JPH1053876A - プラズマ化学蒸着用ガスインジェクター - Google Patents
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Classifications
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマ化学蒸着用のガスインジェクターを
提供する。 【解決手段】 ポート（４２）の回りに絶縁材料を有す
るガスインジェクター（１２）の使用は、プラズマ化学
蒸着に使用するとき、プラズマトーチがガスインジェク
ター（１２）に形成されず、且つ、ガスが早期に電離し
ないという、利点を有する。このことが被覆の品質に加
わり、装置を高アンペアで、かくして高ライン速度で使
用することができる。ポートで絶縁プラグ（４２）を使
用することは、ポートを容易に修理し、且つ、交換する
ことができる。
提供する。 【解決手段】 ポート（４２）の回りに絶縁材料を有す
るガスインジェクター（１２）の使用は、プラズマ化学
蒸着に使用するとき、プラズマトーチがガスインジェク
ター（１２）に形成されず、且つ、ガスが早期に電離し
ないという、利点を有する。このことが被覆の品質に加
わり、装置を高アンペアで、かくして高ライン速度で使
用することができる。ポートで絶縁プラグ（４２）を使
用することは、ポートを容易に修理し、且つ、交換する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ化学蒸着法
に関し、特に、排気室の中に通されるウェブを処理する
のに使用されるプラズマ化学蒸着法に関する。
に関し、特に、排気室の中に通されるウェブを処理する
のに使用されるプラズマ化学蒸着法に関する。
【０００２】
【従来の技術】かかる方法の例が、ここに援用されるFe
lts 等の米国特許第5,224,441 号に説明されている。こ
の特許はモノマー（即ち、オルガノシリコン）、酸素及
び不活性ガス（即ち、ヘリウム）を含むガスが排気室内
に導入される。グロー放電プラズマが交流電源によって
電力が供給された２つの電極の間に形成される。ウェブ
基材がドラム電極上を移動し、プラズマによって処理さ
れ、酸化シリコン層がウェブ上にできる。基材を高速で
処理し、かくして、生産性を上げるために、プラズマ化
学蒸着処理を高電流で実行することが望まれる。高電流
の使用は、ウェブ基材にしわ又は他の損傷を生じさせる
ことがある。
lts 等の米国特許第5,224,441 号に説明されている。こ
の特許はモノマー（即ち、オルガノシリコン）、酸素及
び不活性ガス（即ち、ヘリウム）を含むガスが排気室内
に導入される。グロー放電プラズマが交流電源によって
電力が供給された２つの電極の間に形成される。ウェブ
基材がドラム電極上を移動し、プラズマによって処理さ
れ、酸化シリコン層がウェブ上にできる。基材を高速で
処理し、かくして、生産性を上げるために、プラズマ化
学蒸着処理を高電流で実行することが望まれる。高電流
の使用は、ウェブ基材にしわ又は他の損傷を生じさせる
ことがある。
【０００３】プラズマ化学蒸着処理でこれらの問題を回
避するのが望まれる。
避するのが望まれる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】発明者は、本装置用のガ
スが約４５アンペアよりも大きな高電流で典型的なガス
インジェクターを通して注入されたとき、ガスが室に入
るとすぐにガスが着火してプラズマジェットになること
があることを見出した。この発火プラズマは時々ガス供
給源に逆流することがあり、ガスの早期電離を引き起こ
す。このことにより蒸着層の品質の低下を引き起こすこ
とがある。加えて、ガス流入口に形成されるプラズマト
ーチがポートの回りに金属材料のスパッタリングを引き
起こし、かくして、ガス注入ホールをより大きく浸食す
ることを見出した。最後に、ガスインジェクターからの
プラズマジェットが時々ウェブに接触し、且つ、ウェブ
のしわ及び他の加熱損傷を生じさせることを見出した。
スが約４５アンペアよりも大きな高電流で典型的なガス
インジェクターを通して注入されたとき、ガスが室に入
るとすぐにガスが着火してプラズマジェットになること
があることを見出した。この発火プラズマは時々ガス供
給源に逆流することがあり、ガスの早期電離を引き起こ
す。このことにより蒸着層の品質の低下を引き起こすこ
とがある。加えて、ガス流入口に形成されるプラズマト
ーチがポートの回りに金属材料のスパッタリングを引き
起こし、かくして、ガス注入ホールをより大きく浸食す
ることを見出した。最後に、ガスインジェクターからの
