JPH0125242B2 - - Google Patents
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- JPH0125242B2 JPH0125242B2 JP58055353A JP5535383A JPH0125242B2 JP H0125242 B2 JPH0125242 B2 JP H0125242B2 JP 58055353 A JP58055353 A JP 58055353A JP 5535383 A JP5535383 A JP 5535383A JP H0125242 B2 JPH0125242 B2 JP H0125242B2
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- Japan
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- housing
- recess
- stripline
- signal
- planar microstrip
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-NJFSPNSNSA-N copper-66 Chemical compound [66Cu] RYGMFSIKBFXOCR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-AKLPVKDBSA-N copper-67 Chemical compound [67Cu] RYGMFSIKBFXOCR-AKLPVKDBSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
- H03D9/0641—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit located in a hollow waveguide
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0017—Intermediate frequency filter
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1408—Balanced arrangements with diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ミリ波信号ミキサ、即ち局部発振器
信号とラジオ周波数（R.F.）信号とを混合して中
間周波数（I.F.）を発生せしめるものであつてビ
ーム・リード・シヨツトキーバリヤ・ダイオード
を平衡状態に使用しているミキサに関する。本発
明は、従来のものに比して帯域幅および動作周波
数についての制限が比較的に少ない新規なタイプ
のミキサを提供するものである。周波数スペクト
ル中の可能なすべてのエミツタを広帯域幅でサー
チしなければならないレーダ、EHF，EMS，
ELINT等にあつては全波帯域ミキサは特に必要
なものである。
信号とラジオ周波数（R.F.）信号とを混合して中
間周波数（I.F.）を発生せしめるものであつてビ
ーム・リード・シヨツトキーバリヤ・ダイオード
を平衡状態に使用しているミキサに関する。本発
明は、従来のものに比して帯域幅および動作周波
数についての制限が比較的に少ない新規なタイプ
のミキサを提供するものである。周波数スペクト
ル中の可能なすべてのエミツタを広帯域幅でサー
チしなければならないレーダ、EHF，EMS，
ELINT等にあつては全波帯域ミキサは特に必要
なものである。
以下、図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明
する。
する。
第１図において、参照数字１０はミリ波ストリ
ツプライン・プレーナ広帯域ミキサを示し、この
ミキサは第１の端部４０、および第２の端部４
１、からなる細長いハウジング部材を有してい
る。このハウジング部材は第１および第２の矩形
状ブロツク部材１２および３２を備え、これの部
材は各々平坦面１３および３３を有している。
ツプライン・プレーナ広帯域ミキサを示し、この
ミキサは第１の端部４０、および第２の端部４
１、からなる細長いハウジング部材を有してい
