JPS6345198A - 多元系結晶の製造方法 - Google Patents
多元系結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS6345198A JPS6345198A JP62089131A JP8913187A JPS6345198A JP S6345198 A JPS6345198 A JP S6345198A JP 62089131 A JP62089131 A JP 62089131A JP 8913187 A JP8913187 A JP 8913187A JP S6345198 A JPS6345198 A JP S6345198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- vapor pressure
- component
- pressure control
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
- C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/06—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt at least one but not all components of the crystal composition being added
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/906—Special atmosphere other than vacuum or inert
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、３種類以上の元素から構成される結晶（以
下、多元系結晶と称する）の製造方法に関する。さらに
詳細には、蒸気圧制御された封管反応容器を用い、多元
系単結晶を高収率で得ることができる多元系結晶の製造
方法に関する。
下、多元系結晶と称する）の製造方法に関する。さらに
詳細には、蒸気圧制御された封管反応容器を用い、多元
系単結晶を高収率で得ることができる多元系結晶の製造
方法に関する。
〈従来の技術〉
従来からマイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロ
ニクス等の各種デバイスとして、化合物半導体、酸化物
等の単結晶が汎用されている。最近、これら各種デバイ
スの機能をより高め、また新たな機能を発揮させるため
、３種類以上の構成元素からなる材料が開発されている
。例えば、二種類の構成元素からなる２元化合物半導体
あっては、その物理的性質（例えば、格子定数、禁止帯
幅、光の屈折率、熱膨張係数、電子や正孔の移動度等）
、化学的性質（表面エネルギー、耐薬品性等）などの物
性は、構成する元素の種類により一義的に決まり、上記
の物性を改良し、また人為的に制御することができない
ので、３８類以上の構成元素からなる多元系化合物半導
体混晶が利用されている。このような多元系混晶にあっ
ては、３種類以上の構成元素よりなるので、構成する元
素の種類、組成等の選択の余地が広がり、それらを適宜
選択することにより所望の物性を有する′化合物半導体
を得ることができる利点がある。また同様に酸化物単結
晶においても３種類以上の構成元素よりなる材料が種々
開発されている。
ニクス等の各種デバイスとして、化合物半導体、酸化物
等の単結晶が汎用されている。最近、これら各種デバイ
スの機能をより高め、また新たな機能を発揮させるため
、３種類以上の構成元素からなる材料が開発されている
。例えば、二種類の構成元素からなる２元化合物半導体
あっては、その物理的性質（例えば、格子定数、禁止帯
幅、光の屈折率、熱膨張係数、電子や正孔の移動度等）
、化学的性質（表面エネルギー、耐薬品性等）などの物
性は、構成する元素の種類により一義的に決まり、上記
の物性を改良し、また人為的に制御することができない
ので、３８類以上の構成元素からなる多元系化合物半導
体混晶が利用されている。このような多元系混晶にあっ
ては、３種類以上の構成元素よりなるので、構成する元
素の種類、組成等の選択の余地が広がり、それらを適宜
選択することにより所望の物性を有する′化合物半導体
を得ることができる利点がある。また同様に酸化物単結
晶においても３種類以上の構成元素よりなる材料が種々
開発されている。
このような多元系結晶の製造方法としては、種々の方法
が用いられているが、封管反応容器を用い、多元系結晶
を形成する原料融液から多元系結晶を成長させる方法が
知られ、例えば、垂直ブリッジマン法、トラベリングヒ
ータ法（Ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇｌｌｅａｔｅｒ Ｍｅｔ
ｈｏｄ）等が提案されている。
が用いられているが、封管反応容器を用い、多元系結晶
を形成する原料融液から多元系結晶を成長させる方法が
知られ、例えば、垂直ブリッジマン法、トラベリングヒ
ータ法（Ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇｌｌｅａｔｅｒ Ｍｅｔ
ｈｏｄ）等が提案されている。
第５図は、従来法で多元系結晶を製造する例として、垂
直ブリッジマン法で化合物半導体混晶を製造する場合を
例示し、同図ａは混晶の成長過程を示す概略図、また同
図すは使用される炉のｌＨ度分布を示す概略図である。
直ブリッジマン法で化合物半導体混晶を製造する場合を
例示し、同図ａは混晶の成長過程を示す概略図、また同
図すは使用される炉のｌＨ度分布を示す概略図である。
この方法で、例えば、Ａ、−、ＢＸＣ（Ａ、ＢおよびＣ
は構成元素を示す。
は構成元素を示す。
ただし、Ｏ＜Ｘ＜１゜以下同様）の組成からなる混晶を
製造する場合の概略を説明すると、まず、石英等の材質
からなる反応管（５１）の底部に混晶Ａ１−ｘＢｘＣ（
種子結晶）を仕込むと共に該種子結晶の上に混晶の原料
、すなわち、ＡＣｌ−Ｘ ｌ−Ｘ およびＢＣを所定量収容した後、反応管（５１）Ｘ 内を減圧し、真空状態とする。この状態の反応管（５１
）を同図すで示される温度分布の炉（図示せず）内の所
定位置に設置し、同図ａで示されるように上記混晶原料
を溶融し、該融液（５２）を上記の種子結晶と接触させ
て混晶の成長を開始する。その後、該反応管（５１）を
同図ａ中の矢印方向にゆっくりと下げることにより固液
界面を移動させ、結晶（５３）を成長させることにより
混晶が製造される。
製造する場合の概略を説明すると、まず、石英等の材質
からなる反応管（５１）の底部に混晶Ａ１−ｘＢｘＣ（
種子結晶）を仕込むと共に該種子結晶の上に混晶の原料
、すなわち、ＡＣｌ−Ｘ ｌ−Ｘ およびＢＣを所定量収容した後、反応管（５１）Ｘ 内を減圧し、真空状態とする。この状態の反応管（５１
