JPS61287042A - 光学式ピツクアツプ装置 - Google Patents

光学式ピツクアツプ装置

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JPS61287042A
JPS61287042A JP60127619A JP12761985A JPS61287042A JP S61287042 A JPS61287042 A JP S61287042A JP 60127619 A JP60127619 A JP 60127619A JP 12761985 A JP12761985 A JP 12761985A JP S61287042 A JPS61287042 A JP S61287042A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
focus error
error signal
pickup device
lens
optical
Prior art date
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Pending
Application number
JP60127619A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Suemitsu
末光 尚志
Takashi Nishio
隆 西尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
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Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
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Publication of JPS61287042A publication Critical patent/JPS61287042A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は光ディスクに記録された情報を光学的に検出す
る光学式ピックアップのレーザスポットを、常時、正確
に光ディスクの記録情報面上に位置させるようにした光
学式ピックアップ装置に関する。
「従来の技術」 従来の、この種の光学式ピックアップ装置として第6図
で示すものがあった0図面は焦点誤差信号検出光学系に
ナイフェツジ法を用いたもので、Aは光学的に情報が記
録されたディスクで、Bは光ディスクAの情報を読取る
ためのレーザを発生する半導体レーザ、Cは偏光プリズ
ム、Dは1/4波長板、Eは上記のレーザを光ディスク
Aの記録情報面上に所定のスポットサイズで集光する対
物レンズである。
次に、偏光プリズムCの右側に配置する焦点誤差信号検
出光学系は、金属板製のナイフェツジFとフォトダイオ
ード等の光検出器Gにより構成されている。そして、光
検出器Gは、検出系の焦点位置(スポットサイズの最少
となる位置)におかれ、ナイフェツジFは偏光プリズム
Cと光検出器Gの間に置かれる。
次に2作用について説明する。まず、半導体レーザBか
ら発射したP偏光の光は、偏光プリズムCの偏光膜を透
過し、1/4波長板りにより直線偏光から円偏光に変え
られる。
この円偏光のレーザは対物レンズEにより、光ディスク
Aの信号面に所定のスポットサイズで集光される。そし
て、光ディスクの信号面での反射光は、円偏光の回転方
向が入射時とは逆方向となり、再び174波長板りを透
過することにより、入射時と90”偏光方向が回転した
直線偏光(S偏光)の光となり、偏光プリズムCの偏光
膜面で、焦点誤差信号検出光学系の方向へ反射される。
焦点誤差信号検出光学系では、ナイフェツジFは光ディ
スクAの上下動にともない、検出系の光軸を中心として
、光束の1/2を遮光することにより、光検出器G上に
焦点誤差信号を発生させる。そして、この焦点誤差信号
により、光ディスクAに対して光ピツクアップを常時、
正しい位置に保持させるように制御する。
「発明が解決しようとする問題点」 しかし、従来の光学式ピックアップ装置は、焦点誤差信
号検出光学系がナイフェツジ法で構成されているので、
該検出光学系が入射光軸に対し垂直方向に長く張り出し
た形となり、光ピツクアップの小型化な困難にする欠点
があった。
r問題を解決するための手段」 本発明は上記のような欠点を解決するために成されたも
ので、ナイフェツジを偏光プリズムの側面に反射膜を兼
ねて形成し、この反射膜によって焦点誤差信号検出光学
系の光路を折り曲げるようにして、小型化された光学式
ピックアップ装置を提供するのが目的である。
「発明の構成」 以下、本発明を図面の実施例に基づいて説明する。第1
図は本発明に係る光学式ピックアップ装置の概略構成図
で、第2図は同要部の拡大された分解斜視図である。
図面において、lは光学的に情報が記録された光ディス
クで、2は該光ディスクの情報を読取るレーザを発生す
る半導体レーザ、3は偏光プリズム、4は該偏光プリズ
ム3の光ディスク!側に配置した1/4波長板、5は上
記のレーザを光ディスク1の情報面上に、所定のスポッ
トサイズで絞り込む対物レンズである。
次に、焦点検出光学系であるが、6は上記の偏光プリズ
ム3の右側面に直接、接着された174波長板、7は該
1/4波長板6の下半分のエリアに成形された薄膜のナ
イフェツジ兼反射膜である。このナイフェツジ兼反射1
III7(以後反射膜と略記する)はアルミニウム膜な
どの金属薄膜を蒸着あるいはスパッタリング法で形成さ
れる。8は偏光プリズム3の左側面に接着された焦点誤
差検出用の2分割光センサ等のフォトディテクタである
。9は偏光プリズム3の右側面に形成された反射膜7の
上位に接着されたトラッキングエラ検出用2分割光セン
サ等のフォトディテクタであ「発明の作用」 次に、上記の実施例の作用について説明する。
まず、半導体レーザ2から発射されたP偏光の光は、偏
光プリズム3の偏光膜を通過し、l/4波長板4によっ
て直線偏光から円偏光に変えられる。この円偏光は対物
レンズ5によって光ディスク1の信号面に集光される1
次いで、光ディスクlの信号面で反射された反射光は、
入射時と逆回転方向の円偏光に変換される。そして、こ
の円偏光は再び、l/4波長板4を通過することによっ
て、今度は90°偏光方向の回転した直線偏光(S偏光
)の光となり、4に光プリズム3の偏光膜で反射され焦
点検出光学系に導入される。
そして、焦点誤差信号検出光学系に入った光は、1/4
波長板6を通過することにより、再び円偏光に変換され
、該174波長板6の下半分のエリアに形成された反射
膜7により、光束の上半分が透過され、かつ下半分が反
射されて光路を折り曲げられる0反射膜7での反射によ
り入射とは逆回転の円偏光となった光は、再び1/4波
長板6を通過することにより、入射時と90”だけ偏光
方向が回転した(直線偏光)P偏光の光となり、偏光プ
