JPH01252535A - 超電導体の製造方法 - Google Patents
超電導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH01252535A JPH01252535A JP63080114A JP8011488A JPH01252535A JP H01252535 A JPH01252535 A JP H01252535A JP 63080114 A JP63080114 A JP 63080114A JP 8011488 A JP8011488 A JP 8011488A JP H01252535 A JPH01252535 A JP H01252535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- heat
- gas atmosphere
- oxygen
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- 229910014454 Ca-Cu Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- -1 lithium Chemical class 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導体の製造方法に関し、より詳しくは高密
度で超電導体の結晶構造を育成する時間を短縮したＢｉ
−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方法に関
する。
度で超電導体の結晶構造を育成する時間を短縮したＢｉ
−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方法に関
する。
従来の超電導体は主にＬ −Ｂａ −Ｃｕ系酸化物（Ｌ
はＹ 、 Ｓｃ 、ランタノイド元素）であり、この代
表的な調法は原料粉末を所定の割合で混合し、８００〜
９００℃で熱処理した後、粉砕、成形して８５０〜９５
０℃で焼成して焼結体とし、この焼結体の臨界温度を高
くするために空気中あるいは酸素ガス中で室温まで徐冷
するか酸素ガス中で低い温度（３００〜４００℃）で熱
処理していた。
はＹ 、 Ｓｃ 、ランタノイド元素）であり、この代
表的な調法は原料粉末を所定の割合で混合し、８００〜
９００℃で熱処理した後、粉砕、成形して８５０〜９５
０℃で焼成して焼結体とし、この焼結体の臨界温度を高
くするために空気中あるいは酸素ガス中で室温まで徐冷
するか酸素ガス中で低い温度（３００〜４００℃）で熱
処理していた。
しかし、この超電導体はＹ 、 Ｌａ等が資源的に乏し
いため高価であることと臨界温度が約９０°にと限界に
直面していた。
いため高価であることと臨界温度が約９０°にと限界に
直面していた。
そこで最近、資源的に入手しゃすいＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−
Ｃｕ系酸化物の超電導体が発見された。この超′電導体
はＢｉ２Ｏ３，ＳｒＣＯ３，ＣａＯ９ＣｕＯを所定の割
合で計量した後、十分混合して７００〜８００℃で７１
１１熱した後、粉砕成形して８００〜８４０°で焼成し
て焼結体としたものと言われており、新聞情報によれば
臨界温度、零抵抗温度とも一段と向上したデータが得ら
れたとしている。又、別の新聞情報によればに、ｌｉ等
のアルカリ金属を微量添加する試みもなされており、こ
のものは添加しないものと比べ超電導特性は余り変わら
ないもののＢ１−Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体
の融点を３０−１５０℃も下げることが可能となった。
Ｃｕ系酸化物の超電導体が発見された。この超′電導体
はＢｉ２Ｏ３，ＳｒＣＯ３，ＣａＯ９ＣｕＯを所定の割
合で計量した後、十分混合して７００〜８００℃で７１
１１熱した後、粉砕成形して８００〜８４０°で焼成し
て焼結体としたものと言われており、新聞情報によれば
臨界温度、零抵抗温度とも一段と向上したデータが得ら
れたとしている。又、別の新聞情報によればに、ｌｉ等
のアルカリ金属を微量添加する試みもなされており、こ
のものは添加しないものと比べ超電導特性は余り変わら
ないもののＢ１−Ｓｒ −Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体
の融点を３０−１５０℃も下げることが可能となった。
Ｂ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物はＹ−Ｂａ−Ｃｕ系酸
化物に比べて融点が低く、各元素の混合割合が低い酸化
物を出発物質とした場合約８５０℃、元素が均一に混合
した共沈法、ゾルグル法の粉末を用いた場合でも約８８
０℃で部分融解が始まる。従ってこの温度より低温で焼
結処理しなければならないので焼結体の密度、機械強度
の低いものしか得られない。この問題を解決するために
、本件出願人は先にＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物を
融点以上で溶解した後、融点未満の温度で熱処理するこ