プラズマジェットが時々ウェブに接触し、且つ、ウェブ
のしわ及び他の加熱損傷を生じさせることを見出した。
【０００５】発明者は、高電流プラズマ蒸着方法のこの
問題を、ガス流出口の回りに絶縁材料を有する改良ガス
インジェクターの使用によって回避することができるこ
とを見出した。絶縁材料の使用は、中空アノード効果が
ガスインジェクターに生じるのを防止する。このことは
ガスがガスインジェクターポートにプラズマジェットを
形成するのを防止する。加えて、絶縁材料はポートでの
スパッタリングを除去する。好ましい実施形態では、絶
縁材料で作られたプラグはガスインジェクターのポート
に嵌まる。これらの絶縁プラグは中央ホールを有し、ガ
スがこの中央ホールの中を通って排気室に導入される。
絶縁プラグはガスインジェクターのポートにしっかり嵌
まり込むので、ガスがプラグの縁の回りを流れることが
できない。絶縁材料で作られたプラグは比較的高価で、
回復不能な損傷の場合に取り外すことができ、且つ、異
なる処理用に必要とされるならば異なる寸法の中央ホー
ルを有するプラグと交換できる。
問題を、ガス流出口の回りに絶縁材料を有する改良ガス
インジェクターの使用によって回避することができるこ
とを見出した。絶縁材料の使用は、中空アノード効果が
ガスインジェクターに生じるのを防止する。このことは
ガスがガスインジェクターポートにプラズマジェットを
形成するのを防止する。加えて、絶縁材料はポートでの
スパッタリングを除去する。好ましい実施形態では、絶
縁材料で作られたプラグはガスインジェクターのポート
に嵌まる。これらの絶縁プラグは中央ホールを有し、ガ
スがこの中央ホールの中を通って排気室に導入される。
絶縁プラグはガスインジェクターのポートにしっかり嵌
まり込むので、ガスがプラグの縁の回りを流れることが
できない。絶縁材料で作られたプラグは比較的高価で、
回復不能な損傷の場合に取り外すことができ、且つ、異
なる処理用に必要とされるならば異なる寸法の中央ホー
ルを有するプラグと交換できる。
【０００６】中央ホールがないプラグを位置のいくつか
に使用しても良い。このことはガス供給ホールの間隔を
効果的に変更し、これは或る処理にとって有益である。
絶縁プラグの使用は又、金属材料をガスインジェクター
の残りの部分に用いることを可能にする。金属材料は絶
縁材料と比べて安価であり、或るセラミック材料のよう
に脆弱でもない。加えて、絶縁プラグの中央ホールは直
径が１．６５ｍｍ（０．０６５インチ）より小さいのが
好ましい。好ましい実施形態では、中央ホールは直径約
１ｍｍ（４０ミル）である。ホールのこの寸法はプラズ
マがポートの中を通ってガスマニホールドへ逆流するの
を防止する。ガスインジェクターは又、交流電源から電
気的に絶縁にすることができる。このことは又、ガスが
排気室に入るときに、ガスがプラズマジェットを形成す
るのを回避するのを助ける。
に使用しても良い。このことはガス供給ホールの間隔を
効果的に変更し、これは或る処理にとって有益である。
絶縁プラグの使用は又、金属材料をガスインジェクター
の残りの部分に用いることを可能にする。金属材料は絶
縁材料と比べて安価であり、或るセラミック材料のよう
に脆弱でもない。加えて、絶縁プラグの中央ホールは直
径が１．６５ｍｍ（０．０６５インチ）より小さいのが
好ましい。好ましい実施形態では、中央ホールは直径約
１ｍｍ（４０ミル）である。ホールのこの寸法はプラズ
マがポートの中を通ってガスマニホールドへ逆流するの
を防止する。ガスインジェクターは又、交流電源から電
気的に絶縁にすることができる。このことは又、ガスが
排気室に入るときに、ガスがプラズマジェットを形成す
るのを回避するのを助ける。
【０００７】上述の段階は、プラズマジェットが形成さ
れるのを回避するのを助ける。加えて、ガス供給ポート
がガスをウェブ又はドラムから離れるように流出させる
ようにガス供給ポートを傾斜させることによって、プラ
ズマトーチがガス供給部に形成される場合に、それがウ
ェブに熱損傷を生じさせない。加えて、面板を、ウェブ
をもったドラムとホールとの間の方向に中央ホールを覆
うのに用いることができる。面板により、修理人がガス
インジェクター上を、ガスインジェクターの中央ホール
を損傷又は詰まらせる心配なく歩くことができる。変形
実施形態では、ガスインジェクター全体は、ガスがガス
インジェクターで燃えるのを防止するために、絶縁材料
で被覆され、又は、絶縁材料で作られるのがよい。
れるのを回避するのを助ける。加えて、ガス供給ポート
がガスをウェブ又はドラムから離れるように流出させる
ようにガス供給ポートを傾斜させることによって、プラ
ズマトーチがガス供給部に形成される場合に、それがウ
