JPH01246199A - 化合物半導体結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体結晶の製造方法Info
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- JPH01246199A JPH01246199A JP7251988A JP7251988A JPH01246199A JP H01246199 A JPH01246199 A JP H01246199A JP 7251988 A JP7251988 A JP 7251988A JP 7251988 A JP7251988 A JP 7251988A JP H01246199 A JPH01246199 A JP H01246199A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明はＣｄＺｎＴｅ化合物半導体結晶の製造に係り、
特にブリッジマン法で作製した結晶中のプレシピテート
の形成を抑制した化合物半導体結晶の成長方法に関し、 プレシピテートの形成を抑止できる化合物半導体結晶の
成長方法の提供を目的とし、 本発明は第１に、Ｃｄ＋−ｚ Ｚｎｚ Ｔｅ結晶をブリ
ッジマン法により結晶成長させるにあたって、結晶成長
材料を秤量時にＣｄ＋−ｚ＋ｄ Ｚｎ ＊ Ｔｅ 〔０
．００１≦α≦０．００２５）なる組成とし、かつ前記
Ｃｄ＋−ｚ＋ＪｎｚＴｅ結晶の体積が成長アンプルの体
積に占める比率を２０％〜８０％としたことを特徴とし
、第２に、Ｃｄ、−、Ｚｎ、 Ｔｅ結晶をブリッジマン
法により結晶成長させるにあたって、Ｃｄ、−ｚ Ｚｎ
、 Ｔｅ結晶とは別にＣｄリザーバーを設け、結晶成長
時のＣｄリザーバー温度を８１０℃〜８５３℃に保持す
ることをにより構成する。
特にブリッジマン法で作製した結晶中のプレシピテート
の形成を抑制した化合物半導体結晶の成長方法に関し、 プレシピテートの形成を抑止できる化合物半導体結晶の
成長方法の提供を目的とし、 本発明は第１に、Ｃｄ＋−ｚ Ｚｎｚ Ｔｅ結晶をブリ
ッジマン法により結晶成長させるにあたって、結晶成長
材料を秤量時にＣｄ＋−ｚ＋ｄ Ｚｎ ＊ Ｔｅ 〔０
．００１≦α≦０．００２５）なる組成とし、かつ前記
Ｃｄ＋−ｚ＋ＪｎｚＴｅ結晶の体積が成長アンプルの体
積に占める比率を２０％〜８０％としたことを特徴とし
、第２に、Ｃｄ、−、Ｚｎ、 Ｔｅ結晶をブリッジマン
法により結晶成長させるにあたって、Ｃｄ、−ｚ Ｚｎ
、 Ｔｅ結晶とは別にＣｄリザーバーを設け、結晶成長
時のＣｄリザーバー温度を８１０℃〜８５３℃に保持す
ることをにより構成する。
本発明はＣｄＺｎＴｅ化合物半導体結晶の製造に係り、
特にブリッジマン法で作製した結晶中のプレシピテート
の形成を抑制した化合物半導体結晶の製造方法に関する
。
特にブリッジマン法で作製した結晶中のプレシピテート
の形成を抑制した化合物半導体結晶の製造方法に関する
。
赤外線検知素子の形成材料としては、エネルギーバンド
ギヤツブが狭く、光電変換効率の良い水ｉ艮・カドミウ
ム・・テルル な化合物半導体結晶が用いられている。
ギヤツブが狭く、光電変換効率の良い水ｉ艮・カドミウ
ム・・テルル な化合物半導体結晶が用いられている。
このような化合物半導体結晶は素子形成上、都合が良い
ように薄層で大面積の結晶が必要で、そのため、このＨ
ｇ．＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅと格子整合が得やすいカドミ
ウム・亜鉛・テルル（Ｃｄｌ−ｚ Ｚｎｇ Ｔｅ） ０
）単結晶を基板結晶として用い、その上にｌ１ｇ，−、
ＣｄつＴｅの結晶をエピタキシャル成長している。基
板として用いられるＣｄＩ−ｔＺｎ． Ｔｅの単結晶に
は未成長欠陥の原因となるプレシピテート（析出物）が
