ８とすると工、はＩ ｓ＝ Ｋ（
Ｖｏ Ｖｔ−ＲＩ ｓ）”で表わされる。従って、信
号電流の変化分ΔＩ８は閾電圧の変動分をΔＶｔとする
と式（４）よりとなる。ちなみに、Ｖｔ＝ ＩＶ 、Ｒ
ｇ＝１０Ω。
Ｉ、＝５０ｍＡ、Ｖｔ）＝−０，６Ｖとするとに＝４１
ｍＡ／Ｖ”となるので信号電流の変動量は３ 、８ ｍ
Ａ ／ Ｖとなる。閾電圧の許容変動範囲を±０．２
ｖとすると信号電流変動量を〜０．８ｍＡに抑えること
ができる。
ｍＡ／Ｖ”となるので信号電流の変動量は３ 、８ ｍ
Ａ ／ Ｖとなる。閾電圧の許容変動範囲を±０．２
ｖとすると信号電流変動量を〜０．８ｍＡに抑えること
ができる。
第３図に本発明による一実施例の構成図を示す。
同図では、任意の温度係数をもつクランプ電圧を発生さ
せるため、クランプ回路５２をダイオード６と電圧分割
用抵抗６３．６４で構成している。
せるため、クランプ回路５２をダイオード６と電圧分割
用抵抗６３．６４で構成している。
又、定電流源５１は抵抗６２で置き換えている。
尚、バイアス供給回路９はＦＥＴ６６と電流制限用の抵
抗６５（無くてもよい）とで構成している。
抗６５（無くてもよい）とで構成している。
６１は入力信号の波形整形と共に電流スイッチ１４を高
速駆動するための入力バッファ回路である。電流スイッ
チング動作については第２図で説明したので、ここでは
信号電流の安定化について述べる。
速駆動するための入力バッファ回路である。電流スイッ
チング動作については第２図で説明したので、ここでは
信号電流の安定化について述べる。
ＦＥＴ、１３のに値、閾電圧の温度係数を夫々δ６．δ
Ｖｔｓ又、クランプ電圧Ｖ。（第３図中のＡ点−負電源
端子２間電圧）の温度係数をδｖａとするとＦＥＴ１３
を流れる信号電流工、の温度係数δｒｓは式（４）より
次式で与えられる。
Ｖｔｓ又、クランプ電圧Ｖ。（第３図中のＡ点−負電源
端子２間電圧）の温度係数をδｖａとするとＦＥＴ１３
を流れる信号電流工、の温度係数δｒｓは式（４）より
次式で与えられる。
・・・・・・・・・ （６）
ここで、ＫＯＩ ｖａｏｔ ｖｔｏは初期設定時の標準
値。
値。
Ｒ，、、Ｒ，４は抵抗６３．６４の抵抗値を示す。ゲー
ト長１μｍのＧ ａ Ａ ｓ Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ
では、通常、δに／ＫＯはほぼ−０，３％、δｖｔは−
１，６ｍＶ／℃、又、δｖｏ （クランプダイオード５
３の温度係数）は−１，４ｍＶ／’Ｃである。第４図は
これらの値を用い信号電流を５０ｍＡ、抵抗Ｒ５４の値
を１０Ω、ダイオード５３の両端電圧を０．６Ｖに設定
した時の信号電流の温度係数とクランプ電圧ＶＱとの関
係を示したものである。同図から分るように、信号電流
の温度係数はクランプ電圧ｖａによって任意に設定でき
、ｖｏが大きくなるに伴ない負の係数が増大、即ち、信
号電流は減少する。ＬＤをペルチェ素子などで温度制御
する場合には、信号電流の温度係数は零に近い稲光出力
信号は安定化する。第４図によればクランプ電圧が０．
２２５Ｖの時、信号電流の温度係数を零にできることが
分る。尚、ＬＤを温度制御せずに使用する場合も多い。
ト長１μｍのＧ ａ Ａ ｓ Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ
では、通常、δに／ＫＯはほぼ−０，３％、δｖｔは−
１，６ｍＶ／℃、又、δｖｏ （クランプダイオード５
３の温度係数）は−１，４ｍＶ／’Ｃである。第４図は
これらの値を用い信号電流を５０ｍＡ、抵抗Ｒ５４の値
を１０Ω、ダイオード５３の両端電圧を０．６Ｖに設定
した時の信号電流の温度係数とクランプ電圧ＶＱとの関
係を示したものである。同図から分るように、信号電流
の温度係数はクランプ電圧ｖａによって任意に設定でき
、ｖｏが大きくなるに伴ない負の係数が増大、即ち、信
号電流は減少する。ＬＤをペルチェ素子などで温度制御
する場合には、信号電流の温度係数は零に近い稲光出力
信号は安定化する。第４図によればクランプ電圧が０．
２２５Ｖの時、信号電流の温度係数を零にできることが
分る。尚、ＬＤを温度制御せずに使用する場合も多い。
このような場合には、光出力の電流に対する効率（外部
微分量子効率と呼ばれる）は温度上昇に伴い低下する。
微分量子効率と呼ばれる）は温度上昇に伴い低下する。
即ち、高温では光出力信号が減少する。それ故、この光
出力信号の減少を軽減するには信号電流の温度係数を正
にする必要があり、クランプ電圧■。を０．２２５Ｖ（
Ｋｏχ９５ｍＡ／Ｖ２）以下に設定すればよい。
出力信号の減少を軽減するには信号電流の温度係数を正
