JPH01247574A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はプラズマ化学的気相成長（ＣＶＤ）装置に関し
、特に直流放電によりプラズマを発生する形式のプラズ
マＣＶＤ装置の改良に関するものである。

（従来の技術） 気相から化学反応を利用して基体等の表面に薄膜を形成
する装置は一般にＣＶＤ装置と呼ばれ、特に気相状の物
買の分子とイオンや電子に分離したプラズマ状態にして
薄膜形成を行うものはプラズマＣＶＤ装置と呼ばれてい
る。このプラズマＣＶＤ装置はＣＶＤ装置と比較して低
温で気相成長が可能であり、基体を損傷せずに薄膜を形
成できるので、広範囲に利用されている。

このプラズマＣＶＤ装置は、印加する電力の種類（高周
波および直流）により、高周波放電方式および直流放電
方式に大別できる。さらに高周波放電形式のプラズマＣ
ＶＤ装置は、容量結合形および誘導結合形に分けること
ができる。ウェハ等の平板を処理する半導体分野におい
ては、主に第１３図に概略して示すように一対の平板電
極に高周波電力を印加する高周波放電方式の内容量結合
形のプラズマＣＶＤ装置が用いられている。すなわち、
第１３図において、プラズマＣＶＤ装置１０のハウジン
グ１１内に一対の対向して配置した平板型［！１２およ
び１４が設けられており、−方の平板電極１４には処理
すべき被処理物、例えばウェハ基材１６が載置される。

この平板電極１４は、通常は、ターンテーブルとして構
成されており、モータ２２によりシャフト１８を介して
プラズマＣＶＤ装置の蒸着処理中均一な薄膜を形成する
ように回転される。また、一般にこの平板型［！１４の
下方には被処理物を加熱し、蒸着を促進するためのヒー
タ２０が設けられている。高周波電源２４は一対の平板
型＠１４および１６に高周波電力を供給してこの一対の
平板電極間でプラズマ放電を発生させる。なお、図面上
、ガス誘導管、ガス供給口、ガス排出口、真空ポンプ等
は省略しである。このような高周波放電方式の容量結合
形のプラズマＣＶＤ装置を開示する先行技術としては、
特開昭５９−１６７１号公報、特開昭５９−３８３９号
公報、特開昭５７−１６１０５７号公報等がある。

また、被処理物が平板でなく立体的なものを処理するプ
ラズマＣＶＤ装置を開示する先行技術としては、特開昭
５９−１９３２６５号公報、特開昭５９−６４７６９号
公報等がある。これらの公報は、高周波放電方式のプラ
ズマＣＶＤ装置を開示するものであり、一対の平板電極
間に被処理物を置いて処理する容量結合形のものまたは
ＲＦココイル中被処理物を置いて処理する誘導結合形の
ものの両方を開示している。

次に、従来の直流放電方式のプラズマＣＶＤ装置は第１
４図に概略して示すように構成されている。すなわち、
第１４図において、プラズマＣＶＤ装置はハウジング１
１内に通常は立体的な被処理物を載置する単一の平板型
ｆ！１４を有しており、この平板電極１４はモータ（図
示せず）により回転するように構成されている、このハ
ウジング１１は金属材料で作られるかまたはその内側に
金属材料が取付けられて、直流放電における陽極となり
、一方前述の平板電極１４が陰極となるように直流電力
が印加されるように構成されている。

また、この平板電極の上面には被処理物を平板電極に対
して固定するための固定具（図示せず）が設けられてお
り、被処理物は蒸着を促進するために通常は平板電極に
対して電気的に接触する状態で固定される。すなわち、
被処理物は放電空間のほぼ陰極領域に配置されることと
なり、蒸着すべき金属陽イオンを強力に吸引することが
できるものである。ハウジング１１にはガス誘導管２６
が設けられており、また真空ポンプ（図示せず）に接続
されたガス排出口２８が設けられている。