る。このハウジング部材は第１および第２の矩形
状ブロツク部材１２および３２を備え、これの部
材は各々平坦面１３および３３を有している。
ハウジング部材１２および３２は、適当なネジ
（図示しない）を用いてブロツク１２に設けた孔
１９，２０，２１，２２ブロツク３２に設けたネ
ジ孔１９ａ，２０ａ，２１ａ，２２ａを介して面
１３および３３が互いに当接するように保持され
る。
（図示しない）を用いてブロツク１２に設けた孔
１９，２０，２１，２２ブロツク３２に設けたネ
ジ孔１９ａ，２０ａ，２１ａ，２２ａを介して面
１３および３３が互いに当接するように保持され
る。
細長いハウジング部材１２，３２は一方の端部
から他方の端部に延びる細長い封入部を有してい
る。この封入部はハウジング１２および３２のそ
れぞれの一方の端部から他方の端部に延伸する浅
い凹所１８および４２の対が上述のようにハウジ
ング１２および３２を一体的に固定したときに形
成される。この封入部内には細長い平坦ストリツ
プライン・ベース部材５０が配置される。第１図
に示すように、このストリツプライン・ベース部
材５０は細長い平坦な形状で、適当な絶縁材料、
例えば軟質のduroidよりなるコア部材を有してい
る。
から他方の端部に延びる細長い封入部を有してい
る。この封入部はハウジング１２および３２のそ
れぞれの一方の端部から他方の端部に延伸する浅
い凹所１８および４２の対が上述のようにハウジ
ング１２および３２を一体的に固定したときに形
成される。この封入部内には細長い平坦ストリツ
プライン・ベース部材５０が配置される。第１図
に示すように、このストリツプライン・ベース部
材５０は細長い平坦な形状で、適当な絶縁材料、
例えば軟質のduroidよりなるコア部材を有してい
る。
比較的深い第１の凹所１４はブロツク部材１２
に形成され、この凹所は封入部に整列するように
形成され、かつ上記封入部からブロツク内に向つ
てストリツプライン部材の一方の側の全面に亘つ
て、或はこの部材の全長に亘つて伸びている。矩
形状の凹所１４の深さは凹所３４の深さに等し
く、導波部の幅広い側の1/2に等しく形成する。
に形成され、この凹所は封入部に整列するように
形成され、かつ上記封入部からブロツク内に向つ
てストリツプライン部材の一方の側の全面に亘つ
て、或はこの部材の全長に亘つて伸びている。矩
形状の凹所１４の深さは凹所３４の深さに等し
く、導波部の幅広い側の1/2に等しく形成する。
比較的に深い第２の凹所３４はハウジング３２
に形成されている。この凹所は、上記ストリツプ
ライン部材の他方の側の比較的短かい一部に亘る
ようにハウジング部材の端部４０から伸び壁端３
６において終止する。凹所３４の深さは凹所１４
の深さに等しい。凹所３４の長さは局部発振器周
波の波長の３波長より長くする。従つて、この長
さはストリツプライン部材の導波部−マイクロス
トリツプライン遷移部５４，５５を収容するに充
分なものである。
に形成されている。この凹所は、上記ストリツプ
ライン部材の他方の側の比較的短かい一部に亘る
ようにハウジング部材の端部４０から伸び壁端３
６において終止する。凹所３４の深さは凹所１４
の深さに等しい。凹所３４の長さは局部発振器周
波の波長の３波長より長くする。従つて、この長
さはストリツプライン部材の導波部−マイクロス
トリツプライン遷移部５４，５５を収容するに充
分なものである。
ハウジング１２および３２が面１３および３３
を互に衝合せしめた状態で一体に固定されると、
比較的深い２つの凹所１４および３４は局部発振
器周波の受信口を形成する。この入口は第１図に
おいては「LO PORT」として示されている。ハ
ウジング１２，３２の第１の端部に局部発振器
（L.O.）信号を与える装置が必要であるが、これ
は図示していない。この装置は標準的なマイクロ
波アダプタ装置をハウジング１２および３２の端
面に取りつけるための複数のネジ孔４５を有して
いる。
を互に衝合せしめた状態で一体に固定されると、
比較的深い２つの凹所１４および３４は局部発振
器周波の受信口を形成する。この入口は第１図に
おいては「LO PORT」として示されている。ハ
ウジング１２，３２の第１の端部に局部発振器
（L.O.）信号を与える装置が必要であるが、これ
は図示していない。この装置は標準的なマイクロ
波アダプタ装置をハウジング１２および３２の端
