JPH01249659A - 耐酸化性を有する炭素／炭素複合材料の製造法 - Google Patents
耐酸化性を有する炭素／炭素複合材料の製造法Info
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- JPH01249659A JPH01249659A JP63076006A JP7600688A JPH01249659A JP H01249659 A JPH01249659 A JP H01249659A JP 63076006 A JP63076006 A JP 63076006A JP 7600688 A JP7600688 A JP 7600688A JP H01249659 A JPH01249659 A JP H01249659A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１果上皇興囲公Ｍ
本発明は、耐酸化性を有する炭素／炭素複合材料の製造
法に関する。
法に関する。
従来の技術および 明が解決しようとする課題炭素／炭
素複合材料は、不活性ガス中では１０００℃以上の高温
においても高強度、高弾性率を維持し、かつ熱膨張率が
小さい等の特異な性質を有する材料であり、航空宇宙機
器の部品、ブレーキ、炉材等への利用が期待されている
。しかしながら酸化に対する抵抗は小さく、５００℃く
らいから酸化消耗を受ける。このため炭素／炭素複合材
料の表面にセラミックスの被膜を付与することが行われ
ているが、炭素とセラミックスとの熱膨張率の差のため
その界面で剥離を起こし、本来の機能を十分発揮するこ
とが出来ない。
素複合材料は、不活性ガス中では１０００℃以上の高温
においても高強度、高弾性率を維持し、かつ熱膨張率が
小さい等の特異な性質を有する材料であり、航空宇宙機
器の部品、ブレーキ、炉材等への利用が期待されている
。しかしながら酸化に対する抵抗は小さく、５００℃く
らいから酸化消耗を受ける。このため炭素／炭素複合材
料の表面にセラミックスの被膜を付与することが行われ
ているが、炭素とセラミックスとの熱膨張率の差のため
その界面で剥離を起こし、本来の機能を十分発揮するこ
とが出来ない。
課題を解決するための手段
本発明者らは、前記問題点を解決し、剥離を起こさない
被膜を有する耐酸化性に優れた炭素／炭素複合材料の製
造法を開発すべく研究した結果、本発明の完成に至った
。
被膜を有する耐酸化性に優れた炭素／炭素複合材料の製
造法を開発すべく研究した結果、本発明の完成に至った
。
本発明は、炭素繊維１０〜７０ＶＯＬ％および炭素質７
トリツクス５〜９０ＶＯＴ、％から構成され、かつ開孔
空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料の開孔
空隙部に気相分解により炭素および／またはセラミック
スを沈積充填し、続いてこの充填物の表面に気相分解に
よりセラミックスまたはセラミックスおよび炭素の両者
を沈積被覆することを特撮とする耐酸化性を有する炭素
／炭素複合材料の製造法に関する。
トリツクス５〜９０ＶＯＴ、％から構成され、かつ開孔
空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料の開孔
空隙部に気相分解により炭素および／またはセラミック
スを沈積充填し、続いてこの充填物の表面に気相分解に
よりセラミックスまたはセラミックスおよび炭素の両者
を沈積被覆することを特撮とする耐酸化性を有する炭素
／炭素複合材料の製造法に関する。
以下、本発明による炭素／炭素複合材料の製造法につい
て詳述する。
て詳述する。
開孔空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料と
は、炭素繊維１０〜７０ＶＯＬ％、好ましくは２０〜６
０％、さらに好ましくは３０〜５５％、および炭素質７
トリツクス５〜９０ＶＯＬ％、好ましくは１０〜６０％
、さらに好ましくは１５〜５５％から構成され、かつ表
面に通しる空隙率が１０〜５５％、好ましくは２０〜５
０％、さらに好ましくは２５〜４５％であるものを示す
。
は、炭素繊維１０〜７０ＶＯＬ％、好ましくは２０〜６
０％、さらに好ましくは３０〜５５％、および炭素質７
トリツクス５〜９０ＶＯＬ％、好ましくは１０〜６０％
、さらに好ましくは１５〜５５％から構成され、かつ表
面に通しる空隙率が１０〜５５％、好ましくは２０〜５
０％、さらに好ましくは２５〜４５％であるものを示す
。
ここでいう炭素繊維には、連続した炭素繊維の５００〜
２５０００本の繊維束を一方向積層物、２次元織物ある
いはその積層物、３次元織物、マット状成形物、フェル
）・状成型物など炭素繊維を２次元あるい（ま３次元の
成型体としたものが含まれ、中ても３次元織物が好まし
い。炭素繊維としては、ピッチ系、ポリアクリロニｌ、
リル系あるいはレーヨン系などが１史用できるが、なか
でもピッチ系炭素繊維が耐酸化性に優れ、また熱膨張率
が小さく、さらには熱伝導性がよいため好ましい。また
炭素質マ）・リックスとは炭素質ピッチ、フェノール樹
脂、フラン樹脂などの炭化により得られろものであり、
ながでも炭素質ピッチの炭化により得られるものが好ま
しい。炭素質ピッチとしては、軟化点１００〜４００℃
、好ましくは１５０〜３５０℃を有する石炭系あるいは
石油系のピッチが用いられる。炭素質ピッチは、光学的
に等方性のピッチあるいは異方性のピッチのいずれも使
用できるが、光学的異方性相の含量が６０〜１００ＶＯ
Ｌ％の光学的異方性ピッチが特に好ましく用いられる。
２５０００本の繊維束を一方向積層物、２次元織物ある
