JPH01247578A - 高密度実装部品の製造方法 - Google Patents
高密度実装部品の製造方法Info
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- JPH01247578A JPH01247578A JP7722988A JP7722988A JPH01247578A JP H01247578 A JPH01247578 A JP H01247578A JP 7722988 A JP7722988 A JP 7722988A JP 7722988 A JP7722988 A JP 7722988A JP H01247578 A JPH01247578 A JP H01247578A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置のような高密度実装部品の製造方
法に関する。
法に関する。
（従来の技術）
従来から、半導体装置のような各種電子デバイス表面の
配線層や電極などの導電層として、アルミニウム薄膜を
真空蒸着法やスパッタ法などにより形成することが行わ
れている。このアルミニウム薄膜は、安価な材料であり
、低抵抗であることなどから導電層として多用されてい
る。
配線層や電極などの導電層として、アルミニウム薄膜を
真空蒸着法やスパッタ法などにより形成することが行わ
れている。このアルミニウム薄膜は、安価な材料であり
、低抵抗であることなどから導電層として多用されてい
る。
ところで、このアルミニウム薄膜からなる導電層表面に
は、その製造工程などにおいて酸化物層が形成され、た
とえばこのアルミニウム薄膜を電極として用いる場合、
リードや実装基板とのボンディング時に絶縁物である酸
化物層が導電性を低下させる原因となっている。そこで
、このアルミニウム薄膜表面の酸化膜を置換めっき膜に
置き換えることが行われている。この置換めっき膜は、
アルミニウム薄膜からなる導電層上にニッケル層や銅層
などを電気めっき法によってさらに形成する際のめっき
下地層としても利用されている。
は、その製造工程などにおいて酸化物層が形成され、た
とえばこのアルミニウム薄膜を電極として用いる場合、
リードや実装基板とのボンディング時に絶縁物である酸
化物層が導電性を低下させる原因となっている。そこで
、このアルミニウム薄膜表面の酸化膜を置換めっき膜に
置き換えることが行われている。この置換めっき膜は、
アルミニウム薄膜からなる導電層上にニッケル層や銅層
などを電気めっき法によってさらに形成する際のめっき
下地層としても利用されている。
このようなアルミニウム薄膜表面を置換めっきする方法
としては、亜鉛などを含む高アルカリ性置換めっき液に
浸漬する、いわゆるジンケート処理が一般的に用いられ
ている。また、従来のジンケート処理における置換めっ
き液は、水酸化ナトリウムやシアン化ナトリウムなどの
高濃度液からなる高アルカリ性めっき液が多用されてい
る。
としては、亜鉛などを含む高アルカリ性置換めっき液に
浸漬する、いわゆるジンケート処理が一般的に用いられ
ている。また、従来のジンケート処理における置換めっ
き液は、水酸化ナトリウムやシアン化ナトリウムなどの
高濃度液からなる高アルカリ性めっき液が多用されてい
る。
このような置換めっき液を使用しためっき法は、めっき
素材を化学的にエツチングした後、置換めっき液中に含
まれる亜鉛などの金属を置換析出させる方法である。し
かし、得られる置換めっき膜の密着力が弱いため、一般
に硝酸などの酸で置換めっき膜を一旦溶解した後、再度
置換めっきする二重置換法が採用されている。
素材を化学的にエツチングした後、置換めっき液中に含
まれる亜鉛などの金属を置換析出させる方法である。し
かし、得られる置換めっき膜の密着力が弱いため、一般
に硝酸などの酸で置換めっき膜を一旦溶解した後、再度
置換めっきする二重置換法が採用されている。
このような置換めっき法では、主に亜鉛やニッケルなど
の金属しか使用されておらず、これら以外の、たとえば
パラジウム、白金、金、銀などの貴金属はほとんど使用
されていない。これは材料を必要以上に失ったり、繁雑
な工程を伴うためだけでなく、多重置換しても粗雑な結
晶の置換めっき膜しか得られないためと考えられる。
の金属しか使用されておらず、これら以外の、たとえば
パラジウム、白金、金、銀などの貴金属はほとんど使用
されていない。これは材料を必要以上に失ったり、繁雑
