JPH02218019A - 光メモリカード読取りシステム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光メモリカードに書込まれたデータを光を用
いた光学系により読取る光メモリカード読取りシステム
に関する。

［従来の技術及びその解決すべき課題］従来、光により
データのアクセスを行なう光メモリカードとしては、予
め記録されたデータの再生のみを行なう読取り用カード
と、データの記録と再生の双方を行なう読書き用カード
とがある。

これら読取り用カードと読書き用カードは、各々光記憶
領域のフォーマットが異なっている。読取り用カードで
は、ｐｉＳ４図（ａ）に示す如くトラックガイド５０間
に複数の記録ビット列５１を配したフォーマットとなっ
ており、パラレルにデータを読取る。また、読書き用カ
ードでは、第４図（ｂ）に示す如くトラックガイド５０
間に一列の記録ビット５２を書込むフォーマットとなっ
ており、シリアルにデータを読取る。

このような読取り用カードと読書き用カードのフォーマ
ットの違いにより、読取り用カードと読書き用カードの
データを読取る装置を同一の装置とすることができずそ
れぞれ専用の装置を用意しなければならないという問題
があった。

また、仮にフォーマットを同一としても、読取り用カー
ドと読書き用カードではカード製造方法の違いによりそ
の反射率が異なるため、データの読取り、フォーカシン
グ、トラッキングを行なう光学系の読取り信号レベルの
値が相違し同一の装置でデータ読取りを行なうことは不
可能であった。

［課題を解決するための手段］ 上記従来の課題を解決する本発明の光メモリカード読取
りシステムは、光メモリカードに書込まれたデータを光
を用いた光学ヘッドにより読取る光メモリカード読取り
システムにおいて、上記光メモリカードとして複数種類
の光メモリカードを用い、かつ光メモリカードの光記憶
領域のフォーマットを同一に形成し、光メモリカードの
光学的特徴を光センサで検出し、光メモリカードの種類
を識別するカード識別部を有し、該カード識別部からの
識別信号により上記光メモリカードの種類に応じて上記
光学ヘッドから出力する読取信号のレベルを調節するレ
ベル調節部を有する構成としている。

また、好ましくは複数種類の光メモリカードとして読取
り用カードと読書き用カードを用い。

方の光メモリカードの一部に他の部分と反射率の異なる
検出マークを設け、該検出マークの有無をカード識別部
の反射型の光センサで検出してカード識別を行なうか、
あるいは複数種類の光メモリカードとして読取り用カー
ドと読書き用カードを用い、一方に識別孔を設け、該識
別孔の有無をカード；１１ｉＮｌＪ部の透過型の光セン
サで検出し、カード識別を行なう。

さらに、レベル調節部は、光学ヘッドから出力する読取
信号のレベルを変える分圧回路又は分流回路と、該分圧
回路又は分流回路の切替えを行なう切替スイッチとを備
え、カード識別部は、光センサにより検出した光メモリ
カードの種類に応じて、上記切替スイッチを動作させる
セット回路を備える構成とすることもできる。

［実施例］ 以下１本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。

第１図は本発明の一実施例による光メモリカード読取り
システムの構成ブロック図である。

本実施例の光メモリカード読取りシステムは。

図示の如くカード読取り部１と、カード識別部２と、レ
ベル調節部３と、読取り装置４を備える。上記カード読
取り部ｌは、光メモリカード５上のデータをレーザ光等
の光を用いて読取る光学へラド１１と、光メモリカード
５の装着を行なう装着機構１２と、光メモリカード５の
光記憶領域の反射率を検出する光センサｌＯによって構
成しである。

ここで１本実施例の光メモリカード読取りシステムでは
、光メモリカード５として再生専用の読取り用カードと
記Ｑ−再生可能な読書き用カードの２種類のカードを用
い、これらを同じ構成の光学へラド１１で読取ることが
できるように、読取り用カードの光記憶領域のフォーマ
ットを第４図（ｂ）に示す読書き用カードのフォーマッ
トと同一とし、何れのカードもシリアルにデータを読取
るようにしている。