いはその積層物、３次元織物、マット状成形物、フェル
）・状成型物など炭素繊維を２次元あるい（ま３次元の
成型体としたものが含まれ、中ても３次元織物が好まし
い。炭素繊維としては、ピッチ系、ポリアクリロニｌ、
リル系あるいはレーヨン系などが１史用できるが、なか
でもピッチ系炭素繊維が耐酸化性に優れ、また熱膨張率
が小さく、さらには熱伝導性がよいため好ましい。また
炭素質マ）・リックスとは炭素質ピッチ、フェノール樹
脂、フラン樹脂などの炭化により得られろものであり、
ながでも炭素質ピッチの炭化により得られるものが好ま
しい。炭素質ピッチとしては、軟化点１００〜４００℃
、好ましくは１５０〜３５０℃を有する石炭系あるいは
石油系のピッチが用いられる。炭素質ピッチは、光学的
に等方性のピッチあるいは異方性のピッチのいずれも使
用できるが、光学的異方性相の含量が６０〜１００ＶＯ
Ｌ％の光学的異方性ピッチが特に好ましく用いられる。
空隙率が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料は、炭
素質ピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂などを炭素繊
維の織物あるいは成型物などに含浸した後、常圧下、加
圧下あるいはプレス下で炭化して得られる。
素質ピッチ、フェノール樹脂、フラン樹脂などを炭素繊
維の織物あるいは成型物などに含浸した後、常圧下、加
圧下あるいはプレス下で炭化して得られる。
含浸は、炭素質ピッチなどを真空下で加熱、溶融するこ
とにより達成されるが、含浸時の粘度を下げるために、
溶剤てカッ１−・バックすることもてきる。溶剤として
は、芳香族炭化水素、ピリジン、キノリンなどが使用で
きる。
とにより達成されるが、含浸時の粘度を下げるために、
溶剤てカッ１−・バックすることもてきる。溶剤として
は、芳香族炭化水素、ピリジン、キノリンなどが使用で
きる。
常圧下の炭化は、不活性ガス雰囲気下４００〜２０００
℃において実施することができる。また、加圧下の炭化
は、不活性ガスにより５０〜１００００ｋｇ／ｃｉに加
圧し、４００〜２０００℃において実施ずろことができ
る。また、プレス下の炭化は、ホラ１ヘプレスにより１
０〜５００ｋｇ／ｃｉの圧力下、４００〜２０００℃に
おいて実施することができる。
℃において実施することができる。また、加圧下の炭化
は、不活性ガスにより５０〜１００００ｋｇ／ｃｉに加
圧し、４００〜２０００℃において実施ずろことができ
る。また、プレス下の炭化は、ホラ１ヘプレスにより１
０〜５００ｋｇ／ｃｉの圧力下、４００〜２０００℃に
おいて実施することができる。
本発明において、炭化収率向上のため、炭化に先立ち、
含浸物を不融化処理することもできる。含浸物の不融化
処理は、酸化性ガス雰囲気下、５０〜４００℃好ましく
は１００〜３５０℃で行う。酸化性ガスとしては、空気
、酸素、窒素酸化物、硫黄酸化物、ハロゲン、あるいは
これらの混合物が使用できる。不融化は、含浸物中心ま
で行ってもよいし、後段の炭化処理て含浸物の形状を維
持てきる程度にとどめてもよい。
含浸物を不融化処理することもできる。含浸物の不融化
処理は、酸化性ガス雰囲気下、５０〜４００℃好ましく
は１００〜３５０℃で行う。酸化性ガスとしては、空気
、酸素、窒素酸化物、硫黄酸化物、ハロゲン、あるいは
これらの混合物が使用できる。不融化は、含浸物中心ま
で行ってもよいし、後段の炭化処理て含浸物の形状を維
持てきる程度にとどめてもよい。
空隙率が１０〜５５％の炭素／炭素複合材料とするため
に、含浸／炭化のサイクルを必要回数重ねて緻密化をす
ることがてきる。開孔空隙率が１０〜５５％の炭素／炭
素複合材料とするｔ：めに、この緻密化をある程度のと
ころで止めてもよいが、開孔空隙率を１０％未満に緻密
化しｔ−後、化学的および／または物理的処理を施して
、開孔空隙率を１０〜５５％とすることができる。たと
えば炭素質マトリックスの部分を酸化エツチングで除去
ずろこともてきる。
に、含浸／炭化のサイクルを必要回数重ねて緻密化をす
ることがてきる。開孔空隙率が１０〜５５％の炭素／炭
素複合材料とするｔ：めに、この緻密化をある程度のと
ころで止めてもよいが、開孔空隙率を１０％未満に緻密
化しｔ−後、化学的および／または物理的処理を施して
、開孔空隙率を１０〜５５％とすることができる。たと
えば炭素質マトリックスの部分を酸化エツチングで除去
ずろこともてきる。
本発明においては、開孔空隙率が１０〜５５％である炭
素／炭素複合材料の開孔空隙部に気相分解により炭素お
よび／：】、たはセラミックスを沈積充填し、続いてこ
の充填物の表面に気相分解によりセラミックスまたは炭
素とセラミックスの両者を沈積被覆する。開孔空隙部に
気相分解により炭素および／また（まセラミックスを沈
積充填する操作は通常ＣＶ Ｉ （（Ｊ（ＥＭ−ＩＣＡ
Ｌ ＶＡＰＯＲＴＮＦＩＬＴＲＡＴＩＯＮ） ト呼ばレ
テオリ、まりと（７）充填物の表面に気相分解によりセ
ラミックスまたはセラミックスおよび炭素の両者を沈積
被覆する操作は通常ＣＶ Ｄ （ＣＨＥＭＴＣＡＬＶ人
ＰＯＲＤＥＰＯ３ＩＴＩＯＮ）と呼ばれている。具体的
には、熱ＣＶＩ／ＣＶＤ、プラズマＣＶｒ／ＣＶＤ等が
挙げられる。
素／炭素複合材料の開孔空隙部に気相分解により炭素お
よび／：】、たはセラミックスを沈積充填し、続いてこ
の充填物の表面に気相分解によりセラミックスまたは炭
素とセラミックスの両者を沈積被覆する。開孔空隙部に
気相分解により炭素および／また（まセラミックスを沈
積充填する操作は通常ＣＶ Ｉ （（Ｊ（ＥＭ−ＩＣＡ