な工程を伴うためだけでなく、多重置換しても粗雑な結
晶の置換めっき膜しか得られないためと考えられる。
また、上述したような従来の高アルカリ性めっき液を使
用した置換めっき法では、半導体装置などに形成された
アルミニウム薄膜からなる電極などに置換めっき膜を形
成する際に、重大な欠点を生じやすい。
用した置換めっき法では、半導体装置などに形成された
アルミニウム薄膜からなる電極などに置換めっき膜を形
成する際に、重大な欠点を生じやすい。
つまり、めっき時やめっきの前処理として行う水酸化ナ
トリウム溶液などによるエツチング処理時のアルミニウ
ム薄膜表面に対する腐蝕力が強く、約ｌμｌ程度の薄膜
の場合、素地の全てを亜鉛などと置換してしまう恐れが
高く、アルミニウム薄膜の特性を失ってしまうとともに
基体となる半導体基板との密着性が失われてしまう。こ
れは、二重置換法によってさらに発生率が高まっている
。
トリウム溶液などによるエツチング処理時のアルミニウ
ム薄膜表面に対する腐蝕力が強く、約ｌμｌ程度の薄膜
の場合、素地の全てを亜鉛などと置換してしまう恐れが
高く、アルミニウム薄膜の特性を失ってしまうとともに
基体となる半導体基板との密着性が失われてしまう。こ
れは、二重置換法によってさらに発生率が高まっている
。
（発明が解決しようとする課題）
上述したように、従来の高アルカリ性めっき液を使用し
た置換めっき法では、たとえば半導体装置などの配線層
や電極のような導電層として使用されているアルミニウ
ム薄膜表面に置換めっき膜を形成する際に、置換めっき
膜の密着性が弱いために二重置換が必要となって工程が
繁雑となったり、また使用可能な置換金属が限定されて
しまうというような問題があった。また、前処理やめっ
き時のアルミニウム薄膜に対する腐蝕力が強く、表面層
の酸化膜のみならず素地全てを置換してしまう恐れが高
いというような問題もあった。
た置換めっき法では、たとえば半導体装置などの配線層
や電極のような導電層として使用されているアルミニウ
ム薄膜表面に置換めっき膜を形成する際に、置換めっき
膜の密着性が弱いために二重置換が必要となって工程が
繁雑となったり、また使用可能な置換金属が限定されて
しまうというような問題があった。また、前処理やめっ
き時のアルミニウム薄膜に対する腐蝕力が強く、表面層
の酸化膜のみならず素地全てを置換してしまう恐れが高
いというような問題もあった。
したがって、半導体装置のような高密度実装部品の製造
工程において、導電性を高めるなどを目的としてアルミ
ニウム薄膜からなる導電層表面に生じた酸化膜のみを置
換めっき膜に替える工程が繁雑になるとともに製造コス
トが高く、しかも得られる高密度実装部品の信頼性が低
下してしまうという問題があった。
工程において、導電性を高めるなどを目的としてアルミ
ニウム薄膜からなる導電層表面に生じた酸化膜のみを置
換めっき膜に替える工程が繁雑になるとともに製造コス
トが高く、しかも得られる高密度実装部品の信頼性が低
下してしまうという問題があった。
本発明はこのような従来技術の課題に対処するべくなさ
れたもので、半導体装置のような高密度実装部品の製造
工程において、その表面に形成されたアルミニウム薄膜
からなる導電層表面の酸化膜のみを選択的にかつ高い信
頼性のもとて置換めっき膜に替え、その工程を簡略化す
るとともに、この置換めっき膜の素材として各種金属の
使用を可能にしだＭ密度実装部品の製造方法を提供する
ことを目的としている。
れたもので、半導体装置のような高密度実装部品の製造
工程において、その表面に形成されたアルミニウム薄膜
からなる導電層表面の酸化膜のみを選択的にかつ高い信
頼性のもとて置換めっき膜に替え、その工程を簡略化す
るとともに、この置換めっき膜の素材として各種金属の
使用を可能にしだＭ密度実装部品の製造方法を提供する
ことを目的としている。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、基体上に所要のパターンを有するア
ルミニウム薄膜からなる導電層を形成する工程と、この
アルミニウム薄膜からなる導電層表面にアルミニウムよ
りイオン化傾向が責であり、かつ酸化されにくい貴金属
の被膜を置換めっき法により形成する工程とを備えてな
る高密度実装部品の製造方法において、前記置換めっき
工程は、前記導電層表面をアンモニウム溶液でエツチン
グ処理した後、前記アルミニウムよりイオン化傾向が貴