ないことが要望される。
ように薄層で大面積の結晶が必要で、そのため、このＨ
ｇ．＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅと格子整合が得やすいカドミ
ウム・亜鉛・テルル（Ｃｄｌ−ｚ Ｚｎｇ Ｔｅ） ０
）単結晶を基板結晶として用い、その上にｌ１ｇ，−、
ＣｄつＴｅの結晶をエピタキシャル成長している。基
板として用いられるＣｄＩ−ｔＺｎ． Ｔｅの単結晶に
は未成長欠陥の原因となるプレシピテート（析出物）が
ないことが要望される。
第３図はブリッジマン法を説明するための模式図で、第
４図は上記結晶成長に用いる加熱炉の温度分布を示す。
４図は上記結晶成長に用いる加熱炉の温度分布を示す。
第５図はＣｄＴｅの相図で、Ｋ．Ｚａｎｉ。
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ａｎｄ Ｓｅｍｉｍｅ
ｔａｌｓ ｖｏｌ．１３＋ ｐ．６（八ｃａｄｅｍｉｃ
，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９７８）に記載されているも
のであり、本発明を理解し易くするためにＣｄＴｅ結晶
の成長について説明する。
ｔａｌｓ ｖｏｌ．１３＋ ｐ．６（八ｃａｄｅｍｉｃ
，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９７８）に記載されているも
のであり、本発明を理解し易くするためにＣｄＴｅ結晶
の成長について説明する。
第３図および第４図に示すように、ＣｄＴｅの作製に用
いるアンプル１に単結晶製造用材料であるＣｄおよびＴ
ｅの各元素２を、第５図に示した化学量論的組成、ある
いはコングルエンド組成（Ｔｅ過剰）で秤量して充填す
る。次いでアンプル１内を排気した後、アンプル上部を
封止し、縦型の加熱炉３内の炉芯管４内部に支持具６を
用いて設置する。
いるアンプル１に単結晶製造用材料であるＣｄおよびＴ
ｅの各元素２を、第５図に示した化学量論的組成、ある
いはコングルエンド組成（Ｔｅ過剰）で秤量して充填す
る。次いでアンプル１内を排気した後、アンプル上部を
封止し、縦型の加熱炉３内の炉芯管４内部に支持具６を
用いて設置する。
この状態で加熱炉３の温度分布が第４図の点線で示した
曲線１０になるように加熱炉３のヒータ５に流す電流を
制御した後、前記曲線１０の分布は変えずに一定速度で
降温することにより、ＣｄＴｅの材料２の融点が１０９
２℃であるので、その温度に曲線が達するにつれ、アン
プルｌの尖った一端部より固化が始まり、単結晶を成長
させることができる。
曲線１０になるように加熱炉３のヒータ５に流す電流を
制御した後、前記曲線１０の分布は変えずに一定速度で
降温することにより、ＣｄＴｅの材料２の融点が１０９
２℃であるので、その温度に曲線が達するにつれ、アン
プルｌの尖った一端部より固化が始まり、単結晶を成長
させることができる。
しかし、このような化学量論的組成あるいはコングルエ
ンド組成で形成したＣｄＴｅでは、アンプル空間７に、
Ｔｅに比べ蒸気圧の高いＣｄが選択蒸発して、成長時の
融液組成がＣｄ不足となる。その結果、結晶中にサイズ
が１０〜３０μｍ程度のＴｅのプレシピテートが形成さ
れる問題がある。
ンド組成で形成したＣｄＴｅでは、アンプル空間７に、
Ｔｅに比べ蒸気圧の高いＣｄが選択蒸発して、成長時の
融液組成がＣｄ不足となる。その結果、結晶中にサイズ
が１０〜３０μｍ程度のＴｅのプレシピテートが形成さ
れる問題がある。
また、アンプル空間７へのＣｄの消費量分のＣｄを秤量
時に追加してもＴｅのプレシビテートのサイズは１０〜
３０μｍとほとんど変わらなかった。
時に追加してもＴｅのプレシビテートのサイズは１０〜
３０μｍとほとんど変わらなかった。
このようなプレシビテートのあるＣｄＴｅ （またはＣ