にする必要があり、クランプ電圧■。を０．２２５Ｖ（
Ｋｏχ９５ｍＡ／Ｖ２）以下に設定すればよい。
次に、信号電流の電源電圧依存性を求めてみる。
ダイオード５３に流れる電流を抵抗６３．６４に流れる
電流より１桁以上大きくなるようにＲｇ３゜Ｒ６４を設
定すれば、ダイオード両端の電圧変動は式（３）で与え
られる。従って、この変動がＲ６３とＲｇ４で抵抗分割
されるから信号電流の変動分は式（３）′より Ｒ！ Ｒｇ Ｒ６３＋ Ｒ６４で与えられ
る。ここで、ｖａを０．２２５Ｖに設定するとＲ１１１
４／ （ＲＧ３＋ Ｒｇ４）は０ 、３７５ トナル、
ｌ’ｌ’ら第１図の構成に比べ、結果電流の変動も０．
３７５となるから第１図の構成に比べ、信号電流の変動
も０．３７５倍となる。ちなみに、電源電圧が±０．５
ｖ変動した時の信号電流の変動量は高々±０．１ｍＡと
なる。
電流より１桁以上大きくなるようにＲｇ３゜Ｒ６４を設
定すれば、ダイオード両端の電圧変動は式（３）で与え
られる。従って、この変動がＲ６３とＲｇ４で抵抗分割
されるから信号電流の変動分は式（３）′より Ｒ！ Ｒｇ Ｒ６３＋ Ｒ６４で与えられ
る。ここで、ｖａを０．２２５Ｖに設定するとＲ１１１
４／ （ＲＧ３＋ Ｒｇ４）は０ 、３７５ トナル、
ｌ’ｌ’ら第１図の構成に比べ、結果電流の変動も０．
３７５となるから第１図の構成に比べ、信号電流の変動
も０．３７５倍となる。ちなみに、電源電圧が±０．５
ｖ変動した時の信号電流の変動量は高々±０．１ｍＡと
なる。
ＦＥＴ１３の閾電圧の製造偏差による信号電流の変動量
は式（５）より求めることができる。式（５）におイテ
、Ｖ、を０．２２５Ｖ、Ｋを９５ｍＡ／Ｖ”Ｒｇを１０
Ω、ｖＬを一１■とすれば信号電流の変動量は９ 、６
ｍ Ａ ／ Ｖとなる。閾電圧が一１ｖのＦＥＴでは
一般に製造偏差を±０．２Ｖ以下に抑えることは容易で
あるので、実用上の信号電流変動量は１．９ｍＡとなり
標準値の±３．８％と小さな値に抑えることができる。
は式（５）より求めることができる。式（５）におイテ
、Ｖ、を０．２２５Ｖ、Ｋを９５ｍＡ／Ｖ”Ｒｇを１０
Ω、ｖＬを一１■とすれば信号電流の変動量は９ 、６
ｍ Ａ ／ Ｖとなる。閾電圧が一１ｖのＦＥＴでは
一般に製造偏差を±０．２Ｖ以下に抑えることは容易で
あるので、実用上の信号電流変動量は１．９ｍＡとなり
標準値の±３．８％と小さな値に抑えることができる。
第５図は信号電流安定化回路の他の一実施例を示したも
のである。同図では第１図の定電流源５１をゲート・リ
ース間を短絡接続したＦＥＴ１０１で、又、クランプ回
路５２を直列接続されたｎ個のダイオード２０１−１〜
２０１−ｎと抵抗Ｒ３０１＋ ３０２とで構成している
。この場合はＦＥＴｌ０Ｉがほぼ定電流源として働くた
め、信号電流は電源電圧に対して殆んど変動しない利点
がある。クランプ回路はダイオードの個数、電流値と抵
抗Ｒ３０１ｙ ３０２の値を適当に選ぶことにより任意
の温度係数をもつ出力電圧をＦＥＴ１３に供給すること
ができる。
のである。同図では第１図の定電流源５１をゲート・リ
ース間を短絡接続したＦＥＴ１０１で、又、クランプ回
路５２を直列接続されたｎ個のダイオード２０１−１〜
２０１−ｎと抵抗Ｒ３０１＋ ３０２とで構成している
。この場合はＦＥＴｌ０Ｉがほぼ定電流源として働くた
め、信号電流は電源電圧に対して殆んど変動しない利点
がある。クランプ回路はダイオードの個数、電流値と抵
抗Ｒ３０１ｙ ３０２の値を適当に選ぶことにより任意
の温度係数をもつ出力電圧をＦＥＴ１３に供給すること
ができる。
以上は負荷としてＬＤを対象としてきたが、本発明は基
本的には電流切替回路であり、負荷としてはインピーダ
ンス回路であってもよい。これから１本発明が５０Ωの
ライントライバや信号レベル変換器、増器等高速・大振
幅で動作する必要のある回路へも適用可能であることは
明らかである。
本的には電流切替回路であり、負荷としてはインピーダ
ンス回路であってもよい。これから１本発明が５０Ωの
ライントライバや信号レベル変換器、増器等高速・大振
幅で動作する必要のある回路へも適用可能であることは
明らかである。
本発明によれば定電流源とクランプ回路から成る簡易な
信号電流安定化回路により、ＬＤ駆動回路として重要な
電源電圧や温度などの環境条件変化による信号電流の変
動を数％に抑圧することができる。又、ＦＥＴの製造偏
差に対してもソースに接続された抵抗の電流負帰還効果
によって信号電流の変動を数％に抑えることができる０
以上の結果によりモノリシックＩＣ化が可能となり、使
い勝手のよい単一電源ののＩＣを実現できる。