ェブに熱損傷を生じさせない。加えて、面板を、ウェブ
をもったドラムとホールとの間の方向に中央ホールを覆
うのに用いることができる。面板により、修理人がガス
インジェクター上を、ガスインジェクターの中央ホール
を損傷又は詰まらせる心配なく歩くことができる。変形
実施形態では、ガスインジェクター全体は、ガスがガス
インジェクターで燃えるのを防止するために、絶縁材料
で被覆され、又は、絶縁材料で作られるのがよい。
【０００８】本発明は又、プラズマ用のガスをガスイン
ジェクターを通して排気可能室内に供給し、排気可能室
内にプラズマを形成することを含み、ガスインジェクタ
ーが絶縁材料で作られたプラグを含むガスポートを有
し、プラグが中央ホールを有し、ガスが該中央ホールの
中を通って排気可能室に入る、基材の処理方法を提供す
る。ガス供給段階は、ガスがプラグの側の回りで排気可
能室に漏れないようになっている。本方法は、基材を排
気室に配置し、基材をプラズマで処理する段階を含む。
ジェクターを通して排気可能室内に供給し、排気可能室
内にプラズマを形成することを含み、ガスインジェクタ
ーが絶縁材料で作られたプラグを含むガスポートを有
し、プラグが中央ホールを有し、ガスが該中央ホールの
中を通って排気可能室に入る、基材の処理方法を提供す
る。ガス供給段階は、ガスがプラグの側の回りで排気可
能室に漏れないようになっている。本方法は、基材を排
気室に配置し、基材をプラズマで処理する段階を含む。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１はガスインジェクター１２の
位置を示したプラズマ化学蒸着装置１０の線図である。
プラズマ化学蒸着装置１０は排気可能な室１４を含む。
ポンプ１６が排気可能室１４内のガス圧力を所望レベル
に維持するのに用いられる。ドラム１８が装置の電極の
１つとして用いられ、交流電源２０に取り付けられてい
る。アドバンスドエネルギー（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎ
ｅｒｇｙ）社からの交流電源を交流電源２０として使用
することができる。ウェブ基材料２２がドラム１８の回
りを移動し、ドラム１８が回転するので、ウェブが通り
過ぎるとウェブ２２の新しい部分を処理することができ
る。プラズマがドラム１８の回りに形成されてウェブを
処理する。好ましい実施形態では、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏx ）被覆がウェブ材料に形成される。プラズマはモノ
マー材料を電離させ、不純物をウェブ被覆から取り除く
のを助ける。
位置を示したプラズマ化学蒸着装置１０の線図である。
プラズマ化学蒸着装置１０は排気可能な室１４を含む。
ポンプ１６が排気可能室１４内のガス圧力を所望レベル
に維持するのに用いられる。ドラム１８が装置の電極の
１つとして用いられ、交流電源２０に取り付けられてい
る。アドバンスドエネルギー（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｅｎ
ｅｒｇｙ）社からの交流電源を交流電源２０として使用
することができる。ウェブ基材料２２がドラム１８の回
りを移動し、ドラム１８が回転するので、ウェブが通り
過ぎるとウェブ２２の新しい部分を処理することができ
る。プラズマがドラム１８の回りに形成されてウェブを
処理する。好ましい実施形態では、酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏx ）被覆がウェブ材料に形成される。プラズマはモノ
マー材料を電離させ、不純物をウェブ被覆から取り除く
のを助ける。
【００１０】プラズマをウェブ材料２２の回りに配置す
るのに用いることができる磁石及びバッフルは、この図
には示されていない。ガス供給源２４がガスをプラズマ
化学蒸着装置１０に供給するのに用いられる。好ましい
実施形態では、このガス供給源２４は、ヘリウムを供給
するのに用いることができる貴ガス供給源２６と、酸素
供給源２８と、液体モノマー３０供給源と、気化装置３
２とを含む。加熱ステンレス鋼（ＳＳＴ）管３４がガス
を排気室１４の下に仮想線で示したマニホールド３６に
供給するのに用いられる。マニホールド３６は、ガスが
ガスインジェクター１２を介して排気室１４に流入する
まで、ガスを保持する。ガスインジェクター１２の詳細
を図２に最も良く示す。図１を再び見ると、好ましい実
施形態では、２つの追加のガス及びモノマー供給源１５
及び１７と、２つの追加のマニホールド１９及び２１
と、２つの追加のガスインジェクター２３及び２５があ