Ｌ ＶＡＰＯＲＴＮＦＩＬＴＲＡＴＩＯＮ） ト呼ばレ
テオリ、まりと（７）充填物の表面に気相分解によりセ
ラミックスまたはセラミックスおよび炭素の両者を沈積
被覆する操作は通常ＣＶ Ｄ （ＣＨＥＭＴＣＡＬＶ人
ＰＯＲＤＥＰＯ３ＩＴＩＯＮ）と呼ばれている。具体的
には、熱ＣＶＩ／ＣＶＤ、プラズマＣＶｒ／ＣＶＤ等が
挙げられる。
ＣＶＩあるいはＣＶＤにより、炭素および／またはセラ
ミックスを沈積する場合、セラミックスとしては、Ｓｉ
Ｃ，ＺｒＣ。
ミックスを沈積する場合、セラミックスとしては、Ｓｉ
Ｃ，ＺｒＣ。
ＴｉＣ，ｔ（ｆｃ：、 Ｂ４Ｃ，ＮｂＣ，ＷＣ，ＴｉＢ
２．ＢＮあるいはＳｉ３Ｎ４などがあげられ、中でもＳ
ｉＣ，ＺｒＣ，ＴｉＣおよび旧Ｃが好ましい。またこれ
らのセラミックスと炭素とを同時に沈積させることもて
きる。
２．ＢＮあるいはＳｉ３Ｎ４などがあげられ、中でもＳ
ｉＣ，ＺｒＣ，ＴｉＣおよび旧Ｃが好ましい。またこれ
らのセラミックスと炭素とを同時に沈積させることもて
きる。
炭素を得るための熱分解ガスとしては炭化水素、好まし
くは０１〜Ｃ６の炭化水素、具体的には、メタン、天然
ガス、プロパン、ベンセン等が用いられる。またセラミ
ックスを得るための熱分解ガスとじ−Ｃは、ハロゲン化
物、水素化物、有機金属化合物等あるいはこれらと前記
炭化水素ガスや水素、不活性ガスとの混合物が用いられ
る。具体的にば、ＳＩＣにば５ｉＣ１４、ＣＨ３ＳｉＣ
ｌ３． ＺｒＣにはＺｒＣｌ、、、 ＴｉＣにはＴｉＣ
ｌ４． ＨｆＣにばＨｆＣｌ４が使用できろ。
くは０１〜Ｃ６の炭化水素、具体的には、メタン、天然
ガス、プロパン、ベンセン等が用いられる。またセラミ
ックスを得るための熱分解ガスとじ−Ｃは、ハロゲン化
物、水素化物、有機金属化合物等あるいはこれらと前記
炭化水素ガスや水素、不活性ガスとの混合物が用いられ
る。具体的にば、ＳＩＣにば５ｉＣ１４、ＣＨ３ＳｉＣ
ｌ３． ＺｒＣにはＺｒＣｌ、、、 ＴｉＣにはＴｉＣ
ｌ４． ＨｆＣにばＨｆＣｌ４が使用できろ。
反応条件はＣＶＩあるいはＣＶＤで異なり、ＣＶＩによ
り炭素／炭素複合材料の空隙部に炭素および／またはセ
ラミックスを沈積充填する場合、温度は１０００〜１５
００℃、圧力は０１〜５０Ｔｏｒｒである。一方ＣＶＤ
により、充填物の表面に気相熱分解によりセラミックス
または炭素とセラミックスの両者を沈積被覆する場合、
温度は１０００〜２０００℃、圧力は５０〜７６０Ｔｏ
ｒｒである。
り炭素／炭素複合材料の空隙部に炭素および／またはセ
ラミックスを沈積充填する場合、温度は１０００〜１５
００℃、圧力は０１〜５０Ｔｏｒｒである。一方ＣＶＤ
により、充填物の表面に気相熱分解によりセラミックス
または炭素とセラミックスの両者を沈積被覆する場合、
温度は１０００〜２０００℃、圧力は５０〜７６０Ｔｏ
ｒｒである。
ＣＶＩおよびＣＶＤの２つの反応を連続して行う場合に
は、これらの条件を連続的に変化させるのが好ましい。
は、これらの条件を連続的に変化させるのが好ましい。
具体的にはＣＶＩによる沈積充填部分とＣＶＤによる沈
積被覆部分が組織、構造、組成の少なくとも一つにおい
て異なり、かつ組織、構造あるいは成分の少なくとも一
つを連続的に変化させるのが好ましい。
積被覆部分が組織、構造、組成の少なくとも一つにおい
て異なり、かつ組織、構造あるいは成分の少なくとも一
つを連続的に変化させるのが好ましい。
組織、構造、組成の少なくとも一つにおいて異なり、か
つ組織、構造あるいは組成の少なくとも一つを連続的に
変化させるためには、温度、圧力、原料供給速度、原料
供給比の少なくとも一つを連続的に変化させる。温度の
連続的変化はＣＶｌの場合には１０００〜１５００℃、
ＣＶＤの場合には１０００〜２０００℃の間で行い、変
化に要する時間は、例えば５分〜１０時間である。圧力
の連続的変化はＣＶＩの場合には０１〜５０Ｔｏｒｒ。
つ組織、構造あるいは組成の少なくとも一つを連続的に
変化させるためには、温度、圧力、原料供給速度、原料
供給比の少なくとも一つを連続的に変化させる。温度の
連続的変化はＣＶｌの場合には１０００〜１５００℃、
ＣＶＤの場合には１０００〜２０００℃の間で行い、変
化に要する時間は、例えば５分〜１０時間である。圧力
の連続的変化はＣＶＩの場合には０１〜５０Ｔｏｒｒ。
ＣＶＤの場合には５０〜７６０Ｔｏｒｒの間で行い、変
化に要する時間は、例えば５分〜１０時間である。原料
供給速度は、反応に用いる炉の大きさあるいは構造によ
り大きく異なるが、例えば容積２４．０ＯＯｃｉの反応
器の場合、１０〜１０．０ＯＯｃ／／ ｍｉｎ （標準
状態）の間で連続的に変化させることができる。変化に
要する時間は、例えば５分〜１０時間である。原料供給
比は、必要に応じ、得られる沈積物の一成分の組成割合
が０〜１００％の範囲内となるように連続的に変化させ
ればよい。変化に要する時間は、例えば５分〜１０時間
である。
化に要する時間は、例えば５分〜１０時間である。原料
供給速度は、反応に用いる炉の大きさあるいは構造によ
り大きく異なるが、例えば容積２４．０ＯＯｃｉの反応
器の場合、１０〜１０．０ＯＯｃ／／ ｍｉｎ （標準
状態）の間で連続的に変化させることができる。変化に
要する時間は、例えば５分〜１０時間である。原料供給
比は、必要に応じ、得られる沈積物の一成分の組成割合
が０〜１００％の範囲内となるように連続的に変化させ
ればよい。変化に要する時間は、例えば５分〜１０時間
である。
さらに述べれば、得られる材料の熱応力分布が最小とな
るように組織、構造、組成の少なくとも一つを連続的に
変化させることが好ましい。材料は通常、温度勾配下で
使用されることが多く、これにより材料内部に熱応力が