である貴金属のアンモニウム塩を主とするアルカリ性置
換めっき液に浸漬して前記金属被膜を形成することを特
徴としている。
ルミニウム薄膜からなる導電層を形成する工程と、この
アルミニウム薄膜からなる導電層表面にアルミニウムよ
りイオン化傾向が責であり、かつ酸化されにくい貴金属
の被膜を置換めっき法により形成する工程とを備えてな
る高密度実装部品の製造方法において、前記置換めっき
工程は、前記導電層表面をアンモニウム溶液でエツチン
グ処理した後、前記アルミニウムよりイオン化傾向が貴
である貴金属のアンモニウム塩を主とするアルカリ性置
換めっき液に浸漬して前記金属被膜を形成することを特
徴としている。
（作 用）
本発明においては、置換めっき液として腐蝕力の弱いア
ンモニア水やアンモニウム塩を使用している。これによ
り、従来の水酸化アルカリ液などより反応が穏やかであ
ることから、アルミニウム表面の極薄い酸化膜のみを酸
化されにくい貴金属の置換めっき膜に替える制御が容易
となり、また置換析出する金属結晶も小さく均一で、１
回の浸漬処理のみで素地との密着性が強い置換めっき膜
が得られる。また、アンモニア水は亜鉛やニッケルなど
以外のアルミニウムよりイオン化傾向が貴である金属、
たとえば鉄、銅、パラジウム、白金、金、銀などとも安
定なアンモニウム塩を形成し、アルミニウムよりイオン
化傾向が小さい置換めっき液となり、これら金属の緻密
な結晶膜を形成することが可能になり、しかもこれら置
換めっき液は再現性を長期間保つ利点がある。
ンモニア水やアンモニウム塩を使用している。これによ
り、従来の水酸化アルカリ液などより反応が穏やかであ
ることから、アルミニウム表面の極薄い酸化膜のみを酸
化されにくい貴金属の置換めっき膜に替える制御が容易
となり、また置換析出する金属結晶も小さく均一で、１
回の浸漬処理のみで素地との密着性が強い置換めっき膜
が得られる。また、アンモニア水は亜鉛やニッケルなど
以外のアルミニウムよりイオン化傾向が貴である金属、
たとえば鉄、銅、パラジウム、白金、金、銀などとも安
定なアンモニウム塩を形成し、アルミニウムよりイオン
化傾向が小さい置換めっき液となり、これら金属の緻密
な結晶膜を形成することが可能になり、しかもこれら置
換めっき液は再現性を長期間保つ利点がある。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明を半導体装置の製造に適用した一実施
例の製造工程を示す図である。
例の製造工程を示す図である。
同図（Ａ）に示すように、まずシリコンチップなどから
なる半導体基板１表面に、約０．８μＩ程度の厚さから
なるアルミニウム電極２を所要のパターンとなるように
、真空蒸着法やスパッタ法などによって形成する。この
際に、アルミニウム電極２表面には極薄い酸化物層２ａ
が必然的に形成されてしまう。
なる半導体基板１表面に、約０．８μＩ程度の厚さから
なるアルミニウム電極２を所要のパターンとなるように
、真空蒸着法やスパッタ法などによって形成する。この
際に、アルミニウム電極２表面には極薄い酸化物層２ａ
が必然的に形成されてしまう。
次に、以下の手順に従い置換めっきを行って、アルミニ
ウム電極２表面の酸化物層２ａを置換めっき膜３に置き
換える。
ウム電極２表面の酸化物層２ａを置換めっき膜３に置き
換える。
まず、約２０％アンモニア溶液を用い、前処理のエツチ
ングを行った。この前処理は、室温で約３０秒間上記ア
ンモニア水に浸漬することによって行った。次に、次表
に示す実施例１〜９の各置換めっき液を用いて、上記前
処理直後に室温で約３０秒間浸漬換めっき液に浸漬する
ことによって置換めっきを行った。各置換めっき液は、
２０％アンモニア水にそれぞれ塩化亜鉛５ｇ／ｆ２、塩
化ニッケル５ｇ／ １２、塩化銅１ｇ１Ｊ２、硫酸鋼１
ｇ／ｊ２、塩化鉄Ｉｇ／Ｊ２、塩化パラジウムＩｇ／、
ｆ２、塩化白金１ｇ＃２、シアン金カリウム Ｉｇ／、
ｆｆｉ、硝酸銀１ｇ／、１２を溶解させて作製したもの
である。
ングを行った。この前処理は、室温で約３０秒間上記ア
ンモニア水に浸漬することによって行った。次に、次表
に示す実施例１〜９の各置換めっき液を用いて、上記前
処理直後に室温で約３０秒間浸漬換めっき液に浸漬する
ことによって置換めっきを行った。各置換めっき液は、
２０％アンモニア水にそれぞれ塩化亜鉛５ｇ／ｆ２、塩
化ニッケル５ｇ／ １２、塩化銅１ｇ１Ｊ２、硫酸鋼１