る。かくして、合計３つのガス及びモノマー供給ゾーン
が室内に設けられている。
るのに用いることができる磁石及びバッフルは、この図
には示されていない。ガス供給源２４がガスをプラズマ
化学蒸着装置１０に供給するのに用いられる。好ましい
実施形態では、このガス供給源２４は、ヘリウムを供給
するのに用いることができる貴ガス供給源２６と、酸素
供給源２８と、液体モノマー３０供給源と、気化装置３
２とを含む。加熱ステンレス鋼（ＳＳＴ）管３４がガス
を排気室１４の下に仮想線で示したマニホールド３６に
供給するのに用いられる。マニホールド３６は、ガスが
ガスインジェクター１２を介して排気室１４に流入する
まで、ガスを保持する。ガスインジェクター１２の詳細
を図２に最も良く示す。図１を再び見ると、好ましい実
施形態では、２つの追加のガス及びモノマー供給源１５
及び１７と、２つの追加のマニホールド１９及び２１
と、２つの追加のガスインジェクター２３及び２５があ
る。かくして、合計３つのガス及びモノマー供給ゾーン
が室内に設けられている。
【００１１】図２は本発明のガスインジェクター１２’
の断面図である。好ましい実施形態では、絶縁プラグ４
０が用いられる。絶縁プラグ４０は中央ホール４０ａを
有し、該中心ホールは好ましくは、約１．６５ｍｍ（約
０．０６５インチ）より小さな直径を有する。好ましい
実施形態では、中央ホールの直径は約１ｍｍ（約４０ミ
ル）である。中央ホール４０ａの小さな直径は、プラズ
マがガスマニホールドの中へ後方に移動して、ガスの早
期電離を引き起こすのを防止する。好ましい実施形態で
は、絶縁プラグ４０はフルオロゴールド材料で作られて
いる。フルオロゴールドはフロン（ＦＵＲＯＮ）から入
手できるセラミック／テフロンアロイである。この材料
は、加工が容易であるが、アルミニウム又は他の普通の
金属より高価である。この理由で、ガスインジェクター
全体ではなく、プラグだけをフルオロゴールド材料で形
成するのが安価である。絶縁プラグの縁の回りにガスが
漏れないように絶縁プラグをポート４２内にしっかり合
わせることは、重要である。プラグは好ましくは、アレ
ンヘッドインサートを備えた１／１６ＮＰＴフルオロゴ
ールドパイププラグであり、約１ｍｍ（４０ミル）のホ
ールがプラグに開けられている。好ましい実施形態で
は、プラグはガスインジェクターに沿って約２５．４ｍ
ｍ（約１インチ）毎に位置決めされている。
の断面図である。好ましい実施形態では、絶縁プラグ４
０が用いられる。絶縁プラグ４０は中央ホール４０ａを
有し、該中心ホールは好ましくは、約１．６５ｍｍ（約
０．０６５インチ）より小さな直径を有する。好ましい
実施形態では、中央ホールの直径は約１ｍｍ（約４０ミ
ル）である。中央ホール４０ａの小さな直径は、プラズ
マがガスマニホールドの中へ後方に移動して、ガスの早
期電離を引き起こすのを防止する。好ましい実施形態で
は、絶縁プラグ４０はフルオロゴールド材料で作られて
いる。フルオロゴールドはフロン（ＦＵＲＯＮ）から入
手できるセラミック／テフロンアロイである。この材料
は、加工が容易であるが、アルミニウム又は他の普通の
金属より高価である。この理由で、ガスインジェクター
全体ではなく、プラグだけをフルオロゴールド材料で形
成するのが安価である。絶縁プラグの縁の回りにガスが
漏れないように絶縁プラグをポート４２内にしっかり合
わせることは、重要である。プラグは好ましくは、アレ
ンヘッドインサートを備えた１／１６ＮＰＴフルオロゴ
ールドパイププラグであり、約１ｍｍ（４０ミル）のホ
ールがプラグに開けられている。好ましい実施形態で
は、プラグはガスインジェクターに沿って約２５．４ｍ
ｍ（約１インチ）毎に位置決めされている。
【００１２】ガスプラグ４０を、詰まり又は他の損傷の
場合には容易に取り外して、交換プラグをガスポート内
に取り付けることができる。加えて、処理が変更され、
異なる寸法の中央ホールが要求されるならば、別の絶縁
プラグをガスインジェクター内に取り付けることができ
る。好ましい実施形態では、ガスインジェクター１２’
の主金属ピース４４はアルミニウムで作られる。アルミ
ニウムは軽く、安価であり、且つ、ガスインジェクター
の良好な支持部をなす。ガスインジェクターが伝導性材
料で作られているならば、ガスインジェクターは、１０
０及び４６に設置された絶縁材料の使用によって、室か
ら電気的に絶縁されるべきである。シリコーンゴムガス
ケット４６が又、ガスがガスインジェクターの縁の回り
で排気室内に漏れるのを防止する。ガスインジェクター
４４はネジ穴４８を介して排気室にネジ止めすることが
できる。絶縁性被覆又は殻を有するネジを使用してガス