発生する。材料に耐酸化性を付与することの他に、熱応
力緩和特性の付与も重要な課題となる。したがって、Ｃ
ＶＩおよび／またはＣｖＤ自体の成分組成についても、
熱応力分布が最小となるように組織、構造あるいは成分
の少なくとも一つにおいて変化させる乙とが好ましい。
るように組織、構造、組成の少なくとも一つを連続的に
変化させることが好ましい。材料は通常、温度勾配下で
使用されることが多く、これにより材料内部に熱応力が
発生する。材料に耐酸化性を付与することの他に、熱応
力緩和特性の付与も重要な課題となる。したがって、Ｃ
ＶＩおよび／またはＣｖＤ自体の成分組成についても、
熱応力分布が最小となるように組織、構造あるいは成分
の少なくとも一つにおいて変化させる乙とが好ましい。
ここでいう組織と（よ、例えば光学顕微鏡あるいは走査
型電子顕微鏡において識別できるようなミクロンオーダ
ーの微細組織をさす。組織を連続的に変化させるなるに
は、温度、圧力、原料供給速度、原料供給比の少なくと
も一つを連続的に変化させることができ、なかでも温度
、圧力、原料供給速度の少なくとも一つを連続的に変化
させるのが好ましい。
型電子顕微鏡において識別できるようなミクロンオーダ
ーの微細組織をさす。組織を連続的に変化させるなるに
は、温度、圧力、原料供給速度、原料供給比の少なくと
も一つを連続的に変化させることができ、なかでも温度
、圧力、原料供給速度の少なくとも一つを連続的に変化
させるのが好ましい。
また構造とは例えばＸ線回折、高分解能電子顕微鏡ある
いはラマンスペクトルなどにより識別できるような結晶
レベルの構造をさす。構造を連続的に変化させるために
は、温度、圧力、原料供給速度、原料供給比の少なくと
も一つを連続的に変化させることができ、なかでも温度
、圧力、原料供給速度の少なくとも一つを連続的に変化
させるのが好ましい。
いはラマンスペクトルなどにより識別できるような結晶
レベルの構造をさす。構造を連続的に変化させるために
は、温度、圧力、原料供給速度、原料供給比の少なくと
も一つを連続的に変化させることができ、なかでも温度
、圧力、原料供給速度の少なくとも一つを連続的に変化
させるのが好ましい。
さらに組成とは、化学的に識別できるような成分、例え
ば元素分析あるいはエネルギー分散型螢光Ｘ線装置（Ｅ
ＳＣＡ）などにより識別できるような成分および空隙を
さす。具体的には、炭素、前記各種セラミックスおよび
大きさあるいは分布の異なる空隙をいう。組成を連続的
に変化させるためには、温度、圧力、原料供給速度、原
料供給比の少なくとも一つを連続的に変化させることが
でき、なかでも原料供給比を連続的に変化させるのが好
ましい。
ば元素分析あるいはエネルギー分散型螢光Ｘ線装置（Ｅ
ＳＣＡ）などにより識別できるような成分および空隙を
さす。具体的には、炭素、前記各種セラミックスおよび
大きさあるいは分布の異なる空隙をいう。組成を連続的
に変化させるためには、温度、圧力、原料供給速度、原
料供給比の少なくとも一つを連続的に変化させることが
でき、なかでも原料供給比を連続的に変化させるのが好
ましい。
衷施例
以下に実施例をあげ、本発明を具体的に説明する。
（実施例１）
直径１０μｍのピッチ系炭素繊維２０００本を用いた直
交３次元織物に軟化点２８０℃の光学的異方性ピッチを
含浸した。含浸物を１００ｋｇ／ｃ＋＋Ｆの圧力下、７
００℃においてホットプレスし、さらに常圧下、１３０
０℃で１時間炭化処理して炭素／炭素複合材料を得た。
交３次元織物に軟化点２８０℃の光学的異方性ピッチを
含浸した。含浸物を１００ｋｇ／ｃ＋＋Ｆの圧力下、７
００℃においてホットプレスし、さらに常圧下、１３０
０℃で１時間炭化処理して炭素／炭素複合材料を得た。
得られた炭素／炭素複合材料は炭素繊維３０ＶＯＬ％お
よび炭素質マトリックス４０ＶＯＬ％から構成され、か
つ開孔空隙率が３０％であった。
よび炭素質マトリックス４０ＶＯＬ％から構成され、か
つ開孔空隙率が３０％であった。
この炭素／炭素複合材料を加熱炉中におき、４０ｃｗ＋
／ ｍ ｉ ｎ（標準状態）のＣ３■８ｉｅ流しなが
ら、１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒで熱ＣＶ■を行い、開孔
空隙部に気相分解により炭素を沈積充填させた。続いて
、圧力が１００Ｔｏｒｒ、原料ガスがＳｉＳｉＣ１４（
１７０’／ ｍ１ｎ）−ｌ−Ｃ３Ｈ，（４０ｃｗｒ ／
ｍ１ｎ） ＋ Ｈ２（７００ｃｎ？ ／ ｍ１ｎ）の
混合物（流量はいずれも標準状態）となるように条件を
連続的に変化させ、表面に熱ＣＶＤによるＳｉＣを沈積
被覆した。この間の条件変更所用時間は３０分であり、
得られたものを走査電子顕微鏡およびエネルギー分散型
螢光Ｘ線装置で観察したところ、炭素／炭素複合材料の
空隙部にＣＶＩによる炭素が均一に沈着しており、表面
にはＣＶＤによるＳｉＣの沈着があった。その間の組成
は連続的に変化しており、また表面の剥離も見られなか
った。
／ ｍ ｉ ｎ（標準状態）のＣ３■８ｉｅ流しなが
ら、１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒで熱ＣＶ■を行い、開孔
空隙部に気相分解により炭素を沈積充填させた。続いて
、圧力が１００Ｔｏｒｒ、原料ガスがＳｉＳｉＣ１４（
１７０’／ ｍ１ｎ）−ｌ−Ｃ３Ｈ，（４０ｃｗｒ ／
ｍ１ｎ） ＋ Ｈ２（７００ｃｎ？ ／ ｍ１ｎ）の
混合物（流量はいずれも標準状態）となるように条件を
連続的に変化させ、表面に熱ＣＶＤによるＳｉＣを沈積
被覆した。この間の条件変更所用時間は３０分であり、