とにより焼結密度の高い超電導体が得られることを発見
して特許出願した。この方法では融解後、融点以下に冷
却し、凝固させた材料はそのままでは半導体であるので
超電導体の結晶構造を成長させるために７５０〜８５０
℃で熱処理する。ここで一般に結晶成長は処理温度が高
い程、進行が速く、又結晶内の欠陥も少ない傾向にある
。ところが融解後、凝固させた材料を熱処理する温度は
融点以下に限定され、材料内部の超電導体の結晶を成長
させ、超電導特性を向上させるためには熱処理時間を長
くする必要が有シ、また超電導体結晶内の欠陥も多い傾
向にあった。
化物に比べて融点が低く、各元素の混合割合が低い酸化
物を出発物質とした場合約８５０℃、元素が均一に混合
した共沈法、ゾルグル法の粉末を用いた場合でも約８８
０℃で部分融解が始まる。従ってこの温度より低温で焼
結処理しなければならないので焼結体の密度、機械強度
の低いものしか得られない。この問題を解決するために
、本件出願人は先にＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物を
融点以上で溶解した後、融点未満の温度で熱処理するこ
とにより焼結密度の高い超電導体が得られることを発見
して特許出願した。この方法では融解後、融点以下に冷
却し、凝固させた材料はそのままでは半導体であるので
超電導体の結晶構造を成長させるために７５０〜８５０
℃で熱処理する。ここで一般に結晶成長は処理温度が高
い程、進行が速く、又結晶内の欠陥も少ない傾向にある
。ところが融解後、凝固させた材料を熱処理する温度は
融点以下に限定され、材料内部の超電導体の結晶を成長
させ、超電導特性を向上させるためには熱処理時間を長
くする必要が有シ、また超電導体結晶内の欠陥も多い傾
向にあった。
本件発明者は上記の問題を解決すべく鋭意研究を進めた
結果．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物の融点は熱処理
中の雰囲気ガスの種類により変化し、特に窒素ガス等の
酸素ガスを宮まない雰囲気中では酸素ガス中に比較して
約３０℃も融点が低いことを見出した。本件発明者はこ
の知見を応用し、当該酸化物を窒素ガス等の面素ガス貧
含有ガス中で融解した後、酸素ガスを含む雰囲気で同じ
温度あるいは更に温度を上昇させることにより結晶育成
時間を短縮し、焼結密度の高い超電導体を製造する本発
明を完成した。
結果．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物の融点は熱処理
中の雰囲気ガスの種類により変化し、特に窒素ガス等の
酸素ガスを宮まない雰囲気中では酸素ガス中に比較して
約３０℃も融点が低いことを見出した。本件発明者はこ
の知見を応用し、当該酸化物を窒素ガス等の面素ガス貧
含有ガス中で融解した後、酸素ガスを含む雰囲気で同じ
温度あるいは更に温度を上昇させることにより結晶育成
時間を短縮し、焼結密度の高い超電導体を製造する本発
明を完成した。
すなわち、本件発明の要旨はＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系
酸化物超電導体の製造方法において、当該酸化物を酸素
ガス貧含有ガス雰囲気で加熱融解した後、酸素ガス富含
有ガス雰囲気で熱処理することを特徴とする超電導体の
製造方法にある。
酸化物超電導体の製造方法において、当該酸化物を酸素
ガス貧含有ガス雰囲気で加熱融解した後、酸素ガス富含
有ガス雰囲気で熱処理することを特徴とする超電導体の
製造方法にある。
以下、本発明の詳細な説明するが、本発明において、酸
素ガス貧含有ガス雰囲気とは窒素ガス、アルコ゛ンガス
等の不活性ガス等の酸素ガスを全く含まないか、あるい
は含んでいても少量、具体的には酸素ガス１０％未満の
ガス雰囲気を意味する。
素ガス貧含有ガス雰囲気とは窒素ガス、アルコ゛ンガス
等の不活性ガス等の酸素ガスを全く含まないか、あるい
は含んでいても少量、具体的には酸素ガス１０％未満の
ガス雰囲気を意味する。
又、酸素ガス富含有ガス雰囲気とは前記酸素ガス貧含有
ガス雰囲気よりも酸素がスを多く含むガス雰囲気を意味
し、工業的には空気、酸素ガス等が好適に使用される。
ガス雰囲気よりも酸素がスを多く含むガス雰囲気を意味
し、工業的には空気、酸素ガス等が好適に使用される。
本発明における原料はＢｉ 、 Ｓｒ 、 Ｃａ 、
Ｃｕの酸化物、水酸化物、無機酸塩、有機酸塩等を用い
ることができる。夫々の原料は粉末状態で混合したもの
、又は共沈法、ゾルグル法、スプレードライ法等で炸裂
して用いる。原料の混合比は元素比でＢｉ ： Ｓｒ
： Ｃａ ： Ｃｕ ＝ １ ： １ ： １ ： ２
が好ましい。
Ｃｕの酸化物、水酸化物、無機酸塩、有機酸塩等を用い
ることができる。夫々の原料は粉末状態で混合したもの
、又は共沈法、ゾルグル法、スプレードライ法等で炸裂
して用いる。原料の混合比は元素比でＢｉ ： Ｓｒ
： Ｃａ ： Ｃｕ ＝ １ ： １ ： １ ： ２
が好ましい。
又Ｂ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物の融点を降下させる
効果のある元素、特にアルカリ金属、例えばＫ 、 Ｌ