）を同図すで示される温度分布の炉（図示せず）内の所
定位置に設置し、同図ａで示されるように上記混晶原料
を溶融し、該融液（５２）を上記の種子結晶と接触させ
て混晶の成長を開始する。その後、該反応管（５１）を
同図ａ中の矢印方向にゆっくりと下げることにより固液
界面を移動させ、結晶（５３）を成長させることにより
混晶が製造される。
また、第６図は従来のトラベリングヒータ法にて化合物
半導体混晶を製造する例を示し、同図ａは混晶の成長過
程を示す概略図、また同図すは使用される炉の温度分布
を示す概略図である。この例にあっては、原料であるＡ
Ｃ（８４）およ１−Ｘ １−Ｘ びＢ Ｃ（６５）とが反応管（６１）の垂直軸に沿っ
てｘ 対峙するように設けられるとともに炉の温度分布を制御
し部分的に溶融部（６２）を形成しているが、操作等は
上記垂直ブリッジマン法と実質的に同様に行われ、混晶
（６３）が製造される。
半導体混晶を製造する例を示し、同図ａは混晶の成長過
程を示す概略図、また同図すは使用される炉の温度分布
を示す概略図である。この例にあっては、原料であるＡ
Ｃ（８４）およ１−Ｘ １−Ｘ びＢ Ｃ（６５）とが反応管（６１）の垂直軸に沿っ
てｘ 対峙するように設けられるとともに炉の温度分布を制御
し部分的に溶融部（６２）を形成しているが、操作等は
上記垂直ブリッジマン法と実質的に同様に行われ、混晶
（６３）が製造される。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記の多元系結晶においては、結晶を構成する元素の組
成に・より特性が著しく異なるので、結晶の組成制御が
極めて重要になるが、多元系結晶およびその原料は溶融
状態において、高い蒸気圧を示したり、分解するものが
多く、従来の方法においては、構成元素の内の高蒸気圧
成分が蒸発し、結晶中に空孔が生ずるなど結晶欠陥が多
くなり、またストイキオメトリ−な結晶を得ることがで
きないという問題がある。
成に・より特性が著しく異なるので、結晶の組成制御が
極めて重要になるが、多元系結晶およびその原料は溶融
状態において、高い蒸気圧を示したり、分解するものが
多く、従来の方法においては、構成元素の内の高蒸気圧
成分が蒸発し、結晶中に空孔が生ずるなど結晶欠陥が多
くなり、またストイキオメトリ−な結晶を得ることがで
きないという問題がある。
例えば、Ｃｄ Ｚｎ Ｔｅ混晶を従来法にて１−
ｘ ｘ 製造した場合、高蒸気圧成分であるＣｄおよびＺｎが蒸
発しやすく、製造された結晶中にＣｄおよびＺｎの空孔
が生じ、また結晶としてもＰ型の伝導タイプのみが得ら
れ、結晶の組成制御、ストイキオメトリ−制御といった
面では極めて不十分な状態であった。従って、従来の製
造方法では、組成の変動、ストイキオメトリ−からの偏
差を生じ、特性の安定した多元系結晶を歩留まりよく装
造することは困難である。
ｘ ｘ 製造した場合、高蒸気圧成分であるＣｄおよびＺｎが蒸
発しやすく、製造された結晶中にＣｄおよびＺｎの空孔
が生じ、また結晶としてもＰ型の伝導タイプのみが得ら
れ、結晶の組成制御、ストイキオメトリ−制御といった
面では極めて不十分な状態であった。従って、従来の製
造方法では、組成の変動、ストイキオメトリ−からの偏
差を生じ、特性の安定した多元系結晶を歩留まりよく装
造することは困難である。
く目 的〉
この発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、従
来の製造装置をそのまま使用しながら、組成の変動の少
なくかつストイキオメトリ−の多元系結晶を高収率で得
ることができる多元系結晶の製造方法を提供することを
目的とする。
来の製造装置をそのまま使用しながら、組成の変動の少
なくかつストイキオメトリ−の多元系結晶を高収率で得
ることができる多元系結晶の製造方法を提供することを
目的とする。
く問題を解決するための手段〉
上記の問題点を解決すべくなされた、この発明の多元系
結晶の製造方法は、封管反応容器内で、多元系結晶を原
料融液から成長させる多元系結晶の製造方法において、
上記封管反応容器か小孔により連通された反応部と蒸気
圧１り押部とから形成され、反応部に上記多元系結晶原
料を収容するとともに葵気圧制御部に上記多元系結晶の
成分の２種以上かみなる蒸気圧制御物質を収容した後、
該蒸気圧制御部を所定の温度に保持して反応系の蒸気圧
を制御しながら多元系結晶原料の融液から結晶を成長さ
せることを特徴とするものである。
結晶の製造方法は、封管反応容器内で、多元系結晶を原
料融液から成長させる多元系結晶の製造方法において、
上記封管反応容器か小孔により連通された反応部と蒸気
圧１り押部とから形成され、反応部に上記多元系結晶原
料を収容するとともに葵気圧制御部に上記多元系結晶の
成分の２種以上かみなる蒸気圧制御物質を収容した後、
該蒸気圧制御部を所定の温度に保持して反応系の蒸気圧
を制御しながら多元系結晶原料の融液から結晶を成長さ
せることを特徴とするものである。
なお、蒸気圧制御物質としては、多元系結晶の成分の内
、高蒸気圧成分を用いるのが好ましい。
、高蒸気圧成分を用いるのが好ましい。
く作 用〉
封管反応容器内で、溶融状態の多元系結晶原料からスト
イキオメトリ−の多元系結晶を成長させるには、封管反
応容器内の蒸気圧をストイキオメトリ−な化合物を得る
に適した蒸気圧に制御する必要がある。この発明は上記
の構成よりなり、封管反応容器内に、多元系結晶の成分
の２ Ｆ！以上の成分からなる蒸気圧制御物質が加えら
れた蒸気圧制御部が設けられており、該蒸気圧制御部を
所定の温度に保ち、蒸気圧制御物質を蒸発させ、２種以
上の蒸気圧制御物質の蒸気圧により反応系内をストイキ
オメトリ−な多元系結晶を得るに適した蒸気圧となるよ
うに制御できるので、組成変動、ストイキオメトリ−か
らの偏差および結晶欠陥の少ない、特性の安定した多元
系結晶を得ることができる。
イキオメトリ−の多元系結晶を成長させるには、封管反
応容器内の蒸気圧をストイキオメトリ−な化合物を得る
に適した蒸気圧に制御する必要がある。この発明は上記
の構成よりなり、封管反応容器内に、多元系結晶の成分
の２ Ｆ！以上の成分からなる蒸気圧制御物質が加えら
れた蒸気圧制御部が設けられており、該蒸気圧制御部を
所定の温度に保ち、蒸気圧制御物質を蒸発させ、２種以
上の蒸気圧制御物質の蒸気圧により反応系内をストイキ
オメトリ−な多元系結晶を得るに適した蒸気圧となるよ
うに制御できるので、組成変動、ストイキオメトリ−か
らの偏差および結晶欠陥の少ない、特性の安定した多元
系結晶を得ることができる。
〈実施例〉
以下、実施例を示す添附図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図ａは、この発明の製造方法を３温度水平ブリッジ
マン法に適用した場合の一装置例を示す概略図である。
マン法に適用した場合の一装置例を示す概略図である。
また同図すはその際における炉の温度制御の一例を示す
