JPH01245431A - 光メモリカード読取りシステム - Google Patents

光メモリカード読取りシステム

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JPH01245431A
JPH01245431A JP63071632A JP7163288A JPH01245431A JP H01245431 A JPH01245431 A JP H01245431A JP 63071632 A JP63071632 A JP 63071632A JP 7163288 A JP7163288 A JP 7163288A JP H01245431 A JPH01245431 A JP H01245431A
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JP
Japan
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card
optical
optical memory
reading
memory card
Prior art date
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Pending
Application number
JP63071632A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Horie
清 堀江
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CSK Corp
Original Assignee
CSK Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [lJ?業上の利用分野] 未発Iy1は、光メモリカードにど込まれたデータを光
を用いた光学系により読取る光メモリカード読取りシス
テムに関する。
[従来の技術及びその解決すべき課題]従来、光により
データのアクセスを行なう光メモリカードとしては、予
め記録されたデータの再生のみを行なう読取り用カード
と、データの記録と再生の双方を行なう読書き用カード
とがある。
これら読取り用カードと読書き用カードは、各々光記憶
領域のフォーマットが異なっている。読取り用カードで
は、第4図(a)に示す如くトラックガイド50間に複
数の記録ピット列51を配したフォーマットとなってお
り、パラレルにデータを読取る。また、読書き用カード
では、第4図(b)に示す如くトラックガイド50間に
一列の記録ピット52を書込むフォーマットとなってお
り、シリアルにデータを読取る。
このような読取り用カードと読書き用カードのフォーマ
ットの違いにより、読取り用カードと読書き用カードの
データを読取る装置を同一の装置とすることができずそ
れぞれ専用の装置を用意しなければならないという問題
があった。
また、仮にフォーマットを同一としても、読取り用カー
ドと読書き用カードではカード製造方法の違いによりそ
の反射率が異なるため、データの読取り、フォーカシン
グ、トラッキングを行なう光学系の光源電流値が相違し
同一の装置でデータ読取りを行なうことは不可能であっ
た。
[課題を解決するための手段] 上記従来の課題を解決する本発明の光メモリカード読取
りシステムは、光メモリカードに書込まれたデータを光
を用いた光学ヘッドにより読取る光メモリカード読増す
システムにおいて、上記光メモリカードとして再生専用
の読取り用カード及び記録、再生用の読書き用カードを
用い、該読取り用カードと読書き用カードの光記憶領域
のフォーマットを一方のフォーマットに合せて同一に形
成し、光メモリカードの種類を光センサを用いて識別す
るカード識別部を有し、該カード識別部からの識別信号
により上記光メモリカードの種類に応じて上記光学ヘッ
ドに電流を供給する定電流回路の電流値を設定する電流
設定部を有する構成としている。
[実施例J 以下1本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
第1図は本発明の一実施例による光メモリカード読取り
システムの構成ブロック図である。
本実施例の光メモリカード読取りシステムは、図示の如
くカード読取り部1と、カード識別部2と、電流設定部
3を備える。
上記カード読取り部lは、光メモリカード5上のデータ
をレーザ光等の光を用いて読取る光学へラド6と、光メ
モリカード5の装着を行なう装着機構7と、光メモリカ
ード5の位置検出を行なう位置センサ8,9と、光メモ
リカード5の光記憶領域の反射率を検出する光センサl
Oによって構成しである。
ここで、本実施例の光メモリカード読取りシステムでは
、光メモリカード5として再生専用の読取り用カードと
記録令再生可能な読書き用カードの2種類のカードを同
じ構成の光学系6で読取ることができるように、読取り
用カードの光記憶領域のフォーマットを第4図(b)に
示す読書き用カードのフォーマットと同一とし、何れの
カードもシリアルにデータを読取るようにしている。
上記光学へラド6には、レーザ光を発するレーザダイオ
ード等の光IQDlが設けられている。また、D2は光
[01の光量モニター用の受光部である。
L記装着機構7は、光メモリカード5を載せるテーブル
7aと、テーブル7a上に光メモリカード5を送る送り
ローラ7bと、送りローラ7bを駆動するモータ7C及
びそのドライバ7dによってa成されている8外部から
挿入された光メモリカード5は、送りリローラ7bによ
って送られテーブル7a上にa置される。そして、テー
ブル7a上に載置された光メモリカード7aは、上記光
学へラド6によって走査されデータの読取りがなされる
上記位置センサ8,9は、送りローラ7bの入口と出口
