JPH0280589A - 電気タングステンめっき浴およびその浴によるめっき方法 - Google Patents
電気タングステンめっき浴およびその浴によるめっき方法Info
- Publication number
- JPH0280589A JPH0280589A JP23319188A JP23319188A JPH0280589A JP H0280589 A JPH0280589 A JP H0280589A JP 23319188 A JP23319188 A JP 23319188A JP 23319188 A JP23319188 A JP 23319188A JP H0280589 A JPH0280589 A JP H0280589A
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- plating
- bath
- halide
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高融点金属であるタングステンを低温でII
k密に亮純度めっきできる電気タングステンめっき浴と
その浴によるめっき方法に関する。
k密に亮純度めっきできる電気タングステンめっき浴と
その浴によるめっき方法に関する。
(従来技術)
タングステンは、高融点金属であるとともに、高温耐食
性にも優れているので、そのめっき材は、原子炉部材、
高温炉材などに適している。
性にも優れているので、そのめっき材は、原子炉部材、
高温炉材などに適している。
このタングステンのめっきには、CVD法、電気めっき
法などがあるが、電気めっき法の場合は、タングステン
と酸素との親和力が非常に強く、水溶液系めっき浴で行
うことは困難であることがら、非水溶液系のめっき浴、
特に有機溶媒系や溶融塩系のめっき浴で行なわなければ
ならない0例えば、113[P(W、01.)、1−H
CONHz−H,BO,−)1202− NH4Cl系
の有機溶媒系めっき浴やLiCl−KCl−に2冒0.
−に2CO。
法などがあるが、電気めっき法の場合は、タングステン
と酸素との親和力が非常に強く、水溶液系めっき浴で行
うことは困難であることがら、非水溶液系のめっき浴、
特に有機溶媒系や溶融塩系のめっき浴で行なわなければ
ならない0例えば、113[P(W、01.)、1−H
CONHz−H,BO,−)1202− NH4Cl系
の有機溶媒系めっき浴やLiCl−KCl−に2冒0.
−に2CO。
系の溶融塩系めっき浴で行わなければならない。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記のような有機溶媒系めっき浴でめっ
きした場合めっきされるのは、タングステンと酸化タン
グステンの混合物で、高純度のタングステンをめっきす
ることは困難であった。また、溶融塩系めっき浴の場合
は、めっき温度が550〜700℃と高温であるため、
作業性が劣り、しかも、めっき面が緻密にならないもの
であった。
きした場合めっきされるのは、タングステンと酸化タン
グステンの混合物で、高純度のタングステンをめっきす
ることは困難であった。また、溶融塩系めっき浴の場合
は、めっき温度が550〜700℃と高温であるため、
作業性が劣り、しかも、めっき面が緻密にならないもの
であった。
そこで、本発明は、このような問題を解決した電気タン
グステンめっ!浴およびその俗によるめっき方法を提供
するものである。
グステンめっ!浴およびその俗によるめっき方法を提供
するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、上記のような問題のない電気タングステ
ンめっき浴を開発すべく、種々検討した結果、比較的低
温でめっきできる大塩化タングステンと第四級アンモニ
ウム塩、すなわち、N−fi換アルキルピリツニウムハ
ロゲン化物またはN−置換アルキルイミグゾリウムハロ
ゲン化物との溶融塩浴の開発に成功した。
ンめっき浴を開発すべく、種々検討した結果、比較的低
温でめっきできる大塩化タングステンと第四級アンモニ
ウム塩、すなわち、N−fi換アルキルピリツニウムハ
ロゲン化物またはN−置換アルキルイミグゾリウムハロ
ゲン化物との溶融塩浴の開発に成功した。
すなわち、本発明は、六塩化タングステン(WCl、)
20〜80モル%とN−アルキルピリジニウムカチオン
化物(C5H5N−RX、 m L、Rは炭素数1−5
のアルキル基、Xはハロゲン原子)、または1−アルキ
ルもしくは1.3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン
化物(但し、アルキル基の炭素数は1〜12)20〜8
0モル%とを溶融してなるめっき浴か、またはこのめっ
き浴のN−アルキルピリジニウムハロゲン化物または1
−アルキルもしくは1.3−ジアルキルイミダゾリウム
ハロゲン化物を1〜79モル%にして、アルカリ金属、
アルカリ土類金属またはアルミニウムのハロゲン化物を
1〜79モル%添加しためっき浴により高純度のタング
ステンを比較的低温で電気めっきできるようにした。
20〜80モル%とN−アルキルピリジニウムカチオン
化物(C5H5N−RX、 m L、Rは炭素数1−5
のアルキル基、Xはハロゲン原子)、または1−アルキ
ルもしくは1.3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン
化物(但し、アルキル基の炭素数は1〜12)20〜8
