JPH07268640A - 無電解金めっき方法 - Google Patents
無電解金めっき方法Info
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- JPH07268640A JPH07268640A JP8379794A JP8379794A JPH07268640A JP H07268640 A JPH07268640 A JP H07268640A JP 8379794 A JP8379794 A JP 8379794A JP 8379794 A JP8379794 A JP 8379794A JP H07268640 A JPH07268640 A JP H07268640A
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- gold plating
- gold
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 置換型の無電解金めっき液を使用して密着性
の良好な厚付け金めっき皮膜を形成する方法の確立。 【構成】 素材上にＮｉ−Ｐめっき下地を形成し、該Ｎ
ｉ−Ｐめっき下地上に置換型金めっき液を用いて金めっ
き皮膜を形成する無電解金めっき方法において、Ｎｉ−
Ｐめっき下地を２層以上のＮｉ−Ｐめっき層としそして
Ｎｉ−Ｐめっき層間にＮｉより貴な金属（例：Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ及びＲｈ）のバリアー層を形成す
ること特徴とする。図１に示すように、Ｎｉ−Ｐめっき
皮膜中にＮｉより貴な金属のバリアー層を設けて、腐食
が起こってもそこで止め、腐食がストレートに素材に到
達するのを抑える。密着性の良い０．３μｍ以上の厚い
Ａｕめっき皮膜が得られる。
の良好な厚付け金めっき皮膜を形成する方法の確立。 【構成】 素材上にＮｉ−Ｐめっき下地を形成し、該Ｎ
ｉ−Ｐめっき下地上に置換型金めっき液を用いて金めっ
き皮膜を形成する無電解金めっき方法において、Ｎｉ−
Ｐめっき下地を２層以上のＮｉ−Ｐめっき層としそして
Ｎｉ−Ｐめっき層間にＮｉより貴な金属（例：Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ及びＲｈ）のバリアー層を形成す
ること特徴とする。図１に示すように、Ｎｉ−Ｐめっき
皮膜中にＮｉより貴な金属のバリアー層を設けて、腐食
が起こってもそこで止め、腐食がストレートに素材に到
達するのを抑える。密着性の良い０．３μｍ以上の厚い
Ａｕめっき皮膜が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、置換による無電解金め
っき方法に関するものであり、特には例えば現在急速に
発展しつつある各種半導体デバイス向けに軽量化、小型
化、高信頼性化を指向しているプリント回路におけるワ
イヤボンディング等を目的としてプリント基板上に密着
性の良い０．３〜０．５μｍの厚付け金めっき皮膜を形
成することのできる無電解金めっき方法に関するもので
ある。
っき方法に関するものであり、特には例えば現在急速に
発展しつつある各種半導体デバイス向けに軽量化、小型
化、高信頼性化を指向しているプリント回路におけるワ
イヤボンディング等を目的としてプリント基板上に密着
性の良い０．３〜０．５μｍの厚付け金めっき皮膜を形
成することのできる無電解金めっき方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】銅張りプリント基板、リードフレーム、
ＴＡＢ、半導体デバイス等のワイヤボンディング、金電
極形成等に代表されるように、電子デバイスにおいては
金めっきが必要とされることが非常に多い。例えば、プ
リント基板におけるワイヤーボンディングを目的とする
金めっき皮膜の形成においては、必要とされるめっき皮
膜厚０．３μｍ以上を得ることのできる無電解金めっき
液がこれまでなかったため、電気めっきで対応してい
た。
ＴＡＢ、半導体デバイス等のワイヤボンディング、金電
極形成等に代表されるように、電子デバイスにおいては
金めっきが必要とされることが非常に多い。例えば、プ
リント基板におけるワイヤーボンディングを目的とする
金めっき皮膜の形成においては、必要とされるめっき皮
膜厚０．３μｍ以上を得ることのできる無電解金めっき
液がこれまでなかったため、電気めっきで対応してい
た。
【０００３】しかし、パターンが微細化すると電気めっ
きではもはや対応できず、無電解めっき液が要望される
ようになった。また、プリント基板のＣＯＢ用として電