ｄＺｎＴｅ）を基板に用いてＨｇＣｄＴｅＯ液相エピタ
キシャル成長を行うと、基板表面近くにあるプレシピテ
ートの部分から、エピタキシャル層の未成長欠陥が発生
し、エピタキシャル結晶の品質を劣下させる欠点があっ
た。
ｄＺｎＴｅ）を基板に用いてＨｇＣｄＴｅＯ液相エピタ
キシャル成長を行うと、基板表面近くにあるプレシピテ
ートの部分から、エピタキシャル層の未成長欠陥が発生
し、エピタキシャル結晶の品質を劣下させる欠点があっ
た。
本発明は上記した欠点を除去し、プレシピテートの形成
を抑止できる化合物半導体結晶の製造方法の提供を目的
とする。
を抑止できる化合物半導体結晶の製造方法の提供を目的
とする。
本発明は第１に、ＣｄＩ−ｚ Ｚｎ， Ｔｅ結晶をブリ
ッジマン法により結晶成長させるにあたって、結晶成長
材料を秤量時にＣｄＩ−ｚ＋７＋（ Ｚｎ 、 Ｔｅ
（０．００１ ≦α≦０．００２５）なる組成とし、か
つ前記Ｃｄ１−ｚ．（Ｚｎ。
ッジマン法により結晶成長させるにあたって、結晶成長
材料を秤量時にＣｄＩ−ｚ＋７＋（ Ｚｎ 、 Ｔｅ
（０．００１ ≦α≦０．００２５）なる組成とし、か
つ前記Ｃｄ１−ｚ．（Ｚｎ。
Ｔｅ結晶の体積が成長アンプルの体積に占める比率を２
０％〜８０％としたことを特徴とし、第２に、ＣｄＩ−
２２ｎ， Ｔｅ結晶をブリッジマン法により結晶成長さ
せるにあたって、Ｃｄｌ−１ Ｚｎｚ Ｔｅ結晶とは別
にＣｄリザーバーを設け、結晶成長時のＣｄリザーバー
温度を８１０℃〜８５３℃に保持することを特徴とする
。
０％〜８０％としたことを特徴とし、第２に、ＣｄＩ−
２２ｎ， Ｔｅ結晶をブリッジマン法により結晶成長さ
せるにあたって、Ｃｄｌ−１ Ｚｎｚ Ｔｅ結晶とは別
にＣｄリザーバーを設け、結晶成長時のＣｄリザーバー
温度を８１０℃〜８５３℃に保持することを特徴とする
。
本発明では、Ｃｄを過剰に加えてアンプル空間へのＣｄ
の消費を補い、かつ融液をＣｄ過剰にすることによって
、固化時にＴｅが凝集してプレシビテートが形成される
のを抑止するようにする。
の消費を補い、かつ融液をＣｄ過剰にすることによって
、固化時にＴｅが凝集してプレシビテートが形成される
のを抑止するようにする。
以下、図面を用いながら本発明の第１実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
第３図は本発明の詳細な説明するための図で、第４図は
上記方法に用いる加熱炉の温度分布を示す図であり、第
１図は本実施例で得られたプレシピテートサイズとＣｄ
増量値（α）の関係を示す図である。
上記方法に用いる加熱炉の温度分布を示す図であり、第
１図は本実施例で得られたプレシピテートサイズとＣｄ
増量値（α）の関係を示す図である。
第３図および第４図に示すように、本発明の方法に用い
るアンプル１は、Ｃｄ、 ＺｎおよびＴｅの化合物半導
体結晶形成材料２が収容できる直径が約５０鶴の石英製
の有底の管よりなる。アンプル１の体積は約３１０ｃｃ
であり、内側にはカーボン膜をベンゼンの熱分解により
形成している。
るアンプル１は、Ｃｄ、 ＺｎおよびＴｅの化合物半導
体結晶形成材料２が収容できる直径が約５０鶴の石英製
の有底の管よりなる。アンプル１の体積は約３１０ｃｃ
であり、内側にはカーボン膜をベンゼンの熱分解により
形成している。
このアンプル１に材料２としてＣｄｏ、ｑ７やａ Ｚｎ
６．。３Ｔｅなる組成で固化時の体積２２０ｃｃとなる
量を充填する。次いでアンプル１内を排気した後、上部
を封止し、このアンプル１を加熱炉３内の炉芯管４内に
支持具６を用いて設置する。
６．。３Ｔｅなる組成で固化時の体積２２０ｃｃとなる
量を充填する。次いでアンプル１内を排気した後、上部
を封止し、このアンプル１を加熱炉３内の炉芯管４内に
支持具６を用いて設置する。
次いで加熱炉３のヒータ５に通電し、２４時間で加熱炉
３の／温度分布が第４図の点線で示す曲線１０になるよ