インジェクター１２’と室との電気的絶縁を維持するの
を助けることができる。被覆は削り取られ又は取り外さ
れることがあるので、絶縁殻が好ましい。室壁が交流プ
ラズマ装置の電極のうちの１つとして用いられていると
き、室とガスインジェクター１２’との電気的絶縁は特
に重要である。ガスインジェクター１２’の電気的絶縁
を維持することは、ガスが排気室内に注入されたとき、
プラズマトーチが直ちに形成するのを回避するのを助け
る。好ましい実施形態では、絶縁プラグ４０のホール４
０ａが４５°の角度に配置されていることに気付く。ガ
スを排気室内に注入するとき、ガスをウェブ又はドラム
から離れるように斜めにすることによって、ガスが排気
室に入るときにプラズマトーチが、ガスから形成される
ならば、ガスはウェブ又はドラムに接触しない。図１を
見ると、好ましい実施形態では、ドラム１８とガスイン
ジェクター１２との間の距離ｄが約３．８ｃｍ（約１．
５インチ）であるので、このことは重要である。
場合には容易に取り外して、交換プラグをガスポート内
に取り付けることができる。加えて、処理が変更され、
異なる寸法の中央ホールが要求されるならば、別の絶縁
プラグをガスインジェクター内に取り付けることができ
る。好ましい実施形態では、ガスインジェクター１２’
の主金属ピース４４はアルミニウムで作られる。アルミ
ニウムは軽く、安価であり、且つ、ガスインジェクター
の良好な支持部をなす。ガスインジェクターが伝導性材
料で作られているならば、ガスインジェクターは、１０
０及び４６に設置された絶縁材料の使用によって、室か
ら電気的に絶縁されるべきである。シリコーンゴムガス
ケット４６が又、ガスがガスインジェクターの縁の回り
で排気室内に漏れるのを防止する。ガスインジェクター
４４はネジ穴４８を介して排気室にネジ止めすることが
できる。絶縁性被覆又は殻を有するネジを使用してガス
インジェクター１２’と室との電気的絶縁を維持するの
を助けることができる。被覆は削り取られ又は取り外さ
れることがあるので、絶縁殻が好ましい。室壁が交流プ
ラズマ装置の電極のうちの１つとして用いられていると
き、室とガスインジェクター１２’との電気的絶縁は特
に重要である。ガスインジェクター１２’の電気的絶縁
を維持することは、ガスが排気室内に注入されたとき、
プラズマトーチが直ちに形成するのを回避するのを助け
る。好ましい実施形態では、絶縁プラグ４０のホール４
０ａが４５°の角度に配置されていることに気付く。ガ
スを排気室内に注入するとき、ガスをウェブ又はドラム
から離れるように斜めにすることによって、ガスが排気
室に入るときにプラズマトーチが、ガスから形成される
ならば、ガスはウェブ又はドラムに接触しない。図１を
見ると、好ましい実施形態では、ドラム１８とガスイン
ジェクター１２との間の距離ｄが約３．８ｃｍ（約１．
５インチ）であるので、このことは重要である。
【００１３】面板５０が金属ピース４４に取り付けられ
ている。面板５０は、装置によって作りだされる絶縁材
料がホールを詰まらせるのを防止するために、ポート４
８とドラム電極との間に延びる。好ましい実施形態で
は、面板５０は、酸化アルミニウムテープ５２のような
絶縁材料によって金属ピース４４から部分的に絶縁され
ている。絶縁被覆５６を有するネジ５４が、面板５０と
金属ピース４４とを連結するのに用いられる。又、面板
５０により人々が絶縁プラグのホールを詰まらせること
無しにガスインジェクターの頂部を歩くことができる。
好ましい実施形態では、ガスインジェクター１２’は幅
約１０ｃｍ（４インチ）、高さ約２．５ｃｍ（１イン
チ）、長さ約１８０ｃｍ（７１インチ）である。この好
ましい実施形態では、直径約１ｍｍ（４０ミル）の中央
ホールを有する６６対の絶縁プラグが設けられている。
ている。面板５０は、装置によって作りだされる絶縁材
料がホールを詰まらせるのを防止するために、ポート４
８とドラム電極との間に延びる。好ましい実施形態で
は、面板５０は、酸化アルミニウムテープ５２のような
絶縁材料によって金属ピース４４から部分的に絶縁され
ている。絶縁被覆５６を有するネジ５４が、面板５０と
金属ピース４４とを連結するのに用いられる。又、面板
５０により人々が絶縁プラグのホールを詰まらせること
無しにガスインジェクターの頂部を歩くことができる。
好ましい実施形態では、ガスインジェクター１２’は幅
約１０ｃｍ（４インチ）、高さ約２．５ｃｍ（１イン
チ）、長さ約１８０ｃｍ（７１インチ）である。この好
ましい実施形態では、直径約１ｍｍ（４０ミル）の中央
ホールを有する６６対の絶縁プラグが設けられている。
【００１４】変形実施形態では、ガスインジェクター全
体を絶縁材料で、或いは、絶縁材料によって被覆された