気めっきで金めっき皮膜を得、ワイヤーボンディングに
供しているが、回路の引き廻しの関係から、無電解金め
っきが望まれている。この他、従来からの電気金めっき
では、ボンディングパッドや本来の回路配線の他にリー
ドが必要であるのに対して、無電解金めっきではこれら
が不要となる等の多くのメリットがある。こうした点か
ら優れた無電解金めっき技術を確立することが急務とな
っている。
きではもはや対応できず、無電解めっき液が要望される
ようになった。また、プリント基板のＣＯＢ用として電
気めっきで金めっき皮膜を得、ワイヤーボンディングに
供しているが、回路の引き廻しの関係から、無電解金め
っきが望まれている。この他、従来からの電気金めっき
では、ボンディングパッドや本来の回路配線の他にリー
ドが必要であるのに対して、無電解金めっきではこれら
が不要となる等の多くのメリットがある。こうした点か
ら優れた無電解金めっき技術を確立することが急務とな
っている。
【０００４】無電解金めっきには還元型と置換型があ
る。還元型金めっき液は還元剤をめっき液中に含ませる
ものであり、他方置換型金めっき液はイオン化傾向の差
を利用するものである。これまで厚めっき（０．３〜
０．５μｍ）に対しては還元型金めっきが行なわれて来
た。しかし、アルカリ性の浴であるため、レジスト皮膜
や基板に悪影響を与えるため中性浴が求められている。
る。還元型金めっき液は還元剤をめっき液中に含ませる
ものであり、他方置換型金めっき液はイオン化傾向の差
を利用するものである。これまで厚めっき（０．３〜
０．５μｍ）に対しては還元型金めっきが行なわれて来
た。しかし、アルカリ性の浴であるため、レジスト皮膜
や基板に悪影響を与えるため中性浴が求められている。
【０００５】こうした中で、本件出願人を含め当業界に
おいては、中性浴として置換型金めっき液を開発してき
た。例えば、特開平４−３１４８７０号、特開平５−２
８７５４１号、特開平５−２９５５５８号等を参照され
たい。置換型金めっきは、被めっき物を溶解し、金が電
子を受けて析出するものであるため、下地及び素材の腐
食を必然的に伴う。プリント基板は、銅材にＮｉ−Ｐめ
っき下地を形成した後金めっき皮膜を形成するのが一般
である。置換型金めっきは、Ｎｉ−Ｐ下地を腐食して成
立するため下地のみでなく、腐食が進むと素材の侵食も
行なわれる。これが外観不良や密着性不良が起こり又液
の汚染さらに金皮膜の汚染が起こる等の悪影響の原因と
なる。すなわち、置換型のめっきであるため、下地の溶
解をしながら析出させる事から、Ｎｉ−Ｐ及び素材の銅
の侵食が生じ得る。Ｎｉ−Ｐ下地は柱状晶の結晶析出で
あるためＰ％の低い部分の侵食が早く、縦方向に銅に到
達する腐食が進む。このことからＮｉ−Ｐ皮膜の下の銅
表面が腐食され、Ｎｉ−Ｐとの密着性を悪化するのであ
る。
おいては、中性浴として置換型金めっき液を開発してき
た。例えば、特開平４−３１４８７０号、特開平５−２
８７５４１号、特開平５−２９５５５８号等を参照され
たい。置換型金めっきは、被めっき物を溶解し、金が電
子を受けて析出するものであるため、下地及び素材の腐
食を必然的に伴う。プリント基板は、銅材にＮｉ−Ｐめ
っき下地を形成した後金めっき皮膜を形成するのが一般
である。置換型金めっきは、Ｎｉ−Ｐ下地を腐食して成
立するため下地のみでなく、腐食が進むと素材の侵食も
行なわれる。これが外観不良や密着性不良が起こり又液
の汚染さらに金皮膜の汚染が起こる等の悪影響の原因と
なる。すなわち、置換型のめっきであるため、下地の溶
解をしながら析出させる事から、Ｎｉ−Ｐ及び素材の銅
の侵食が生じ得る。Ｎｉ−Ｐ下地は柱状晶の結晶析出で
あるためＰ％の低い部分の侵食が早く、縦方向に銅に到
達する腐食が進む。このことからＮｉ−Ｐ皮膜の下の銅
表面が腐食され、Ｎｉ−Ｐとの密着性を悪化するのであ
る。
【０００６】そこで、置換めっきを薄付けにとどめ、侵
食を少なくした上で、還元型めっき液を用いて厚付け金
めっきを行い、必要とする金皮膜厚０．３μ〜０．５μ
ｍを得る手法が一般に採用されている。他方、置換のみ
で厚付けを得るために、Ｎｉ−Ｐ皮膜中のＰ％を変化さ
せた低Ｐ含有Ｎｉ層／高Ｐ含有Ｎｉ層という２層めっき
が提案されている。Ｎｉ−Ｐ皮膜はＰ％が低い程、Ｎｉ
の溶出が進み易く、金が置換し易いのであるが、Ｐ％を
高くすると溶解が抑制されることに着目したものであ
る。例えば、サーキットテクノロジーＶｏｌ．８ Ｎ
ｏ．６（１９９３）４７７〜４７８頁に報告されてい
る。しかし、Ｎｉ−Ｐ皮膜のＰ％を安定化することや、
２種類の浴の管理面から現実的でない。