面に取りつけるための複数のネジ孔４５を有して
いる。
ラジオ周波数（R.F.）入力口２５は封入部１
８，４２の軸に直角な軸２５′に沿つてハウジン
グ・ブロツク１２を貫通している。軸２５′はス
トリツプライン・ベース部材５０，５１の中心を
通過している。R.F.入力口は上記細長い封入部を
越えて軸２５′の方向に伸びハウジング・ブロツ
ク３２内に（R.F.の）波長の1/4だけ入つている。
R.F.入力口は矩形状をしており、幅２６、高さ２
７、奥行き２８を有している。ハウジング３２の
R.F.凹所は幅および高さに相当する寸法２６およ
び２７を有しており、奥行きはR.F.周波の波長の
１／４に等しく、壁端３０において終止している。
８，４２の軸に直角な軸２５′に沿つてハウジン
グ・ブロツク１２を貫通している。軸２５′はス
トリツプライン・ベース部材５０，５１の中心を
通過している。R.F.入力口は上記細長い封入部を
越えて軸２５′の方向に伸びハウジング・ブロツ
ク３２内に（R.F.の）波長の1/4だけ入つている。
R.F.入力口は矩形状をしており、幅２６、高さ２
７、奥行き２８を有している。ハウジング３２の
R.F.凹所は幅および高さに相当する寸法２６およ
び２７を有しており、奥行きはR.F.周波の波長の
１／４に等しく、壁端３０において終止している。
R.F.信号をR.F.入力口に印加する手段を、例え
ば、標準的なR.F.アダプタを適当なネジによりネ
ジ孔２４を介してハウジング１２に取りつけるよ
うにすることができる。
ば、標準的なR.F.アダプタを適当なネジによりネ
ジ孔２４を介してハウジング１２に取りつけるよ
うにすることができる。
細長い平坦なストリツプライン・ベース部材５
０の一側面は第１図に示す通りであるが、その他
の側面を第２図に示す。ストリツプライン・ベー
ス部材５０は上述の如く例えば軟質のduroidから
つくつた細長い片５１のようなプラスチツク材料
により構成することができ、この細長い片５１に
は薄い銅箔が被覆される。
０の一側面は第１図に示す通りであるが、その他
の側面を第２図に示す。ストリツプライン・ベー
ス部材５０は上述の如く例えば軟質のduroidから
つくつた細長い片５１のようなプラスチツク材料
により構成することができ、この細長い片５１に
は薄い銅箔が被覆される。
第１のプレーナ・マイクロストリツプ手段はス
トリツプライン・ベース部材５１にハウジングの
第１の端部４０から第２の深い凹所３４に整列し
て伸びるように設ける。第１のプレーナ・マイク
ロストリツプ手段は銅の細長い片５２，５３，５
４，５５を第１図に示した側に有しており、銅の
細長い片６６，６７は第２図に示す側に有してい
る。銅の細長い片５４はマイクロストリツプの下
方から延びてそこから上向きに上昇してマイクロ
ストリツプの長さ方向に延びる中央部分５５に到
る。他方の面についてみると、銅の細長い片６６
はマイクロストリツプの上端部或は上面近くから
出発して、次いで下向きに降下し、長さ方向に延
びる銅の細長い片６７に到る。この片６７は参照
数字３６′で示される点に迄達する。３６′で示さ
れる点は凹所３４の壁端３６に一致している。第
１図の参照数字３６′で示される点も、また、壁
端３６に一致している。参照数字３６″は第１の
プレーナ・マイクロストリツプ手段の終端部およ
び第２のプレーナ・マイクロストリツプ手段の始
端部をも示す点である。第２のマイクロストリツ
プ手段は第１図の点３６″から右方向に延びる細
長い平坦ストリツプライン・ベース部材の残余の
部分全体に及ぶものである。参照ライン３６″か
ら始まり、第１図において右方に延びる銅の細長
い片５２の継ぎ足し部は参照数字５２′で示され
ている；銅の細長い片５３の継ぎ足し部は参照数
字５３′で示される；銅の細長い片５５は参照ラ
イン３６″の少し右側の所で終止しており、そこ
において短かいギヤツプ５６があり、ギヤツプの
右からは長さ方向に銅の細長い片５７が連続して
いる。細長い片５７はR.F.入力口基準軸２５′を
超えて右方に延びる。銅の細長い片５７の右端部
には長さ方向に延びる短かい細片５９および６１
により相互接続し大きい矩形状銅箔部分５８，６
０，６２よりなる低或通過フイルタがあり、この
フイルタはR.O.信号は遮断するが、中間周波（I.
F.）信号は通過させる働きをする。第２図の参照
ライン３６′から左方のベース部５１全面はR.F.