リズム3の偏光膜を透過することができ、焦点誤差検出
用2分割光センサのフォトディテクタ8に到達する。
一方、トラッキングエラ検出では反射されていない偏光
プリズム3の上半分のエリアを通過する光を利用して、
トラッキングエラ検出用2分割フォトディテクタ9によ
り検出が行なわれる。
「他の実施例」 第3図乃至第5図は本発明に係る光学式ピックアップ装
置の他の実施例である。この実施例においては、上記の
実施例の対物レンズ5の代りに厚みの薄いマイクロフレ
ネルレンズ10を使用したもので、偏光プリズム3の光
デイスクl側に接着された174波長板4の上に配置さ
れている。マイクロフレネルレンズlOはフレネルゾー
ンプレート、グレーティングレンズ、計算器ホログラム
、フレネル輪体等ともよばれ、電子通信学会論文集19
81年10月VOL、J84−C,No、10  f1
52頁〜657頁、電気通信学会論文集1883年1月
VOL 。
J88−C,No、1 85頁〜81頁に詳しい。
10aはマイクロフレネルレンズ10に形成されたレン
ズパターンで、図面では平面視が同心円状で、断面形状
が鋸歯形状(ブレーズドタイプ)の効率改善型が示され
ている。このレンズパターン10aは紫外線硬化型樹脂
(フォトポリマー)やフォトレジスト、電子線レジスト
等により形成され、厚さは数終mである。
11はレンズ基板で、このレンズ基板11は上記の1/
4波長板4の上にスペーサ12を介して接着されており
、レンズ基板11の裏面には、上記のマイクロフレネル
レンズ10が取付けられている。ここで、レンズ基板1
1はガラスまたはプラスチック酸で、厚さは0.3〜1
.0wmのものが使用されている。
また、スペーサ12は金属板あるいはプラスチックシー
トなどにより形成されているが、このスペーサ12の厚
みはレンズパターンloaの厚みより少し厚く設定し、
該レンズパターン10aと1/4波長板4との間に空気
層13を形成して、レンズパターン10aとの屈折率差
を大きくしている。
なお、図面ではマイクロフレネルレンズ10は、レンズ
パターンloa面を保護するために。
偏光プリズム3側に向けて配置しであるが、光デイスク
1側に向けてもよい、この場合はマイクロフレネルレン
ズ10は1/4波長板4の上に直接に接着され、スペー
サ12は不用となり、空気層13はレンズパターンlo
aの上部にできる。
なお、マイクロフレネルレンズ10の代りに薄板状のホ
ログラムレンズを使用してもよい、その他の点について
は、上記の実施例と同様である。
この実施例では、対物レンズ5の代りに厚みの薄いマイ
クロフレネルレンズ10を使用したので、偏光プリズム
3から光ディスクlまでの間隔を大幅に短縮することが
できる。このため光ピツクアップの光軸方向のサイズを
小さくすることができる。
「発明の効果」 本発明は叙上のように、光ディスクlに記録された情報
を光学的に読みとる光学式ピックアップ装置のナイフェ
ツジを用いた焦点誤差信号検出光学系において、ナイフ
ェツジを反射膜7を兼ねた薄膜とし、該反射s7を偏光
プリズム3に接着された1/4波長板6に直接形成し、
この反射膜7によって焦点誤差信号検出光学系の光路を
折り曲げたので、焦点誤差信号検出光学系を短縮するこ
とができる。
また、従来、金属板で構成されていたナイフエツジを反
射膜7化することにより、軽量化することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る光学式ピックアップ装置の概略構
成図で、第2図は同要部の分解斜視図。 第3図は光学式ピックアップ装置の他の実施例を示す概
略構成図、第4図は同要部の拡大縦断面図、第5図は同
要部の一部を分解した斜視図、第6図は従来の光学式ピ
ックアップ装置の概略構成図を示す。 l・・・光ディスク、 2・・・半導体レーザ。 3・・・偏光プリズム。 4.6・・・l/4波長板、 5・・・対物レンズ、 7・・・反射膜、 8・・・フォトディテクタ。 第1図     第2図 第3図    第4図 第5図 第6図 Δ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光ディスクに記録された情報を光学的に読みとる
    光学系ピックアップ装置のナイフエッジを用いた焦点誤
    差信号検出光学系において、ナイフエッジを反射膜を兼
    ねた薄膜とし、該反射膜を偏光プリズムに接着された1
    /4波長板に直接形成し、この反射膜によって焦点誤差
    信号検出光学系の光路を折り曲げるようにしたことを特
    徴とする光学式ピックアップ装置。
  2. (2)対物レンズとしてフレネルレンズあるいはホログ
    ラムレンズなどの薄板形状のレンズを使用し、それを偏
    光プリズム上に接着された入射光路の1/4波長板上に
    接着したことを特徴とする特許請求の範囲の範囲第1項
    記載の光学式ピックアップ装置。
JP60127619A 1985-06-12 1985-06-12 光学式ピツクアツプ装置 Pending JPS61287042A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60127619A JPS61287042A (ja) 1985-06-12 1985-06-12 光学式ピツクアツプ装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP60127619A JPS61287042A (ja) 1985-06-12 1985-06-12 光学式ピツクアツプ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61287042A true JPS61287042A (ja) 1986-12-17

Family

ID=14964564

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JP60127619A Pending JPS61287042A (ja) 1985-06-12 1985-06-12 光学式ピツクアツプ装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63279439A (ja) * 1987-05-12 1988-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学ヘッド
JPH01133313U (ja) * 1988-03-07 1989-09-11

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS586534A (ja) * 1981-07-03 1983-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 再生装置の光学装置

Patent Citations (1)

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