JPH01246390A - ベリリウムの電気鋳造法 - Google Patents
ベリリウムの電気鋳造法Info
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- JPH01246390A JPH01246390A JP7420488A JP7420488A JPH01246390A JP H01246390 A JPH01246390 A JP H01246390A JP 7420488 A JP7420488 A JP 7420488A JP 7420488 A JP7420488 A JP 7420488A JP H01246390 A JPH01246390 A JP H01246390A
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- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 20
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- -1 beryllium halide Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- LWBPNIJBHRISSS-UHFFFAOYSA-L beryllium dichloride Chemical compound Cl[Be]Cl LWBPNIJBHRISSS-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910001627 beryllium chloride Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N diethyl ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003809 bile pigment Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Substances OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、種々の形状のBe電鋳品を製造する場合、比
較的低温度で、ベリリウムを均一かつ緻密に電気鋳造で
きる方法に関する。
較的低温度で、ベリリウムを均一かつ緻密に電気鋳造で
きる方法に関する。
(従来技術)
Beは、電位が水素より者しく卑であるので、電気鋳造
を水溶液系の電解浴で行うことは、困難である。このた
め、Beの電気猜逍は、従来より有機溶媒系や溶融塩系
などの非水溶81系の電解浴で行なわれている。
を水溶液系の電解浴で行うことは、困難である。このた
め、Beの電気猜逍は、従来より有機溶媒系や溶融塩系
などの非水溶81系の電解浴で行なわれている。
例えば、有機溶媒系のものとしては、ツメチルベリリウ
ム−ジエチルエーテル系、ベリリウムボロハイドライド
−ジエチルエーテル系、トリプルオロ酢酸ベリリウムー
メタノールまたはアセトン系の浴など使用されており、
溶融塩系のものとしては、[leCI2−NaCIMや
l1eC1,−LiCI KCl系の浴が使用されて
いる。
ム−ジエチルエーテル系、ベリリウムボロハイドライド
−ジエチルエーテル系、トリプルオロ酢酸ベリリウムー
メタノールまたはアセトン系の浴など使用されており、
溶融塩系のものとしては、[leCI2−NaCIMや
l1eC1,−LiCI KCl系の浴が使用されて
いる。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記のような有機溶媒系電解浴は、浴の
導ffi率が低いため、電解速度が遅く、また、緻密な
りe膜を得ることも困難であった。一方、溶融塩浴は、
電解温度が数百度と高いため、作業性が劣り、しかも、
[te膜表面が析出の際樹枝状になってしまうものであ
った。
導ffi率が低いため、電解速度が遅く、また、緻密な
りe膜を得ることも困難であった。一方、溶融塩浴は、
電解温度が数百度と高いため、作業性が劣り、しかも、
[te膜表面が析出の際樹枝状になってしまうものであ
った。
そこで、本発明は、これらの問題を解決したベリリウム
の電気鋳造法を提供するものである。
の電気鋳造法を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、上記のような問題のない電気鋳造法を開
発すべく、鋭意研究した結果、ベリリウムハロゲン化物
トフルキルピリゾニウムハロゲン化物の溶融塩浴による
と、比較的低温で電解でき、しがも、口C膜表面を乎滑
にできることを見出だしたのである。
発すべく、鋭意研究した結果、ベリリウムハロゲン化物
トフルキルピリゾニウムハロゲン化物の溶融塩浴による
と、比較的低温で電解でき、しがも、口C膜表面を乎滑
にできることを見出だしたのである。
すなわち、本発明は、ベリリウムハロゲン化物(BeX
2)30〜90モル%とフルキルピリジニウムハロゲン
化物(CsHsN4X、但しRは炭素数1〜5のアルキ
ル基、Xはハロゲン原子)10〜70モル%、またはこ
れらに有機溶媒を20〜80Vol%配合してなるベリ