入力口２５（幅２６′高さ２７′で示される）に対
応する部分を除いて銅箔で覆われている。開孔６
９の軸は軸２５′に整列している。上記の銅箔は
６８で示されている。
トリツプライン・ベース部材５１にハウジングの
第１の端部４０から第２の深い凹所３４に整列し
て伸びるように設ける。第１のプレーナ・マイク
ロストリツプ手段は銅の細長い片５２，５３，５
４，５５を第１図に示した側に有しており、銅の
細長い片６６，６７は第２図に示す側に有してい
る。銅の細長い片５４はマイクロストリツプの下
方から延びてそこから上向きに上昇してマイクロ
ストリツプの長さ方向に延びる中央部分５５に到
る。他方の面についてみると、銅の細長い片６６
はマイクロストリツプの上端部或は上面近くから
出発して、次いで下向きに降下し、長さ方向に延
びる銅の細長い片６７に到る。この片６７は参照
数字３６′で示される点に迄達する。３６′で示さ
れる点は凹所３４の壁端３６に一致している。第
１図の参照数字３６′で示される点も、また、壁
端３６に一致している。参照数字３６″は第１の
プレーナ・マイクロストリツプ手段の終端部およ
び第２のプレーナ・マイクロストリツプ手段の始
端部をも示す点である。第２のマイクロストリツ
プ手段は第１図の点３６″から右方向に延びる細
長い平坦ストリツプライン・ベース部材の残余の
部分全体に及ぶものである。参照ライン３６″か
ら始まり、第１図において右方に延びる銅の細長
い片５２の継ぎ足し部は参照数字５２′で示され
ている；銅の細長い片５３の継ぎ足し部は参照数
字５３′で示される；銅の細長い片５５は参照ラ
イン３６″の少し右側の所で終止しており、そこ
において短かいギヤツプ５６があり、ギヤツプの
右からは長さ方向に銅の細長い片５７が連続して
いる。細長い片５７はR.F.入力口基準軸２５′を
超えて右方に延びる。銅の細長い片５７の右端部
には長さ方向に延びる短かい細片５９および６１
により相互接続し大きい矩形状銅箔部分５８，６
０，６２よりなる低或通過フイルタがあり、この
フイルタはR.O.信号は遮断するが、中間周波（I.
F.）信号は通過させる働きをする。第２図の参照
ライン３６′から左方のベース部５１全面はR.F.
入力口２５（幅２６′高さ２７′で示される）に対
応する部分を除いて銅箔で覆われている。開孔６
９の軸は軸２５′に整列している。上記の銅箔は
６８で示されている。
１対のミキサ・ダイオード７０および７１は、
第３図に示すように、銅箔部５３′，５７，５
２′間に互に直列に接続されている。ダイオード
７０は中間部５７と上側の細長い銅箔片５２′と
の間に接続され、ダイオード７１は下側の銅の細
長い片５３′から中間の細長い片５７に接続され
ている。これらのダイオードは同一方向に直列に
接続されていてR.F.入力口２５の２５′上に配置
されている。第１図および第４図はI.F.出力手段
をマイクロストリツプに取りつけ方の詳細を示し
ている。I.F.出力コネクタ９１は出力接続手段９
２を有し、この手段９２は部分９３を備え、その
先にマイクロストリツプ上の銅箔部分６２に結合
した導体９４がある。I.F.コネクタ９１は更に複
数の開孔９６を有し、これによつてI.F.コネクタ
をミキサに取り付ける。
第３図に示すように、銅箔部５３′，５７，５
２′間に互に直列に接続されている。ダイオード
７０は中間部５７と上側の細長い銅箔片５２′と
の間に接続され、ダイオード７１は下側の銅の細
長い片５３′から中間の細長い片５７に接続され
ている。これらのダイオードは同一方向に直列に
接続されていてR.F.入力口２５の２５′上に配置
されている。第１図および第４図はI.F.出力手段
をマイクロストリツプに取りつけ方の詳細を示し
ている。I.F.出力コネクタ９１は出力接続手段９
２を有し、この手段９２は部分９３を備え、その
先にマイクロストリツプ上の銅箔部分６２に結合
した導体９４がある。I.F.コネクタ９１は更に複
数の開孔９６を有し、これによつてI.F.コネクタ
をミキサに取り付ける。
第５図は２個のブロツク部材１２および３２が
互に合体した状態を示している。互に合体するこ
とによつて比較的に浅い細長い凹所１８および４
２はハウジング部材の一方の端部から他方の端部
に亘る細長い封入部を形成し、従つてこの中に細