なお、特開昭６２−７７４７８号公報は高周波放電方式
または直流放電方式のいずれも用いることができる、放
電空間の陽光柱領域に立体的な被処理物（金属、セラミ
ック等）をいずれの電極とも電気的接触を行わずに配置
して処理を行う特殊なプラズマＣＶＤ装置を開示してい
る。この公報は、２枚の対向する平板電極に直流電力を
印加し、放電空間の陽光柱領域において、いずれの電極
とも電気的接触を行わずに被処理物を蒸着処理すること
を開示しているが、直流放電方式を一実施例として採用
しているとしても前述の第１４図に示す直流放電方式の
プラズマＣＶＤ装置とは、（１）前述の直流放電方式の
ものが、被処理物を１つの電極に電気的接触を行い放電
空間の陰極領域において蒸着処理を行うのに対して、こ
の公報においては放電空間の陽光柱において電極に対し
て非接触の状態で蒸着処理を行っている点で、（２１前
述の直流放電方式のものが、ハウジングを一方の電極に
用い、他方の電極はハウジング内に配置されているのに
対して、この公報においては２枚の対向する電極が用い
られている点で、前述の直流放電方式のものとは基本的
な原理が異なるものも考えられる。

（発明が解消しようとする課題） 例えば第１３図に示すような被処理物として半導体分野
における平板状のものを処理する容量結合形の高周波放
電方式のものまたは被処理物として立体的なものを処理
する容量結合形または誘導結合形の高周波放電方式のも
のは、例えば第１４図に示すような直流放電方式のもの
と比較すると、原理的に高周波放電方式の固有な欠点と
して（１）チャンバ内の圧力によるマツチングの調整が
困難であること、すなわちチャンバ内の圧力が変化する
と、蒸着のための最大効率を得る条件み変化し、そのた
め最大効率を得るようにそのたびに調整しなければなら
ず、調整がやっかいであること、（′２Ｊ高周波放電に
おいては、反応ガスをイオン化するとしても、そのイオ
ン化だけでは被処理物に蒸着する力が弱く、すなわち、
イオン化自体では蒸着に寄与するものではなく、このた
め、前述したように蒸着を助けるためにヒータのような
加熱装置を設けなければならないこと、がある。

前述のような高周波放電方式による欠点を考慮して、本
発明では、そのような欠点を有しない上にヒータを用い
ないで高温に加熱でき、蒸着力が強い直流放電方式を立
体的な被処理物、例えば工具、金型等に硬質皮膜を蒸着
する処理を行うために用いることを意図したものである
。

しかしながら、第１４図に示す従来の技術の直流放電方
式のプラズマＣＶＤ装置は、立体的な被処理物を処理す
るためには、蒸着した硬質皮膜の均一性に対して問題が
あった。すなわち、被処理物が立体的なものであるので
、単なる平面的なウェハのような半導体製品とは異なり
、立体的な条件、すなわち三次元的な条件で蒸着の均一
性が維持されなければならないことである。蒸着の均一
性の要因に対しては種々のパラメータが考えられるが、
最も影響力があるものとして、被処理物の置かれている
空間内の温度分布の均一性および反応ガスの分布の均一
性がある。この点に関して、第１４図に示す従来の技術
の直流放電方式のプラズマＣＶＤ装置は、何ら考慮がな
されていなかった。すなわち、この従来の技術のプラズ
マＣＶＤ装置においては、単一の平板電極とハウジング
との間で直流放電方式が行われるので、平板電極付近は
所定の温度に上昇するが、平板電極に離れるにしたがっ
て、充分には加熱されず、蒸着力が弱まり、立体的な被
処理物の上部を充分に蒸着できない欠点があった。また
、図面から明らかなようにガス誘導管は、単にチャンバ
内の一箇所で開口しているだけであり、そのため、ガス
誘導管がら供給された反応ガスはチャンバ内で拡散する
が、被処理物が置かれた空間内ではその濃度が異なるこ
ととなり、例えば、平板電極が回転するように構成され
ている場合には、この濃度の水平方向の相違に対しては
ある程度は償えるものとしても、上下方向に対しては、
償うことができず、立体的な被処理物全体に対する均一
な薄膜の蒸着が困難である欠点があった。

したがって、本発明の主要な目的は、高周波放電方式の
プラズマＣＶＤ装置に対する直流放電方式のプラズマＣ
ＶＤ装置の利点に着目し、直流放電方式のプラズマＣＶ
Ｄ装置を立体的な被処理物を処理するのに適するように
改良したプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。

本発明の具体的な目的は、前述の形式のプラズマＣＶＤ
装置において、温度分布および（または）反応ガス分布
を均一に行うように改良したブラズマＣＶＤ装置を提供
することにある。