リウム電解浴を用いて、′Kt、Mするようにした。
2)30〜90モル%とフルキルピリジニウムハロゲン
化物(CsHsN4X、但しRは炭素数1〜5のアルキ
ル基、Xはハロゲン原子)10〜70モル%、またはこ
れらに有機溶媒を20〜80Vol%配合してなるベリ
リウム電解浴を用いて、′Kt、Mするようにした。
ベリリウムハロゲン化物やアルキルピリジニウムハロゲ
ン化物は、ともに常温で固体であるが、上記割合で混合
すると、50℃前後で溶融して液体となり、ハロゲン化
ベリリウムアニオンとフルキルピリジニウムカチオン°
とにイオン解離し、電解すれば、陰極の母型(電型)に
ベリリウムが析出し、電気III造できる0例えば、塩
化ベリリウムとブチルビリノニウムクロリドとの溶融塩
浴は、))ecI3−とC5H5N+−C,)l、のよ
うに解離し、Beets−が母型で電子を受取Q、Be
が析出する。
ン化物は、ともに常温で固体であるが、上記割合で混合
すると、50℃前後で溶融して液体となり、ハロゲン化
ベリリウムアニオンとフルキルピリジニウムカチオン°
とにイオン解離し、電解すれば、陰極の母型(電型)に
ベリリウムが析出し、電気III造できる0例えば、塩
化ベリリウムとブチルビリノニウムクロリドとの溶融塩
浴は、))ecI3−とC5H5N+−C,)l、のよ
うに解離し、Beets−が母型で電子を受取Q、Be
が析出する。
アルキルピリジニウムハロゲン化物としては、フルキル
基の炭素数が1〜5のものを使用するのが好ましい、こ
れは、アルキル基の炭素数が6以上になると、ベリリウ
ムハロゲン化物と混合した際、低温で液体になりにくく
なるためである。
基の炭素数が1〜5のものを使用するのが好ましい、こ
れは、アルキル基の炭素数が6以上になると、ベリリウ
ムハロゲン化物と混合した際、低温で液体になりにくく
なるためである。
ベリリウムハロゲン化物の混合割合を30〜90モル%
にするのは、ベリリウムハロゲン化物が30モル%未満
であると、浴中でのフルキルピリジニウムカチオン濃度
が高くなり、口e電析の際、フルキルピリジニウムカチ
オン還元反応が同時に進行し、電流効率の低下およびB
e膜表面の外観不良を招くからである。また、90モル
%を越えると・融点も高く、浴の導電率が低くなり、蒸
気圧も高くなる。
にするのは、ベリリウムハロゲン化物が30モル%未満
であると、浴中でのフルキルピリジニウムカチオン濃度
が高くなり、口e電析の際、フルキルピリジニウムカチ
オン還元反応が同時に進行し、電流効率の低下およびB
e膜表面の外観不良を招くからである。また、90モル
%を越えると・融点も高く、浴の導電率が低くなり、蒸
気圧も高くなる。
アルキルピリジニウムハロゲン化物の混合割合は、ベリ
リウムハロゲン化物の残部であるので、10〜70モル
%になる。
リウムハロゲン化物の残部であるので、10〜70モル
%になる。
この電解浴は、溶融塩浴であるので、浴温が低くなると
、浴の流動性が低下し、電流密度を高くするのが困難に
なる場合がある。そこで、このような場合には、有機溶
媒を配合して浴の流動性を高めればよい、有機溶媒を配
合しても、電解浴のイオン解離は変わらない。
、浴の流動性が低下し、電流密度を高くするのが困難に
なる場合がある。そこで、このような場合には、有機溶
媒を配合して浴の流動性を高めればよい、有機溶媒を配
合しても、電解浴のイオン解離は変わらない。
この有機溶媒としては、芳香族のもの、例えば、トルエ
ン、キシレン、ベンゼンなとでも十分であるが、誘電率
の高いツメチルスルフすキシド、ジメチルホルムアミド
、γ−ブチロラクトン、トリグライム、プロピレンカー
ボネート、ノオキサンなどが好ましい、配合割合は、ベ
リリウムハロゲン化物とフルキルピリジニウムハロゲン
化物の合計量に対して、Vol%で20〜80%にする
のが好ましい(従って、溶融塩の今計贋も20〜80%
になる)、有機溶媒の配合割合が20Vol%未満であ
ると、浴の特性が未配合のものとほとんど変わらず、8
0Vol%を越え°ると、浴中のベリリウムハロゲン化
物の濃度が低くなるため、Be電析の際の電流効率が着
しく低くなり、浴温上昇により引火した場合火災になる
危険性がある。
ン、キシレン、ベンゼンなとでも十分であるが、誘電率
の高いツメチルスルフすキシド、ジメチルホルムアミド
、γ−ブチロラクトン、トリグライム、プロピレンカー
ボネート、ノオキサンなどが好ましい、配合割合は、ベ
リリウムハロゲン化物とフルキルピリジニウムハロゲン
化物の合計量に対して、Vol%で20〜80%にする
のが好ましい(従って、溶融塩の今計贋も20〜80%
になる)、有機溶媒の配合割合が20Vol%未満であ
ると、浴の特性が未配合のものとほとんど変わらず、8
0Vol%を越え°ると、浴中のベリリウムハロゲン化
物の濃度が低くなるため、Be電析の際の電流効率が着
しく低くなり、浴温上昇により引火した場合火災になる
危険性がある。
電解浴は、酸素や水分に触れでも安全であるが、電解は
、Be錯イオン酸化防止のため、乾燥無酸素雰囲気中(
たとえば乾燥N2や^r中)で行なうのが好ましい、ま
た、電解は、浴温0〜200℃で、直流またはパルス電
流により0.1〜10^/dI112で行うと、効率よ