ｇ／ｊ２、塩化鉄Ｉｇ／Ｊ２、塩化パラジウムＩｇ／、
ｆ２、塩化白金１ｇ＃２、シアン金カリウム Ｉｇ／、
ｆｆｉ、硝酸銀１ｇ／、１２を溶解させて作製したもの
である。
一方、本発明との比較のために、上記実施例で作製した
半導体装置を用い、水酸化ナトリウムの２０ｇ／ｆ２水
溶液に室温で約１０秒間浸漬することによって前処理を
行い、次いで水洗した後、水酸化ナトリウム溶液に酸化
亜鉛、ロッセル塩および塩化鉄を溶解させた亜鉛置換め
っき液に約３０秒間浸漬してまず１回目の置換めっき膜
３を形成した。次に、水洗後この １回目の置換めっき
膜３を１０％硝酸液で溶解除去し、水洗後上記置換めっ
き液に再度約３０秒間浸漬することによって置換めっき
膜４を形成した（比較例１）。なお、アルミニウムの腐
蝕量を少なくするため、上記亜鉛置換めっき液中の水酸
化ナトリウム濃度は２０ｇ／β〜１００ｇ／ρの範囲で
変化させて行った。
半導体装置を用い、水酸化ナトリウムの２０ｇ／ｆ２水
溶液に室温で約１０秒間浸漬することによって前処理を
行い、次いで水洗した後、水酸化ナトリウム溶液に酸化
亜鉛、ロッセル塩および塩化鉄を溶解させた亜鉛置換め
っき液に約３０秒間浸漬してまず１回目の置換めっき膜
３を形成した。次に、水洗後この １回目の置換めっき
膜３を１０％硝酸液で溶解除去し、水洗後上記置換めっ
き液に再度約３０秒間浸漬することによって置換めっき
膜４を形成した（比較例１）。なお、アルミニウムの腐
蝕量を少なくするため、上記亜鉛置換めっき液中の水酸
化ナトリウム濃度は２０ｇ／β〜１００ｇ／ρの範囲で
変化させて行った。
また、上記アルミニウム電極２が形成された半導体基板
を、同様に５％水酸化ナトリウム溶液でエツチング前処
理を行い、上記実施例１で使用した置換めっき液と同一
のめっき液を用いて同様の条件で置換めっき膜３を形成
した（比較例２）。
を、同様に５％水酸化ナトリウム溶液でエツチング前処
理を行い、上記実施例１で使用した置換めっき液と同一
のめっき液を用いて同様の条件で置換めっき膜３を形成
した（比較例２）。
これら各置換めっき膜３に対して、乾燥した後に粘着テ
ープを置換めっき膜３に張り付け、急激に引き剥がし、
置換めっき膜３の剥離の有無によって密着性を評価した
。その結果も合せて次表に示す。
ープを置換めっき膜３に張り付け、急激に引き剥がし、
置換めっき膜３の剥離の有無によって密着性を評価した
。その結果も合せて次表に示す。
（以下余白）
＊１：Ａ−置換めっき膜剥離せず。
Ｂ−置換めっぎ膜中の金属粒子が僅かに剥馬Ｃ−置換め
っき膜の剥馬 Ｄ−Ａ、ｅ素地の消失および置換めっき膜の剥離。
っき膜の剥馬 Ｄ−Ａ、ｅ素地の消失および置換めっき膜の剥離。
＊２：置換めっき液のＮａ０１１溶液の濃度が２０〜５
０ｇ／ｆｌ程度でＢおよび５０ｇノ１以上でり。
０ｇ／ｆｌ程度でＢおよび５０ｇノ１以上でり。
前人からも明らかなように、本発明方法に従ってアンモ
ニアアルカリ性液によって置換めっきを行って形成した
各置換めっき膜は、全て剥離せず、強固にアルミニウム
表面に密着していたのに対し、比較例１による従来のジ
ンケート処理は、前処理時および置換めっき時にアルミ
ニウム表面が水素ガスの発生を伴って著しく腐蝕され、
特に水酸化ナトリウムの濃度が５０ｇ１ｊ２以上である
とアルミニウム素地が時々、全て消失する欠点が見られ
、水酸化ナトリウムの濃度が２０ｇ／１２〜５０ｇ＃２
の範囲でほぼ正常な置換めっき膜が得られたが、ゎずか
にめっき金属粒子の一部が剥がれた。また、比較例２に
よって得た置換めっき膜は、はとんど剥離してアルミニ
ウム素地のみが残り、導電性改善効果が得られなかった
。
ニアアルカリ性液によって置換めっきを行って形成した
各置換めっき膜は、全て剥離せず、強固にアルミニウム
表面に密着していたのに対し、比較例１による従来のジ
ンケート処理は、前処理時および置換めっき時にアルミ
ニウム表面が水素ガスの発生を伴って著しく腐蝕され、
特に水酸化ナトリウムの濃度が５０ｇ１ｊ２以上である
とアルミニウム素地が時々、全て消失する欠点が見られ
、水酸化ナトリウムの濃度が２０ｇ／１２〜５０ｇ＃２
の範囲でほぼ正常な置換めっき膜が得られたが、ゎずか
にめっき金属粒子の一部が剥がれた。また、比較例２に
よって得た置換めっき膜は、はとんど剥離してアルミニ
ウム素地のみが残り、導電性改善効果が得られなかった
。
また、実施例１と比較例２および３で得たそれぞれの亜