食を少なくした上で、還元型めっき液を用いて厚付け金
めっきを行い、必要とする金皮膜厚０．３μ〜０．５μ
ｍを得る手法が一般に採用されている。他方、置換のみ
で厚付けを得るために、Ｎｉ−Ｐ皮膜中のＰ％を変化さ
せた低Ｐ含有Ｎｉ層／高Ｐ含有Ｎｉ層という２層めっき
が提案されている。Ｎｉ−Ｐ皮膜はＰ％が低い程、Ｎｉ
の溶出が進み易く、金が置換し易いのであるが、Ｐ％を
高くすると溶解が抑制されることに着目したものであ
る。例えば、サーキットテクノロジーＶｏｌ．８ Ｎ
ｏ．６（１９９３）４７７〜４７８頁に報告されてい
る。しかし、Ｎｉ−Ｐ皮膜のＰ％を安定化することや、
２種類の浴の管理面から現実的でない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、通常
的に使用されるＮｉ−Ｐめっき液を使用して、上述した
問題点のない置換型の無電解金めっき液を使用して密着
性の良好な厚付け金めっき皮膜を形成する方法を確立す
ることである。
的に使用されるＮｉ−Ｐめっき液を使用して、上述した
問題点のない置換型の無電解金めっき液を使用して密着
性の良好な厚付け金めっき皮膜を形成する方法を確立す
ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、同一のＮｉ
−Ｐめっき皮膜を同一浴から得ることの中で、Ｎｉ−Ｐ
下地の耐食性を高める方法として、中間にＮｉ−Ｐより
貴な金属めっき層をバリアー層として介在させることを
想到し、試行の結果、好成績を得た。この知見に基づい
て、本発明は、素材上にＮｉ−Ｐめっき下地を形成し、
該Ｎｉ−Ｐめっき下地上に置換型金めっき液を用いて金
めっき皮膜を形成する無電解金めっき方法において、Ｎ
ｉ−Ｐめっき下地を２層以上のＮｉ−Ｐめっき下地層と
しそして該Ｎｉ−Ｐめっき下地層間にＮｉより貴な金属
のバリアー層を形成することを特徴とする無電解金めっ
き方法を提供する。本方法は、好適には、銅素材上に第
１Ｎｉ−Ｐめっき下地層を形成し、貴金属液に浸漬して
該第１Ｎｉ−Ｐめっき下地層上にＮｉより貴な金属のバ
リアー層を形成し、該バリアー層上に第２Ｎｉ−Ｐめっ
き下地層を形成し、その後該第２Ｎｉ−Ｐめっき下地層
上に置換型金めっき液を用いて金めっき皮膜を形成する
ことにより具現することができる。Ｎｉより貴な金属は
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ及びＲｈから成る群から
選択することが好ましい。金めっき皮膜は０．３〜０．
５μｍの厚付けめっきであり、そして優れた密着性を有
している。
−Ｐめっき皮膜を同一浴から得ることの中で、Ｎｉ−Ｐ
下地の耐食性を高める方法として、中間にＮｉ−Ｐより
貴な金属めっき層をバリアー層として介在させることを
想到し、試行の結果、好成績を得た。この知見に基づい
て、本発明は、素材上にＮｉ−Ｐめっき下地を形成し、
該Ｎｉ−Ｐめっき下地上に置換型金めっき液を用いて金
めっき皮膜を形成する無電解金めっき方法において、Ｎ
ｉ−Ｐめっき下地を２層以上のＮｉ−Ｐめっき下地層と
しそして該Ｎｉ−Ｐめっき下地層間にＮｉより貴な金属
のバリアー層を形成することを特徴とする無電解金めっ
き方法を提供する。本方法は、好適には、銅素材上に第
１Ｎｉ−Ｐめっき下地層を形成し、貴金属液に浸漬して
該第１Ｎｉ−Ｐめっき下地層上にＮｉより貴な金属のバ
リアー層を形成し、該バリアー層上に第２Ｎｉ−Ｐめっ
き下地層を形成し、その後該第２Ｎｉ−Ｐめっき下地層
上に置換型金めっき液を用いて金めっき皮膜を形成する
ことにより具現することができる。Ｎｉより貴な金属は
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ及びＲｈから成る群から
選択することが好ましい。金めっき皮膜は０．３〜０．
５μｍの厚付けめっきであり、そして優れた密着性を有
している。
【０００９】
【作用】Ｎｉ−Ｐ皮膜はＰ％が低い程、Ｎｉの溶出が進
み易い、すなわち金が置換し易い。Ｐ％が均一で層状析
出であれば好ましいのであるが、柱状晶でＰ％が不均一
であると、Ｐ％の低い所から溶出が起こるため、局部的
に素材の銅に達する溶解が進行してしまうこととなる。
他方、Ｐ％を高くすると、溶解が抑制されるが、金置換
析出が減少し、厚付け金めっき皮膜が得られない。Ｐが
一般に６〜８％の皮膜となる中ＰタイプのＮｉ−Ｐ浴が
多く用いられており、金めっき厚が高くなるほど腐食起
こすこととなる。その対応として、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜
の中にＮｉより貴な金属のバリアー層を設けて、腐食が