側の2個所に各々設けられており、それぞれ発光部AI
 、Blと受光部A2.B2を光メモリカード5の通路
をはさんで対向させた構成としである。この位置センサ
8,9は、光メモリカード5が発光部AI 、Blから
の光を遮ることによりその位置を検出する。
上記光センサ10は、テーブル7a上に対向させて配置
してあり1発光部C1と受光部C2によって構成される
0発光部Ctから出て光メモリカード5の光記憶領域で
反射した光が受光部C2に入射すると、受光部C2から
その入射光量に比例した大きさの電圧信号を出力する。
この出力信号の大きさを見ることにより、光メモリカー
ド5の光記憶領域の反射率を検知することができるもの
である。
上記カード識別部2は、上記位置センサ8゜9及び光セ
ンサ10の出力信号に基づいて上記電流設定部3の制御
を行なうものであり、AND回路11−13と、NAN
D回路14.15と、フリップフロップ16〜18と、
遅延回路19と。
アンプ20及びコンパレータ21によって構成されてい
る。
上記位置センサ8,9の出力がAND回路11、NAN
D回路14.15の各入力に接続されている。また、光
センサ10の出力がアンプ20を経てコンパレータ21
に接続されている。
上記コンパレータ21は、光センサ10の出力電圧を基
準電圧と比較し、その高低によりハイレベル又はローレ
ベルの信号をAND回路13に出力する。ここで、上記
基準電圧は、第2図に示す如く読取り用カードと読書き
用カードの出力電圧との差が等しくなる値に設定してお
く、また、基準電圧の設定は、可変抵抗VRIによって
行なう。本実施例では、図示の如く読取り用カードの反
射率が読書き用カードの反射率よりも高い場合を示して
いる。
上記電流設定部3は、光学へラド6の光源D1に電流を
供給する定電流回路31と、定電流回路31の電流値を
設定する。設定スイッチSWI 、SW2を備える。
定電流回路31には、光学へラド6の光源Diが接続さ
れると共に、モニター用の受光部D2を接続しフィード
バックをかけである。この定電流回路31は、遅延回路
19の出力信号によってONする。また、設定スイッチ
SWt。
SW2は、各々読取り用カードと読書き用カードに合せ
て定電流回路31を切dえ、電流設定を行なうものであ
り、フリップフロップ18の出力QによりON、OFF
を行なう。
次に、上記の如く構成される本実施例の作用を説明する
光メモリカード5が、矢印方向に挿入され位置センサ8
の位置にくると、発光部AIの光が遮られて受光部A2
がOFFとなる。このとき、受光部A2がOFF、位置
センサ9の受光部B2がONのため、NAND回路15
からロード開始を示すロード信号が出力される。これに
より、ドライバ7dによってモータ7cが駆動されて送
りローラ7bが回転し、光メモリカード5は送りローラ
7bによってテーブル7a上に送られる(ロード状態)
、また、NAND回路15から出力されるロード信号に
よってフリップフロップ16〜18をリセット状態とす
る。
光メモリカード5が進み、位置センサ8,9の受光部A
2.B2がOFFになると、NAND回路14からロー
ド中であることを示すローディング信号が出力されフリ
ップフロップ17をセット状態とする。
このとき、光センサ10と光メモリカード5が対向して
位置するので、その発光部CIからの光が光メモリカー
ド5の光記憶領域で反射し受光部C2で受光される。受
光部C2の出力はアンプ20で増幅されコンパレータ2
1で基準電圧との比較がなされる。
装着された光メモリカード5が反射率の高い読取り用カ
ードの場合、コンパレータ21からはハイレベルの出力
信号が出力され、AND回路13に送られる。このとき
、フリップフロップ17はセット状態であるので、AN
D回路13からハイレベルの出力信号が出力されフリッ
プフロップ18をセット状態とする。この結果、フリッ
プフロップ18の出力Qがハイとなり、電流設定部3の
スイッチSWIがON、スイッチSW2がOFFとなる
。そして、スイッチSWIによって定1ri、Iit回
路31の電流値が読取り用カードを読取るための電流値
に設定される。
また、装着された光メモリカード5が反射率の低い読書
き用カードの場合は、コンパレータ31の出力がローレ
ベルとなるため、フリップフロップ18の出力Qがロー
レベルとなりスイッチSWIがOFF、スイッチSW2
がONとなる。
従って、この場合定電流回路31は、スイッチSW2に
より読書き用カードを読取るための電流値に設定される
なお、この状態では、¥電流回路31の電流値設定がな
されるだけで、光学へラド6の光源DIへの電流供給は
なされない。
さらに光メモリカード5が進みテーブル7a−ヒに載置
されると、光メモリカード5が位置センサ8から離れ受
光部A2がONに変り位置センサ9の受光部B2はOF
F状態を保持する。このとき、AND回路11からロー
ド終了を示すロード済信号が出力されて、フリップフロ
ー2プ16をセット状態とする。また、AND回路12
の出力によってフリップフロップ17がリセット状態と
なる。これにより、フリップフロ、プ16の出力Qがハ
イレベルとなり、遅延回路19で一定時間遅らせて定電
流回路31をONする。これにより、光学へラド6の光
源DIに光メモリカード5の種類に応じた値の電流が供
給されて、装着された光メモリカード5のデータ読取り
がなされる。
なお、上記の如く遅延回路19により電流値設定後時間
を遅らせて電流を供給するのは、光源DIの安定を図る
ためである。
また、上記実施例では、光メモリカード5のロードが開
始されテーブル7aJ二に完全に載置されるまでの間に
、光メモリカード5の反射率を検出し電流値設定を行な
うようにしたが、テーブル7a上に載置された後に反射
率の検出と電流値設定を行なってもよい、その場合の回
路構成を第3図に示す。
カード読取り部1と電流設定部3については。