鉛置換めっき膜の表面色を比較したところ、比較例１の
ものは灰色、比較例２のものは暗灰色であったのに対し
て、実施例１のものは灰白色であった。この結果からも
この実施例による置換めっき膜が緻密な結晶膜であるこ
とがわかる。
鉛置換めっき膜の表面色を比較したところ、比較例１の
ものは灰色、比較例２のものは暗灰色であったのに対し
て、実施例１のものは灰白色であった。この結果からも
この実施例による置換めっき膜が緻密な結晶膜であるこ
とがわかる。
以上の結果から、アンモニアアルカリ性液による前処理
および置換めっきの効果が明らかである。
および置換めっきの効果が明らかである。
すなわち、従来法のように二重めっきすることなく １
回の浸漬処理のみによって密着性に優れた置換めっき膜
を再現性良く得ることが可能になるとともに、処理工程
を短縮することができる。また、上述の各実施例からも
明らかなように、アルミニウムよりイオン化傾向が貴で
ある各種金属を使用することが可能となり、用途に応じ
て各種金属の置換めっき膜を再現性よく形成することが
できる。
回の浸漬処理のみによって密着性に優れた置換めっき膜
を再現性良く得ることが可能になるとともに、処理工程
を短縮することができる。また、上述の各実施例からも
明らかなように、アルミニウムよりイオン化傾向が貴で
ある各種金属を使用することが可能となり、用途に応じ
て各種金属の置換めっき膜を再現性よく形成することが
できる。
したがって、このようにしてアルミニウム薄膜からなる
電極表面の酸化物層を酸化されにくい貴金属の置換めっ
き膜に替えて半導体装置を製造することにより、半導体
装置の信頼性を大幅に向上させることが可能になり、し
かもその製造工程を短縮できコストダウンに繋がる。
電極表面の酸化物層を酸化されにくい貴金属の置換めっ
き膜に替えて半導体装置を製造することにより、半導体
装置の信頼性を大幅に向上させることが可能になり、し
かもその製造工程を短縮できコストダウンに繋がる。
また、本発明におけるアンモニアアルカリ性液を用いた
貴金属の置換めっきは半導体装置のアルミニウム薄膜表
面の導電性向上を目的とした置換めっき膜の形成に好適
であり、他のたとえば鉄、ニッケル、亜鉛、銅は従来の
ジンケート処理による亜鉛置換膜と同様にニッケル層や
銅層などをアルミニウム薄膜上にさらに電気めっき法に
よって形成する際の下地層としても充分使用に耐えるも
のであり、工程が簡便であるため広く応用が見込める。
貴金属の置換めっきは半導体装置のアルミニウム薄膜表
面の導電性向上を目的とした置換めっき膜の形成に好適
であり、他のたとえば鉄、ニッケル、亜鉛、銅は従来の
ジンケート処理による亜鉛置換膜と同様にニッケル層や
銅層などをアルミニウム薄膜上にさらに電気めっき法に
よって形成する際の下地層としても充分使用に耐えるも
のであり、工程が簡便であるため広く応用が見込める。
［発明の効果コ
本発明の高密度実装部品の製造方法によれば、アルミニ
ウム薄膜からなる導電層表面の酸化物層のみを貴金属を
用いて密着性のよい置換めっき膜に替えることが可能と
なり、アルミニウム薄膜からなる導電層の導電性を高い
信頼性のもとで向上させることができ、さらにめっき下
地層としても目的に応じた置換金属を選定することがで
き応用用途が広がる。また、置換めっきの処理回数も従
来より削減できるため、一連の製造工程を簡略化でき、
製造コストを低減することが可能となる。
ウム薄膜からなる導電層表面の酸化物層のみを貴金属を
用いて密着性のよい置換めっき膜に替えることが可能と
なり、アルミニウム薄膜からなる導電層の導電性を高い
信頼性のもとで向上させることができ、さらにめっき下
地層としても目的に応じた置換金属を選定することがで
き応用用途が広がる。また、置換めっきの処理回数も従
来より削減できるため、一連の製造工程を簡略化でき、
製造コストを低減することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造工程を示
す断面図である。 １・・・・・・・・・半導体基板 ２・・・・・・・・・アルミニウム薄膜からなる電極２
ａ・・・・・・酸化物層 ３・・・・・・・・・置換めっき展 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − ，２，３ 第１ 囚
す断面図である。 １・・・・・・・・・半導体基板 ２・・・・・・・・・アルミニウム薄膜からなる電極２