うに加熱炉３のヒータに流す電流を制御する。
３の／温度分布が第４図の点線で示す曲線１０になるよ
うに加熱炉３のヒータに流す電流を制御する。
この状態で約２日間成長材料２を溶融した後、温度勾配
２〜３℃／ｃｍを保持して降温速度０．２〜０．３℃／
ｈｒで加熱炉の温度を下げる。このように温度勾配を一
定にして降温することにより、アンプル１の底部から成
長速度が約１ｍｍ／ｈｒで溶融材料を順次固化させて単
結晶を得る。
２〜３℃／ｃｍを保持して降温速度０．２〜０．３℃／
ｈｒで加熱炉の温度を下げる。このように温度勾配を一
定にして降温することにより、アンプル１の底部から成
長速度が約１ｍｍ／ｈｒで溶融材料を順次固化させて単
結晶を得る。
なお、第４図の曲線１０が加熱炉の降温により、点線で
示すＣｄＴｅの融点１１に達した時の位置１２は第３図
における固相一液相界面８の位置に相当する。そして固
相一液相界面８より上方の材料２は溶融しており、アン
プル１の空間７にはＣｄの蒸気が存在している。
示すＣｄＴｅの融点１１に達した時の位置１２は第３図
における固相一液相界面８の位置に相当する。そして固
相一液相界面８より上方の材料２は溶融しており、アン
プル１の空間７にはＣｄの蒸気が存在している。
このようにして作製した単結晶をスライスし、赤外線透
過顕微鏡でプレシビテートの存在を観測した。
過顕微鏡でプレシビテートの存在を観測した。
第１図は上述したブリッジマン法を用い、Ｃｄの増量値
αを種々変化させて結晶を成長させたときのプレシビテ
ートの大きさを観測したもので、横軸はＣｄ増増量値外
χ）を、縦軸はプレシピテートサイズ（μｍ）を示して
いる。
αを種々変化させて結晶を成長させたときのプレシビテ
ートの大きさを観測したもので、横軸はＣｄ増増量値外
χ）を、縦軸はプレシピテートサイズ（μｍ）を示して
いる。
この図は、成長させた単結晶の体積とアンプルの容積と
の比率が７０％の条件のもとで、秤量組成Ｃｄｏ、ｑ７
＊ａｔ Ｚｎｏ、ｏ３Ｔｅにおいて、Ｃｄ増増量値外Ｏ
≦α≦０．００３７の範囲で変えたものであり、プレシ
ピテートサイズはウェハー内で最大のものを測定した値
である。
の比率が７０％の条件のもとで、秤量組成Ｃｄｏ、ｑ７
＊ａｔ Ｚｎｏ、ｏ３Ｔｅにおいて、Ｃｄ増増量値外Ｏ
≦α≦０．００３７の範囲で変えたものであり、プレシ
ピテートサイズはウェハー内で最大のものを測定した値
である。
この図かられかるように、Ｃｄ増増量値外ｏ、ｏｏｉ≦
α≦０．００２５の範囲でプレシピテートサイズの小さ
な良質の単結晶を得ることができた。
α≦０．００２５の範囲でプレシピテートサイズの小さ
な良質の単結晶を得ることができた。
また、前記Ｃｄｏ、 ｑｑ＋ｔ＜ Ｚｎｏ、 ｏｓＴｅ
結晶の体積と成長アンプルの容積との比率を２０〜３０
％と変えた場合も、上記増量値αの範囲は０．００１≦
α≦０．００２５でプレシビテートサイズの小さな良質
の単結晶を得ることができた。
結晶の体積と成長アンプルの容積との比率を２０〜３０
％と変えた場合も、上記増量値αの範囲は０．００１≦
α≦０．００２５でプレシビテートサイズの小さな良質
の単結晶を得ることができた。
なお、増量値が０．００１以下ではＴｅブレシピテ−ト
が析出し、０．０２５以上ではＣｄブレシビテートが発
生していることがわかった。またアンプル空間７へのＣ
ｄの消費量はＣｄの平衡蒸気圧を約１ａｔｍとして計算
したところα−０，０００１程度であり、この程度の増
量では不十分であることがわかった。
が析出し、０．０２５以上ではＣｄブレシビテートが発
生していることがわかった。またアンプル空間７へのＣ
ｄの消費量はＣｄの平衡蒸気圧を約１ａｔｍとして計算
したところα−０，０００１程度であり、この程度の増
量では不十分であることがわかった。
次に、本発明の第２実施例を図面に沿って説明する。