概略図で、ＴＩは多元系結晶の融点以上の温度、Ｔ２は
多元系結晶の融点以下で１３以上の温度、およびＴ３は
反応系内をストイキオメトリ−な化合物を得るに適した
蒸気圧に保持するために必要な、蒸気圧制御物質（６）
の加熱温度を示す。上記図ａに示される装置のｎ略を説
明すると、石英等の材質からなる反応管（１）は、小孔
を有する隔壁（２）で仕切られて反応部（３）と蒸気圧
制御部（４）に分離されており、真空または不活性ガス
雰囲気とされている。反応部（３）内には、多元系結晶
原料を収容するための、石英、グラフアト、ＢＮ等の材
質からなるボート（５）が設置されている。
概略図で、ＴＩは多元系結晶の融点以上の温度、Ｔ２は
多元系結晶の融点以下で１３以上の温度、およびＴ３は
反応系内をストイキオメトリ−な化合物を得るに適した
蒸気圧に保持するために必要な、蒸気圧制御物質（６）
の加熱温度を示す。上記図ａに示される装置のｎ略を説
明すると、石英等の材質からなる反応管（１）は、小孔
を有する隔壁（２）で仕切られて反応部（３）と蒸気圧
制御部（４）に分離されており、真空または不活性ガス
雰囲気とされている。反応部（３）内には、多元系結晶
原料を収容するための、石英、グラフアト、ＢＮ等の材
質からなるボート（５）が設置されている。
一方、蒸気圧制御部（４）内には、収容された蒸気圧制
御物質（６）の温度を測定するための熱電対（７）が設
けられ、その測定温度に基づいて炉（８）の温度調整が
行われる。また、反応管（１）の周囲には、該反応管（
１）の水平軸方向に沿って炉（８）が設けられ、該炉（
８）は独立に温度制御可能な複数の部分より構成される
。
御物質（６）の温度を測定するための熱電対（７）が設
けられ、その測定温度に基づいて炉（８）の温度調整が
行われる。また、反応管（１）の周囲には、該反応管（
１）の水平軸方向に沿って炉（８）が設けられ、該炉（
８）は独立に温度制御可能な複数の部分より構成される
。
この発明の製造方法の一例を、上記第１図ａに示される
装置を用いてＣｄ Ｚｎ Ｔｅの組成１−ｘ
Ｘ からなる３元Ｉ！−ＶＩ族化合物半導体混晶を製造する
例をもって説明すると、第１図ａにおける反応部Ｏ）の
ボート（５）内に原料としてＣｄ ＴｅＬｘ
１−ｘ およびＺｎ Ｔｅ の組成からなる混合物を収容Ｘ
Ｘ する。上記Ｃｄ Ｚｎ Ｔｅ混晶を構成する元１
−ｘ Ｘ 素の内、高蒸気圧成分はＣｄおよびＺｎであるので、ス
トイキオメトリ−のＣｄ ＺｎＴｅ混１−Ｘ
ｘ 晶を製造するには、反応系内におけるこの２つの元素の
蒸気圧を同時に制御する必要がある。従って、蒸気圧制
御部（４）には、蒸気圧制御部（４）を温度Ｔ３に保持
した場合にストイキオメトリ−の化合物を得るに適した
蒸気圧を示すように、所望するＸに応じて、蒸気圧制御
物質（６）として、ＣｄＺｎ（ただし、Ｏ＜ｙ＜１）の
組成か１−ｙ ｙ らなる合金を収容する。その後、反応管（１）内を減圧
し、真空とする。この状態から、蒸気圧制御部（４）を
炉（８）で外部から加熱して温度Ｔ３とし、Ｃｄおよび
Ｚｎを蒸発させ、反応管（１）内の蒸気圧をストイキオ
メトリ−な化合物を得るに適した蒸気圧とする。一方、
反応部（３）は炉（８）により外部から加熱して温度Ｔ
ｌとし、ボート（Ｓ）内の前記の混晶原料を溶融させる
。該融液（９）は、ボート（５）の一端（第１図ａにあ
っては右端）に設けられた混晶結晶（種子結晶）と接触
し、結晶成長が開始する。
装置を用いてＣｄ Ｚｎ Ｔｅの組成１−ｘ
Ｘ からなる３元Ｉ！−ＶＩ族化合物半導体混晶を製造する
例をもって説明すると、第１図ａにおける反応部Ｏ）の
ボート（５）内に原料としてＣｄ ＴｅＬｘ
１−ｘ およびＺｎ Ｔｅ の組成からなる混合物を収容Ｘ
Ｘ する。上記Ｃｄ Ｚｎ Ｔｅ混晶を構成する元１
−ｘ Ｘ 素の内、高蒸気圧成分はＣｄおよびＺｎであるので、ス
トイキオメトリ−のＣｄ ＺｎＴｅ混１−Ｘ
ｘ 晶を製造するには、反応系内におけるこの２つの元素の
蒸気圧を同時に制御する必要がある。従って、蒸気圧制
御部（４）には、蒸気圧制御部（４）を温度Ｔ３に保持
した場合にストイキオメトリ−の化合物を得るに適した
蒸気圧を示すように、所望するＸに応じて、蒸気圧制御
物質（６）として、ＣｄＺｎ（ただし、Ｏ＜ｙ＜１）の
組成か１−ｙ ｙ らなる合金を収容する。その後、反応管（１）内を減圧
し、真空とする。この状態から、蒸気圧制御部（４）を
炉（８）で外部から加熱して温度Ｔ３とし、Ｃｄおよび
Ｚｎを蒸発させ、反応管（１）内の蒸気圧をストイキオ
メトリ−な化合物を得るに適した蒸気圧とする。一方、
反応部（３）は炉（８）により外部から加熱して温度Ｔ
ｌとし、ボート（Ｓ）内の前記の混晶原料を溶融させる
。該融液（９）は、ボート（５）の一端（第１図ａにあ
っては右端）に設けられた混晶結晶（種子結晶）と接触
し、結晶成長が開始する。
その後、反応管（１）をゆっくりと第１図ａ中の矢印方
向に移動させ、固液界面を移動させて結晶００）を成長
させる（第１図ａで示される状態）。結晶化が完了後反
応管（１）より生成した結晶を取り出してＣｄ Ｚ
ｎ Ｔｅ混晶が製造される。
向に移動させ、固液界面を移動させて結晶００）を成長
させる（第１図ａで示される状態）。結晶化が完了後反
応管（１）より生成した結晶を取り出してＣｄ Ｚ
ｎ Ｔｅ混晶が製造される。
１−Ｘ ｘ
なお、上記実施例では、反応管（１）を移動させている
が、反応管（１）の移動に代え、炉（８）の温度分布を
制御することにより、ボート（５）内の融液（９）と成
長結晶（ｉｏ）との固液界面を移動させて混晶を成長さ
せてもよい。このように炉（８）の温度分布を制御する
方法によれば、ボート（５）の移動を伴わないので、振
動等の影響による結晶欠陥の発生を防止でき、結晶性を
大幅に向上させることができる。
が、反応管（１）の移動に代え、炉（８）の温度分布を
制御することにより、ボート（５）内の融液（９）と成
長結晶（ｉｏ）との固液界面を移動させて混晶を成長さ
せてもよい。このように炉（８）の温度分布を制御する
方法によれば、ボート（５）の移動を伴わないので、振
動等の影響による結晶欠陥の発生を防止でき、結晶性を
大幅に向上させることができる。
第２図（声、この発明の製造方法の他の実施例として３
温度垂直ブリッジマン法に適用した場合を示し、同図ａ
はその装置例の概略図、同図すは使用される炉（８）の
温度制御例の概略を示し、Ｔ１、Ｔ２およびＴ３は第１
図すにおけるＴｌ 、Ｔ２およびＴ３と同じ意味である
。同図ａに示されるように、この実施例では、垂直に設
けられた炉（２８）内に反応管（２１）が配設され、該
反応管（２１）は小孔を有する隔壁（２２）で隔てられ
、下方に蒸気圧制御部（２４）が、上方に反応部（２３
）が形成される。蒸気圧制御部（２４）には蒸気圧制御
物質（２６）が収容され、また蒸気圧制御物質（２６）
には反応管（２１）の器壁を介して熱雷対（２７）が接
続され、蒸気圧制御物質（２６）の温度が測定される。
温度垂直ブリッジマン法に適用した場合を示し、同図ａ