得られたものを走査電子顕微鏡およびエネルギー分散型
螢光Ｘ線装置で観察したところ、炭素／炭素複合材料の
空隙部にＣＶＩによる炭素が均一に沈着しており、表面
にはＣＶＤによるＳｉＣの沈着があった。その間の組成
は連続的に変化しており、また表面の剥離も見られなか
った。
（実施例２）
直径１０μｍのピッチ系炭素繊維２０００本をＺ軸方向
に、また同じ繊維４０００本をＸおよびＹ軸方向に用い
た直交３次元織物に軟化点２８０℃の光学的異方性ピッ
チを含浸した。含浸物を２００ｋｇ／ｃ／の圧力下、５
５０℃において加圧炭化し、さらに常圧下、１２００℃
で１時間炭化処理して炭素／炭素複合材料を得た。
に、また同じ繊維４０００本をＸおよびＹ軸方向に用い
た直交３次元織物に軟化点２８０℃の光学的異方性ピッ
チを含浸した。含浸物を２００ｋｇ／ｃ／の圧力下、５
５０℃において加圧炭化し、さらに常圧下、１２００℃
で１時間炭化処理して炭素／炭素複合材料を得た。
得られた炭素／炭素複合材料は炭素繊維５０ＶＯＬ％お
よび炭素質マトリックス３０ＶＯＬ％から構成され、か
つ開孔空隙率が２０％であった。この炭素／炭素複合材
料を加熱炉中におき、Ｓ １ｃ１４（５０ｃ／ ／ ｍ
１ｎ） ＋ Ｃ３Ｈ８（４０ｃｎ？ ／ ｍ１ｎ） ４
− Ｈ２（２００ｃＪ ／ ｍ ｉｎ）の混合ガスを流
しながら、１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒで熱ＣＶＩを行い
、開孔空隙部に気相分解により炭素およびＳｉＣを沈積
充填し、続いて３０分かけて圧力が１００Ｔｏｒｒ、原
料ガスが５ｉＣ１４（１７０ｃｉ ７ｍ ｉ ｎ） ＋
Ｃ３Ｉｆ８（４０ｃｎ？ ／ ｍ ｉ ｎ）刊（２（
７００ｃｎ？ ／ ｍ ｉ ｎ）となるように条件を連
続的に変化させて、表面に熱ＣＶＤによ）ｌ ＳｉＣを
沈積被覆した。得られたものを偏光顕微鏡および走査電
子顕微鏡で観察したところ、炭素／炭素複合材料の空隙
部にｃｖｒによる炭素／ Ｓ ｉ Ｃが均一に沈着して
おり、表面にはＣＶＤによるＳｉＣの沈着がみられた。
よび炭素質マトリックス３０ＶＯＬ％から構成され、か
つ開孔空隙率が２０％であった。この炭素／炭素複合材
料を加熱炉中におき、Ｓ １ｃ１４（５０ｃ／ ／ ｍ
１ｎ） ＋ Ｃ３Ｈ８（４０ｃｎ？ ／ ｍ１ｎ） ４
− Ｈ２（２００ｃＪ ／ ｍ ｉｎ）の混合ガスを流
しながら、１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒで熱ＣＶＩを行い
、開孔空隙部に気相分解により炭素およびＳｉＣを沈積
充填し、続いて３０分かけて圧力が１００Ｔｏｒｒ、原
料ガスが５ｉＣ１４（１７０ｃｉ ７ｍ ｉ ｎ） ＋
Ｃ３Ｉｆ８（４０ｃｎ？ ／ ｍ ｉ ｎ）刊（２（
７００ｃｎ？ ／ ｍ ｉ ｎ）となるように条件を連
続的に変化させて、表面に熱ＣＶＤによ）ｌ ＳｉＣを
沈積被覆した。得られたものを偏光顕微鏡および走査電
子顕微鏡で観察したところ、炭素／炭素複合材料の空隙
部にｃｖｒによる炭素／ Ｓ ｉ Ｃが均一に沈着して
おり、表面にはＣＶＤによるＳｉＣの沈着がみられた。
その間の組織は連続的に変化しており、また表面の剥離
も見られなかった。
も見られなかった。
（実施例３）
実施例１の炭素／炭素複合材料を加熱炉中におき、ＣＨ
３ＳｉＣｌ３を流しながら、１０５０℃、 ２０Ｔｏｒ
ｒて熱ＣＶＩを行い、開孔空隙部に気相分解によすＳｉ
Ｃを沈積充填し、続いて１時間の間に条件を１３００℃
、 １００Ｔｏｒｒまで連続的に変化させたのち、表面
に熱ＣＶＤによりＳｉＣを沈積被覆した。得られたもの
を偏光顕微鏡、走査電子顕微鏡およびＩ／−ザーラマン
装置で観察したところ、炭素／炭素複合材料の空隙部に
ＣＶＩによるＳＩＣが均一に沈着しており、表面にばＣ
ＶＤによるＳｉＣの沈着があった。その間のミクロ組織
は連続的に変化していた。また表面の剥離も見られなか
った。
３ＳｉＣｌ３を流しながら、１０５０℃、 ２０Ｔｏｒ
ｒて熱ＣＶＩを行い、開孔空隙部に気相分解によすＳｉ
Ｃを沈積充填し、続いて１時間の間に条件を１３００℃
、 １００Ｔｏｒｒまで連続的に変化させたのち、表面
に熱ＣＶＤによりＳｉＣを沈積被覆した。得られたもの
を偏光顕微鏡、走査電子顕微鏡およびＩ／−ザーラマン
装置で観察したところ、炭素／炭素複合材料の空隙部に
ＣＶＩによるＳＩＣが均一に沈着しており、表面にばＣ
ＶＤによるＳｉＣの沈着があった。その間のミクロ組織
は連続的に変化していた。また表面の剥離も見られなか
った。
（比較例］）
炭素繊維３０ＶＯＬ％および炭素質７１〜リツクス６５
ＶＯＬ％から構成され、かつ開孔空隙率が５％の炭素／
炭素複合材料を加熱炉中におき、実施例３と同様にＣ１
（３ＳｉＣ１，、を流しながら、１３００℃、 １００
Ｔｏｒｒにおいて表面に熱ＣＶＤによりＳｉＣを沈積被
覆（７た。得られたものを走査電子顕微鏡で観察したと
ころ、層間剥離を起こしていた。
ＶＯＬ％から構成され、かつ開孔空隙率が５％の炭素／
炭素複合材料を加熱炉中におき、実施例３と同様にＣ１
（３ＳｉＣ１，、を流しながら、１３００℃、 １００
Ｔｏｒｒにおいて表面に熱ＣＶＤによりＳｉＣを沈積被
覆（７た。得られたものを走査電子顕微鏡で観察したと
ころ、層間剥離を起こしていた。
（実施例４）
１１一
実施例２の炭素／炭素複合材料を加熱炉中におき、１１
５０℃。
５０℃。
５ＴｏｒｒにおいてＣ３Ｈ８（４０ｃ＋／ ／ ｍ ｉ
ｎ）から５ｉＣ１４（５０ｃ／／ｍ１ｎ）→−Ｃ３Ｉ
（８（４０ｃ／／ ｍ１ｎ） ＋Ｈ２（２００ｃ＋／／
ｍ１ｎ）の混合ガスに連続的に組成を変化させながら
、熱ＣＶ■を行い、開孔空隙部に気相分解により炭素か