0モル%とを溶融してなるめっき浴か、またはこのめっ
き浴のN−アルキルピリジニウムハロゲン化物または1
−アルキルもしくは1.3−ジアルキルイミダゾリウム
ハロゲン化物を1〜79モル%にして、アルカリ金属、
アルカリ土類金属またはアルミニウムのハロゲン化物を
1〜79モル%添加しためっき浴により高純度のタング
ステンを比較的低温で電気めっきできるようにした。
本発明のめっき浴は、大塩化タングステンと第四級アン
モニウム塩のN−アルキルピリジニウムハロゲン化物ま
たは1−アルキルもしくは1,3−ノアルキルビリノニ
ウムハロゲン化物との混合割合が上記範囲にあると、常
温付近でも液体になり、ハロゲン化タングステンの7ニ
オンと、アルキルピリジニウムカチオンまたはイミダゾ
リウムカチオンとにイオン解離するので、電気めっきに
よりタングステンをめっきすることができる。
モニウム塩のN−アルキルピリジニウムハロゲン化物ま
たは1−アルキルもしくは1,3−ノアルキルビリノニ
ウムハロゲン化物との混合割合が上記範囲にあると、常
温付近でも液体になり、ハロゲン化タングステンの7ニ
オンと、アルキルピリジニウムカチオンまたはイミダゾ
リウムカチオンとにイオン解離するので、電気めっきに
よりタングステンをめっきすることができる。
N−アルキルピリジニウムハロゲン化物としては、アル
キル基の炭素数が1〜5のものを使用する。
キル基の炭素数が1〜5のものを使用する。
これは、N−アルキルピリジニウムハロゲン化物の場合
、需要がないため、市販されておらず、使用にあたって
は合成しなければならないが、炭素数が6以上のものの
合成は難しく、また、大塩化タングステンのような塩化
物と混合した場合、常温で液体になりにくくなるためで
ある。このN−アルキルピリジニウムハロゲン化物とし
ては、ブチルピリジニウムクロリドが好ましい。
、需要がないため、市販されておらず、使用にあたって
は合成しなければならないが、炭素数が6以上のものの
合成は難しく、また、大塩化タングステンのような塩化
物と混合した場合、常温で液体になりにくくなるためで
ある。このN−アルキルピリジニウムハロゲン化物とし
ては、ブチルピリジニウムクロリドが好ましい。
1−アルキルもしくは1,3−ジアルキルイミグゾリウ
ムハロゲン化物の場合も上記同様の理由からアルキル基
の炭素数が1〜12のものを使用する。
ムハロゲン化物の場合も上記同様の理由からアルキル基
の炭素数が1〜12のものを使用する。
このイミグゾール誘導体の場合、1−メチル−3−エチ
ルノアルキルのものの方が好ましい。
ルノアルキルのものの方が好ましい。
洛中の大塩化タングステンは、20〜80モル%にする
。これは、20モル%未満であると、常温で溶解しにく
くなるとともに、アルキルピリジニウムカチオンまたは
イミダゾリウムカチオン濃度が高くなり、タングステン
が電析する際、そのカチオンの還元が同時に進行して、
浴の劣化、電流効率の低下およびめっき層の表面外観不
良を招くからである。一方、80モル%を越えると、浴
の導電率が低下し、めっきしにくくなる。
。これは、20モル%未満であると、常温で溶解しにく
くなるとともに、アルキルピリジニウムカチオンまたは
イミダゾリウムカチオン濃度が高くなり、タングステン
が電析する際、そのカチオンの還元が同時に進行して、
浴の劣化、電流効率の低下およびめっき層の表面外観不
良を招くからである。一方、80モル%を越えると、浴
の導電率が低下し、めっきしにくくなる。
しかし、このめっき浴は、融点が従来の溶融塩浴より低
いが、電気めっきの一般的なめっき浴である水溶液系に
比べると、粘性が高い。このため、導電率が低く、凹凸
のある被めっき物をめっきする場合、均一電着性が劣る
。かかる場合には、アルカリ金属、アルカリ土類金属ま
たはアルミニウムのハロゲン化物、例えば、LiCl、
Liar、 LiF。
いが、電気めっきの一般的なめっき浴である水溶液系に
比べると、粘性が高い。このため、導電率が低く、凹凸
のある被めっき物をめっきする場合、均一電着性が劣る
。かかる場合には、アルカリ金属、アルカリ土類金属ま
たはアルミニウムのハロゲン化物、例えば、LiCl、
Liar、 LiF。
NaCl、CaCI a、^IC1,などを添加すると
、融点が低下して浴の粘性が低下し、導電率を高くでき
る。
、融点が低下して浴の粘性が低下し、導電率を高くでき
る。
これらのハロゲン化物は、浴中で金属イオンとハロゲン
イオンに解離するが、金属イオンは、酸化還元電位がタ
ングステンより卑であるので、電解の際、タングステン
が電析する際析出することはない6一方、ハロゲンイオ
ンは、タングステンの錯イオンを形成する。
イオンに解離するが、金属イオンは、酸化還元電位がタ
ングステンより卑であるので、電解の際、タングステン
が電析する際析出することはない6一方、ハロゲンイオ
ンは、タングステンの錯イオンを形成する。
この融、α低下用のハロゲン化物添加量は、六塩化タン
グステンを20〜80モル%に維持した状態でN−アル
キルビリノニウムハロゲン化物またはl−アルキルもし
くは1,3−ノアルキルイミグゾリウムハロゲン化物を
1〜79モル%、融息低下用のハロゲン化物を1〜79
モル%の割合にする。
グステンを20〜80モル%に維持した状態でN−アル
キルビリノニウムハロゲン化物またはl−アルキルもし
くは1,3−ノアルキルイミグゾリウムハロゲン化物を
1〜79モル%、融息低下用のハロゲン化物を1〜79
モル%の割合にする。
低温でめっきする場合の浴の粘性を低下させる方法とし