はその装置例の概略図、同図すは使用される炉（８）の
温度制御例の概略を示し、Ｔ１、Ｔ２およびＴ３は第１
図すにおけるＴｌ 、Ｔ２およびＴ３と同じ意味である
。同図ａに示されるように、この実施例では、垂直に設
けられた炉（２８）内に反応管（２１）が配設され、該
反応管（２１）は小孔を有する隔壁（２２）で隔てられ
、下方に蒸気圧制御部（２４）が、上方に反応部（２３
）が形成される。蒸気圧制御部（２４）には蒸気圧制御
物質（２６）が収容され、また蒸気圧制御物質（２６）
には反応管（２１）の器壁を介して熱雷対（２７）が接
続され、蒸気圧制御物質（２６）の温度が測定される。
反応管（２１）の上方に設けられた反応部（２３）内に
は、反応管（２１）の上端からルツボ（２５）が吊着さ
れ、ルツボ（２５）内には種子結晶および結晶原料が収
容されている。この装置により多元系結晶を製造する方
法は前記第１図における装置を用いた実施例と実質的に
同様に行われ、例えば、反応管（２１）内の所定位置に
蒸気圧制御物質（２６）および結晶原料を仕込んな後、
反応管（２１）内を減圧して真空封入する。この反応管
（２１）を炉（２８）内の所定位置に配設し、蒸気圧制
御物質（２６）を蒸発させ反応管（２１）内を所定圧に
保持すると共に結晶原料を溶融する。該融液（２９）と
種子結晶を接触させ、次いで反応管（２１）を第２図ａ
の矢印方向に移動させることにより結晶を成長させる。
は、反応管（２１）の上端からルツボ（２５）が吊着さ
れ、ルツボ（２５）内には種子結晶および結晶原料が収
容されている。この装置により多元系結晶を製造する方
法は前記第１図における装置を用いた実施例と実質的に
同様に行われ、例えば、反応管（２１）内の所定位置に
蒸気圧制御物質（２６）および結晶原料を仕込んな後、
反応管（２１）内を減圧して真空封入する。この反応管
（２１）を炉（２８）内の所定位置に配設し、蒸気圧制
御物質（２６）を蒸発させ反応管（２１）内を所定圧に
保持すると共に結晶原料を溶融する。該融液（２９）と
種子結晶を接触させ、次いで反応管（２１）を第２図ａ
の矢印方向に移動させることにより結晶を成長させる。
結晶化が完了後、反応管（２１）内のルツボ（２５）よ
り結晶を取り出し多元系結晶を得る。
り結晶を取り出し多元系結晶を得る。
なお、この発明の製造方法は、上記の実施例に限定され
るものではなく、この発明の要旨を変更しない範囲で適
宜設計変更することができる。例えば、前記実施例では
、 ＩＩ ＩＩＶＩ Ｄ ＥＦ ！−ｘ Ｘ （ＤおよびＥは周期律表■族元素、Ｆは周期律表■族元
素を示す。Ｘは前記と同じ）からなる３元混晶の製造例
をもって説明したが、 ＧｎＨ■ ■ ｚ ｚ （Ｇは周期律表■族元素、ＨおよびＩは周期律表■族元
素を示す。ただし、０＜ｚ＜１）からなる混晶、例えば
、ＣｄＴｅ Ｓｅ を製造する場１−ｚ ｚ 合には、例えば、適宜な組成のＴｅおよびＳｅからなる
蒸気圧制御物質を蒸気圧制御部に収容し所定温度Ｔ３に
保ち、反応系の蒸気圧を制御することにより、同様に行
うことができる。さらに、４成分元素以上からなる多元
系化合物半導体混晶を製造する場合には、成分元素中の
高蒸気圧成分の複数を蒸気圧制御物質として前記の蒸気
圧制御部に収容し、所定；？Ｌ度Ｔ３に保つことにより
同様に行うことができる。
るものではなく、この発明の要旨を変更しない範囲で適
宜設計変更することができる。例えば、前記実施例では
、 ＩＩ ＩＩＶＩ Ｄ ＥＦ ！−ｘ Ｘ （ＤおよびＥは周期律表■族元素、Ｆは周期律表■族元
素を示す。Ｘは前記と同じ）からなる３元混晶の製造例
をもって説明したが、 ＧｎＨ■ ■ ｚ ｚ （Ｇは周期律表■族元素、ＨおよびＩは周期律表■族元
素を示す。ただし、０＜ｚ＜１）からなる混晶、例えば
、ＣｄＴｅ Ｓｅ を製造する場１−ｚ ｚ 合には、例えば、適宜な組成のＴｅおよびＳｅからなる
蒸気圧制御物質を蒸気圧制御部に収容し所定温度Ｔ３に
保ち、反応系の蒸気圧を制御することにより、同様に行
うことができる。さらに、４成分元素以上からなる多元
系化合物半導体混晶を製造する場合には、成分元素中の
高蒸気圧成分の複数を蒸気圧制御物質として前記の蒸気
圧制御部に収容し、所定；？Ｌ度Ｔ３に保つことにより
同様に行うことができる。
また、多元系結晶として、■−■族化合物半導体混晶（
例えば、ＧａＡｓ Ｐ など）、酸化 １−Ｘ 物単結晶（例えば、ＬｉＮｂＯ３、 （Ｓ ｒ、Ｂａ）Ｎｂ；＋ Ｏｓ、 Ｇｄ３ＳＣ２Ｇａｓ Ｏ１２など）等の製造も同様な方
法にて、原料および蒸気圧制御物質を適宜選択すること
により行なうことができる。
例えば、ＧａＡｓ Ｐ など）、酸化 １−Ｘ 物単結晶（例えば、ＬｉＮｂＯ３、 （Ｓ ｒ、Ｂａ）Ｎｂ；＋ Ｏｓ、 Ｇｄ３ＳＣ２Ｇａｓ Ｏ１２など）等の製造も同様な方
法にて、原料および蒸気圧制御物質を適宜選択すること
により行なうことができる。
また前記実施例中、小孔を有する隔壁の代りにキャピラ
リーを用いてもよく、さらに、反応管を移動させる代り
に炉を移動させたり、蒸気圧制御物質として合金の代り
に混合物を使用してもよい。
リーを用いてもよく、さらに、反応管を移動させる代り
に炉を移動させたり、蒸気圧制御物質として合金の代り
に混合物を使用してもよい。
以下、実験例に基づいて、この発明の製造方法をより詳
細に説明する。
細に説明する。
実験例１
第１図ａに示される装置を用い、多元系結晶と。、９５
０．。５Ｔ ｅ混晶の製造を実して、Ｃｄ
Ｚｎ 施した。第１図ａの反応部（３）のボート（５）内にＣ
ｄ。
０．。５Ｔ ｅ混晶の製造を実して、Ｃｄ
Ｚｎ 施した。第１図ａの反応部（３）のボート（５）内にＣ
ｄ。
ＺｎおよびＴｅの原料元素を所定量収容した。一方、蒸
気圧制御部（４）には蒸気圧制御物質（６）とじてＣｄ
Ｚｎ からなる合金を収容した後、反０．９
９ ０．０１ 応答（１）内を減圧し２ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下の
真空度とした。その後、炉（８）の？ｍ度を制御し、Ｔ
ｌ−１１１０℃、Ｔ２纏１０５０℃およびＴ３−８００
〜８３０℃として、ボート（５）内の原料元素を溶融さ
せるとともに反応管（１）内の蒸気圧を所定圧に保った
。次いで、反応管（１）を３ｍｍ／時間の速度で第１図
ａの矢印方向に移動させ、結晶を成長させて混晶を得た
。このようにした得られた混晶の比抵抗と蒸気圧制御部
（４）の温度との関係を第３図に示す。
気圧制御部（４）には蒸気圧制御物質（６）とじてＣｄ
Ｚｎ からなる合金を収容した後、反０．９
９ ０．０１ 応答（１）内を減圧し２ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ以下の
真空度とした。その後、炉（８）の？ｍ度を制御し、Ｔ
ｌ−１１１０℃、Ｔ２纏１０５０℃およびＴ３−８００
〜８３０℃として、ボート（５）内の原料元素を溶融さ
せるとともに反応管（１）内の蒸気圧を所定圧に保った