材料で作ることができる。この変形実施形態はより高価
であり、ガスインジェクターがセラミック材料で作られ
たならば、それは材料の脆性により問題を有するかもし
れない。図１の装置で用いられる処理の例を下に示す。 ガス ゾーン１ ゾーン２ ゾーン３ 合計 モノマー 1.0 slm 1.6 slm 1.0 slm 3.6 slm 酸素 3.0 slm 4.0 slm 3.0 slm 10.0 slm ヘリウム 3.0 slm 4.0 slm 3.0 slm 10.0 slm 表はガス供給値を示す。３つのゾーンは３つのガスイン
ジェクターによって構成された、ガス及びモノマー供給
ゾーンである。電力は約３０．０キロワット、電流は約
５８．０アンペア、電圧は実効値で約５１５ボルトであ
る。ウェブ速度は約１００メートル／分、蒸着速度は約
１３３オングストローム／秒である。
体を絶縁材料で、或いは、絶縁材料によって被覆された
材料で作ることができる。この変形実施形態はより高価
であり、ガスインジェクターがセラミック材料で作られ
たならば、それは材料の脆性により問題を有するかもし
れない。図１の装置で用いられる処理の例を下に示す。 ガス ゾーン１ ゾーン２ ゾーン３ 合計 モノマー 1.0 slm 1.6 slm 1.0 slm 3.6 slm 酸素 3.0 slm 4.0 slm 3.0 slm 10.0 slm ヘリウム 3.0 slm 4.0 slm 3.0 slm 10.0 slm 表はガス供給値を示す。３つのゾーンは３つのガスイン
ジェクターによって構成された、ガス及びモノマー供給
ゾーンである。電力は約３０．０キロワット、電流は約
５８．０アンペア、電圧は実効値で約５１５ボルトであ
る。ウェブ速度は約１００メートル／分、蒸着速度は約
１３３オングストローム／秒である。
【００１５】この発明の好ましいいくつかの実施形態
を、添付図面を参照してここに詳細に説明したけれど
も、本発明がこれらの正確な実施形態に限定されず、且
つ、種々の変更及び修正を、添付した特許請求の範囲に
記載された発明の範囲及び精神から逸脱することなしに
当業者によって行うことができることを理解すべきであ
る。
を、添付図面を参照してここに詳細に説明したけれど
も、本発明がこれらの正確な実施形態に限定されず、且
つ、種々の変更及び修正を、添付した特許請求の範囲に
記載された発明の範囲及び精神から逸脱することなしに
当業者によって行うことができることを理解すべきであ
る。
【図１】本発明のガスインジェクターの配置を示したプ
ラズマ化学蒸着装置の線図である。
ラズマ化学蒸着装置の線図である。
【図２】本発明のガスインジェクターの断面図である。
１０ プラズマ化学蒸着装置 １２ ガスインジェクター １４ 排気可能室 １５ ガス及びモノマー供給源 １７ ガス及びモノマー供給源 １８ ドラム １９ マニホールド ２０ 交流電源 ２２ 基材 ２３ ガスインジェクター ２４ ガス供給源 ２５ ガスインジェクター ２６ 貴ガス供給源 ２８ 酸素供給源 ３６ マニホールド ４０ 絶縁プラグ ４０ａ 中央ホール ４２ ポート ４４ ガスインジェクター ４６ シリコーンゴムガスケット ４８ ネジ穴 ５０ 面板 ５２ 絶縁テープ ５６ 絶縁被覆
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリストファー ピー ウーリー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94553 マーティネス クリッパー レー ン 109
Claims (10)
- 【請求項１】 排気可能室（１４）と、 基材（２２）が排気可能室（１４）に配置されたとき、
基材（２２）の処理のためプラズマを形成することがで
きるように、排気可能室（１４）の２つの電極に接続さ
れた電源（２０）と、 ガスインジェクター（１２）にプラズマ用ガスを供給す
るガス供給源（１７）と、を有し、ガスインジェクター
（１２）がガスを排気可能室（１４）に入れるようにす
るためのガスポート（４２）を有する、プラズマ処理装
置であって、 ガスポート（４２）は絶縁材料で作られたプラグ（４
０）を含み、プラグは中央ホール（４０ａ）を有し、ガ
スが該中央ホール（４０ａ）の中を通って排気可能室
（１４）に流入し、ガスがプラグ（４０）の側の回りで
排気可能室（１４）へ漏れないように、プラグ（４０）
がガスインジェクター（１２）にしっかり嵌め込まれて
いる、前記プラズマ処理装置。 - 【請求項２】絶縁プラグ（４０）は交換のために取り外
し可能である、請求項１に記載の装置。 - 【請求項３】ガスインジェクター（４０）は電源（２