ら炭素／ＳｉＣを沈積充填した。続いて温度が１５００
℃、圧力が３００Ｔｏｒｒ、さらに原料ガス組成が５ｉ
Ｃ１４（１７０ｃｎｒ／ ｍ１ｎ） ＋Ｃ３Ｈ８（４０
ｃ／／ｍ１ｎ） ＋Ｈ２（７００ｃｎｒ／ｍ１ｎ）とな
るように条件を連続的に変化させながら、表面に熱ＣＶ
Ｄによ）Ｊ ＳｉＣを沈積被覆した。得られたものを偏
光顕微鏡および走査電子顕微鏡で観察したところ、炭素
／炭素複合材料の空隙部にｃｖｒによる炭素から炭素／
ＳｉＣが均一に沈着しており、表面にはＣＶＤによるＳ
ｉＣの沈着があり、その間の組織は連続的に変化してい
た。また表面の剥離も見られなかった。
ｎ）から５ｉＣ１４（５０ｃ／／ｍ１ｎ）→−Ｃ３Ｉ
（８（４０ｃ／／ ｍ１ｎ） ＋Ｈ２（２００ｃ＋／／
ｍ１ｎ）の混合ガスに連続的に組成を変化させながら
、熱ＣＶ■を行い、開孔空隙部に気相分解により炭素か
ら炭素／ＳｉＣを沈積充填した。続いて温度が１５００
℃、圧力が３００Ｔｏｒｒ、さらに原料ガス組成が５ｉ
Ｃ１４（１７０ｃｎｒ／ ｍ１ｎ） ＋Ｃ３Ｈ８（４０
ｃ／／ｍ１ｎ） ＋Ｈ２（７００ｃｎｒ／ｍ１ｎ）とな
るように条件を連続的に変化させながら、表面に熱ＣＶ
Ｄによ）Ｊ ＳｉＣを沈積被覆した。得られたものを偏
光顕微鏡および走査電子顕微鏡で観察したところ、炭素
／炭素複合材料の空隙部にｃｖｒによる炭素から炭素／
ＳｉＣが均一に沈着しており、表面にはＣＶＤによるＳ
ｉＣの沈着があり、その間の組織は連続的に変化してい
た。また表面の剥離も見られなかった。
（実施例５）
実施例２の炭素／炭素複合材料（炭素繊維５０ＶＯＬ％
、炭素質７１〜リツクス３０ＶＯＬ％および開孔空隙率
が２０％）を加熱炉中におき、４０ｃ／／ｍｉｎ （標
準状態）のＣ３Ｈ８（４０ｃｎ？ ／ ｍ ｉ ｎ）を
流しながら、１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒにおける熱ＣＶ
Ｉを行い、開孔空隙部に気相分解により炭素を沈積充填
した。続いて、同じ＜１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒにおい
て２時間化けて原料ガス組成が５ｉＣ１４（１７Ｏｃｎ
＋’ ／ ｍ ｉｎ） 十Ｃ３ｌ（８（４０ｃｎ＋’
／ ｍ１ｎ） ＋ Ｈ２（７００ｃｉ ／ ｍ１ｎ）と
なるように条件を連続的に変化させながら熱ＣＶＩを行
い、最後に３０分かけて条件を１５００℃、 ３００Ｔ
ｏｒｒまて連続的に変化させて、表面に熱ＣＶＤによす
ＳｉＣを沈積被覆した。得られたものを偏光顕微鏡およ
び走査電子顕微鏡で観察したところ、炭素／炭素複合材
料の空隙部にＣＶＩによる炭素、続いて炭素／ＳｉＣが
均一に沈着しており、表面にはＣＶＤによるＳｉＣの沈
着があった。その間の組成は連続的に変化しており、ま
た表面の剥離も見られなかった。
、炭素質７１〜リツクス３０ＶＯＬ％および開孔空隙率
が２０％）を加熱炉中におき、４０ｃ／／ｍｉｎ （標
準状態）のＣ３Ｈ８（４０ｃｎ？ ／ ｍ ｉ ｎ）を
流しながら、１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒにおける熱ＣＶ
Ｉを行い、開孔空隙部に気相分解により炭素を沈積充填
した。続いて、同じ＜１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒにおい
て２時間化けて原料ガス組成が５ｉＣ１４（１７Ｏｃｎ
＋’ ／ ｍ ｉｎ） 十Ｃ３ｌ（８（４０ｃｎ＋’
／ ｍ１ｎ） ＋ Ｈ２（７００ｃｉ ／ ｍ１ｎ）と
なるように条件を連続的に変化させながら熱ＣＶＩを行
い、最後に３０分かけて条件を１５００℃、 ３００Ｔ
ｏｒｒまて連続的に変化させて、表面に熱ＣＶＤによす
ＳｉＣを沈積被覆した。得られたものを偏光顕微鏡およ
び走査電子顕微鏡で観察したところ、炭素／炭素複合材
料の空隙部にＣＶＩによる炭素、続いて炭素／ＳｉＣが
均一に沈着しており、表面にはＣＶＤによるＳｉＣの沈
着があった。その間の組成は連続的に変化しており、ま
た表面の剥離も見られなかった。
（実施例６）
直径１０μｍのピッチ系炭素繊維２０００本を用いた直
交３次元織物に軟化点２８０℃の光学的異方性ピッチを
含浸した。含浸物を１００ｋｇ／ｃ＆の圧力下、７００
℃においてホットプレスし、さらに常圧下、１３００℃
で１時間炭化処理して炭素／炭素複合材料を得た。得ら
れた炭素／炭素複合材料は炭素繊維３０ＶＯＬ％および
炭素質マトリックス４０ＶＯＬ％から構成され、かつ開
孔空隙率が３０％であった。
交３次元織物に軟化点２８０℃の光学的異方性ピッチを
含浸した。含浸物を１００ｋｇ／ｃ＆の圧力下、７００
℃においてホットプレスし、さらに常圧下、１３００℃
で１時間炭化処理して炭素／炭素複合材料を得た。得ら
れた炭素／炭素複合材料は炭素繊維３０ＶＯＬ％および
炭素質マトリックス４０ＶＯＬ％から構成され、かつ開
孔空隙率が３０％であった。
この炭素／炭素複合材料を加熱炉中におき、Ｃ３Ｈ８（
４０ｃｍ’ ／ ｍ１ｎ）を流しながら、１１５０℃、
５Ｔｏｒｒて熱ＣＶＩを行い、開孔空隙部に気相分解
により炭素を沈積充填し、続いて条件を１１５０℃、
１００Ｔｏｒｒまて連続的に変化させた後、原料ガスが
ＳｉＳｉＣ１４（５０’ ／ ｍ ｉ ｎ）モＣ３Ｈ８
（４０ｃ＋／ ／ ｍ ｉ ｎ）利（２（２００ｃ／
／ ｍ ｉ ｎ）から５ｉＣ１４（１７０ｃｉ ／ ｍ
１ｎ） ＋ Ｃ３Ｈ８（４０ｃｉ ／ ｍ１ｎ）刊（２
（７００ｃｉ ／ ｍ１ｎ）となろＪ：うに条件を連続
的に変化させ、表面に熱ＣＶＤにより炭素／ＳｉＣから
ＳｉＣへの連続組織を沈積被覆した。得られたものを走