。次いで、反応管（１）を３ｍｍ／時間の速度で第１図
ａの矢印方向に移動させ、結晶を成長させて混晶を得た
。このようにした得られた混晶の比抵抗と蒸気圧制御部
（４）の温度との関係を第３図に示す。
なお、ボート（５）には、高純度ベンゼンを熱分解した
カーボン膜をコーティングした石英ボートを用い、原料
のＣｄは１０％硝酸−エタノール溶液で、ＺｎおよびＴ
ｅは１０％塩酸でエツチングして用いた。
カーボン膜をコーティングした石英ボートを用い、原料
のＣｄは１０％硝酸−エタノール溶液で、ＺｎおよびＴ
ｅは１０％塩酸でエツチングして用いた。
第３図から明らかなように、この発明の製造方法で得ら
れた混晶は、蒸気圧制御部の温度を制御することにより
、ｎ型およびｎ型の伝導タイプの制御ができ、また非ド
ープ結晶で約１０８Ω−備の高比抵抗を有する結晶が得
られ、極めて良質のＣｄＺｎＴｅ：見易が得られた。
れた混晶は、蒸気圧制御部の温度を制御することにより
、ｎ型およびｎ型の伝導タイプの制御ができ、また非ド
ープ結晶で約１０８Ω−備の高比抵抗を有する結晶が得
られ、極めて良質のＣｄＺｎＴｅ：見易が得られた。
また、比較例として、蒸気圧ル１［音部（４）にＣｄだ
けを収容し、Ｃｄのみで反応系の蒸気圧を制御し、上記
と同様な条件下に混晶を成長させた。得られた混晶の比
抵抗と蒸気圧制御部（４）の温度との関係を第３図に併
せて示す。なお、この比較例においては、Ｃｄが少量の
場合にはＺｎが蒸気圧制御部（４）に凝縮し、そのため
ボート（５）内はＴｅがストイキオメトリ−よりも過剰
の組成となり、Ｔｅが蒸気圧制御部（４）に凝縮し、前
記のＣｄと合金を形成した。そのために反応系全体の制
御蒸気圧が大幅に低下し、結晶の成長は健全には行えず
、また第３図に示されるように比抵抗も低いものであっ
た。
けを収容し、Ｃｄのみで反応系の蒸気圧を制御し、上記
と同様な条件下に混晶を成長させた。得られた混晶の比
抵抗と蒸気圧制御部（４）の温度との関係を第３図に併
せて示す。なお、この比較例においては、Ｃｄが少量の
場合にはＺｎが蒸気圧制御部（４）に凝縮し、そのため
ボート（５）内はＴｅがストイキオメトリ−よりも過剰
の組成となり、Ｔｅが蒸気圧制御部（４）に凝縮し、前
記のＣｄと合金を形成した。そのために反応系全体の制
御蒸気圧が大幅に低下し、結晶の成長は健全には行えず
、また第３図に示されるように比抵抗も低いものであっ
た。
実験例２
Ｃｄ Ｚ ｎ Ｔｅ混晶の製造を第１図ａに０
．９８ ０．０４ 示される装置を用いて行なった。第１図ａの反応部（３
）のボート（５）にはカーボンコーティングを施した石
英ボートを用いた。ボート（５）内には、Ｃｄ。
．９８ ０．０４ 示される装置を用いて行なった。第１図ａの反応部（３
）のボート（５）にはカーボンコーティングを施した石
英ボートを用いた。ボート（５）内には、Ｃｄ。
ＺｎおよびＴｅを所定量収容し、蒸気圧制御部（４）に
は蒸気圧制御物質としてＣｄ Ｚｎ 合金０．
９６ ０．０４ を収容した後、反応管（１）内を高純度アルゴンガスで
置換した後、８ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ以下の真空に排
気して封入した。その後、炉（８）の温度を制御し、Ｔ
ｌ−１１４０℃、Ｔ２−１０８０℃およびＴ３−８２０
°Ｃとして、ボート（５）内の原料を溶融させると共に
反応管（１）内の蒸気圧を所定圧に保持した。
は蒸気圧制御物質としてＣｄ Ｚｎ 合金０．
９６ ０．０４ を収容した後、反応管（１）内を高純度アルゴンガスで
置換した後、８ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒ以下の真空に排
気して封入した。その後、炉（８）の温度を制御し、Ｔ
ｌ−１１４０℃、Ｔ２−１０８０℃およびＴ３−８２０
°Ｃとして、ボート（５）内の原料を溶融させると共に
反応管（１）内の蒸気圧を所定圧に保持した。
次いで、Ｔ３を一定に保ち、反応管（１）内の蒸気圧を
保持しながら、温度Ｔ１およびＴ２領域に対応する部分
の炉（８）の温度制御を行ない、Ｔ１およびＴ２を０．
２℃／時間で降下させることにより温度分布を変化させ
、ボート（５）内の原料融液から結晶を成長させて混晶
を得た。
保持しながら、温度Ｔ１およびＴ２領域に対応する部分
の炉（８）の温度制御を行ない、Ｔ１およびＴ２を０．
２℃／時間で降下させることにより温度分布を変化させ
、ボート（５）内の原料融液から結晶を成長させて混晶
を得た。
また実験例３および４として、蒸気圧制御物質にＣｄ
Ｚｎ 合金およびＣｄ ＺｎＯ，９ｇ
０．０２ ０．９９ ０’、０１合金
をそれぞれ用い、Ｃｄ Ｚ ｎ Ｔ ｅ ｉ％
晶０．９６ ０．０４ の製造を上記実験例２と同様にして行なった。
Ｚｎ 合金およびＣｄ ＺｎＯ，９ｇ
０．０２ ０．９９ ０’、０１合金
をそれぞれ用い、Ｃｄ Ｚ ｎ Ｔ ｅ ｉ％
晶０．９６ ０．０４ の製造を上記実験例２と同様にして行なった。
上記実験例２〜４で得られた混晶の固化率に対する結晶
中のＺｎ′Ｉａ度を第４図に示す。
中のＺｎ′Ｉａ度を第４図に示す。
第４図から明らかなように、実験例２〜４で得られた混
晶は、下記式から求められる偏析係数ｋＣ−ｋ Ｃｏ
（１−ｇ） ［式中、Ｃは結晶中のＺｎ′ａ度、Ｃｏ ｉ；！Ｚ ｎ
の初期濃度、ｇは固化率〕 が小さく、特にＺｎ含量の大きい合金を使用して得た混
晶においては偏析係数がより小さくなり、Ｚｎの濃度分
布が一定化し、一定の許容範囲（上記実験例２〜４では
、通常、結晶中のＺｎａ度として４．０±０．５ｍｏ１
％）に包含される結晶が多くなり、歩留まりが向上した
。
晶は、下記式から求められる偏析係数ｋＣ−ｋ Ｃｏ
（１−ｇ） ［式中、Ｃは結晶中のＺｎ′ａ度、Ｃｏ ｉ；！Ｚ ｎ
の初期濃度、ｇは固化率〕 が小さく、特にＺｎ含量の大きい合金を使用して得た混
晶においては偏析係数がより小さくなり、Ｚｎの濃度分
布が一定化し、一定の許容範囲（上記実験例２〜４では
、通常、結晶中のＺｎａ度として４．０±０．５ｍｏ１
％）に包含される結晶が多くなり、歩留まりが向上した
。
また、得られた混晶の特性は、いずれの蒸気圧条件下に
おいても、比抵抗で１０６Ω−Ｃｍ以上であり、不純物
の感知なしに高比抵抗の結晶が得られた。さらにＮａｋ
ａｇａＶａ液によるエッチピット密度の測定では、５０
００〜４０，０００個／ ｃｄと従来の結晶に１ヒベ一
桁以上の特性の向上が認められ、また結晶には従来多く
観察された双晶、多結晶等の結晶欠陥が見当たらず、エ
ッチピットの分布にもセル構造は見られなかった。この
ように、炉の移動または反応管の移動を伴う方法に比べ
、炉の温度分布を、ｔ制御して結晶を成長させる方法に
よれば結晶性を大幅に向上させることができる。
おいても、比抵抗で１０６Ω−Ｃｍ以上であり、不純物
の感知なしに高比抵抗の結晶が得られた。さらにＮａｋ
ａｇａＶａ液によるエッチピット密度の測定では、５０
００〜４０，０００個／ ｃｄと従来の結晶に１ヒベ一