ａ・・・・・・酸化物層 ３・・・・・・・・・置換めっき展 出願人 株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − ，２，３ 第１ 囚
Claims (1)
- （１）基体上に所要のパターンを有するアルミニウム薄
膜からなる導電層を形成する工程と、このアルミニウム
薄膜からなる導電層表面にアルミニウムよりイオン化傾
向が貴である金属の被膜を置換めっき法により形成する
工程とを備えてなる高密度実装部品の製造方法において
、 前記置換めっき工程は、前記導電層表面をアンモニウム
溶液でエッチング処理した後、前記アルミニウムよりイ
オン化傾向が貴であるパラジウム、白金、金、銀等から
選ばれた貴金属のアンモニウム塩を主とするアルカリ性
置換めっき液に浸漬して前記金属被膜を形成することを
特徴とする高密度実装部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7722988A JPH01247578A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 高密度実装部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7722988A JPH01247578A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 高密度実装部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01247578A true JPH01247578A (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=13628029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7722988A Pending JPH01247578A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 高密度実装部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01247578A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008169446A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | C Uyemura & Co Ltd | アルミニウム酸化皮膜用除去液及びアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法 |
| US7763536B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP7722988A patent/JPH01247578A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7763536B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2008169446A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-07-24 | C Uyemura & Co Ltd | アルミニウム酸化皮膜用除去液及びアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法 |
| TWI465607B (zh) * | 2007-01-12 | 2014-12-21 | Uyemura C & Co Ltd | 除去鋁氧化被膜用液及鋁或鋁合金之表面處理方法 |
| US9139915B2 (en) | 2007-01-12 | 2015-09-22 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Solution for removing aluminum oxide film and method for surface treatment of aluminum or aluminum alloy |
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