起こってもバリアー層で止め、腐食がストレートに素材
に到達するのを抑える。
み易い、すなわち金が置換し易い。Ｐ％が均一で層状析
出であれば好ましいのであるが、柱状晶でＰ％が不均一
であると、Ｐ％の低い所から溶出が起こるため、局部的
に素材の銅に達する溶解が進行してしまうこととなる。
他方、Ｐ％を高くすると、溶解が抑制されるが、金置換
析出が減少し、厚付け金めっき皮膜が得られない。Ｐが
一般に６〜８％の皮膜となる中ＰタイプのＮｉ−Ｐ浴が
多く用いられており、金めっき厚が高くなるほど腐食起
こすこととなる。その対応として、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜
の中にＮｉより貴な金属のバリアー層を設けて、腐食が
起こってもバリアー層で止め、腐食がストレートに素材
に到達するのを抑える。
【００１０】
【実施例】本発明が対象とする素材としては、銅張りプ
リント基板、リードフレーム、ＴＡＢ、半導体デバイ
ス、透明導電膜回路、硝子、セラミック等を例示するこ
とができ、ワイヤボンディングのための金皮膜形成、金
電極形成等を必要としそして電位が金より卑なもの全般
を包括する。
リント基板、リードフレーム、ＴＡＢ、半導体デバイ
ス、透明導電膜回路、硝子、セラミック等を例示するこ
とができ、ワイヤボンディングのための金皮膜形成、金
電極形成等を必要としそして電位が金より卑なもの全般
を包括する。
【００１１】Ｎｉ−Ｐめっきとしては、市販の通常的な
Ｎｉ−Ｐめっき液のいずれでも使用することができる。
形成されるＮｉ−Ｐメッキ膜中のＰ含有量が８〜１２％
となる高Ｐめっき液、Ｐ含有量が３〜７％となる低Ｐめ
っき液、Ｐ含有量が６〜８％となる中Ｐめっき液いずれ
も使用可能である。特に対半田性の良好な中Ｐめっき液
の使用が推奨される。例えば、日鉱メタルプレーティン
グ（株）製ニコム−Ｎは、５ｇ／ｌＮｉを含むｐＨ４．
５の中性のＮｉ−Ｐめっき液である。めっき時間５〜２
０分で１〜５μｍの膜厚を形成することができる。Ｎｉ
−Ｐめっきに先立って銅素材を脱脂及び酸洗したのちＰ
ｄ等の貴金属触媒付与処理を行うことが好ましい。
Ｎｉ−Ｐめっき液のいずれでも使用することができる。
形成されるＮｉ−Ｐメッキ膜中のＰ含有量が８〜１２％
となる高Ｐめっき液、Ｐ含有量が３〜７％となる低Ｐめ
っき液、Ｐ含有量が６〜８％となる中Ｐめっき液いずれ
も使用可能である。特に対半田性の良好な中Ｐめっき液
の使用が推奨される。例えば、日鉱メタルプレーティン
グ（株）製ニコム−Ｎは、５ｇ／ｌＮｉを含むｐＨ４．
５の中性のＮｉ−Ｐめっき液である。めっき時間５〜２
０分で１〜５μｍの膜厚を形成することができる。Ｎｉ
−Ｐめっきに先立って銅素材を脱脂及び酸洗したのちＰ
ｄ等の貴金属触媒付与処理を行うことが好ましい。
【００１２】バリアー層金属としては、Ｎｉ−Ｐより貴
なものであれば良く、上下のＮｉ−Ｐ層との密着を害さ
ないように、例えば０．０１〜５μｍの範囲の極めて薄
い層とすれば良い。Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒ
ｈ等を使用することができる。幾つかのめっき浴の例及
びその使用条件例を挙げておく： （１）Ｐｔめっき液 塩化第２白金酸：０．２〜０．８ｇ／ｌ（Ｐｔ量） ｐＨ：１〜３ 液温：室温 処理時間：１０〜５０秒 （２）Ｒｕめっき液 硫酸ルテニウム：２〜１０ｇ／ｌ（Ｒｕ量） ｐＨ：１〜３ 液温：室温 処理時間：２〜１０秒 （３）Ｐｄめっき液： 塩化パラジウム：０．２〜１．０ｇ／ｌ（Ｐｄ量） ｐＨ：０．５〜３ 液温：２０〜５０℃ 処理時間：１０秒〜３分 （４）Ｒｈめっき液： 硫酸ロジウム：０．１〜０．６ｇ／ｌ（Ｒｈ量） ｐＨ：１〜２．５ 液温：４０℃ 処理時間：２〜１５秒 （５）Ａｕめっき液： シアン化金カリウム：０．１〜０．６ｇ／ｌ（Ａｕ量） ｐＨ：４〜５ 液温：室温 処理時間：５〜３０秒
なものであれば良く、上下のＮｉ−Ｐ層との密着を害さ
ないように、例えば０．０１〜５μｍの範囲の極めて薄
い層とすれば良い。Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｒ
ｈ等を使用することができる。幾つかのめっき浴の例及
びその使用条件例を挙げておく： （１）Ｐｔめっき液 塩化第２白金酸：０．２〜０．８ｇ／ｌ（Ｐｔ量） ｐＨ：１〜３ 液温：室温 処理時間：１０〜５０秒 （２）Ｒｕめっき液 硫酸ルテニウム：２〜１０ｇ／ｌ（Ｒｕ量） ｐＨ：１〜３ 液温：室温 処理時間：２〜１０秒 （３）Ｐｄめっき液： 塩化パラジウム：０．２〜１．０ｇ／ｌ（Ｐｄ量） ｐＨ：０．５〜３ 液温：２０〜５０℃ 処理時間：１０秒〜３分 （４）Ｒｈめっき液： 硫酸ロジウム：０．１〜０．６ｇ／ｌ（Ｒｈ量） ｐＨ：１〜２．５ 液温：４０℃ 処理時間：２〜１５秒 （５）Ａｕめっき液： シアン化金カリウム：０．１〜０．６ｇ／ｌ（Ａｕ量） ｐＨ：４〜５ 液温：室温 処理時間：５〜３０秒