桁以上の特性の向上が認められ、また結晶には従来多く
観察された双晶、多結晶等の結晶欠陥が見当たらず、エ
ッチピットの分布にもセル構造は見られなかった。この
ように、炉の移動または反応管の移動を伴う方法に比べ
、炉の温度分布を、ｔ制御して結晶を成長させる方法に
よれば結晶性を大幅に向上させることができる。
〈発明の効果〉
以上のように、この発明の多元系結晶の製造方法によれ
ば、反応系の蒸気圧を多元系結晶の成分の２種以上の蒸
気圧で制御しながら、結晶を成長させるので、生成する
単結晶の組成制御、ストイキオメトリ−制御が可能とな
り、特性の安定した良質の多元系単結晶を製造できると
共に偏析係数を小さくできるので歩留まりが向上すると
いう特有の効果を奏する。
ば、反応系の蒸気圧を多元系結晶の成分の２種以上の蒸
気圧で制御しながら、結晶を成長させるので、生成する
単結晶の組成制御、ストイキオメトリ−制御が可能とな
り、特性の安定した良質の多元系単結晶を製造できると
共に偏析係数を小さくできるので歩留まりが向上すると
いう特有の効果を奏する。
第１図ａは、この発明の製造方法を３温度水平ブリッジ
マン法に適用した場合に使用される装置の一例を示す概
略図、同すはその際の温度制御の一例を示す概略図、 第２図ａは、この発明の製造方法をＢ １Ｍ度垂直ブリ
ッジマン法に適用した場合に使用される装置の一例を示
す概略図、同すはその際の温度制御の一例を示す概略図
、 第３図は、実験例および比較例で得られた結晶の比抵抗
と蒸気圧制御部の温度との関係を示す図、第４図は、実
験例２〜４により得られた混晶の固化率に対する結晶中
のＺｎａ度を示す図、第５図および第６図は、それぞれ
従来例を示す概略図である。 （１）（２１）・・・反応管 （２）（２２）・
・・・・隔壁（３）（２３）・・・反応部 （４
）（２４）・・・蒸気圧制御部（５）・・・・・・ボー
ト （２５）・・・・・・ルツボ（６）（２Ｂ）
・・・蒸気圧制御物質 （８）（２８）・・・炉 （９）（２９）・・
・融液（イ））（３０）・・・結晶 代 理 人 弁理士 亀 井 弘 勝
（ほか３名） 第４図 固化率（％）
マン法に適用した場合に使用される装置の一例を示す概
略図、同すはその際の温度制御の一例を示す概略図、 第２図ａは、この発明の製造方法をＢ １Ｍ度垂直ブリ
ッジマン法に適用した場合に使用される装置の一例を示
す概略図、同すはその際の温度制御の一例を示す概略図
、 第３図は、実験例および比較例で得られた結晶の比抵抗
と蒸気圧制御部の温度との関係を示す図、第４図は、実
験例２〜４により得られた混晶の固化率に対する結晶中
のＺｎａ度を示す図、第５図および第６図は、それぞれ
従来例を示す概略図である。 （１）（２１）・・・反応管 （２）（２２）・
・・・・隔壁（３）（２３）・・・反応部 （４
）（２４）・・・蒸気圧制御部（５）・・・・・・ボー
ト （２５）・・・・・・ルツボ（６）（２Ｂ）
・・・蒸気圧制御物質 （８）（２８）・・・炉 （９）（２９）・・
・融液（イ））（３０）・・・結晶 代 理 人 弁理士 亀 井 弘 勝
（ほか３名） 第４図 固化率（％）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、封管反応容器内で、３種類以上の構成 元素からなる結晶を原料融液から成長さ せる多元系結晶の製造方法において、上 記封管反応容器が小孔により連通された 反応部と蒸気圧制御部とから形成され、 反応部に上記多元系結晶原料を収容する とともに蒸気圧制御部に上記多元系結晶 の成分の２種以上からなる蒸気圧制御物 質を収容した後、該蒸気圧制御部を所定 の温度に保持して反応系の蒸気圧を制御 しながら多元系結晶原料の融液から結晶 を成長させることを特徴とする多元系結 晶の製造方法。 ２、結晶成長方法が３温度水平ブリッジマ ン法である上記特許請求の範囲第１項記 載の多元系結晶の製造方法。 ３、多元系結晶がII−VI族化合物半導体混 晶である上記特許請求の範囲第１項また は第２項記載の多元系結晶の製造方法。 ４、II−VI族化合物半導体混晶が、 ＣｄＺｎＴｅである上記特許請求の範囲 第３項記載の多元系結晶の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9433686 | 1986-04-23 | ||
| JP61-94336 | 1986-04-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345198A true JPS6345198A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=14107439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62089131A Pending JPS6345198A (ja) | 1986-04-23 | 1987-04-11 | 多元系結晶の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4853078A (ja) |
| EP (1) | EP0244987B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6345198A (ja) |
| CA (1) | CA1301034C (ja) |
| DE (1) | DE3781016T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437488A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Katsumi Mochizuki | Production of single crystal of compound semiconductor and device therefor |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2754765B2 (ja) * | 1989-07-19 | 1998-05-20 | 富士通株式会社 | 化合物半導体結晶の製造方法 |
| JP3129236B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2001-01-29 | 住友電気工業株式会社 | 円筒形容器内流体の対流抑制方法 |
| FR2816755B1 (fr) | 2000-11-13 | 2002-12-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de croissance d'un materiau semi-conducteur massif de type ii-vi |