長い平坦ストリツプライン・ベース部材を収容す
ることができる。更に、比較的に深い封入部１４
も第５図に示されている。同図には、また短かい
が、比較的に深い凹所３４も点線によつて示され
ている。更に、R.F.入力口２５はハウジング部材
１２を貫通し、その一部分はハウジング部材３２
に入り壁端３５において終止している様子も図示
されている。
互に合体した状態を示している。互に合体するこ
とによつて比較的に浅い細長い凹所１８および４
２はハウジング部材の一方の端部から他方の端部
に亘る細長い封入部を形成し、従つてこの中に細
長い平坦ストリツプライン・ベース部材を収容す
ることができる。更に、比較的に深い封入部１４
も第５図に示されている。同図には、また短かい
が、比較的に深い凹所３４も点線によつて示され
ている。更に、R.F.入力口２５はハウジング部材
１２を貫通し、その一部分はハウジング部材３２
に入り壁端３５において終止している様子も図示
されている。
次に、動作について説明する。局部発振器信号
はL.O.入力口に印加される。第１のプレーナ・マ
イクロストリツプ手段はマイクロストリツプ遷移
部への導波部として動作し、局部発振器信号を１
対のミキサ・ダイオード７０および７１に結合す
る。基板に接合したダイオードは局部発振器信号
により逆相で励起される。これらのダイオードは
取り付け手段２４によりハウジング１２に取り付
けられたR.F.信号源からR.F.入力口を経て入力さ
れたR.F.入力信号により同相で励起される。その
結果は対称型ハイブリツド・ジヤンクシヨンに依
るものであり、R.F.信号と局部発振器の分離は本
質的に高く、周波数に無関係である。I.F.出力は
マイクロストリツプ低域通過フイルタ５８〜６２
を介して取り出される。これらフイルタは局部発
振器エネルギを阻止するものである。ダイオード
のジヤンクシヨン対称特性によつて、マイクロス
トリツプ・ラインにR.F.信号は存在しない；従つ
て、I.F.出力フイルタはR.F.信号整合に影響を与
えない。このことによつて、帯域および周波数変
換損失を改善することができる。
はL.O.入力口に印加される。第１のプレーナ・マ
イクロストリツプ手段はマイクロストリツプ遷移
部への導波部として動作し、局部発振器信号を１
対のミキサ・ダイオード７０および７１に結合す
る。基板に接合したダイオードは局部発振器信号
により逆相で励起される。これらのダイオードは
取り付け手段２４によりハウジング１２に取り付
けられたR.F.信号源からR.F.入力口を経て入力さ
れたR.F.入力信号により同相で励起される。その
結果は対称型ハイブリツド・ジヤンクシヨンに依
るものであり、R.F.信号と局部発振器の分離は本
質的に高く、周波数に無関係である。I.F.出力は
マイクロストリツプ低域通過フイルタ５８〜６２
を介して取り出される。これらフイルタは局部発
振器エネルギを阻止するものである。ダイオード
のジヤンクシヨン対称特性によつて、マイクロス
トリツプ・ラインにR.F.信号は存在しない；従つ
て、I.F.出力フイルタはR.F.信号整合に影響を与
えない。このことによつて、帯域および周波数変
換損失を改善することができる。
従来の最も多く使用されているタイプのマイク
ロストリツプ・ライン・ミキサは狭帯域幅用にし
か供することができないものであるが、本発明は
周波数独立ハイブリツド・ジヤンクシヨンを使用
することにより上述の用途限定は不要となる。更
に、本発明においては、全回路は単一の基板に組
み込まれることとなり、その結果、製造コストは
低下し、条件の悪い環境のもとにおいても信頼度
は高くなる。
ロストリツプ・ライン・ミキサは狭帯域幅用にし
か供することができないものであるが、本発明は
周波数独立ハイブリツド・ジヤンクシヨンを使用
することにより上述の用途限定は不要となる。更
に、本発明においては、全回路は単一の基板に組
み込まれることとなり、その結果、製造コストは
低下し、条件の悪い環境のもとにおいても信頼度
は高くなる。
L.O.周波数範囲は26ないし100GHzでありR.F.
周波数範囲は26ないし100GHzであり、そしてI.F.
周波数範囲は０ないし14GHzである。
周波数範囲は26ないし100GHzであり、そしてI.F.