【００１３】置換による無電解金めっき液としては、最
初に文献を挙げたように、これまで様々のものが知られ
ている。例えば、可溶性金塩にシアン化アルカリ安定化
剤等を添加した置換金めっき液が知られている。本発明
はそのいずれをも使用することができるが、特に好まし
い置換形金めっき液の例はＫＧ−５５０の商品名で市販
されているものである。これは次の組成及び使用条件を
有する： （Ａ）組成 ＫＡｕ（ＣＮ）2 ：０．５〜５ｇ／ｌ 錯化剤：１０〜５０ｇ／ｌ ｐＨ緩衝剤：１０〜１５０ｇ／ｌ 添加剤：１〜２０ｍｌ／ｌ （Ｂ）使用条件 ｐＨ：６ 温度：６０℃ めっき厚：０．５μｍ／３０分
初に文献を挙げたように、これまで様々のものが知られ
ている。例えば、可溶性金塩にシアン化アルカリ安定化
剤等を添加した置換金めっき液が知られている。本発明
はそのいずれをも使用することができるが、特に好まし
い置換形金めっき液の例はＫＧ−５５０の商品名で市販
されているものである。これは次の組成及び使用条件を
有する： （Ａ）組成 ＫＡｕ（ＣＮ）2 ：０．５〜５ｇ／ｌ 錯化剤：１０〜５０ｇ／ｌ ｐＨ緩衝剤：１０〜１５０ｇ／ｌ 添加剤：１〜２０ｍｌ／ｌ （Ｂ）使用条件 ｐＨ：６ 温度：６０℃ めっき厚：０．５μｍ／３０分
【００１４】本発明に従えば、優れた密着性を有する
０．３〜０．５μｍの厚付け金めっきが可能である。置
換金めっきに先立ってＮｉ−Ｐ下地を貴金属液に浸漬し
て活性化処理を行うことが好ましい。
０．３〜０．５μｍの厚付け金めっきが可能である。置
換金めっきに先立ってＮｉ−Ｐ下地を貴金属液に浸漬し
て活性化処理を行うことが好ましい。
【００１５】以下に、実施例及び比較例を示す。密着性
試験として、ピーリングテストは事務用のセロテープ
（日東電工製）を金めっきしたプリント基板表面に張
り、布ロールでこすりつけた後、指先でテープの端を持
ち、一挙にテープを引き剥すことにより行った。Ａｕめ
っき皮膜または下地Ｎｉ−Ｐが密着不良の場合、テープ
にめっき皮膜が付着する。また、一部のサンプルについ
ては、走査電子顕微鏡でめっき状況を詳しく観察した。
試験として、ピーリングテストは事務用のセロテープ
（日東電工製）を金めっきしたプリント基板表面に張
り、布ロールでこすりつけた後、指先でテープの端を持
ち、一挙にテープを引き剥すことにより行った。Ａｕめ
っき皮膜または下地Ｎｉ−Ｐが密着不良の場合、テープ
にめっき皮膜が付着する。また、一部のサンプルについ
ては、走査電子顕微鏡でめっき状況を詳しく観察した。
【００１６】（実施例１）Ｃｕ素材上に次の手順でめっ
き処理を行った。 （Ａ）第１回Ｎｉ−Ｐめっき Ｎｉ：５ｇ／ｌ ｐＨ：４．５ 液温：８５℃ めっき時間：５分 膜厚：１μｍ （Ｂ）水洗 （Ｃ）Ｐｔめっき液浸漬 塩化白金酸めっき液（Ｐｔ：０．５ｇ／ｌ） ｐＨ：２ 液温：室温 時間：３０秒 （Ｄ）水洗 （Ｅ）第２回Ｎｉ−Ｐめっき 第１回Ｎｉ−Ｐめっき液と同じものを使用。 めっき時間：１５分 膜厚：４μｍ （Ｆ）水洗 （Ｇ）活性化処理 硫酸ルテニウム：５ｇ／ｌ（Ｒｕ量） ｐＨ：１．０ 液温：室温 浸漬時間：５秒 （Ｈ）水洗 （Ｉ）置換Ａｕめっき Ａｕ：２ｇ／ｌ ｐＨ：６ 液温：６０℃ 時間：３０分 膜厚：０．５２μｍ （Ｊ）水洗 （Ｋ）乾燥 こうして０．５２μｍの厚い金めっき皮膜が得られた。
ピーリング密着試験の結果は良好であり、断面観察の結
果銅素材に達する侵食はなかった。
き処理を行った。 （Ａ）第１回Ｎｉ−Ｐめっき Ｎｉ：５ｇ／ｌ ｐＨ：４．５ 液温：８５℃ めっき時間：５分 膜厚：１μｍ （Ｂ）水洗 （Ｃ）Ｐｔめっき液浸漬 塩化白金酸めっき液（Ｐｔ：０．５ｇ／ｌ） ｐＨ：２ 液温：室温 時間：３０秒 （Ｄ）水洗 （Ｅ）第２回Ｎｉ−Ｐめっき 第１回Ｎｉ−Ｐめっき液と同じものを使用。 めっき時間：１５分 膜厚：４μｍ （Ｆ）水洗 （Ｇ）活性化処理 硫酸ルテニウム：５ｇ／ｌ（Ｒｕ量） ｐＨ：１．０ 液温：室温 浸漬時間：５秒 （Ｈ）水洗 （Ｉ）置換Ａｕめっき Ａｕ：２ｇ／ｌ ｐＨ：６ 液温：６０℃ 時間：３０分 膜厚：０．５２μｍ （Ｊ）水洗 （Ｋ）乾燥 こうして０．５２μｍの厚い金めっき皮膜が得られた。
ピーリング密着試験の結果は良好であり、断面観察の結
果銅素材に達する侵食はなかった。
【００１７】（比較例１）バリアー層を設けず、単一層