| US6660083B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-12-09 | Technologies And Devices International, Inc. | Method of epitaxially growing device structures with submicron group III nitride layers utilizing HVPE |
| US6613143B1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-09-02 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for fabricating bulk GaN single crystals |
| US20060011135A1 (en) * | 2001-07-06 | 2006-01-19 | Dmitriev Vladimir A | HVPE apparatus for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run |
| US7501023B2 (en) * | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
| US20070032046A1 (en) * | 2001-07-06 | 2007-02-08 | Dmitriev Vladimir A | Method for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run and semiconductor structure grown thereby |
| US7161110B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-01-09 | Czt, Inc. | Melting and vaporizing apparatus and method |
| US8524213B2 (en) * | 2003-12-30 | 2013-09-03 | Genzyme Corporation | Polymeric materials, their preparation and use |
| US7641733B2 (en) | 2004-09-01 | 2010-01-05 | Rensselaer Polytechnic Institute | Method and apparatus for growth of multi-component single crystals |
| CN101107270B (zh) | 2004-11-24 | 2011-11-23 | 诺维信生物制药丹麦公司 | 用二乙烯基砜交联透明质酸的方法 |
| US8093094B2 (en) * | 2008-06-12 | 2012-01-10 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Blocking contacts for N-type cadmium zinc telluride |
| CN103088409B (zh) * | 2013-01-31 | 2015-03-25 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法 |
| CN108660512A (zh) * | 2018-04-18 | 2018-10-16 | 苏州西奇狄材料科技有限公司 | 一种thm炉及其生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5523798A (en) * | 1978-08-01 | 1980-02-20 | Westinghouse Electric Corp | Slot wedge engaged with iron |
| JPS5938185A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-01 | Mac Gregor Far East Ltd | 折り畳み式ハツチカバ− |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4404265A (en) * | 1969-10-01 | 1983-09-13 | Rockwell International Corporation | Epitaxial composite and method of making |
| US4368098A (en) * | 1969-10-01 | 1983-01-11 | Rockwell International Corporation | Epitaxial composite and method of making |
| US3877883A (en) * | 1973-07-13 | 1975-04-15 | Rca Corp | Method of growing single crystals of compounds |
| FR2255949B1 (ja) * | 1973-12-28 | 1976-10-08 | Radiotechnique Compelec | |
| FR2416729A1 (fr) * | 1978-02-09 | 1979-09-07 | Radiotechnique Compelec | Perfectionnement au procede de fabrication d'un monocristal de compose iii-v'' |
| US4379733A (en) * | 1981-10-02 | 1983-04-12 | Hughes Aircraft Company | Bicameral mode crystal growth apparatus and process |
| JPS6041036B2 (ja) * | 1982-08-27 | 1985-09-13 | 財団法人 半導体研究振興会 | ＧａＡｓ浮遊帯融解草結晶製造装置 |
| US4632710A (en) * | 1983-05-10 | 1986-12-30 | Raytheon Company | Vapor phase epitaxial growth of carbon doped layers of Group III-V materials |
| US4568397A (en) * | 1984-09-12 | 1986-02-04 | Raytheon Company | Metalorganic vapor phase epitaxial growth of group II-VI semiconductor materials |
| US4689094A (en) * | 1985-12-24 | 1987-08-25 | Raytheon Company | Compensation doping of group III-V materials |