第1図のものと全く同一である。カード識別部2は、A
ND回路12とNAND回路14及びフリップフロップ
17をなくした構成としである。゛この場合、光メモリ
カード5がテーブル7aに載置されると、AND回路1
1からロード済信号が出力されフリアブフロップ16が
セット状態になると共に、光センサ10による反射率の
検出がなされて上述した定電流回路31の電流値設定を
行なう。また、その後遅延回路19を通して定電流回路
31がONされる。
l−記実施例では、光メモリカード5の光記憶領域の反
射率を検出して読取り用カードと読書き用カードの識別
を行なう場合を示したが、第5図に示す如く光メモリカ
ード5表面の光記憶領域以外の部分に読取り用カード又
は読書き用カードであることを表示する反射マーク40
を設け、この反射マーク40の有無を光センサ10で検
出することにより光メモリカード5の種類識別を行ない
電流値設定をすることもできる。光センサ10の出力電
圧については、反射型のセンサの場合は第2図に示す結
果と同じようになる。光センサlOに透過型のセンサを
用い、光メモリカード5の反射マーク40以外の部分を
透明とした場合については、光センサ10の出力電圧は
反射マーク40があるところでは反射マーク40がない
ところより低いレベルとなる。
また、上記のような反射マーク40を設ければ、光メモ
リカード5の取扱いに際して読取り用カードと読書き用
カードを外観的に判断することができるという効果が得
られる。
なお、カード読取り部l、カード識別部2及び電流設定
部3の回路構成については、種々変更することが可能で
あり、図示のものに限定されるものではない。
[発明の効果] 以上説明したように本発明の光メモリカード読取りシス
テムは、光メモリカードとして再生専用の読取り用カー
ド及び記録、再生用の読書き用カードを用い、該読取り
用カードと読書き用カードの光記憶領域のフォーマット
を一方のフォーマットに合せて同一に形成し、光メモリ
カードの種類を光センサを用いて識別するカード識別部
を有し、カード識別部からの識別信号により上記光メモ
リカードの種類に応じて上記光学ヘッドに電流を供給す
る定電流回路の電流値を設定する電流設定部を有するこ
とにより、読取り用カードと読 −書き用カードのデー
タを回路を変えることなく同一の装置で読取ることがで
きる効果を有する。
光メモリカードのうち読取り用カードと読書き用カード
の一方に反射マークを設け、該反射マークの有無をカー
ド識別部の光センサで検出し、カード識別を行なうよう
にすれば、読取り用カードと読書き用カードを外観的に
区別することができる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
光センサの出力電圧を示す図、第3図は本発明の他の実
施例を示すブロック図、第4図(a)は読取り用カード
のフォーマットを示す図。 第4図(b)は読書き用カードのフォーマットを示す図
、第5図は光メモリカードの他側を示す図である。 l二カード読取り部 2:カード識別部3:電流設定部
   5:光メモリカード6:光学ヘッド   Dに光
源 10:光センサ   21:コンパレータ31:定M、
流回路 SWI 、SW2 :設定スイッチ 株式会社 シーニスケイ 第2図 AMP/l出力電圧 第5図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光メモリカードに書込まれたデータを光を用いた
    光学ヘッドにより読取る光メモリカード読取りシステム
    において、 上記光メモリカードとして再生専用の読取り用カード及
    び記録、再生用の読書き用カードを用い、該読取り用カ
    ードと読書き用カードの光記憶領域のフォーマットを一
    方のフォーマットに合せて同一に形成し、 をメモリカードの種類を光センサを用いて識別するカー
    ド識別部を有し、 該カード識別部からの識別信号により上記光メモリカー
    ドの種類に応じて上記光ヘッドに電流を供給する定電流
    回路の電流値を設定する電流設定部を有することを特徴
    とする光メモリカード読取りシステム。
  2. (2)光メモリカードのうち読取り用カードと読書き用
    カードの一方に反射マークを設け、該反射マークの有無
    をカード識別部の光センサで検出し、カード識別を行な
    うことを特徴とする請求項(1)記載の光メモリカード
    読取りシステム。
  3. (3)カード識別部が、光センサにより検出した光メモ
    リカードの光記憶領域の反射率を基準値と比較して該光
    メモリカードの種類を識別するコンパレータを備え、 電流設定部による電流値設定後所定時間をおいて定電流
    回路をONする遅延回路を備えたことを特徴とする請求
    項(1)記載の光メモリカード読取りシステム。
JP63071632A 1988-03-25 1988-03-25 光メモリカード読取りシステム Pending JPH01245431A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61160838A (ja) * 1985-01-10 1986-07-21 Canon Inc 光学式情報記録再生装置
JPS6257168A (ja) * 1985-09-05 1987-03-12 Olympus Optical Co Ltd 記録媒体の判別装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61160838A (ja) * 1985-01-10 1986-07-21 Canon Inc 光学式情報記録再生装置
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