第６図は本発明の詳細な説明図で、第７図は上記方法に
用いる加熱炉の温度分布を示す図であり、第２図は第２
実施例で得られた結晶のプレシピテートサイズとＣｄリ
ザーバーの温度との関係を示す図である。
用いる加熱炉の温度分布を示す図であり、第２図は第２
実施例で得られた結晶のプレシピテートサイズとＣｄリ
ザーバーの温度との関係を示す図である。
第６図および第７図に示すように、本発明の方法に用い
るアンプル２１は、Ｃｄ、 ＺｎおよびＴｅの化合物半
導体結晶形成材料２２が収容される直径が約５０龍の石
英製の単結晶形成用大口径管２３と該大口径管２３に連
通した直径が約８鶴の石英製の有底の細管２４とよりな
る。この大口径管２３内には、更にカーボン製坩堝２５
が設置され二重構造の坩堝となっている。この有底の細
管２４の底部内に易蒸発性のＣｄの結晶２６をリザーバ
として約１０ｇ秤量して充填し、また坩堝２５内にＣｄ
とＴｅとを所定の重量秤量して充填する。次いでアンプ
ル２１内を排気した後、大口径管２３の上部を封止し、
このアンプル２１を加熱炉２７内の炉芯管２８内に支持
具２９を用いて設泗する。
るアンプル２１は、Ｃｄ、 ＺｎおよびＴｅの化合物半
導体結晶形成材料２２が収容される直径が約５０龍の石
英製の単結晶形成用大口径管２３と該大口径管２３に連
通した直径が約８鶴の石英製の有底の細管２４とよりな
る。この大口径管２３内には、更にカーボン製坩堝２５
が設置され二重構造の坩堝となっている。この有底の細
管２４の底部内に易蒸発性のＣｄの結晶２６をリザーバ
として約１０ｇ秤量して充填し、また坩堝２５内にＣｄ
とＴｅとを所定の重量秤量して充填する。次いでアンプ
ル２１内を排気した後、大口径管２３の上部を封止し、
このアンプル２１を加熱炉２７内の炉芯管２８内に支持
具２９を用いて設泗する。
この状態で加熱炉２７の高温領域３０および低温領域３
１の温度が両方共、６００℃の温度になるように加熱炉
２７のヒータに通電し６時間経過した後、加熱炉２７の
温度が第２図の曲線３２に示すように高温領域３０で１
１５０”ｃ、低温領域３１で８５０℃の温度プロフィー
ルになるように、加熱炉２７のヒータに流す電流を制御
する。
１の温度が両方共、６００℃の温度になるように加熱炉
２７のヒータに通電し６時間経過した後、加熱炉２７の
温度が第２図の曲線３２に示すように高温領域３０で１
１５０”ｃ、低温領域３１で８５０℃の温度プロフィー
ルになるように、加熱炉２７のヒータに流す電流を制御
する。
このようにした状態で高温領域で２日間、結晶形成材料
２２を溶融した後、アンプル２１を矢印入方向に沿って
１ ａｍ／ｌｈｒの速度で降下させ、ＣｄＺｎＴｅの融
点１０９２℃以下の温度領域に溶融した結晶形成材料２
２を通過させることで坩堝２３の底部より順次）容融し
た材料を固化させて単結晶を得る。なお第６図中、符号
３３は固化した成長材料であり、３４ば同和−液相界面
を示している。
２２を溶融した後、アンプル２１を矢印入方向に沿って
１ ａｍ／ｌｈｒの速度で降下させ、ＣｄＺｎＴｅの融
点１０９２℃以下の温度領域に溶融した結晶形成材料２
２を通過させることで坩堝２３の底部より順次）容融し
た材料を固化させて単結晶を得る。なお第６図中、符号
３３は固化した成長材料であり、３４ば同和−液相界面
を示している。
第２図は、上述したＣｄリザーバーの温度を８０２〜８
５３℃の範囲で種々変えて結晶成長させ、第１実施例と
同様にプレシピテートサイズを測定したときの相関図で
ある。横軸はＣｄリザーバーの温度とＣｄの蒸気圧を、
縦軸はプレシビテートサイズをそれぞれ示している。
５３℃の範囲で種々変えて結晶成長させ、第１実施例と
同様にプレシピテートサイズを測定したときの相関図で
ある。横軸はＣｄリザーバーの温度とＣｄの蒸気圧を、
縦軸はプレシビテートサイズをそれぞれ示している。
この図かられかるように、Ｃｄリザーバーの温度ヲ８１