のＮｉ−Ｐめっきを使用し（実施例１と同一のＮｉ−Ｐ
めっき液を使用して第１回及び第２回のＮｉ−Ｐめっき
合計厚さと同じ厚さを形成した）、その上に０．５５μ
ｍ厚付けの金めっきを施した。手順は次の通りとした。 （Ａ）Ｎｉ−Ｐめっき Ｎｉ：５ｇ／ｌ ｐＨ：４．５ 液温：８５℃ めっき時間：２０分 膜厚：５μｍ （Ｂ）水洗 （Ｃ）活性化処理 硫酸ルテニウム：５ｇ／ｌ（Ｒｕ量） ｐＨ：１．０ 液温：室温 浸漬時間：５秒 （Ｄ）水洗 （Ｅ）置換Ａｕめっき Ａｕ：２ｇ／ｌ ｐＨ：６ 液温：６０℃ 時間：３０分 膜厚：０．５５μｍ （Ｆ）水洗 （Ｇ）乾燥
のＮｉ−Ｐめっきを使用し（実施例１と同一のＮｉ−Ｐ
めっき液を使用して第１回及び第２回のＮｉ−Ｐめっき
合計厚さと同じ厚さを形成した）、その上に０．５５μ
ｍ厚付けの金めっきを施した。手順は次の通りとした。 （Ａ）Ｎｉ−Ｐめっき Ｎｉ：５ｇ／ｌ ｐＨ：４．５ 液温：８５℃ めっき時間：２０分 膜厚：５μｍ （Ｂ）水洗 （Ｃ）活性化処理 硫酸ルテニウム：５ｇ／ｌ（Ｒｕ量） ｐＨ：１．０ 液温：室温 浸漬時間：５秒 （Ｄ）水洗 （Ｅ）置換Ａｕめっき Ａｕ：２ｇ／ｌ ｐＨ：６ 液温：６０℃ 時間：３０分 膜厚：０．５５μｍ （Ｆ）水洗 （Ｇ）乾燥
【００１８】こうして０．５５μｍの厚い金めっき皮膜
が得られた。ピーリング密着試験の結果は不良であり、
断面観察の結果銅素材に達する侵食が認められた。図２
はピーリング密着試験後に密着不良を起こした部分の走
査電子顕微鏡写真を示す。Ａｕ層が剥離して、その下の
Ｎｉ−Ｐ層が露出し更にその下側のＣｕ素材（黒い部
分）が露出しているのが観察される。図３は、Ｎｉ−Ｐ
及びＣｕ素材の侵食状況を示す。Ｎｉ−Ｐ層は柱状に縦
に侵食部が走っており、Ｃｕ素材まで侵食が拡がってい
る。
が得られた。ピーリング密着試験の結果は不良であり、
断面観察の結果銅素材に達する侵食が認められた。図２
はピーリング密着試験後に密着不良を起こした部分の走
査電子顕微鏡写真を示す。Ａｕ層が剥離して、その下の
Ｎｉ−Ｐ層が露出し更にその下側のＣｕ素材（黒い部
分）が露出しているのが観察される。図３は、Ｎｉ−Ｐ
及びＣｕ素材の侵食状況を示す。Ｎｉ−Ｐ層は柱状に縦
に侵食部が走っており、Ｃｕ素材まで侵食が拡がってい
る。
【００１９】（実施例２）実施例１で示した第１回及び
第２回Ｎｉ−Ｐめっきの間の貴金属浸漬めっきを次のめ
っき液及び条件で行った。他の条件は同じとした。 （Ｃ）Ｐｄめっき液浸漬 塩化パラジウムめっき液（Ｐｄ：０．６ｇ／ｌ） ｐＨ：２ 液温：室温 時間：２分 こうして０．５μｍの厚い金めっき皮膜が得られた。ピ
ーリング密着試験の結果は良好であり、断面観察の結果
銅素材に達する侵食はなかった。めっき後の素材の断面
写真を図１に示す。Ｃｕ素材に達する侵食はなく、Ｎｉ
−Ｐ第２層の柱状の腐食はＰｄバリアー層で止まり、そ
の下に及んでいない。
第２回Ｎｉ−Ｐめっきの間の貴金属浸漬めっきを次のめ
っき液及び条件で行った。他の条件は同じとした。 （Ｃ）Ｐｄめっき液浸漬 塩化パラジウムめっき液（Ｐｄ：０．６ｇ／ｌ） ｐＨ：２ 液温：室温 時間：２分 こうして０．５μｍの厚い金めっき皮膜が得られた。ピ
ーリング密着試験の結果は良好であり、断面観察の結果
銅素材に達する侵食はなかった。めっき後の素材の断面
写真を図１に示す。Ｃｕ素材に達する侵食はなく、Ｎｉ
−Ｐ第２層の柱状の腐食はＰｄバリアー層で止まり、そ
の下に及んでいない。
【００２０】（実施例３）実施例１で示した第１回及び
第２回Ｎｉ−Ｐめっきの間の貴金属浸漬めっきを次のめ
っき液及び条件で行った。他の条件は同じとした。 （Ｃ）Ａｕめっき液浸漬 シアン化金カリウムめっき液（Ａｕ：０．５ｇ／ｌ） ｐＨ：４．５ 液温：室温 時間：１５秒 こうして０．４８μｍの厚い金めっき皮膜が得られた。
ピーリング密着試験の結果は良好であり、断面観察の結
果銅素材に達する侵食はなかった。
第２回Ｎｉ−Ｐめっきの間の貴金属浸漬めっきを次のめ
っき液及び条件で行った。他の条件は同じとした。 （Ｃ）Ａｕめっき液浸漬 シアン化金カリウムめっき液（Ａｕ：０．５ｇ／ｌ） ｐＨ：４．５ 液温：室温 時間：１５秒 こうして０．４８μｍの厚い金めっき皮膜が得られた。
ピーリング密着試験の結果は良好であり、断面観察の結
果銅素材に達する侵食はなかった。
【００２１】（実施例４）実施例１で示した第１回及び
第２回Ｎｉ−Ｐめっきの間の貴金属浸漬めっきを次のめ
っき液及び条件で行った。他の条件は同じとした。 （Ｃ）Ｒｈめっき液浸漬 硫酸ロジウムめっき液（Ｒｈ：０．３ｇ／ｌ） ｐＨ：１．５ 液温：４０℃ 時間：８秒 こうして０．４４μｍの厚い金めっき皮膜が得られた。