上記光学へラド１１には、レーザ光を発するレーザダイ
オード等の光源Ｄ１が設けられている。また、Ｄ２は光
ｉＤｌの光量モニター用の受光部である。

上記装Ｒ１＆構１２は、光メモリカード５を載せるテー
ブル１２ａと、テーブル１２ａ上に光メモリカード５を
送る送りローラ１２ｂと、送りローラ１２ｂを駆動する
モータ１２ｃ及びそのドライバ１２ｄによって構成され
ている。外部から挿入された光メモリカード５は、送り
ローラ１２ｂによって送られテーブル１２ａ上にｔＬ置
される。そして、チーブノミ／１２ａ上に載置された光
メモリカード５は、上記光学へラド１１によって走査さ
れデータの読取りがなされる。

上記光センサ１０は、テーブル１２ａ上に対向させて配
置してあり、発光部Ｃ１と受光部Ｃ２によって４１Ｊ成
される０発光部Ｃ１から出て光メモリカード５の光記憶
領域で反射した光が受光部Ｃ２に入射すると、受光部Ｃ
２からその入射光量に比例した大きさの電圧信号を出力
する。この出力信号の大きさを見ることにより、光メモ
リカード５の光記憶領域の反射率を検知することができ
るものである。

上記カード識別部２は、上記光センサ１０の出力信号に
基づいて光メモリカード５の種類を上記レベル調節部３
の制御を行なうものであり、セット回路２２と２アンプ
２０及びコンパレータ２１によって構成されている。そ
して、光センサ１０の自力がアンプ２０を経てコンパレ
ータ２１に接続されている。

上記コンパレータ２１は、光センサ１０の出力電圧を基
準電圧と比較し、その高低によりハイレベル又はローレ
ベルの信号をセット回路２２に出力する。ここで、上記
基準電圧は、第２図に示す如く読取り用カードと読書き
用カードの出力電圧との差が等しくなる中間値に設定し
ておく、また、基準電圧の設定は、可変抵抗ＶＲＩによ
って行なう０本実施例では１図示の如く読取り用カード
の反射率が読書き用カードの反射率よりも高い場合を示
している。

上記レベル調節部３は、光学ヘッド１１の受光１０２の
出力信号のレベルを変える分圧回路３０と、分圧回路３
０の切替えを行なう切替スイッチ３１ｔ−備える。

分圧回路３０は、光へラド１１の受光部Ｄ２の出力信号
を読取装置４へ送信する信号線を分岐して設けられ５可
変抵抗ＶＲ２によって受光部Ｄ２の出力信号のレベルを
所定の値に設定する。

切替スイッチ３１は、受光部Ｄ２の出力信号を直接読取
り装置４に入力するか、または分圧回路３０を介して読
取り装置４に入力するかを選択するためのものであり、
セット回路２２の出力によって上記の切替えを行なう。

なお、この実施例では、出力信号のレベルを変えるため
に分圧回路３０を用いたが、代りに分流回路等を用いて
もよい。

次に、上記の如く構成される本実施例の作用を説明する
。

光メモリカード５が、矢印方向に挿入されると、読取り
装δ４よりロード信号が出力され、送りローラ１２ｂが
回転して光メモリカード５をテーブル１２ａ上に送る。

また、光メモリカード５の装着により読取り装置４から
セット回路２２へ初期設定信号が出力され、セット回路
２２をセット状態とする。この初期設定信号は。

読取装置４におけるプログラム制御によって出力される
。

このとき、光センサ１０と光メモリカード５が対向して
位こするので、その発光部Ｃｔからの光が光メモリカー
ド５の光記憶領域で反射し受光部Ｃ２で受光される。受
光部Ｃ２の出力はアンプ２０で増幅されコンパレータ２
１で基準電圧との比較がなされる。

装着された光メモリカード５が反射率の高い読取り用カ
ードの場合、フンパレータ２１からはハイレベルの出力
信号が出力され、このためセット回路２２の出力Ｑがハ
イとなり、レベル調節部３の切替スイッチ３１を短絡側
へ切替える。