| US4704258A (en) * | 1986-04-01 | 1987-11-03 | Grumman Aerospace Corporation | Method and apparatus for growth of single crystal material in space |
-
1987
- 1987-04-11 JP JP62089131A patent/JPS6345198A/ja active Pending
- 1987-04-22 CA CA000535235A patent/CA1301034C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-04-23 EP EP87303566A patent/EP0244987B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-04-23 DE DE8787303566T patent/DE3781016T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-09 US US07/268,650 patent/US4853078A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5523798A (en) * | 1978-08-01 | 1980-02-20 | Westinghouse Electric Corp | Slot wedge engaged with iron |
| JPS5938185A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-01 | Mac Gregor Far East Ltd | 折り畳み式ハツチカバ− |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437488A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Katsumi Mochizuki | Production of single crystal of compound semiconductor and device therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0244987B1 (en) | 1992-08-12 |
| US4853078A (en) | 1989-08-01 |
| CA1301034C (en) | 1992-05-19 |
| DE3781016T2 (de) | 1993-04-01 |
| EP0244987A1 (en) | 1987-11-11 |
| DE3781016D1 (de) | 1992-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4315796A (en) | Crystal growth of compound semiconductor mixed crystals under controlled vapor pressure | |
| US4853078A (en) | Process for growing a multi-component crystal | |
| JPS61178495A (ja) | 単結晶の成長方法 | |
| US4906325A (en) | Method of making single-crystal mercury cadmium telluride layers | |
| EP0102054B1 (en) | Method for growing gaas single crystal by using floating zone | |
| US3767472A (en) | Growth of ternary compounds utilizing solid, liquid and vapor phases | |
| US4613495A (en) | Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride | |
| US4702791A (en) | Method for manufacturing bismuth-containing oxide single crystal | |
| US4708763A (en) | Method of manufacturing bismuth germanate crystals | |
| JPS60176995A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| Gandhi | Single crystal growth by a slow evaporation technique: Concept, mechanisms and applications | |
| US4872943A (en) | Process for making monocrystalline HGCDTE layers | |
| CN1216185C (zh) | 坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法 | |
| JP3021935B2 (ja) | カドミウムマンガンテルル単結晶の製造方法 | |
| Hill et al. | The Hydrothermal Growth of Beryllium Oxide Single Crystals | |
| JPH06183873A (ja) | 半磁性化合物半導体単結晶の育成方法 | |
| JP2885452B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族化合物結晶のボート成長方法 | |
| JPS60204692A (ja) | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 | |
| US3600143A (en) | Growth of crystalline chalcogenide spinels | |
| JPS63274696A (ja) | 銅酸ランタン単結晶の製造方法 | |
| JPS61117198A (ja) | ＩｎＰ単結晶の成長用溶解物およびその使用法 | |
| JPH01138199A (ja) | 鉛錫テルル系半導体単結晶 | |
| JPH0471875B2 (ja) | ||
| JPS6221787A (ja) | 半導体結晶成長法 | |
| JPS6379797A (ja) | ２−６族化合物半導体単結晶の製造方法 |