ピーリング密着試験の結果は良好であり、断面観察の結
果銅素材に達する侵食はなかった。
第２回Ｎｉ−Ｐめっきの間の貴金属浸漬めっきを次のめ
っき液及び条件で行った。他の条件は同じとした。 （Ｃ）Ｒｈめっき液浸漬 硫酸ロジウムめっき液（Ｒｈ：０．３ｇ／ｌ） ｐＨ：１．５ 液温：４０℃ 時間：８秒 こうして０．４４μｍの厚い金めっき皮膜が得られた。
ピーリング密着試験の結果は良好であり、断面観察の結
果銅素材に達する侵食はなかった。
【００２２】
【発明の効果】Ｎｉ−Ｐ下地めっき中にバリアー層を介
在させることにより金めっき中に素材に到達するような
侵食が抑制されることから、密着性の良い厚いＡｕめっ
き皮膜が得られる。ワイヤーボンディングを行うプリン
ト基板に於いて、０．３μｍ以上の厚い金めっき皮膜を
得ることができるため、微細化するパターンへのめっき
が可能となり、軽量化、小型化、高信頼性化を指向して
いるプリント回路等の製造に大きく寄与する。
在させることにより金めっき中に素材に到達するような
侵食が抑制されることから、密着性の良い厚いＡｕめっ
き皮膜が得られる。ワイヤーボンディングを行うプリン
ト基板に於いて、０．３μｍ以上の厚い金めっき皮膜を
得ることができるため、微細化するパターンへのめっき
が可能となり、軽量化、小型化、高信頼性化を指向して
いるプリント回路等の製造に大きく寄与する。
【図１】めっき後の素材の断面金属組織の電子顕微鏡写
真であり、Ｃｕ素材に達する侵食はなく、Ｎｉ−Ｐの腐
食はＰｄバリアー層で止まっていることを示す。
真であり、Ｃｕ素材に達する侵食はなく、Ｎｉ−Ｐの腐
食はＰｄバリアー層で止まっていることを示す。
【図２】ピーリング密着試験後に密着不良を起こした部
分の金属組織の走査電子顕微鏡写真を示す。
分の金属組織の走査電子顕微鏡写真を示す。
【図３】Ｎｉ−Ｐ及びＣｕ素材の侵食状況を示す断面の
金属組織の電子顕微鏡写真であり、Ｎｉ−Ｐ層には柱状
に縦に侵食部が走っており、Ｃｕ素材まで侵食が拡がっ
ている状況を示す。
金属組織の電子顕微鏡写真であり、Ｎｉ−Ｐ層には柱状
に縦に侵食部が走っており、Ｃｕ素材まで侵食が拡がっ
ている状況を示す。
Claims (4)
- 【請求項１】 素材上にＮｉ−Ｐめっき下地を形成し、
該Ｎｉ−Ｐめっき下地上に置換型金めっき液を用いて金
めっき皮膜を形成する無電解金めっき方法において、Ｎ
ｉ−Ｐめっき下地を２層以上のＮｉ−Ｐめっき下地層と
しそして該Ｎｉ−Ｐめっき下地層間にＮｉより貴な金属
のバリアー層を形成することを特徴とする無電解金めっ
き方法。 - 【請求項２】 銅素材上に第１Ｎｉ−Ｐめっき下地層を
形成し、該第１Ｎｉ−Ｐめっき下地層上にＮｉより貴な
金属のバリアー層を形成し、該バリアー層上に第２Ｎｉ
−Ｐめっき下地層を形成し、その後該第２Ｎｉ−Ｐめっ
き下地層上に置換型金めっき液を用いて金めっき皮膜を
形成することを特徴とする無電解金めっき方法。 - 【請求項３】 Ｎｉより貴な金属がＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、
Ｒｕ、Ｐｄ及びＲｈから成る群から選択されることを特
徴とする請求項１乃至２の無電解金めっき方法。 - 【請求項４】 金めっき皮膜が０．３〜０．５μｍの厚
付けめっきであり、そして優れた密着性を有しているこ
とを特徴とする請求項１乃至３の無電解金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6083797A JP2785102B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 無電解金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6083797A JP2785102B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 無電解金めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268640A true JPH07268640A (ja) | 1995-10-17 |