そして、切替スイッチ３１によって光学へラド１１の受
光部Ｄ２の出力である読取り信号のレベルが読取り用カ
ードを読取るためのレベルに調節される。

また、装着された光メモリカード５が反射率の低い読書
き用カードの場合は、コンパレータ２１の出力がローレ
ベルとなるため、セット回路２２の出力Ｑがローレベル
となり切替スイッチ３１を分圧回路３０側へ切替える。

従って、この場合読取り信号のレベルは、切替スイッチ
３１により読書き用カードを読取るためのレベルに調節
される。

また、調節された読取り信号のレベルは、読取り装ｒ１
４からセット回路２２へ送られる初期設定信号によって
、光メモリカード５のデータの読堆り終了または光メモ
リカード５の排出まで保持される。

また、上記実施例では、読取り信号のレベルの保持を、
読取り装置４のプログラム制御により出力される初期設
定信号によって行なっていたが、センサを用いて光メモ
リカード５の位置を識別して初期設定信号を出力する初
期設定回路６を設けてもよい。

その場合の回路構成を第３図に示す、カード読取り部ｌ
には、送りローラ１２ｂの前後に位置センサ１３，１４
が設けられる。

初期設定回路６は、ＡＮＤ回路２３と、ＮＡＮＤ回路２
５と、フリップフロップ２６によって構成され、位置セ
ンサ１３，１４の出力がＡＮＤ回路２３．ＮＡＮＤ回路
２５の各入力に接続されている。

カード識別部２には、コンパレータ２１の出力とフリッ
プフロップ２６の出力との論理和をとってセット回路２
２へ出力するＡＮＤ回路２４が設けられる。

なお、その他の構成については、第１図の実施例と同様
である。

次に、初期設定回路６の作用を説明する。

光メモリカード５が、位置センサ１３の位ｔまで挿入さ
れると１発光部ＡＩの光が遮られて受光部Ａ２がＯＦＦ
、位置センサ１４の受光部Ｂ２がＯＮのため、ＮＡＮＤ
回路２５からリセット信号が出力され、フリップフロッ
プ２６及びセット回路２２をリセット状態とする。

光メモリカード５が進み、テーブル１２ａ上に載置され
ると、光メモリカード５が位置センサ１３から離れて受
光部Ａ２がＯＮになり、位置センサ１４の受光部Ｂ２は
ＯＦＦとなる。このとき、ＡＮＤ回路２３からロード終
了を示すロード済信号が出力されて、フリップフロップ
２６をセット状態とする。

これによって２フリツプフロー７プ２６の出力Ｑがハイ
レベルとなり、ＡＮＤ回路２４へ送られる。そして、Ａ
ＮＤ回路２４でコンパレータ２１の出力との論理和をと
ってセー７ト回路２２をセット状態とする。従って、こ
の状態は、フリップフロップ２６の出力Ｑがローレベル
になるまで、すなわち光メモリカード５が排出されるま
で保持されることとなる。

上記実施例では、光メモリカード５の光記憶領域の反射
率を検出して読取り用カードと読書き用カードの識別を
行なう場合を示したが、第５図に示す如く光メモリカー
ド５表面の光記憶領域以外の一部分に周りより反射率の
大きい読取り用カード又は読書き用カードであることを
表示する検出マーク７を設け、この検出マーク７の有無
を反射型の光センサ１０で検出することにより光メモリ
カード５の種類識別を行ないレベル調節をすることもで
きる。この検出マーク７としては、上記のように周りよ
り反射率の大きいものだけでなく、周りより反射率を小
さくして（非反射部とする）形成することもできる。

光センサｌＯの出力電圧については、高反射率の検出マ
ーク７の場合、検出マーク７がある部分では他の部分よ
り光センサ１０の出力電圧レベルが高くなり、低反射率
の検出マーク７の場合、他の部分よりレベルが低くなる
。

光センサ１０に透過型のセンサを用い、光メモリカード
５の検出マーク７以外の部分を透明とした場合について
は、光センサ１０の出力電圧は検出マーク７があるとこ
ろでは検出マーク７がないところより低いレベルとなる
。