本発明の他の目的は、前述の形式のプラズマＣＶＤ装置
において、蒸着力を高めるような、または温度分布の均
一性を高めるような、種々の電極形状、配置または電力
印加形式を採用したプラズマＣＶＤ装置を提供すること
にある。

（課題を解決するための手段） 前述の目的を達成するために、本発明は、チャンバ内に
ガス誘導管を介して反応ガスを導入し、該反応ガスを放
電によりプラズマ化して被処理物上に被覆を形成するプ
ラズマＣＶＤ装置において、チャンバ内に設けられてお
り陰極として作用する少なくとも１つの電極部を含む一
対の対向する第一電極部と、該第一電極部の周囲に配置
され陽極として作用して陰極として作用する電極部との
間で直流放電を行う第二電極部と、を有し、被処理物を
前記第一電極部の少なくとも１つと電気的に接触させて
処理を行うことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を採用
するものである。

本発明は、前述のプラズマＣＶＤ装置の構成に加えて、
温度分布の均一性、反応ガス分布の均一性および蒸着力
を高めるための構成を付加的に採用するものである。

（実施例） 次に、図面を参照して本発明を説明する。

第１図ないし第８図は、プラズマＣＶＤ装置の温度分布
の均一性に関する図面であり、特に第１図は、従来の技
術のプラズマＣＶＤ装置に対する基本的な改良を説明す
るためのものであり、第２図ないし第４図は温度分布の
均一性および蒸着力を高めるためのさらに付加的な変形
例を示し、第５図ないし第８図は、温度分布の実験を説
明するためのものである。第９図ないし第１２図は、本
発明のプラズマＣＶＤ装置の反応ガス分布の均一性に関
連する図面であり、特に、第９図および第１０図は本発
明の改良したガス誘導管の構造を示し、第１１図および
第１２図は、従来の技術のガス誘導管と本発明のガス誘
導管との対比を示すための実験結果のグラフである。

最初に、第１図を参照すると、本発明のプラズマＣＶＤ
装置３０が示されている。プラズマＣＶＤ装置３０はハ
ウジング３２を有し、ハウジング３２内には一対の対向
する平板電極３４および３６が設けられている。ガス誘
導管３８が一対の平板電極３４および３６の間の空間に
反応ガスを供給するようにハウジング３２の壁を貫通し
て空間に向かって開口している。ガス排出口４０がハウ
ジング３２の壁下部に設けられており、このガス排出口
４０は真空ポンプ（図示せず）に接続されており、真空
ポンプによってハウジング内のチャンバの減圧を行い、
またガス誘導管から供給した反応ガスの余分を吸引する
。一対の平板電極３４および３６は、この実施例におい
ては、導線で接続されており、同電位に維持されている
。ハウジング３２は、それ自体金属で形成され、陽極を
形成するか、または別にその内部に反応室から絶縁され
て陽極を形成している。直流電源（図示せず）が一対の
平板電極（第一電極部）３４および３６と、ハウジング
（第二電極部）３２との間に接続されて、これらの間で
直流放電を行うように構成されている。

例えばＴ　ｉ　Ｎコーティングのような耐摩耗性および
耐食性を向上する硬質皮膜をその表面に形成すべき工具
、金型等の被処理物は下部の平板電極３４の上に載置さ
れるかまたは上部の平板電極３６から吊り下げられるか
して一対の平板電極３４および３６の間の空間に配置さ
れる。特に重要なことは、被処理物が平板電極３４また
は３６と電気的接触状態で配置されねばならないことで
ある。このようにすると、例えば第一電極部（平板型ｉ
３４および３６）を陰極にし、第二電極部（ハウジング
３２）を陽極としたとき、被処理物は、直流グロー放電
の陰極領域に位置することになり、すなわち加速された
イオン衡機により、硬質皮膜が形成される。

前述のように、直流放電の第一電極部が対向する２つの
平板型ｆｉ３４および３６で形成されているので、直流
放電は、ハウジング（第二電極部）３２と２つの平板電
極３４および３６との間で誘起され、２つの平板型ｆ！
３４および３６の各々の周囲は均等に加熱されることに
なり、したがってさらにこれらの平板電ｆｉ閣の被処理
物が配置されている空間は、その影響を受けてほぼ均一
な温度分布となり、均一のコーティングが行われうるち
のである。