信号電流安定化回路により、ＬＤ駆動回路として重要な
電源電圧や温度などの環境条件変化による信号電流の変
動を数％に抑圧することができる。又、ＦＥＴの製造偏
差に対してもソースに接続された抵抗の電流負帰還効果
によって信号電流の変動を数％に抑えることができる０
以上の結果によりモノリシックＩＣ化が可能となり、使
い勝手のよい単一電源ののＩＣを実現できる。
第１図は本発明によるＬＤ駆動回路の基本構成図、第２
図は従来のＬＤ駆動回路の構成図、第３図は本発明によ
るＬＤ駆動回路の一実施例を示す接続図、第４図は本発
明によるＬＤ駆動回路における信号電流温度係数の一計
算例を示す図、第５図は本発明による信号電流安定化回
路の一実施例を示す接続図である。 １４・・・電流スイッチ、１１，１２，１３，１０１・
・・ＦＥＴ、６０・・・信号電流安定化回路、５３゜２
０１−１〜２０１−ｎ・・・ダイオード、５１・・・定
電流源、５４，６３，６４，３０１，３０２・・・抵抗
、５２・・・クランプ回路、９・〜・バイアス電流供給
回路、８・・・レベルシフト回路、６１・・・入力バッ
ファ回路。 第１図 菫ｚ８ 第３回 ２ランア電、−％（ｖ）
図は従来のＬＤ駆動回路の構成図、第３図は本発明によ
るＬＤ駆動回路の一実施例を示す接続図、第４図は本発
明によるＬＤ駆動回路における信号電流温度係数の一計
算例を示す図、第５図は本発明による信号電流安定化回
路の一実施例を示す接続図である。 １４・・・電流スイッチ、１１，１２，１３，１０１・
・・ＦＥＴ、６０・・・信号電流安定化回路、５３゜２
０１−１〜２０１−ｎ・・・ダイオード、５１・・・定
電流源、５４，６３，６４，３０１，３０２・・・抵抗
、５２・・・クランプ回路、９・〜・バイアス電流供給
回路、８・・・レベルシフト回路、６１・・・入力バッ
ファ回路。 第１図 菫ｚ８ 第３回 ２ランア電、−％（ｖ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザに信号電流を供給する電流切替回路とバイア
ス電流を供給するバイアス電流供給回路とから成る半導
体レーザ駆動回路において、上記電流切替回路をソース
結合されたＦＥＴ差動対と該差動対ＦＥＴに定電流を供
給するＦＥＴと該定電流供給用ＦＥＴのソースに接続さ
れた抵抗とで構成し、前記定電流供給用ＦＥＴのゲート
と前記抵抗の他端間に電圧クランプ回路を接続したこと
を特徴とする半導体レーザ駆動回路。 ２、前記電圧クランプ回路を単一又は複数個の直列接続
されたダイオードと該ダイオードの両端の電圧を分割す
る複数の抵抗で構成し、該抵抗の接続点より出力電圧を
取り出して前記定電流供給用ＦＥＴのゲートに供給する
よう構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069419A JP2702958B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63069419A JP2702958B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243487A true JPH01243487A (ja) | 1989-09-28 |
| JP2702958B2 JP2702958B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=13402076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63069419A Expired - Fee Related JP2702958B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702958B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58105440A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | クランプ電位可変形映像信号光変調回路 |
| JPS622580A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
| JPS6323355A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Fujitsu Ltd | 光電子集積回路 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069419A patent/JP2702958B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58105440A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | クランプ電位可変形映像信号光変調回路 |