ては、有機溶媒を添加する方法によってもよい、この場
合、有機溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン
などのような芳香族炭化水素のものが好ましく、それら
の1種または2種を10〜75vol%添加する。10
vol%未満では添加効果があまり認められず、75v
ol%を越えると、タングステンイオン濃度が低くなり
すぎる。
ては、有機溶媒を添加する方法によってもよい、この場
合、有機溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン
などのような芳香族炭化水素のものが好ましく、それら
の1種または2種を10〜75vol%添加する。10
vol%未満では添加効果があまり認められず、75v
ol%を越えると、タングステンイオン濃度が低くなり
すぎる。
以上のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルミニ
ウムのハロゲン化物添加と有機溶媒の添加は、併用して
もよい。
ウムのハロゲン化物添加と有機溶媒の添加は、併用して
もよい。
めっき浴は、酸素や空気に触れても安全であるが、タン
グステン錯イオンの酸化防止のため、乾燥無酸素雰囲気
中(乾燥N2や^「中)で行うのが好ましい。また、電
解条件は、直流もしくはパルス電流により浴温0〜30
0℃、電流密度0.1〜50^/dI62で行うと、電
流効率がよく、均一にめっきすることができる。浴温が
0℃より低いと、均一にめっきできず、300℃より高
くして電流密度を50^/dm2より高くすると、有機
物カチオンの還元が起こり、めっき層が灰色になるとと
もに、電流効率も低下する。
グステン錯イオンの酸化防止のため、乾燥無酸素雰囲気
中(乾燥N2や^「中)で行うのが好ましい。また、電
解条件は、直流もしくはパルス電流により浴温0〜30
0℃、電流密度0.1〜50^/dI62で行うと、電
流効率がよく、均一にめっきすることができる。浴温が
0℃より低いと、均一にめっきできず、300℃より高
くして電流密度を50^/dm2より高くすると、有機
物カチオンの還元が起こり、めっき層が灰色になるとと
もに、電流効率も低下する。
ストリップなどを均一に連続めっきする場合、めっき浴
にタングステンイオンを補給して、浴中のタングステン
イオン濃度を一定の範囲に保つ必要があるが、この場合
、陽極をタングステン製可溶性陽極にすると、通電量に
応じてタングステンイオンが自動補給され、六塩化タン
グステンの補給によらなくてもタングステンイオン濃度
を一定の範囲に保つことができる。
にタングステンイオンを補給して、浴中のタングステン
イオン濃度を一定の範囲に保つ必要があるが、この場合
、陽極をタングステン製可溶性陽極にすると、通電量に
応じてタングステンイオンが自動補給され、六塩化タン
グステンの補給によらなくてもタングステンイオン濃度
を一定の範囲に保つことができる。
(実施例)
板厚0.5mmの冷延鋼板に常法により溶剤蒸気洗浄、
アルカリ脱脂および酸洗などを施した後、乾燥しで、直
ちに予めN2雰囲気に保っておいた第1表に示すめっ8
浴に浸漬し、冷延鋼板を陰極、タングステン板(純度9
9%、板厚11)を陽極にして、直流によりタングステ
ンめっきを行なった。第1表にめっき浴組成、電解条件
と得られたタングステンめっき鋼板の関係を示す。
アルカリ脱脂および酸洗などを施した後、乾燥しで、直
ちに予めN2雰囲気に保っておいた第1表に示すめっ8
浴に浸漬し、冷延鋼板を陰極、タングステン板(純度9
9%、板厚11)を陽極にして、直流によりタングステ
ンめっきを行なった。第1表にめっき浴組成、電解条件
と得られたタングステンめっき鋼板の関係を示す。
(発明の効果)
以上のように、本発明のめっき浴によれば、高純度のタ
ングステンめっきを行うことができ、また、浴温を従来
の溶融塩系めつさ浴より低温にすることができるので、
作業性に優れ、めっき面も緻密にすることができる。
ングステンめっきを行うことができ、また、浴温を従来
の溶融塩系めつさ浴より低温にすることができるので、
作業性に優れ、めっき面も緻密にすることができる。
Claims (6)
- (1)六塩化タングステン(WCl_6)20〜80モ
ル%およびN−アルキルピリジニウムハロゲン化物(C
_5H_5N−RX、但し、Rは炭素数1〜5のアルキ
ル基、Xはハロゲン原子)、または1−アルキルもしく
は1,3−ジアルキルイミダゾリウムハロゲン化物(但
し、アルキル基の炭素数は1〜12)20〜80モル%
を混合溶融してなる電気タングステンめっき浴。 - (2)請求項1に記載のN−アルキルピリジニウムハロ
ゲン化物または1−アルキルもしくは1,3−ジアルキ
ルイミダゾリウムハロゲン化物を1〜79モル%にして
、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアルミニウム
のハロゲン化物を1〜79モル%添加した電気タングス
テンめっき浴。 - (3)請求項1または2に記載のめっき浴に有機溶媒を
添加した電気タングステンめっき裕。 - (4)有機溶媒を10〜75vol%添加した請求項3
に記載の電気タングステンめっき浴。 - (5)請求項1〜4に記載のいずれかのめっき浴を用い
て、乾燥無酸素雰囲気中で直流もしくはパルス電流によ
り浴温0〜300℃、電流密度0.1〜50A/dm^
2の電解条件でめっきする電気タングステンめっき方法
。 - (6)陽極をタングステン製陽極にしてめっきする請求
項5に記載の電気タングステンめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23319188A JPH0280589A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電気タングステンめっき浴およびその浴によるめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23319188A JPH0280589A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電気タングステンめっき浴およびその浴によるめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280589A true JPH0280589A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16951171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23319188A Pending JPH0280589A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 電気タングステンめっき浴およびその浴によるめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0280589A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235462A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 溶融塩浴、溶融塩浴の製造方法およびタングステン析出物 |
| JP2011014917A (ja) * | 2010-08-20 | 2011-01-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属積層構造体 |
| CN102002743A (zh) * | 2010-12-01 | 2011-04-06 | 北京科技大学 | 在纯铜或铜合金基体上熔盐电镀厚钨涂层的制备方法 |
| WO2011102059A1 (ja) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | 住友電気工業株式会社 | 金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法 |
| US9199433B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-12-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Metal laminated structure and method for producing the metal laminated structure |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP23319188A patent/JPH0280589A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235462A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 溶融塩浴、溶融塩浴の製造方法およびタングステン析出物 |
| US9199433B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-12-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Metal laminated structure and method for producing the metal laminated structure |
| WO2011102059A1 (ja) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | 住友電気工業株式会社 | 金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法 |
| JP2011171564A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法 |
| US8993121B2 (en) | 2010-02-19 | 2015-03-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Metal laminated structure and method for producing the same |
| JP2011014917A (ja) * | 2010-08-20 | 2011-01-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属積層構造体 |
| CN102002743A (zh) * | 2010-12-01 | 2011-04-06 | 北京科技大学 | 在纯铜或铜合金基体上熔盐电镀厚钨涂层的制备方法 |
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