| JP2785102B2 JP2785102B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=13812652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6083797A Expired - Fee Related JP2785102B2 (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 無電解金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2785102B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116256A (ja) * | 1995-10-20 | 1997-05-02 | Nec Corp | 印刷配線板及びその製造方法 |
| JPH11330652A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-11-30 | Canon Inc | 基板及びその製造方法 |
| EP0884934A3 (en) * | 1997-06-10 | 2000-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate and method for producing it |
| WO2006112215A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-26 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | めっき基材 |
| JP2010205991A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US7898814B2 (en) * | 2007-03-15 | 2011-03-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Protection circuit board for secondary battery and secondary battery using the same |
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| DE102017007572A1 (de) | 2016-08-30 | 2018-03-01 | Shimano Inc. | Outdoorkomponente |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916961A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | メツキ膜形成法 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6083797A patent/JP2785102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916961A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | メツキ膜形成法 |
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| JP4926053B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2012-05-09 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | めっき基材 |
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| US8492013B2 (en) | 2007-03-15 | 2013-07-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Protection circuit board for secondary battery and secondary battery using the same |
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| DE102017007572A1 (de) | 2016-08-30 | 2018-03-01 | Shimano Inc. | Outdoorkomponente |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2785102B2 (ja) | 1998-08-13 |
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