査電子顕ｆｌｌ’ｔ＋鏡およびエネルギー分散型螢光Ｘ
線装置で観察したところ、炭素／炭素複合材料の空隙部
にＣＶＩによる炭素が均一に沈着しており、表面にはＣ
ＶＤによる炭素／ＳｉＣの沈着があり、その間の組成は
連続的に変化していた。また表面の剥離も見られなかっ
た。
４０ｃｍ’ ／ ｍ１ｎ）を流しながら、１１５０℃、
５Ｔｏｒｒて熱ＣＶＩを行い、開孔空隙部に気相分解
により炭素を沈積充填し、続いて条件を１１５０℃、
１００Ｔｏｒｒまて連続的に変化させた後、原料ガスが
ＳｉＳｉＣ１４（５０’ ／ ｍ ｉ ｎ）モＣ３Ｈ８
（４０ｃ＋／ ／ ｍ ｉ ｎ）利（２（２００ｃ／
／ ｍ ｉ ｎ）から５ｉＣ１４（１７０ｃｉ ／ ｍ
１ｎ） ＋ Ｃ３Ｈ８（４０ｃｉ ／ ｍ１ｎ）刊（２
（７００ｃｉ ／ ｍ１ｎ）となろＪ：うに条件を連続
的に変化させ、表面に熱ＣＶＤにより炭素／ＳｉＣから
ＳｉＣへの連続組織を沈積被覆した。得られたものを走
査電子顕ｆｌｌ’ｔ＋鏡およびエネルギー分散型螢光Ｘ
線装置で観察したところ、炭素／炭素複合材料の空隙部
にＣＶＩによる炭素が均一に沈着しており、表面にはＣ
ＶＤによる炭素／ＳｉＣの沈着があり、その間の組成は
連続的に変化していた。また表面の剥離も見られなかっ
た。
（実施例７）
直径１０μｍのピッチ系炭素繊維２０００本をＺ軸方向
に、また同じ繊維４０００本をＸおよびＹ軸方向に用い
た直交３次元織物に軟化点２８０℃の光学的異方性ピッ
チを含浸した。含浸物を２００ｋｇ／ｃｉの圧力下、５
５０℃において加圧炭化し、さらに常圧下、１２００℃
で１時間炭化処理して炭素／炭素複合月利を得た。
に、また同じ繊維４０００本をＸおよびＹ軸方向に用い
た直交３次元織物に軟化点２８０℃の光学的異方性ピッ
チを含浸した。含浸物を２００ｋｇ／ｃｉの圧力下、５
５０℃において加圧炭化し、さらに常圧下、１２００℃
で１時間炭化処理して炭素／炭素複合月利を得た。
得られた炭素／炭素複合材料は炭素繊維５０ＶＯＬ％お
よび炭素質マトリックス３０ＶＯＬ％から構成され、か
つ開孔空隙率が２０％であった。この炭素／炭素複合材
料を加熱炉中におき、５ｉＣｌ ４ （５０ｃｉ／ ｍ
１ｎ） ＋Ｃ３［ｉ ８（４０ｃｎｉ°／ ｍ ｉ ｎ
） −１−Ｈ２（２００ｃｍ°／ｍ１ｎ） のＵ合ガス
を流しながら、１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒで熱ＣＶＩ
を行い、開孔空隙部に気相分解により炭素およびＳｉＣ
を沈積充填し、続いて条件を１５００℃、 ３００Ｔｏ
ｒｒまで連続的に変化させながら、原料ガスも５ｉＣ１
４（５０ｃｉ ／ ｍ１ｎ） ＋ Ｃ３Ｈ８（４０ｃｉ
／ ｍ１ｎ）旧＋２（２００ｃｎｒ／ｍ１ｎ）からＳ
１ｃ１４（１７Ｏｃｔ ／ ｍ ｉｎ） ＋ Ｃ３Ｈ
８（４０ｃｉ ／ ｍ１ｎ） ＋ Ｈ２（７００ｃ／／
ｍ１ｎ）に連続的に変化させ、表面に熱ＣＶＤにより炭
素／ＳｉＣからＳｉＣに連続的に組成を変化しつつ沈積
被覆した。得られたものを偏光顕微鏡および走査電子顕
微鏡で観察したところ、炭素／炭素複合材料の空隙部に
ＣＶＩによる炭素／ Ｓ ｉ Ｃが均一に沈着しており
、表面にはＣＶＤによる炭素／ＳｉＣの沈着があり、そ
の間の組成は連続的に変化していた。また表面の剥離も
見られなかった。
よび炭素質マトリックス３０ＶＯＬ％から構成され、か
つ開孔空隙率が２０％であった。この炭素／炭素複合材
料を加熱炉中におき、５ｉＣｌ ４ （５０ｃｉ／ ｍ
１ｎ） ＋Ｃ３［ｉ ８（４０ｃｎｉ°／ ｍ ｉ ｎ
） −１−Ｈ２（２００ｃｍ°／ｍ１ｎ） のＵ合ガス
を流しながら、１１５０℃、 ５Ｔｏｒｒで熱ＣＶＩ
を行い、開孔空隙部に気相分解により炭素およびＳｉＣ
を沈積充填し、続いて条件を１５００℃、 ３００Ｔｏ
ｒｒまで連続的に変化させながら、原料ガスも５ｉＣ１
４（５０ｃｉ ／ ｍ１ｎ） ＋ Ｃ３Ｈ８（４０ｃｉ
／ ｍ１ｎ）旧＋２（２００ｃｎｒ／ｍ１ｎ）からＳ
１ｃ１４（１７Ｏｃｔ ／ ｍ ｉｎ） ＋ Ｃ３Ｈ
８（４０ｃｉ ／ ｍ１ｎ） ＋ Ｈ２（７００ｃ／／
ｍ１ｎ）に連続的に変化させ、表面に熱ＣＶＤにより炭
素／ＳｉＣからＳｉＣに連続的に組成を変化しつつ沈積
被覆した。得られたものを偏光顕微鏡および走査電子顕
微鏡で観察したところ、炭素／炭素複合材料の空隙部に
ＣＶＩによる炭素／ Ｓ ｉ Ｃが均一に沈着しており
、表面にはＣＶＤによる炭素／ＳｉＣの沈着があり、そ
の間の組成は連続的に変化していた。また表面の剥離も
見られなかった。
（実施例８）
実施例２の炭素／炭素複合材料を加熱炉中におき、１１
５０℃。
５０℃。
５ＴｏｒｒにおいてＣ３ｌＩ８（４０ｃｍ ／ ｍ ｉ
ｎ）の熱ＣＶＴを開始し、続いて３０分かけてガス組
成をＳｉＳｉＣ１４（５０／ｍ１ｎ）＋Ｃ３Ｈ８（４０
ｃｎｒ／ｍ１ｎ）−トＨ２（２００ｃｉ ／ ｍ ｉ
ｎ）、同しく １１５０℃、 ５Ｔｏｒｒにおける熱
ＣＶｌを行い、開孔空隙部に気相分解により炭素から炭
素／ＳｉＣの連続組織を沈積被覆した。続いて条件を１
５００℃、 ３００Ｔｏｒｒまて連続的に変化させなが
ら、原料ガスも５ｉＣ１４（５０ｃｉ ／ ｍ１ｎ）＋
Ｃ３Ｈ８（４０ｃｎｒ／ ｍ１ｎ） ＋［（２（２００
ｃｎｒ／ｍ１ｎ）からＳｉＳｉＣ１４（１７０／ ｍ１
ｎ）→−Ｃ３Ｈ８（４０ｃｎ？ ／ ｍ ｉ ｎ）刊（
２（７００ｃｍ ／ ｍ１ｎ）に連続的に変化させ、表
面に熱ＣＶＤにより炭素／ＳｉＣからＳｉＣに連続的に
組成を変化しつつ沈積被覆した。得られたものを偏光顕
微鏡および走査電子顕微鏡て観察したところ、炭素／炭
素複合材料の空隙部にＣＶＩによる炭素／ＳｉＣが均一