なお、この実施例および以下に説明する他の実施例にお
いては、従来の技術で用いていたような補助加熱手段で
あるヒータは必要としない、また、平板電極３４または
３６はターンテーブルとして形成して回転するように構
成してもよいものである。

第２図は、本発明の他の実施例を示す、この実施例にお
いては、一方の平板電極３６の周囲部分に複数のロッド
４４が他方の平板電極３４に向かって突出するように取
付けられている。このような構成により、直流グロー放
電の陰極領域の占有する空間が増大され、したがって、
コーティングを促進する活性化が増大し、温度分布も一
層均一化されるものである。なお、ロッドに代えて、他
の適切な形状のもの、例えば円筒状メツシュ等も使用で
き、いずれのまたは両方の平板電極に取付けてもよいも
のである。

第３図は、さらに他の実施例を示し、この実施例におい
ては、平板電極３４および３６の各々が一対の対向して
かつ接近して配置した平板３４ａ、３４ｂおよび３６ａ
、３６ｂから形成されている。

このため、直流放電中、平板３４ａおよび３４ｂ間、お
よび平板３６ａおよび３６ｂ間の空間３４Ｃおよび３６
ｃにはホローカソード放電が誘起される。このホローカ
ソード放電は高密度プラズマを発生し、イオンを活性化
してコーティングを促進し、かつ温度上昇を助けるもの
である。

第４図は、さらに他の実施例を示し、この実施例におい
ては、平板電極３４は直流放電の陰極となり、平板電極
３６は高周波電源４６を介して接続されている。このた
め、平板電極３４（第一電極部）とハウジング３２（第
二電極部）との間で生じる直流放電に加えて、平板電極
３４（高周波的に見た場合、ハウジング３２を含む）お
よび平板電極３６の間に高周波放電が補助的に誘起され
るものである。この高周波放電は、第１図の実施例にお
けるように平板電極を等電位に単に保よりもこれらの平
板電極間の空間内のイオンを一層活性化させると共に、
空間内の温度分布を一層均一化するため、最も好ましい
実施例と考えられる。

なお、ここで強調しておきたいことは、この実施例のも
のは、既に説明した従来の技術の容量結合形の高周波放
電方式のものとは、原理的には全く異なったものである
ことである。すなわち、従来の技術の容量結合形の高周
波放電方式のものは、放電が専ら一対の平板電極で行わ
れ、既に説明したような高周波放電固有の欠点を有して
いるのに対して、この実施例においては、放電はハウジ
ング３２と平板電極３４との間に行われる直流放電に主
に基づくものであり、したがって、高周波放電方式の欠
点を有さず、一対の平板電極間の高周波放電は温度の均
一化、イオンの活性化を促進する補助的なものであるこ
とである。

次に、第５図ないし第８図を参照して、温度分布に関す
る実験結果について説明する。第５図の装置は、従来の
技術を示す第１４図の装置に対応するものであり、第６
図は第４図の本発明の装置に対応するものである。第５
図および第６図の装置内の各点Ａ〜ＦおよびＧ〜Ｌに温
度を測定するための熱電対を配置した。空間温度は約４
００℃に設定された。なお、ここでテーブル上からＣ１
Ｆ、１．Ｌ点までは３０＋ｏ＋ａであり、ＡＢ、ＢＣｌ
ＤＥ、ＥＦおよびＧＨ，ＨＩ、ＪＫ、ＫＬ間は５０ｍｍ
であり、ＡＤ、ＢＥ、ＣＦおよびＧＪ、ＨＫ、ＩＬ間は
８０ｍｍである。

温度分布の測定結果は、第７図および第８図に示されて
いる。第７図はテーブル中心から水平方向における温度
分布を示している。第７図から明らかなように、水平方
向の温度分布はほぼ均一である。第８図はテーブル中心
から垂直方向における温度分布を示している。第８図か
ら明らかなように、第５図の装置の場合は、テーブル上
方に離れるにしたがって、かなりの温度低下が見られる
のに対して、第６図の装置の場合は、このような温度低
下はほとんど見られない、第５図および第６図の各装置
において蒸着処理を行ったが、第５図の装置においては
、被処理物の上部は光沢のない黒い膜が形成されたが、
第６図の装置においては、被処理物全体に均一の光沢の
ある膜が形成された。