０℃〜８５３℃で成長させた場合プレシピテートは観測
されなかった。また第１実施例で延べたように、化学量
論的組成のＣｄＴｅに対する蒸気圧は約１ａｔｍであり
、プレシビテートが観測限界以下となるＣｄ分圧は１．
６ ａｔＩ１１以上なので、結晶成長時の溶融組成は化
学量論的組成よりＣｄリッチであると考えられる。
０℃〜８５３℃で成長させた場合プレシピテートは観測
されなかった。また第１実施例で延べたように、化学量
論的組成のＣｄＴｅに対する蒸気圧は約１ａｔｍであり
、プレシビテートが観測限界以下となるＣｄ分圧は１．
６ ａｔＩ１１以上なので、結晶成長時の溶融組成は化
学量論的組成よりＣｄリッチであると考えられる。
なお、ブリッジマン法において、上記した装置構成の他
に、アンプルを固定して加熱炉を移動させて結晶を形成
する炉体移動法、さらに横型炉を用いても本発明の方法
が適用できることはいうまでもない。
に、アンプルを固定して加熱炉を移動させて結晶を形成
する炉体移動法、さらに横型炉を用いても本発明の方法
が適用できることはいうまでもない。
以上詳細に述べたように、本発明の方法によれば、プレ
シビテートの形成を抑制でき、本方法で形成したＣｄＺ
ｎＴｅ結晶基板を用いてＨｇＣｄＴｅ結晶をエビタギシ
ャル成長すると、未成長欠陥のムい良質のエピタキシャ
ル結晶が得られ、実用的効果は犬である。
シビテートの形成を抑制でき、本方法で形成したＣｄＺ
ｎＴｅ結晶基板を用いてＨｇＣｄＴｅ結晶をエビタギシ
ャル成長すると、未成長欠陥のムい良質のエピタキシャ
ル結晶が得られ、実用的効果は犬である。
第１図は本発明の第１実施例で得られた結晶のプレシピ
テートサイズとＣｄ増量値の関係を示す図、第２図は本
発明の第２実施例で得られた結晶のプレシビテートサイ
ズとＣｄリザーバーの温度との関係を示す図、 第３図、第６図は本発明の方法に用いたブリッジマン炉
の装置構成図、 第４図、第７図は加熱炉の温度分布を示す図、第５図は
従来方法での秤量組成を説明するためのＣｄＴｅ相図で
ある。 図において、 １．２１はアンプル、２，２２は単結晶形成用材料、３
．２７は加熱炉、４，２８は炉芯管、５はヒータ、６．
２９はアンプル支持具、７はアンプル空間、８゜３４は
固液界面、１０．３２は温度分布曲線をそれぞれ示す。 （ｄ糟量傷α（ｚ） （ｄ４Ｉ’Ｊｌブレシビ多？す１ズの相関図第１図 Ｃｄ ｌＪ’７゛−バー；Ｋｂｆｖシビ１．ヒザイズ／
Ｉ才Ｂ関Ｄ０第２図 ブソ・ｙジマンムｆ’／）ａｋｍ
でｐ全も方Ｐｒｙ 三＆７振欣斤汀り第３図
第４図 第５図 ザリ・・ノジ′マン事Ｐｎ４＋版図 ７．神色り戸
。５畜４（４フィト図第６図 第７図
テートサイズとＣｄ増量値の関係を示す図、第２図は本
発明の第２実施例で得られた結晶のプレシビテートサイ
ズとＣｄリザーバーの温度との関係を示す図、 第３図、第６図は本発明の方法に用いたブリッジマン炉
の装置構成図、 第４図、第７図は加熱炉の温度分布を示す図、第５図は
従来方法での秤量組成を説明するためのＣｄＴｅ相図で
ある。 図において、 １．２１はアンプル、２，２２は単結晶形成用材料、３
．２７は加熱炉、４，２８は炉芯管、５はヒータ、６．
２９はアンプル支持具、７はアンプル空間、８゜３４は
固液界面、１０．３２は温度分布曲線をそれぞれ示す。 （ｄ糟量傷α（ｚ） （ｄ４Ｉ’Ｊｌブレシビ多？す１ズの相関図第１図 Ｃｄ ｌＪ’７゛−バー；Ｋｂｆｖシビ１．ヒザイズ／
Ｉ才Ｂ関Ｄ０第２図 ブソ・ｙジマンムｆ’／）ａｋｍ
でｐ全も方Ｐｒｙ 三＆７振欣斤汀り第３図
第４図 第５図 ザリ・・ノジ′マン事Ｐｎ４＋版図 ７．神色り戸
。５畜４（４フィト図第６図 第７図
Claims (2)
- （１）Ｃｄ＿１＿−＿ｚＺｎ＿２Ｔｅ結晶をブリッジマ
ン法により結晶成長させるにあたって、 結晶成長材料を秤量時にＣｄ＿１＿−＿ｚ＿＋＿ｄＺｎ
＿ｚＴｅ〔０．００１≦α≦０．００２５〕なる組成と