０）から電気的に絶縁されている、請求項１に記載の装
置。 - 【請求項４】中央ホール（４０ａ）の寸法は１．６５ｍ
ｍ（０．０６５インチ）より小さい、請求項１に記載の
装置。 - 【請求項５】ガスインジェクター（１２）は排気可能室
（１４）の一部である、請求項１に記載の装置。 - 【請求項６】ガスインジェクター（１２）は、プラグ
（４０）の中央ホール（４０ａ）が排気可能室（１４）
の基材（２２）の最も近い位置から遠ざかるように傾け
られるようになっている、請求項１に記載の装置。 - 【請求項７】ガスインジェクター（１２）は中央ホール
（４０ａ）の損傷を防止するために、プラグ（４０）の
中央ホール（４０ａ）の上に位置決めされた面板（５
０）を有する、請求項１に記載の装置。 - 【請求項８】面板（５０）は装置の修理中、人が面板上
を歩くのを支えるのに十分に堅い、請求項７に記載の装
置。 - 【請求項９】電源（２０）が交流電源である、請求項１
に記載の装置。 - 【請求項１０】ガスインジェクター（１２）がプラグ
（４０）以外の金属材料で作られている、請求項１に記
載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/640,460 US6116185A (en) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | Gas injector for plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US08/640460 | 1996-05-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1053876A true JPH1053876A (ja) | 1998-02-24 |
Family
ID=24568345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9113800A Pending JPH1053876A (ja) | 1996-05-01 | 1997-05-01 | プラズマ化学蒸着用ガスインジェクター |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6116185A (ja) |
| EP (1) | EP0805476A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1053876A (ja) |
| CA (1) | CA2201686A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI287587B (en) * | 2001-08-24 | 2007-10-01 | Asml Us Inc | Protective shield and system for gas distribution |
| US6878419B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-04-12 | 3M Innovative Properties Co. | Plasma treatment of porous materials |
| US7685965B1 (en) * | 2006-01-26 | 2010-03-30 | Lam Research Corporation | Apparatus for shielding process chamber port |
| ITTO20060522A1 (it) * | 2006-07-17 | 2008-01-18 | Giorgio Apostolo | Apparecchiatura per il trattamento al plasma di articoli uni- o bi-dimensionali |
| US7850828B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-12-14 | Cardinal Cg Company | Enhanced virtual anode |
| RU2482219C2 (ru) * | 2008-11-05 | 2013-05-20 | Улвак, Инк. | Намоточное вакуумированное устройство |