次に、第９図ないし第１２図を参照して、反応ガス分布
の均一化を行うための本発明の詳細な説明する。第９図
は、第４図の装置に対して設けられたガス誘導管３８を
示している。ガス誘導管３８は、二叉に別れた導管３８
ａと、その導管３８ａの先端に取付けられた環状または
多角形のリングノズル３８ｂを有し、リングノズル３８
ｂには内側部分に複数のガス出口孔３８ｃが形成されて
いる。第１０図は、リングノズル３８ｂに対してさらに
他のリングノズル３８ｂ′を設けた２連リングノズルを
持つガス誘導管３８を示している。なお、平板電極３４
はターンテーブルとして構成されており、シャフト３４
ａによって支持されている。被処理物であるドリル４８
が平板電極３４に取付けられている０次に、第４図の装
置（ガス誘導管が単に装置内に開口している一点ノズル
を持つ装置）、第９図の装Ｗ（リングノズルを持つ装置
）および第１０図の装置１Ｆ（２連リングノズルを持つ
装置）に対する反応ガス分布の実験結果が第１１図およ
び第１２図に示されている。

実験は、被処理物として切削用ドリル（ＳＫＨ５１）を
用い、ＴｉＮコーティングの処理が次の条件の下で行わ
れた。

反応ガス　　ＴｉＣρ４　、Ｎ２　、Ｈ２処理圧　　　
Ｉ　　Ｔｏｒｒ 直流電圧　　５００Ｖ〜７００Ｖ ＲＦ電力（高周波電力）　　　ＩＫｗ 基材の温度　５５０℃ 反応時間　　１時間 第９図の装置においては、ドリルの径は３ｍｍφであり
、その高さは７０ｍ＋ａであり、陰極電極と７′ズルと
の間隔は８０ｍｍであり、陰極の平板電極は２００＋＋
＋ｍφの円板であり、リングノズルは１７０ｍ璽φのリ
ングである。また、リングノズルには、１．５ｍｍφの
ガス出口孔が間隔２５ｍｍで１８個空けられている。（
ガス出口孔の総面積は３１．８ｍｍ２である）。

この結果は、第１１図に示されており、第９図のリング
ノズルの場合には、ドリルの先端から陰極電極まで均一
の膜厚が得られるのに対して第４図の一点ノズルの場合
には、陰極電極に近づくにしたがって、膜厚が薄くなっ
ており、均一の膜厚は得られなかった。

また、第１０図の装置においては、ドリルは１０ｎｍφ
であり、その高さは１３０＋ｎｍであり、陰極電極と下
部ノズルとの間隔は４０ｍｍであり、下部リングノズル
と上部リングノズルとの間隔は８０ｍｍである。また、
リングノズルには１．０ｍｍφのガス出口孔が間隔２５
ｍｍで上部リングノズルにおいて２０個、下部リングノ
ズルにおいて２０個空けられている９　（ガス出口孔の
総面積は３１．４ＩＩＩｍ２である）。また、第９図の
装置および第４図の装置との比較のために、単一リング
ノズルを陰極電極からの間隔を１００ｍｍとした場合と
一点ノズルを用いた場合の実験結果を第１２図に同時に
示す。

第１２図から明らかなように、２連リングノズルが最良
の結果を与え、単一のリングノズルが次に良好な結果を
与え、−点ノズルでは充分に均一の薄膜を得ることはで
きなかった。

以上、本発明を温度分布の均一性を達成する実施例（第
１図ないし第４図）および反応ガスの均一性を達成する
実施例（第９図および第１０図）に分けて説明してきた
が、本発明は、好ましくは、これらの実施例を適宜組合
せて用いることにより温度分布および反応ガス分布の均
一性を同時に達成するものである。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明は、直流放電方式の
プラズマＣＶＤ装置において、一対の対向する平板電極
の内１つの平板電極を陰極とし、他の１つの平板電極を
同電位とするか、または高周波電源に接続することによ
り放電空間内の温度分布を均一にすることができたもの
である。