く^純度で、均一なりe膜を得ることができる。浴温が
0℃より低いと、高電流密度で電解することが困難にな
り、逆に浴温を200℃より商くして電流密度を10^
/dm2より高くすると、Be膜が粗いデンドライト結
晶となり、外観、加工性が劣ってしまう。電流は、直流
よりパルス電流の方が結晶が微細になり、加工性が良好
になる。
、Be錯イオン酸化防止のため、乾燥無酸素雰囲気中(
たとえば乾燥N2や^r中)で行なうのが好ましい、ま
た、電解は、浴温0〜200℃で、直流またはパルス電
流により0.1〜10^/dI112で行うと、効率よ
く^純度で、均一なりe膜を得ることができる。浴温が
0℃より低いと、高電流密度で電解することが困難にな
り、逆に浴温を200℃より商くして電流密度を10^
/dm2より高くすると、Be膜が粗いデンドライト結
晶となり、外観、加工性が劣ってしまう。電流は、直流
よりパルス電流の方が結晶が微細になり、加工性が良好
になる。
一般に電解を連続的に行うには、電解浴にBeイオンを
補給して、浴中のBeイオンを一定に管埋する必要があ
るが、この場合、陽極をBe製の可溶性陽極にすると、
通電量に応じてIleBeイオン解量に応じて自動的に
補給されるので、好都合である。
補給して、浴中のBeイオンを一定に管埋する必要があ
るが、この場合、陽極をBe製の可溶性陽極にすると、
通電量に応じてIleBeイオン解量に応じて自動的に
補給されるので、好都合である。
陽極にTi−I’を系などの不溶性陽極を使用して連続
電解する場合のBeイオンの補給は、DeCIzやBe
F2などのハロゲン化物を補給すればよい。しかし、不
溶性陽極使用による連続電解の場合、電解時に陽極界面
でハロゲンガス発生反応が起こって、浴中のハロゲン成
分が減少する。このため、浴組成が変動し、浴寿命が短
くなる。
電解する場合のBeイオンの補給は、DeCIzやBe
F2などのハロゲン化物を補給すればよい。しかし、不
溶性陽極使用による連続電解の場合、電解時に陽極界面
でハロゲンガス発生反応が起こって、浴中のハロゲン成
分が減少する。このため、浴組成が変動し、浴寿命が短
くなる。
鋳造に用いる母型は、永久型、消耗型のいずれでもよい
が、電り!v液は、腐食性が強いので、材質としては、
PL、Ti、 Ni、 CuS黄銅、ステンレス鋼など
のような=に属やNiもしくはC「めっきを施したプラ
スチックにする。プラスチックめっきのものを使用する
場合は、プラスチックが電M液に腐食されるので、めり
きを厚くしでおく必要がある。
が、電り!v液は、腐食性が強いので、材質としては、
PL、Ti、 Ni、 CuS黄銅、ステンレス鋼など
のような=に属やNiもしくはC「めっきを施したプラ
スチックにする。プラスチックめっきのものを使用する
場合は、プラスチックが電M液に腐食されるので、めり
きを厚くしでおく必要がある。
また、離型剤や導電剤を使用する場合は、金属系のめっ
きか黒鉛をコーティングしたものを用いるのが好ましい
。
きか黒鉛をコーティングしたものを用いるのが好ましい
。
以下実施例により本発明を説明する。
(実施例)
実施例1
母型としてCr7ラツシヱめっきを施したエンボス加工
銅板(板Jr10.5+*+*)を用い、これをあらか
じめN2〃ス雰囲気に保っておいた[1eC1250モ
ル%とブチルビリンニウムクロリド50モル%とからな
る溶融塩浴に浸漬して銅板にベリリウムの電鋳を行った
。なお、電鋳は、銅板を陰極、ベリリウム板を陽極とし
で、浴温1(10℃、1α流電流密度5^/d−2で3
0分間行った。
銅板(板Jr10.5+*+*)を用い、これをあらか
じめN2〃ス雰囲気に保っておいた[1eC1250モ
ル%とブチルビリンニウムクロリド50モル%とからな
る溶融塩浴に浸漬して銅板にベリリウムの電鋳を行った
。なお、電鋳は、銅板を陰極、ベリリウム板を陽極とし
で、浴温1(10℃、1α流電流密度5^/d−2で3
0分間行った。
電鋳後ベリリウムを銅板より剥離したところ、銅板の凹
凸通りの平滑なりe箔がイ:トられ、箔の厚みは凹凸部
とも23μ輪で、均一であった。また、箔は金属光沢を
呈し、結晶も緻密であった。電流効率は、通電量とBe
膜量とから算出したところ、IJば100%であった。
凸通りの平滑なりe箔がイ:トられ、箔の厚みは凹凸部
とも23μ輪で、均一であった。また、箔は金属光沢を
呈し、結晶も緻密であった。電流効率は、通電量とBe
膜量とから算出したところ、IJば100%であった。
実施例2
混合割合がBeF260モル%、メチルビリジニツムフ
ルオリド40モル%である溶融塩浴を用いて、実施例1
と同一の銅板母型にベリリウムの電鋳を行った。電鋳は
、浴を^r〃スガス気に保ち、浴温120℃、直流電流
密度3^/dIl12で1時間行った。
ルオリド40モル%である溶融塩浴を用いて、実施例1
と同一の銅板母型にベリリウムの電鋳を行った。電鋳は
、浴を^r〃スガス気に保ち、浴温120℃、直流電流
密度3^/dIl12で1時間行った。
電jJJ後銅板よりBe箔を剥離したところ、胴板の凹
凸通りに剥離でき、箔の性状は、実施例1の場合と同様
であった。また、電流効率は約95%であった。
凸通りに剥離でき、箔の性状は、実施例1の場合と同様
であった。また、電流効率は約95%であった。