| US9812296B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-11-07 | Cardinal Cg Company | Sputtering apparatus including gas distribution system |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4512283A (en) * | 1982-02-01 | 1985-04-23 | Texas Instruments Incorporated | Plasma reactor sidewall shield |
| US4496423A (en) * | 1983-11-14 | 1985-01-29 | Gca Corporation | Gas feed for reactive ion etch system |
| FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
| JPS62278734A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | Ulvac Corp | イオン源 |
| US4854263B1 (en) * | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
| ATE125392T1 (de) * | 1990-05-10 | 1995-08-15 | Eastman Kodak Co | Gerät zur plasmabehandlung eines durchgehenden materials. |
| US5224441A (en) * | 1991-09-27 | 1993-07-06 | The Boc Group, Inc. | Apparatus for rapid plasma treatments and method |
| US5226967A (en) * | 1992-05-14 | 1993-07-13 | Lam Research Corporation | Plasma apparatus including dielectric window for inducing a uniform electric field in a plasma chamber |
| US5266153A (en) * | 1992-06-16 | 1993-11-30 | National Semiconductor Corp. | Gas distribution head for plasma deposition and etch systems |
| US5252178A (en) * | 1992-06-24 | 1993-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
| FR2702119B1 (fr) * | 1993-02-25 | 1995-07-13 | Metal Process | Dispositif d'excitation d'un plasma à la résonance cyclotronique électronique par l'intermédiaire d'un applicateur filaire d'un champ micro-onde et d'un champ magnétique statique. |
| US5653811A (en) * | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
-
1996
- 1996-05-01 US US08/640,460 patent/US6116185A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-03 CA CA002201686A patent/CA2201686A1/en not_active Abandoned
- 1997-04-28 EP EP97302893A patent/EP0805476A3/en not_active Withdrawn
- 1997-05-01 JP JP9113800A patent/JPH1053876A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2201686A1 (en) | 1997-11-01 |
| EP0805476A2 (en) | 1997-11-05 |
| US6116185A (en) | 2000-09-12 |
| EP0805476A3 (en) | 1998-05-06 |
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