また、一対の平板電極の形状に付加的変更を加えること
によりイオンの活性化および温度分布の均一化を一層促
進するものである。

また、ガス誘導管を少なくとも１つのリングノズルを有
するように形成することにより、反応ガス分布の均一化
を図るものである。

また、一対の平板電極の実施例とリングノズルの実施例
を適宜組合わせることにより、温度分布および反応ガス
分布の均一性を同時に達成することもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、温度分布の均一化を意図した本発明の基本的
な実施例のプラズマＣＶＤ装置の概略図である。 第２図は、他の実施例の概略図である。 第３図は、さらに他の実施例の概略図である。 第４図は、さらに他の実施例の概略図である。 第５図は、温度分布に関する実験に用いられた第１４図
に対応する装置の概略図である。 第６図は、同様に実験に用いられた第４図に対応する装
置の概略図である。 第７図および第８図は、温度分布に関する実験結果を示
すグラフである。 第９図は、反応ガス分布の均一化を意図した実施例の概
略図である。 第１０図は、他の実施例の概略図である。 第１１図および第１２図は、反応ガス分布に関する実験
結果を示すグラフである。 第１３図は、従来の技術の高周波放電方式のプラズマＣ
ＶＤ装置の概略図である。 第１４図は、従来の技術の直流放電方式のプラズマＣＶ
Ｄ装置の概略図である。 １０・・・プラズマＣＶＤ装置、 １１・・・ハウジング、 １２・・・平板電極、 １４・・・平板電極、 １６・・・被処理物、 ２６・・・ガス誘導管、 ２８・・・ガス排出口、 ３０・・・プラズマＣＶＤ装置、 ３２・・・ハウジング、 ３４・・・千Ｍ、電極、 ３６・・・平板電極、 ３８・・・ガス誘導管、 ３８ｂ・・・リングノズル、 ４０・・・ガス排出口、 ４６・・・高周波電源。 第１図 ス０ 第２図 第３図 カ 第４図 第５図　　　　第６図 第７図 テーブル中心からのホ平方向距離　（ｎｖｎ）第８図 第９図　　　　第１０図 第１３図 第１４図 手続補正書 特許庁長官　　吉　１）文　毅　殿 １、事件の表示　　　　昭和６３年特許願第７７５５７
号２、発明の名称　　　　プラズマＣＶＤ装置３、補正
をする者 事件との関係　　　出願人 名　　　　称　　　日本コーティングセンター株式会社
（ほか１名） ４、代理人 ５、補正命令の日付　　自　発 ６、補正の対象　　　　明細書の発明の詳細な説明の欄
１、明細書を次の通り補正する。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）チャンバ内にガス誘導管を介して反応ガスを導入
   し、該反応ガスを放電によりプラズマ化して被処理物上
   に被覆を形成するプラズマＣＶＤ装置において、チャン
   バ内に設けられており陰極として作用する少なくとも１
   つの電極部を含む一対の対向する第一電極部と、該第一
   電極部の周囲に配置され陽極として作用して陰極として
   作用する電極部との間で直流放電を行う第二電極部と、
   を有し、被処理物を前記第一電極部の少なくとも１つと
   電気的に接触させて処理を行うことを特徴とするプラズ
   マＣＶＤ装置。
2. （２）請求項１記載の装置において、前記一対の対向す
   る第一電極部の各電極部が同一電位に維持されることを
   特徴とする装置。
3. （３）請求項１記載の装置において、前記一対の対向す
   る第一電極部の一方に高周波電圧がかけられて高周波放
   電が行われることを特徴とする装置。
4. （４）請求項１ないし３のいずれか１つに記載の装置に
   おいて、前記第一電極部の各電極部が平板であることを
   特徴とする装置。
5. （５）請求項１ないし３のいずれか１つに記載の装置に
   おいて、前記第一電極部の各電極部がホローカソード放
   電を発生するように接近して配置した一対の平板である
   ことを特徴とする装置。
6. （６）請求項１ないし３のいずれか１つに記載の装置に
   おいて、前記第一電極部の各電極部は平板を含み、該平
   板の少なくとも１つには対向する平板に向かって延びる
   複数の電極棒が設けられていることを特徴とする装置。
7. （７）請求項１ないし６のいずれか１つに記載の装置に
   おいて、前記ガス誘導管は、被処理物を囲むように配置
   され、被処理物に向かって反応ガスを供給するためのガ
   ス出口孔を有する少なくとも１つの環状または多角形状
   のリングノズルを有することを特徴とする装置。