周波数範囲は０ないし14GHzである。
第１図は本発明の装置の分解斜視図、第２図は
第１図の平坦ストリツプライン・ベース部材の背
面を示す図、第３図は第１図に示される１対のミ
キサ・ダイオードの接続部分の詳細を説明するた
めの拡大図、第４図は第１図に示されるマイクロ
ストリツプからI.F.出力手段への接続の詳細を示
す拡大図、第５図は第１図に示される装置を組み
立てた場合のR.F.入力口の軸２５′を含む縦断面
を示す図である。 １２，３２……ハウジング部材、１４，３４…
…深い凹所、２５……ラジオ周波数入口、４０…
…第１の端部、４１……第２の端部、４５……印
加手段、５０……ストリツプライン・ベース部
材、５２，５３，５４，５５……プレーナ・マイ
クロストリツプ手段、５８，６０，６２……フイ
ルタ手段、７０，７１……ミキサ・ダイオード、
９１，９２，９３……I.F.出力手段。
第１図の平坦ストリツプライン・ベース部材の背
面を示す図、第３図は第１図に示される１対のミ
キサ・ダイオードの接続部分の詳細を説明するた
めの拡大図、第４図は第１図に示されるマイクロ
ストリツプからI.F.出力手段への接続の詳細を示
す拡大図、第５図は第１図に示される装置を組み
立てた場合のR.F.入力口の軸２５′を含む縦断面
を示す図である。 １２，３２……ハウジング部材、１４，３４…
…深い凹所、２５……ラジオ周波数入口、４０…
…第１の端部、４１……第２の端部、４５……印
加手段、５０……ストリツプライン・ベース部
材、５２，５３，５４，５５……プレーナ・マイ
クロストリツプ手段、５８，６０，６２……フイ
ルタ手段、７０，７１……ミキサ・ダイオード、
９１，９２，９３……I.F.出力手段。
Claims (1)
- １ (a)第１の端部４０および第２の端部４１を有
する細長いハウジング部材１２，３２と(b)上記ハ
ウジングの一方の端部から他方の端部にわたつて
延びる細長い封入部と(c)前記の細長い封入部内に
配置された細長い平坦なストリツプライン・ベー
ス部材５０と、(d)前記封入部から上記ストリツプ
ライン部材の一方の側の全長に沿つて延びるよう
に前記ハウジング部材に形成された比較的に深い
第１の凹所１４と、(e)上記封入部からストリツプ
ライン部材の他方の側の前記ハウジング部材の第
１の端部を始点として比較的に短かい部分に沿つ
て延びるように前記ハウジング部材に形成された
比較的に深い第２の凹所３４と、(f)上記第１の凹
所１４と直交するハウジング部材を通過しそし
て、このハウジング部材内に1/4波長の分だけ細
長い封入部を超えて侵入しているラジオ周波数
（R.F.）入力口２５と、(g)上記ストリツプライ
ン・ベース部材上に上記ハウジング部材の第１の
端部からハウジング内の上記第２の凹所に整列し
て延伸するように形成された第１のプレーナ・マ
イクロストリツプ手段５２，５３，５４，５５
と、(h)上記ストリツプライン・ベース部材上に形
成されそして上記第１のプレーナ・マイクロスト
リツプ手段に接続して二つから上記ハウジング部
材の第２の端部に延びる第１の端部を有する第２
のプレーナ・マイクロストリツプ手段５２′，５
３′，５７と、(i)互に直列に接続され、上記第２
のプレーナ・マイクロストリツプ手段に対して上
記R.F.入力口の軸に整列する位置において接続さ
れた１対のミキサ・ダイオードと、(j)局部発振器
（L.O.）信号を上記ハウジングの第１の端部に対
して印加し、さらに局部発振器入力口を構成する
比較的に深い第１および第２の凹所の端部にも印
加し、さらに上記第１のプレーナ・マイクロスト
リツプ手段の端部に印加するための手段４５と、
(k)R.F.信号をR.F.入力口に印加して二つから上記
１対のミキサ・ダイオードに信号を入力せしめて
上記L.O.信号と混合し、中間周波（I.F.）信号を
発生するための手段２４と、(l)上記ハウジングの
他端部に取りつけられ、上記第２のプレーナ・マ
イクロストリツプ手段に接続するI.F.出力手段９
１，９２，９３と、（ｍ）上記I.F.出力手段と上
記１対のミキサ・ダイオードとの間に配置された
上記第２のプレーナ・マイクロストリツプ手段の
フイルタ手段５８，６０，６２とからなることを
特徴とするミリ波ストリツプライン広帯域ミキ
サ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US364289 | 1982-04-01 | ||
| US06/364,289 US4412354A (en) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | Millimeter-wave stripline planar mixer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202604A JPS58202604A (ja) | 1983-11-25 |
| JPH0125242B2 true JPH0125242B2 (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=23433853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055353A Granted JPS58202604A (ja) | 1982-04-01 | 1983-04-01 | ミリ波用ストリツプライン・プレ−ナ・広帯域ミキサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4412354A (ja) |
| EP (1) | EP0091042B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58202604A (ja) |
| DE (1) | DE3364147D1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2528239A1 (fr) * | 1982-06-08 | 1983-12-09 | Thomson Csf | Melangeur d'ondes electromagnetiques hyperfrequences |
| US4461041A (en) * | 1983-01-05 | 1984-07-17 | Zenith Radio Corporation | Integrated RF receiver/waveguide |