し、かつ、前記Ｃｄ＿１＿−＿ｚ＿＋＿ｄＺｎ＿ｚＴｅ
結晶の体積が成長アンプルの体積に占める比率を２０％
〜８０％としたことを特徴とする化合物半導体結晶の製
造方法。 - （２）Ｃｄ＿１＿−＿ｚＺｎ＿ｚＴｅ結晶をブリッジマ
ン法により結晶成長させるにあたって、 Ｃｄ＿１＿−＿ｚＺｎ＿ｚＴｅ結晶とは別にＣｄリザー
バーを設け、結晶成長時のＣｄリザーバー温度を８１０
℃〜８５３℃に保持することを特徴とする化合物半導体
結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251988A JPH01246199A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7251988A JPH01246199A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246199A true JPH01246199A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13491659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7251988A Pending JPH01246199A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246199A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995022643A1 (en) * | 1994-02-21 | 1995-08-24 | Japan Energy Corporation | Method of growing single crystal |
| EP3305950A4 (en) * | 2015-07-03 | 2019-01-16 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | CRYSTAL OF CDTE-BASED COMPOUND AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP7251988A patent/JPH01246199A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995022643A1 (en) * | 1994-02-21 | 1995-08-24 | Japan Energy Corporation | Method of growing single crystal |
| US5603763A (en) * | 1994-02-21 | 1997-02-18 | Japan Energy Corporation | Method for growing single crystal |
| EP3305950A4 (en) * | 2015-07-03 | 2019-01-16 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | CRYSTAL OF CDTE-BASED COMPOUND AND METHOD FOR THE MANUFACTURE THEREOF |
| US10557215B2 (en) | 2015-07-03 | 2020-02-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | CdTe-based compound single crystal and method for producing the same |
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