実施例3
実施例2の溶融塩浴にツメチルスル7オキシドをその割
合が50Vol%となるように添加した浴を用いて、実
施例1の銅板母型にベリリウムの電鋳を社った。電鋳は
、浴を同様にNzyス雰囲気に保ち、浴温50°C1直
流電流密度7^/dm2で30分間行りだ6 本実施例でも銅板よりその凹凸通りのBe箔を剥離でき
、箔の外観、性状は、実施例1の場合と同様であった。
合が50Vol%となるように添加した浴を用いて、実
施例1の銅板母型にベリリウムの電鋳を社った。電鋳は
、浴を同様にNzyス雰囲気に保ち、浴温50°C1直
流電流密度7^/dm2で30分間行りだ6 本実施例でも銅板よりその凹凸通りのBe箔を剥離でき
、箔の外観、性状は、実施例1の場合と同様であった。
また、電流効率は約97%、箔の厚みは32μ積であっ
た。
た。
実施例4
実施例1〜3において、電流をパルス電流に変更してベ
リリウム電鋳を行なった。パルス電流による電鋳はいず
れの電解浴の場合もデユーティ−比1/10〜1/10
0.平均電流、密度0.1〜10^/dtm2で行なっ
たが、銅板の凹凸通りの電鋳品を得ることができ、凹凸
部の厚み、性状とも直流により電鋳した場合と同一であ
った。
リリウム電鋳を行なった。パルス電流による電鋳はいず
れの電解浴の場合もデユーティ−比1/10〜1/10
0.平均電流、密度0.1〜10^/dtm2で行なっ
たが、銅板の凹凸通りの電鋳品を得ることができ、凹凸
部の厚み、性状とも直流により電鋳した場合と同一であ
った。
また、エンボス加工を施したNi@、Ti板へも上記同
要領でベリリウムを電鋳してみたが、いずれも優れたベ
リリウム電鋳が可能であった。
要領でベリリウムを電鋳してみたが、いずれも優れたベ
リリウム電鋳が可能であった。
(効果)
以上のように、本発明によれば、比較的低温で、しかも
、高電流密度で均一平滑なベリリウム電鋳を行うことが
できる。
、高電流密度で均一平滑なベリリウム電鋳を行うことが
できる。
Claims (3)
- (1)ベリリウムハロゲン化物(BeX_2)30〜9
0モル%とアルキルピリジニウムハロゲン化物 (C_5H_5N−RX、但しRは炭素数1〜5のアル
キル基、Xはハロゲン原子)10〜70モル%、または
これらに有機溶媒を20〜80Vol%配合してなる電
解浴を用いて、電解することを特徴とするベリリウムの
電気鋳造法。 - (2)電解を乾燥無酸素雰囲気中で直流電流またはパル
ス電流により浴温0〜200℃、電流密度0.1〜10
Λ/dm^2の電解条件で行うことを特徴とする請求項
1に記載のベリリウムの電気鋳造法。 - (3)陽極をベリリウム製陽極にして電解することを特
徴とする請求項1または2に記載のベリリウムの電気鋳
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7420488A JPH01246390A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | ベリリウムの電気鋳造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7420488A JPH01246390A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | ベリリウムの電気鋳造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246390A true JPH01246390A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13540422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7420488A Pending JPH01246390A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | ベリリウムの電気鋳造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246390A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010036758A3 (en) * | 2008-09-29 | 2010-06-03 | Hurst William D | Alloy coating apparatus and metalliding method |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP7420488A patent/JPH01246390A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010036758A3 (en) * | 2008-09-29 | 2010-06-03 | Hurst William D | Alloy coating apparatus and metalliding method |
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