透過型の光センサを用いた場合の構成を第６図に示す、
ここでは、光メモリカード５に検出マーク７の代りに識
別孔８を設け、透過型のセンサによって光メモリカード
５の種類識別を行なっている。この場合、光センサ１０
の出力電圧は識別孔８ある部分では他の部分より高いレ
ベルとなる。

また、上記のような検出マーク７、または識別孔８を設
ければ、光メモリカード５の取扱いに際して読取り用カ
ードと読書き用カードを外観的に判断することができる
という効果が得られる。

なお、カード読取り部ｌ、カード識別部２及びレベルｒ
Ｉｉ箇部３の回路構成については、種々変更することが
可能であり、図示のものに限定されるものではない。

［発明の効果Ｊ 以上説明したように本発明の光メモリカード読取りシス
テムは、光メモリカードとして複数種類の光メモリカー
ドを用い、かつ光メモリカードの光記憶領域のフォーマ
ットを同一に形成し、光メモリカードの光学的特徴を光
センサで検出し、光メモリカードの種類を識別するカー
ド識別部を有することにより、読取り用カードと読書き
用カードのデータを回路を変えることなく同一の装置で
読取ることができる効果を有する。

光メモリカードのうち読取り用カードと読書き用カード
の一方に反射マークをまたは識別孔を設け、該検出マー
クまたは識別孔の有無をカード識別部の光センサで検出
し、カード識別を行なうようにすれば、読取り用カード
と読書き用カードを外観的に区別することができる効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図。 ｔｆＳＺ図は光センサの出力電圧を示す図、第３図は本
発明の他の実施例を示すブロック図、第４図（ａ）は読
取り用カードのフォーマットを示す図、第４図（ｂ）は
読書き用カードのフォーマットを示す図、第５図は光メ
モリカードの他側を示す図、第６図は透過型の光センサ
の４Ｒ成を示す図である。 ｌ二カード読取り部　２二カード識別部３ニレペル調節
部 ５：光メモリカード ８：識別孔 ｌＯ：光センサ ３０：分圧回路 株式会社 ４：読取り装置 ７：検出マーク ｌｌ：光学ヘッド ２１：コンパレータ ３１：切替スイッチ シーニスケイ ＡＭＰ／ｌ出力電圧 第 図 （ａ） ／ （ｂ） 第 図 第 図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光メモリカードに書込まれたデータを光を用いた
   光学ヘッドにより読取る光メモリカード読取りシステム
   において、 上記光メモリカードとして複数種類の光メモリカードを
   用い、かつ各光メモリカードの光記憶領域のフォーマッ
   トを同一に形成し、 上記光メモリカードの光学的特徴を光センサで検出し、
   光メモリカードの種類を識別するカード識別部を有し、 該カード識別部からの識別信号により上記光メモリカー
   ドの種類に応じて上記光学ヘッドから出力する読取信号
   のレベルを調節するレベル調節部を有することを特徴と
   する光メモリカード読取りシステム。
2. （２）複数種類の光メモリカードとして読取り用カード
   と読書き用カードを用い、一方の光メモリカードの一部
   に他の部分と反射率の異なる検出マークを設け、該検出
   マークの有無をカード識別部の反射型の光センサで検出
   してカード識別を行なうことを特徴とする請求項（１）
   記載の光メモリカード読取りシステム。
3. （３）複数種類の光メモリカードとして読取り用カード
   と読書き用カードを用い、一方に識別孔を設け、該識別
   孔の有無をカード識別部の透過型の光センサで検出し、
   カード識別を行なうことを特徴とする請求項（１）記載
   の光メモリカード読取りシステム。
4. （４）レベル調節部は、光学ヘッドから出力する読取信
   号のレベルを変える分圧回路又は分流回路と、該分圧回
   路又は分流回路の切替えを行なう切替スイッチとを備え
   、 カード識別部は、光センサにより検出した光メモリカー
   ドの種類に応じて、上記切替スイッチを動作させるセッ
   ト回路を備えることを特徴とする請求項（１）記載の光
   メモリカード読取システム。