| JPS622580A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
| JPS6323355A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-30 | Fujitsu Ltd | 光電子集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2702958B2 (ja) | 1998-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4207538A (en) | Temperature compensation circuit | |
| US4636742A (en) | Constant-current source circuit and differential amplifier using the same | |
| KR920010005B1 (ko) | 대칭 집적 증폭기 | |
| JP2751422B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US4812784A (en) | Temperature stable voltage controlled oscillator with super linear wide frequency range | |
| US3786364A (en) | Semiconductor amplifier protection | |
| US4706013A (en) | Matching current source | |
| CN1181621C (zh) | 提高增益的电压调节器 | |
| EP1625656B1 (en) | Circuit for improved differential amplifier and other applications | |
| US3248569A (en) | Amplifier passive nonlinear feedback voltage limiting network | |
| US5015873A (en) | Semiconductor driver for producing switching and offset signals | |
| JPH0244413A (ja) | 定電流供給回路 | |
| JPH01243487A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| US20050110525A1 (en) | Current-mode logic circuit | |
| US20030006842A1 (en) | Split cascode driver | |
| US5144405A (en) | Temperature compensation apparatus for logic gates | |
| KR100309028B1 (ko) | 제조 방법 및 동작 상태의 변화로 인한 동작 변화를 ｄｃ바이어싱의 변화를 트래킹해서 트랙하는 게인 제어 신호 발생기 | |
| JPS61273015A (ja) | 電流切替回路 | |
| JPH02177724A (ja) | 出力バッファ回路 | |
| JPS622580A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| US4408167A (en) | Current amplifier stage with diode interstage connection | |
| SU744914A1 (ru) | Устройство с выходной вольт-амперной характеристикой -типа | |
| SU905808A1 (ru) | Стабилитрон | |
| US3200257A (en) | Tunnel diode switching circuit | |
| JPH0149028B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |