JPH01246509A

JPH01246509A - 偏光素子を含む光学系からなる装置

Info

Publication number: JPH01246509A
Application number: JP7553888A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Kawatsuki; 喜弘川月; Masao Uetsuki; 植月　正雄
Original assignee: Kuraray Co Ltd
Current assignee: Kuraray Co Ltd
Priority date: 1988-03-28
Filing date: 1988-03-28
Publication date: 1989-10-02
Anticipated expiration: 2012-12-03
Also published as: JP2685790B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、磁気光学効果を利用して光磁気ディスクの
情報を読み取る光磁気ヘッド、この光磁気ヘッドなどに
用いられる偏光素子、ならびに、この素子からの回折光
を検出する偏光解析装置に関するものである。

［従来の技術］従来より、レーザ光の照射により媒体の温度を上昇させ
て、保磁力が低下する性質を利用して、情報の記録、消
去をなしうる光磁気ディスクが知られている。この光磁
気ディスクの情報を再生する場合は、カー効果またはフ
ァラデー効果を利用する。つまり、レーザ光が磁化され
た光磁気ディスクで反射されたり、光磁気ディスクを透
過（通過）する際に偏光面が回転する現象を利用して、
レーザ光の偏光状態の微小な変化を検出することで情報
信号を読み取っている。この情報信号の読み取りを行う
光磁気ヘッドの一例を第１Ｏ図に示す。

第１θ図において、１は半導体レーザ（レーザ光源）、
２はコリメートレンズ、３はビームスプリッタ、４は対
物レンズ、ＩＯは光磁気ディスクである。半導体レーザ
１から出射されたレーザ光りは、コリメートレンズ２で
平行光にされた後、ビームスプリッタ３を透過して、対
物レンズ４で絞られて光磁気ディスク１０に集光される
とともに、反射されろ。この反射光（レーザ光）ＬＬは
カー効果を受けて偏光面が回転されて、再び、対物レン
ズ４を通過した後、ビームスプリッタ３により反射され
てビームスプリッタ２０に向う。

上記ビームスプリッタ２０に入射された反射光Ｌｌは、
一部が反射されて集光レンズおよびシリンドカルレンズ
からなるセンサレンズ６に入射し、４分割フォトダイオ
ード（検知器）９に集光される。この４分割フォトダイ
オード９からの出力を受けた比較回路Ｉ２によって、フ
ォーカスおよびトラッキング状態が検知され、サーボ機
構（図示仕ず）によりフォーカシングおよびトラッキン
グを行う。一方、上記反射光Ｌ１の透過光は、偏光ビー
ムスプリッタ２２に入射し、透過または反射されて光検
知器７．８に検出される。ここで、光磁気ディスクｌＯ
に反射された反射光Ｌｌの偏光状態に微小な変化が生じ
ている場合は、光検出器７．８に向う光の光強度に変化
が生じる。したかって、両検出器７．８の出力を差動検
出器１１により差動検出して、光磁気ディスク１０の情
報を読み取ることができる。

［発明が解決しようとする課題］ところが、上記従来技術では、フォーカスおよびトラッ
キング状態の検出と、差動検出とを行うにあたり、反射
光Ｌ１を複数のビームスプリッタ２０．２２を用いて分
離しているので、光磁気ヘッドかコンパクトにならず、
また、高価な偏光素子を多く必要とする。

ここで、光の波長以下の格子のピッチを有する回折格子
においては、回折効率に入射光の偏光依存性があること
が知られている（Ｍ、　Ｇ、　Ｍｏｈａｒａｍｅｔ。

ａｌ、　Ａｐｐｌ、　Ｏｐｔ、　２３３２１４（１９８
４年））。たとえば、格子ピッチΔが０．５μＩで、波
長λが７Ｈｎｍの回折格子について実験したところ、第
１１図のように、Ｓ偏光とＰ偏光とでは、回折効率が大
きく異なっている。そこで、第１Ｏ図の偏光ビームスプ
リッタ２２の代りに上記回折格子を用い、この回折格子
によりビームスプリッタ２０を透過した光Ｌｌを分離し
て、高価な偏光素子を安価にすることも考えられるが、
この方法では回折格子を偏光ビームスプリッタのかわり
として用いるだけで、光磁気ヘッドがやはり大型になる
。

上記課題は偏光素子を光磁気ヘッドに用いた場合以外に
も同様に生じる。つまり、レーザ光を受けて透過光およ
び回折光を出射する偏光素子単体についての課題として
とらえると、１つの偏光素子について、１つの透過光と
回折光とか得られるのみであり、したがって、情報量を
多く得ようとすれば、多くの偏光素子が必要になる。ま
ｒ二、偏光素子からの光を差動検出する差動検出器を備
えた偏光解析装置についての課題としてとらえると、（
喀や・す、情報量を多く得ようとすれば、多くの偏光素子
が必要になる。

この発明は上記課題に鑑みてなされたもので７、安価で
多くの情報量が得られる偏光素子および偏光解析装置や
、小型化を図り得る光磁気ヘッドを提供することを目的
としている。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するために、この出願の請求項（１）の
偏光素子は、入射するレーザ光の波長以下の短いピッチ
の第１および第２の格子が、同一基板の対向する表面ま
たは２枚の基板の一方の表面に、格子の方向が互いに交
差する方向に設けられ、上記レーザ光を受けて透過光お
よび２つの回折光を出射する。

上記請求項（１）の偏光素子は、上記第１または第２の
格子の方向と直角な方向であって、上記基板の１つの表
面上にそれぞれ設定された２つのにベクトルかなすにベ
クトル角を、レーザ光の光軸に垂直な平面に投影した投
影角が７０°ないし１１０゜に設定されているのが好ま
しい。

特に、上記投影角を８４°ないし９６°に設定し、かつ
、両格子の回折光の強度をほぼ同一に設定するのがさら
に好ましい。一方、上記投影角を１０°ないし２０°に
設定してもよい。

また、レーザ光の偏光面の位置は、上記投影角軸を２等分する軸線またはこの・線に対して９０°回転し
た軸線に対して、５°以内の傾きを有する角度に設定す
るのが好ましい。

上記請求項（１）の偏光・・素子は、上記２つの回折光
を差動検出することによりレーザ光の偏光状態を検出す
る差動検出器と組合せて、請求項状（６）の偏光面・装置に適用できる。

また、上記請求項（１）の偏光素子は、光磁気ディスク
からの反射光または通過光により情報の読み取りを行う
請求項（７）の光磁気ヘッドに用いることができる。

この場合、投影角は７０°ないし１１０°に設定するの
が好ましい。一方、上記投影角をｌＯｏないし２０゜に
設定してもよい。

また、上記光磁気ヘッドにおいては、上記偏光素子の基
板の１つの而にハーフミラ−面を形成することもできる
。

［作　用］この出願の各請求項の発明によれば、偏光素子には入射
するレーザ光の波長以下の短いピッチの第１および第２
の格子が、同一基板の対向する表面または２枚の基板の
一方の表面に、格子の方向が互いに交差する方向に設け
られているので、ｌっのレーザ光から透過光および２つ
の回折光か得られる。したがって、１つの偏光素子によ
り、多くの情報量を得ろことができるとともに、この偏
光素子はビームスプリッタに比べ製造性が良く、安価で
ある。

また、請求項（２）の発明では、投影角が７０°ないし
１１０′に設定されているので、２つの回折光の位相ら
７０°ないし１１０°になる。

特に、請求項（３）の発明では、投影角が８４°ないし
９６°に設定され、かつ、両格子の回折光の強度がほぼ
同一に設定されているので、偏光面が回転したときに、
一方の格子からの回折光の強度が増加するのにともない
、池方の格子からの回折光の強度がほぼ同−濤減少する
。

一方、請求項（４）の発明では、投影角が小さいので、
２つの回折光のなす角度が小さくなる。

さらに、請求項（５）の発明では、偏光面の位置が、投
影角を２等分する軸線またはこの軸線に対して９０゛回
転した軸線に対して５°以内の傾きを有しているので、
偏光面が回転したときに、両格子からの回折光強度が大
きく変化する。

また、上記偏光素子を光磁気ヘッドに用いた場合は、偏
光素子が透過光および２つの回折光を出射するので、１
つの偏光素子により従来のビームスプリッタおよび偏光
ビームスプリッタの役割が果たされる。したがって、部
分点数が少なくなるとともに、光磁気ヘッドが小型にな
る。

［実施例］以下、この発明の実施例を図面にしたがって説明する。

第１図、第７図および第８図において、第１０図の従来
例と同一部分または相当部分には、同一符号を付してお
り、その詳しい説明を省略する。

第１図はこの発明の一実施例を示す。第１図において、
５は偏光素子で、ビームスプリッタ３と４分割フォトダ
イオード９との間に配設されている。

上記偏光素子５には、第２図のように、基板５２Ｌの一
方の面５ｂｌＣＤ方向の格子５ｄ、５ｂに対向する面５
ｃにＥ方向の格子５ｅが、２つの格子の方向が互いに交
差するように配設されており、格子５ｄおよび５ｅのピ
ッチ八か０．５１μｍでレーザ光の波長（たとえば、７
８０ｎｆｆ＋）よりも短く設定されているＩＥＩ図では
格子５ｅのみ図示している）。ここで、第１ｔ図のよう
に、格子の凹部と凸部の高さの差で表される格子の深さ
を変えることによって、第２図の両格子５ｄ、５ｅの回
折効率を変えることができる。

っぎに、偏光素子５の配置角度について説明する。上記
ビームスプリッタ３から反射された反射光Ｌｌの光軸方
向を、第３図のＺ軸に設定して説明する。Ｘ、Ｙ軸は、
上記Ｚ軸に直角なＸ−Ｙ平面上に設定されている。

Ｄは格子５ｄの方向を、両回折光Ｌ２、し３および透過
光Ｌ４の出射する面５ｂ上に設定した線、Ｅは格子５ｅ
の方向を、上記面５ｂ上に設定した線、角ψはこの格子
方向の線Ｄ％ＥとＺ軸とのなす立体的な角度である。Ｔ
は上記格子方向のＩＤ、Ｅ間の角度、つまり、２つの格
子５ｄ、５ｅが面５ｂ上でなす交差角、ｍ　−ｎ線はこ
の交差角Ｔを面５ｂ上で２分割する中心線、角Ａはこの
ｍ　−ｎ線とＺＭとのなす角である。Ｘ軸は上記中心線
ｍ　−ｎをＸ−Ｙ平面に投影した軸線、Ｙ袖はこのＸ軸
に直角な軸線である。

Ｋｄ、Ｋｅは格子方向の線り、Ｅに直角な方向のにベク
トルを示し、ＴｋはこのにベクトルＫｄとＫｅとがなす
にベクトル角、２αはこのにベクトル角ＴｋをＸ−Ｙ平
面に投影した投影角、Ｋｌ。

ＫｌはにベクトルＫｄ、ＫｅをＸ−Ｙ平面に投影した投
影にベクトルである。この実施例では、上記投影角２α
を９０°に設定している。つまり、面５ｂ上における２
つの格子５ｄ、５ｅに直角なにベクトルＫｄ、Ｋｅのな
す角Ｔｋを、Ｘ−Ｙ平面に投影した投影角２αが９０”
に設定されている。

θはレーザ光し１の偏光面ＰとＸ軸とのなす偏光面の角
度で、この偏光面の角度θは、この実施例では９０’に
設定されている。したがって、偏光面Ｐは、投影角２α
を２等分する軸線Ｘに対して９０’回転した軸線Ｙに設
定されており、両投形にベクトルに１、Ｋｌに対して４
５゛の傾きを有している。

つぎに、上記構成の動作を説明するに先だって偏光素子
５の特性について説明する。

↓ いま、偏光面Ｐの偏向面の角変θをＯｏとしたとき、偏
光面Ｐは投影にベクトルＫｌ、に２に対し、ともに角α
をなすので反射光Ｌｌかにベクトルに１、Ｋｌに対して
対称になり、上記偏光面Ｐをθ＝Ｏ’から１８０°まで
回転していったとき、反射光Ｌ１の偏光面Ｐとにベクト
ルに１、Ｋ２との角度が変化するため、両名子５ｄ、５
ａからの回折光Ｌ２、Ｌ３の強度が変化する。ここで、
先に述べたように回折格子の回折効率は格子の深さによ
って変わるので、両路子５ｄ、５ｅの深さを適宜設定す
ることにより、両回折光Ｌ２、Ｌ３の強度を等しくする
ことができる。第４図はレーザ光の波長λを７８０ｎｍ
、第２図の格子ピッチ八を０．５１μｌ、格子５ｄの深
さを０．６μｍ１格子５ｅの深さを０．５５ｕｉ、第５
図の角Ａを３５．０’、交差角Ｔを１２０°、投影角２
αを９０°に設定して、偏光ｍｌう〉角度θをＯｏから
１８０°まで変化させ、そのときの両回折光Ｌ２、Ｌ３
の強度変化を測定した結果をグラフに表したものである
。

Ｌは、コリメートレンズ２、ビームスプリッタ３おり３
に再び入射して、偏光素子５へ向かい、２つの回折光Ｌ
２、Ｌ３と１つの・・・透過光Ｌ４とに分割される。こ
こで、上記レーザ光りを反射した光磁気ディスク１０の
部分が磁化していない場合は、第３図の実線で示すよう
に、反射光Ｌｌの偏光面ＰがＸ軸に対してθ＝９０°の
位置で、レーザ光Ｌｌが偏光素子５に入射する。この場
合は、両名子５ｄ。

５ｅの投影にベクトルＫｌ、に２と偏光面Ｐとのなす角
がともに９０°−α（４５°）であるため、第４図のよ
うに両回折光Ｌ２、Ｌ３の回折強度が同一になる。

一方、第１図のレーザ光りを反射した光磁気ディスク１
０の部分が磁化している場合は、カー効果により第５図
の偏光面Ｐが微小角Δ回転され、偏光面Ｐと投影にベク
トルに１またはに２とのなす角度が、それぞれ増加また
は減少した状態で、反射光Ｌ１が偏光素子５に入射する
。この場合は、両路子５ｄ、５ｅの投影にベクトルＫ１
１に２と偏光面Ｐとのなす角が異なるため、第７図に示
すように、回折光に強度差Ｌ５が生じる。したがって、
第１図の差動検出器１１で両光検出器７．８の出力の差
が検知され、光磁気ディスク１０の情報が読み取られろ
。

また、上記透過光Ｌ４はセンサレンズ６に入射し、４分
割フォトダイオード９に集光されて、トラッキング状態
およびフォーカス状態が検知される。

上記構成において、この発明は第２図のように、レーザ
光の波長よりら短いピッチＡの格子５ｄおよび５ｅが、
同一基板の対向する表面に、両路子の方向か互いに交差
する方向に設けられた偏光素子５により、第１図の反射
光Ｌｌを３分割するので、１つの偏光素子５によって従
来の２つのビームスプリッタの役割を果たす。したがっ
て、部品点数が少なくなるとともに、光磁気ヘッドが小
型になる。また、偏光素子５、光検知器７．８、および
差動検出器１１からなる偏光解析装置あるいは、偏光素
子単体については、安価で多くの情報量が得られる効果
がある。

ところで、第３図の投影角２αは、この実施例の場合、
９０°に設定されているが、０〈２α＜　１８０＠の範
囲で適宜設定すれば良い。しかし、投影角２αは、第４
図のように、両回折光Ｌ２、Ｌ３の位相となって現れる
ので、これを９０°に設定した場合には、偏光角θが０
°ないし１８０°のすべての範囲において、両回折光Ｌ
２、Ｌ３が相反して変動するｆ二め、第３図の偏光面Ｐ
の・・・・角度θにかかわらず、偏光面Ｐの回転を検知
できる。

たとえば、上記投影角２αを６７°に設定し几場合は、
両名子５ｄ１５ｅの回折光Ｌ２、Ｌ３の強度が、第５図
のようになり、斜線部Ｓの範囲において、両回折光Ｌ２
、Ｌ３の強度差に変化が生じなくなるうえ、強度差Ｌ５
が第４図の２α＝９０°の場合よりも小さくなる。この
ため、投影角２αは７０°ないし１１０”程度に設定す
るのが好ましく、８４°ないし９６＠に設定するのが、
特に好ましい。

さらに、上記投影角２αを８４°ないし９６°に設定し
、かつ、第２図の両路子５ｄ、５ｅの深さを適宜設定し
て、両回折光Ｌ２、Ｌ３の強度を同一にした場合には、
第４図の回折光Ｌ２の強度が増加（減少）するのにとら
ない、回折光Ｌ３の強度がほぼ同一量減少（増加）する
。したがって、第３図の透過光Ｌ４の変化が少ないので
、たとえば、反射光Ｌｌ自体の強度を変化させれば、こ
の反射光Ｌｌ纜自体の強働変化ら情報としてとらえることができる。

一方、上記投影角２αをｌＯｏないし２０°程度に設定
した場合は、両名子５ｄ、５ｅが平行に近くなるため、
回折光Ｌ２、Ｌ３の強度差Ｌ５（第５図）の変化が極め
て小さくなるが、両回折光Ｌ２、Ｌ３の出射される方向
が近づく。つまり、両回折光Ｌ２、Ｌ３のなす角が小さ
くなる。したがって、たとえば、光磁気ヘッドをさらに
小型化できる。

傍において、大きく変化する。この現象は、第５図の投
影角２α＝６７°の場合や、その他の場合も同様である
。したがって、第３図の偏向面Ｐの位置は、Ｘ軸または
Ｙ軸に対して±５°の傾きを有する角度に設定するのが
好ましい。つまり、偏向面Ｐの位置は、投影角２αを２
等分する軸線Ｘまたはこの軸線Ｘに対して９０°回転し
た軸線Ｙに対して、５°以内の傾きを有する角度に設定
するのが好ましい。特に第４図の強度差Ｌ５の正負が逆
転する位置に偏向面を設定すれば、たとえばθ＝３６°
、θ−Δ＝９４＠などに設定すれば、強度差Ｌ５の正負
のみによって、偏向面の回転を検出し得る。なお、この
実施例では、面５ｂ上の第１の格子の葆りとＺ軸とのな
す角度ψを、第２の格子の線ＥとＺ軸とのなす角度（図
示せず）と同一に設定したが、必ずしも同一にする必要
はない。

つぎに、上記第２図の偏向素子５の交差角Ｔの決定方法
について説明する。交差角Ｔは使用する光磁気ヘッドに
おける第３図の偏向素子５の配置角度Ａ１ψおよび投影
角２αにより定まる。したがって、これらの角度Ａ１ψ
、２αと交差角Ｔとの関係を求める必要がある。第６図
において、また、ここで、β＝９０°−Ｔ／２故に、ｓｉｎ　Ｔ／２　Ｘ　ｃｏｓＡ　　＝　ｃｏｓψ
　　　□■上記■、■式から必要な交差角Ｔが求められ
る。

上記偏光素子５は、ガラス等の基板にフォトレノストな
どの感光性樹脂を塗布し、二光束干渉露光法、あるいは
、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィ法、または
、電子線描画法やレーザービーム直接描画法などにより
露光した後に感光性樹脂を現像する方法、ルーリングエ
ンジンを用いて機械的に格子を刻む方法等により作製で
きる。

偏光素子５の両路子５ｄおよび５ｅの断面形状は第２図
に示したような正弦波状に限られず、もちろん・矩形波
状、台形波状等任意の形状でよい。

また、必要に応じて、上記偏光素子５を母型として、電
鋳法によりニッケルスタンパ（金型）を作製し、この金
型を用いて、射出成形法、圧縮法、フォトポリマー法（
２Ｐ法）などの複製法によって、レプリカを作製しても
よい。

ところで、第２図では格子５ｄおよび５ｅのピッチ八を
同一にしたが、互いに異なるものとしてもよい。さらに
曲線状の第１および第２の格子５ｄ。

５ｅやピッチ八が徐々に変化する第１および第２の格子
５ｄ、５ｅ、曲線状でかつピッチ八が徐々に変化する第
１および第２の格子５ｄ、５ｅを有する偏光素子５とし
ても良い。

以上、同一基板の対向する表面に第１および第２の格子
を形成する場合について詳細に説明したが、第１の基板
に第１の格子を形成し、第２の基板に第２の格子を形成
した後に、第１および第２の基板を貼り合わせて積層し
ても良く、また、第１と第２の基板を離して配置しても
良い。さらに、勿論、第１および第２の格子は偏光ビー
ムスプリッタ３、検知器９のいずれに対向して形成され
ても良い。

第７図はこの発明の他の実施例を示す。１４はプレート
型のハーフミラ−で、対物レンズ４と偏光素子５との間
に配設されている。本実施例における偏光素子５も第２
図のように、基板５ａの対向する面５ｂ、５ｃに、２つ
の格子５ｄ、５ｅが互いに交差する方向に形成されてい
る（第７図では１つの格子のみ図示している）。

この実施例の場合、半導体レーザ１から出射されたレー
ザ光りは、ハーフミラ−１４で反射され、対物レンズ４
を通って、光磁気ディスク１０上に集光される。その後
、反射光Ｌｌとなって、再び対物レンズ４を通過し、ハ
ーフミラ−１４から偏光素子５に入射し、上記第１図の
実施例と同様の方法で、光磁気ディスク１０の情報を読
みとるとともに、トラッキングおよびフォーカスの調節
を行う。ここで、ハーフミラ−１４に入射する反射光Ｌ
ｌが収束光であるため、コマ収差が生じるが、このコマ
収差が偏光素子５で補正される。

第８図は請求項（１０）にかかる発明の一実施例を示す
。この実施例では、第７図のハーフミラ−１４とともに
偏光素子５とを一体に構成している。第９図のように、
格子５ｄおよび５ｅはそれぞれ異なる基板５ｆおよび５
ｇに形成されており、基板５ｆ１５ｇは接層されている
。格子５ｄおよび５ｅは検知器９に対向しており、光磁
気ディスク１０側の基板５ｆの一方の面に反射光Ｌ１が
入射するハーフミラ−面１４Ａを有している。したがっ
て、光磁気ヘッドが一層小型になるとともに、部品点数
が少なくなる。

なお、上記第７図および第８図の実施例におけるその他
の構成は、上記第１図の実施例と同様であり、同一部分
または相当部分に同一符号を付して、その説明を省略す
る。

ところで、上記各実施例ではＩビームによる方法を用い
ているが、たとえば、第１図の半導体レーザＩとコリメ
ートレンズ２との間グレーティング（位相格子）を設け
て３ビーム法により、トラッキングを行い、４分割フォ
トダイオード９でフォーカシングを行っても良い。また
、任意の場所にλ／２板を用けて、光の偏光方向を変え
ても良い。

また、上記各実施例では、いずれもレーザ光が光磁気デ
ィスクで反射されるもの（反射光を利用するもの）につ
いて説明したが、この発明はレーザ光が光磁気ディスク
を透過するもの（透過光を利用するもの）についても適
用できる。つまり、ファラデー効果を利用するものであ
っても良い。

［発明の効果コ以上説明したように、この出願の各請求項の発明によれ
ば、偏光素子には、入射するレーザ光の波長以下の短い
ピッチの第１および第２の格子が、同一基板の対向する
表面または２枚の基板の一方の表面に、格子の方向が互
いに交差する方向に設けられているので、１つの偏光素
子により、多くの情報量が得られるとと乙に、偏光素子
の製造性が良く、かつ、安価になる。

また、請求項（２）の発明によれば、投影角を７０”な
いし！１０１に設定しているので、両回折光の強度差の
変化が入射する偏光面の広い角度の範囲において生じ、
かっ、強度差の変化が大きいので、偏光面の回転を容易
に検知できる。

特に、請求項（３）の発明によれば、投影角を８４゜な
いし９６°に設定している。から、さらに偏光面の回転
を容易に検知できるとともに、透過光の強度変化がちい
さくなるので、レーザ光自体の強度変化も検知可能とな
る。

一方、請求項（４）の発明によれば、投影角が小さいの
で、両回折光のなす角度が小さくなり、そのため光学装
置の小型化を図り得る。

また、請求項（５）の発明では、偏光面の位置が、投影
角を２等分する軸線またはこの軸線に対して９０°回転
した軸線に対して、５゛以内の傾きを有する角度に設定
されているので、両回折光の強度が大きく変化し、その
ため、偏光面の回転の検知が一層容易になる。

さらに、請求項（７）の発明によれば、１つの偏光素子
が透過光および２つの回折光を出射するので、光磁気ヘ
ッドが小型になる。

また、請求項（１ｏ）の発明によれば、基板の一つの面
にハーフミラ−面を有し、またレーザ光が収束光の場合
に生じるコマ収差を偏光素子において補正できるから、
部品点数が少なくなるとともに、光磁気ヘッドが小型に
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は請求項（７）の発明の一実施例を示す光磁気ヘ
ッドの概略構成図、第２図は偏光素子の一実施例の拡大
斜視図、第３図は偏光素子の配置角度を示す斜視図、第
４図は投影角が９０”に設定されたときの偏光素子の特
性図、第５図は同６７°のときの偏光素子の特性図、第
６図は偏光素子の配置角度から交差角を求める方法を示
す斜視図、第７図は請求項（７）の発明の池の実施例を
示す光磁気ヘッドの概略構成図、第８図は請求項（１０
）の発明の一実施例を示す光磁気ヘッドの概略構成図、
第９図は同実施例におけろ偏光素子の拡大斜視図、第１
Ｏ図は従来例を示す概略構成図、第１１図は回折格子に
おけるＳ偏光とＰ偏光の回折効率を示す特性図である。 ■・・・・半導体レーザ（レーザ光源）、５・・・・偏
光素子、５ａ　、５ｆ　、５ｇ・・・・基板、５ｄ・・
・・第１の格子、５ｅ・・・・第２の格子、９・・・・
検知器（４分割フォトダイオード）、ＩＯ・・・・光磁
気ディスク、１１・・・・差動検出器、１４Ａ・・・・
ハーフミラ−面、Ｌ・・・・レーザ光、Ｌｌ・・・・反
射光、Ｌ２．Ｌ３・・・・回折光、Ｌ４・・・・透過光
、Δ・・・・ピッチ、２α・・・・投影角、Ｋｄ。Ｋｅ・・・・Ｋベクトル、Ｐ・・・・偏光面、Ｔｋ・・
・・Ｋベクトル角、Ｘ、Ｙ・・・・軸線、Ｚ・・・・光
軸。第１図（４分割フォトダイオード）　　　　Ｌ４：透過光１０
：　光磁気ディスク１１：　差動検出器第２図５ｑ、基板５ｄ：　第１の格子５ｅ　第２の格子 Δ　　ピッチ第６図２　：　光軸第４図偏向面とＸ軸との角度（θ）第５図偏向面とＸ軸との角度（θ）第６図第７図第８図第９図第１０図第１１図乎シ子邪さ　（、ｐｍ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）入射するレーザ光の波長以下の短いピッチの第１
および第２の格子が、同一基板の対向する表面または２
枚の基板の一方の表面に、格子の方向が互いに交差する
方向に設けられ、上記レーザ光を受けて透過光および２
つの回折光を出射する偏光素子。
（２）請求項（１）において、上記第１または第２の格
子の方向と直角な方向であつて、上記基板の１つの表面
上にそれぞれ設定された２つのＫベクトルがなすＫベク
トル角を、上記レーザ光の光軸に垂直な平面に投影した
投影角が７０°ないし１１０°に設定されている偏光素
子。
（３）請求項（１）において、上記第１または第２の格
子の方向と直角な方向であつて、上記基板の１つの表面
上にそれぞれ設定された２つのにベクトルがなすＫベク
トル角を、上記レーザ光の光軸に垂直な平面に投影した
投影角が８４°ないし９６°に設定され、かつ、上記両
格子の回折光の強度がほぼ同一に設定された偏光素子。
（４）請求項（１）において、上記第１または第２の格
子の方向と直角な方向であって、上記基板の１つの表面
上にそれぞれ設定された２つのＫベクトルがなすＫベク
トル角を、上記レーザ光の光軸に垂直な平面に投影した
投影角が１０°ないし２０°に設定されている偏光素子
。
（５）請求項（２）、（３）または（４）において、上
記レーザ光の偏光面の位置が、上記投影角を２等分する
軸線またはこの軸線に対して９０°回転した軸線に対し
て、５°以内の傾きを有する角度に設定されている偏光
素子。
（６）請求項（１）記載の偏光素子と、上記２つの回折
光を差動検出することにより上記レーザ光の偏光状態を
検出する差動検出器とを備えた偏光解析装置。
（７）レーザ光源からのレーザ光を光磁気ディスクに集
光させて、その反射光または透過光により情報の読み取
りを行う光磁気ヘッドであつて、上記レーザ光の波長以
下の短いピッチの第１および第２の格子が、同一基板の
対向する表面または２枚の基板の一方の表面に、格子の
方向が互いに交差する方向に設けられ、上記光磁気ディ
スクからの反射光または通過光を受けて、透過光および
２つの回折光を出射する偏光素子と、上記透過光を受け
てトラッキング状態またはフォーカス状態のうち少なく
ともいずれか一方の状態を検知する検知器と、上記２つ
の回折光を差動検出することにより上記光磁気ディスク
の情報を読み取る差動検出器とを備えた光磁気ヘッド。
（８）請求項（７）において、上記第１または第２の格
子の方向と直角な方向であつて、上記基板の１つの表面
上にそれぞれ設定された２つのにベクトルがなすＫベク
トル角を、上記反射光または通過光の光軸に垂直な平面
に投影した投影角が７０°ないし１１０°に設定されて
いる光磁気ヘッド。
（９）請求項（７）において、上記第１または第２の格
子の方向と直角な方向であって、上記基板の１つの表面
上にそれぞれ設定された２つのＫベクトルがなすＫベク
トル角を、上記反射光または通過光の光軸に垂直な平面
に投影した投影角が１０°ないし２０°に設定されてい
る光磁気ヘッド。
（１０）請求項（７）、（８）または（９）において、
上記基板の１つの面にハーフミラー面を有している光磁
気ヘッド。