| US4590617A (en) * | 1984-01-30 | 1986-05-20 | Sperry Corporation | Hermetically sealed planar structure for high frequency device |
| US4679249A (en) * | 1984-02-15 | 1987-07-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Waveguide-to-microstrip line coupling arrangement and a frequency converter having the coupling arrangement |
| JPS60245318A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-05 | Sharp Corp | 導波管型イメ−ジ抑圧ミキサ |
| EP0185446A3 (en) * | 1984-10-12 | 1988-03-30 | British Aerospace Public Limited Company | Transmitter/receiver |
| US4641369A (en) * | 1984-11-29 | 1987-02-03 | Trw Inc. | Local oscillator and mixer assembly |
| US4811426A (en) * | 1987-05-07 | 1989-03-07 | Martin Marietta Corporation | Suspended stripline rat race mixer with simplified I. F. extraction |
| US5062149A (en) * | 1987-10-23 | 1991-10-29 | General Dynamics Corporation | Millimeter wave device and method of making |
| US4864645A (en) * | 1988-05-26 | 1989-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Harmonically pumped monolithic planar doped barrier mixer |
| US4955079A (en) * | 1989-09-29 | 1990-09-04 | Raytheon Company | Waveguide excited enhancement and inherent rejection of interference in a subharmonic mixer |
| US5125110A (en) * | 1990-10-17 | 1992-06-23 | Valentine Research, Inc. | Microstripline microwave mixer using waveguide filter |
| IT1284025B1 (it) * | 1996-06-18 | 1998-05-08 | Italtel Spa | Convertitore di frequenza per applicazioni alle onde radio millimetriche |
| US6624716B2 (en) * | 2002-01-03 | 2003-09-23 | Raytheon Company | Microstrip to circular waveguide transition with a stripline portion |
| AU2003216700A1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-13 | Farran Technology Limited | "an upconverter" |
| US7027833B1 (en) | 2003-04-03 | 2006-04-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Dual band superheterodyne receiver |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3584306A (en) * | 1967-09-18 | 1971-06-08 | George Ctirad Spacek | High frequency converter |
| NL7704644A (nl) * | 1977-04-28 | 1978-10-31 | Hollandse Signaalapparaten Bv | Mengelement. |
| FR2450507A1 (fr) * | 1979-03-01 | 1980-09-26 | Lignes Telegraph Telephon | Melangeur hyperfrequence |
| US4276655A (en) * | 1979-10-29 | 1981-06-30 | Sperry Corporation | Integrated circuit planar high frequency mixer |
-
1982
- 1982-04-01 US US06/364,289 patent/US4412354A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-03-26 EP EP83103016A patent/EP0091042B1/en not_active Expired
- 1983-03-26 DE DE8383103016T patent/DE3364147D1/de not_active Expired
- 1983-04-01 JP JP58055353A patent/JPS58202604A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4412354A (en) | 1983-10-25 |
| JPS58202604A (ja) | 1983-11-25 |
| EP0091042B1 (en) | 1986-06-18 |
| EP0091042A1 (en) | 1983-10-12 |
| DE3364147D1 (de) | 1986-07-24 |
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