に沈着しており、表面にはＣＶＤによる炭素／ＳｉＣの
沈着があり、その間の組織および組成は連続的に変化し
ていた。また表面の剥離も見られなかった。
ｎ）の熱ＣＶＴを開始し、続いて３０分かけてガス組
成をＳｉＳｉＣ１４（５０／ｍ１ｎ）＋Ｃ３Ｈ８（４０
ｃｎｒ／ｍ１ｎ）−トＨ２（２００ｃｉ ／ ｍ ｉ
ｎ）、同しく １１５０℃、 ５Ｔｏｒｒにおける熱
ＣＶｌを行い、開孔空隙部に気相分解により炭素から炭
素／ＳｉＣの連続組織を沈積被覆した。続いて条件を１
５００℃、 ３００Ｔｏｒｒまて連続的に変化させなが
ら、原料ガスも５ｉＣ１４（５０ｃｉ ／ ｍ１ｎ）＋
Ｃ３Ｈ８（４０ｃｎｒ／ ｍ１ｎ） ＋［（２（２００
ｃｎｒ／ｍ１ｎ）からＳｉＳｉＣ１４（１７０／ ｍ１
ｎ）→−Ｃ３Ｈ８（４０ｃｎ？ ／ ｍ ｉ ｎ）刊（
２（７００ｃｍ ／ ｍ１ｎ）に連続的に変化させ、表
面に熱ＣＶＤにより炭素／ＳｉＣからＳｉＣに連続的に
組成を変化しつつ沈積被覆した。得られたものを偏光顕
微鏡および走査電子顕微鏡て観察したところ、炭素／炭
素複合材料の空隙部にＣＶＩによる炭素／ＳｉＣが均一
に沈着しており、表面にはＣＶＤによる炭素／ＳｉＣの
沈着があり、その間の組織および組成は連続的に変化し
ていた。また表面の剥離も見られなかった。
特許出願人 日本石油株式会社
同 平井敏雄
同 佐々木 真
＝１６−
Claims (2)
- （１）炭素繊維１０〜７０ＶＯＬ％および炭素質マトリ
ックス５〜９０ＶＯＬ％から構成され、かつ開孔空隙率
が１０〜５５％である炭素／炭素複合材料の開孔空隙部
に気相分解により炭素および／またはセラミックスを沈
積充填し、続いてこの充填物の表面に気相分解によりセ
ラミックスまたはセラミックスおよび炭素の両者を沈積
被覆することを特徴とする耐酸化性を有する炭素／炭素
複合材料の製造法。 - （２）沈積充填部分と沈積被覆部分が組織、構造あるい
は組成の少なくとも一つにおいて異なり、かつ組織、構
造あるいは組成の少なくとも一つを連続的に変化させる
ために、気相分解における温度、圧力、原料供給速度、
原料供給比の少なくとも一つを連続的に変化させること
を特徴とする請求項１に記載の炭素／炭素複合材料の製
造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076006A JP2722198B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 耐酸化性を有する炭素／炭素複合材料の製造法 |
| US07/329,977 US5045356A (en) | 1988-03-31 | 1989-03-29 | Process for producing carbon/carbon composite having oxidation resistance |
| DE68921660T DE68921660T2 (de) | 1988-03-31 | 1989-03-30 | Verfahren zur Herstellung eines oxidationsbeständigen Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbunds. |
| EP89303165A EP0336648B1 (en) | 1988-03-31 | 1989-03-30 | Process for producing carbon/carbon composite having oxidation resistance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076006A JP2722198B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 耐酸化性を有する炭素／炭素複合材料の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01249659A true JPH01249659A (ja) | 1989-10-04 |
| JP2722198B2 JP2722198B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=13592722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63076006A Expired - Lifetime JP2722198B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 耐酸化性を有する炭素／炭素複合材料の製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5045356A (ja) |
| EP (1) | EP0336648B1 (ja) |
| JP (1) | JP2722198B2 (ja) |
| DE (1) | DE68921660T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008019511A (ja) * | 1995-04-07 | 2008-01-31 | Soc Natl Etud Constr Mot Aviat <Snecma> | 様々な浸透パラメーターでの化学気相浸透方法 |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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