ｔ等の元素化合物を少量添加してもよい。
効果のある元素、特にアルカリ金属、例えばＫ 、 Ｌ
ｔ等の元素化合物を少量添加してもよい。
この混合物は次に酸素ガス貧含有ガス雰囲気で加熱して
融解する。融解温度は例えばＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系
酸化物で８５０〜８９０℃が好ましく、アルカリ金属等
の化合物の添加の場合は、添加物の種類および量に応じ
て若干低い温度に設定する。
融解する。融解温度は例えばＢ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系
酸化物で８５０〜８９０℃が好ましく、アルカリ金属等
の化合物の添加の場合は、添加物の種類および量に応じ
て若干低い温度に設定する。
融解はそのまま融解してもよく、また加熱処理したのち
成形したものを融解してもよい。
成形したものを融解してもよい。
加熱、成形する場合は例えば粉末混合法を例にとるとＢ
ｉ２Ｏ，ｒ ＳｒＣＯ３、ＣａＯ、ＣｕＯの粉末を所定
の割合で計量して、湿式あるいは乾式混合した後例えば
大気中７００〜８００℃で熱処理し、原料を熱分解、焼
成した後、粉砕して、その後成形する。
ｉ２Ｏ，ｒ ＳｒＣＯ３、ＣａＯ、ＣｕＯの粉末を所定
の割合で計量して、湿式あるいは乾式混合した後例えば
大気中７００〜８００℃で熱処理し、原料を熱分解、焼
成した後、粉砕して、その後成形する。
原料混合物をそのまま融解する場合でも、加熱した後粉
砕して粉末とする場合でも融解に先立ち、粉末を有機系
のバインダーに混合し、アルミナ、ノルコニア、マグネ
シア、シリコン等のセラミツクス、又は銅、ステンレス
等の金属の基板にＡ？ターンを形成してもよい。又、ス
ゲレードライ法によって粉末を混合した水あるいは有機
系バインダーを基板に吹きつけて皮膜を形成する方法を
とってもよい。
砕して粉末とする場合でも融解に先立ち、粉末を有機系
のバインダーに混合し、アルミナ、ノルコニア、マグネ
シア、シリコン等のセラミツクス、又は銅、ステンレス
等の金属の基板にＡ？ターンを形成してもよい。又、ス
ゲレードライ法によって粉末を混合した水あるいは有機
系バインダーを基板に吹きつけて皮膜を形成する方法を
とってもよい。
以上述べた混合物、成形体、あるいは基板上に形成した
パターン、皮膜は前記したように酸素ガス貧含有ガス雰
囲気で融解するが、原料混合物をそのまま融解する場合
は、元素を均一に混合させるために完全に融解させるこ
とが好ましい。
パターン、皮膜は前記したように酸素ガス貧含有ガス雰
囲気で融解するが、原料混合物をそのまま融解する場合
は、元素を均一に混合させるために完全に融解させるこ
とが好ましい。
融解した材料は続いて酸素ガス富含有ガス雰囲気で熱処
理して超電導体の結晶構造を成長させる。
理して超電導体の結晶構造を成長させる。
この材料は雰囲気ガスを変えることによって融点を上昇
させることができるので熱処理温度は融解温度と同等か
あるいは高い方が好ましい。又、熱処理時間も３０分以
上行うのが好ましく、１０時間を超えて行っても余り意
味はない。このように酸素ガス貧含有ガス雰囲気で融解
させた材料では材料内の酸素が欠損しており、超電導を
示すことなく、酸素ガス富含有ガス雰囲気で熱処理する
ことで超電導特性が発現する。
させることができるので熱処理温度は融解温度と同等か
あるいは高い方が好ましい。又、熱処理時間も３０分以
上行うのが好ましく、１０時間を超えて行っても余り意
味はない。このように酸素ガス貧含有ガス雰囲気で融解
させた材料では材料内の酸素が欠損しており、超電導を
示すことなく、酸素ガス富含有ガス雰囲気で熱処理する
ことで超電導特性が発現する。
熱処理する方法は酸素ガス貧含有ガス雰囲気で融解後、
材料を室温に冷却してから再び酸素ガス富含有ガス雰囲
気で熱処理してもよいし、あるいは同じ熱処理炉内で雰
囲気ガスを酸素ガス貧含有ガス雰囲気から酸素ガス富含
有ガス雰囲気に置換して引き続き熱処理を行ってもよい
。
材料を室温に冷却してから再び酸素ガス富含有ガス雰囲
気で熱処理してもよいし、あるいは同じ熱処理炉内で雰
囲気ガスを酸素ガス貧含有ガス雰囲気から酸素ガス富含
有ガス雰囲気に置換して引き続き熱処理を行ってもよい
。
熱処理後の材料は冷却する。冷却については特に条件の
制限はない。本発明において、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ −０系
等で行われている５００℃以下での酸素雰囲気中での１
０時間以上の熱処理は必要なく、かえって材料の超電導
特性が悪化する。
制限はない。本発明において、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ −０系
等で行われている５００℃以下での酸素雰囲気中での１
０時間以上の熱処理は必要なく、かえって材料の超電導
特性が悪化する。
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。
〔実施例１〕
Ｂｉ２Ｏ３，ＳｒＣＯ３，ＣａＯ１Ｃｕ（ＯＨ）２を元
素比でＢｉ ： Ｓｒ ： Ｃａ ： Ｃｕ ＝ １
： ｌ 二１ ： ２の組成に秤量しエチルアルコール
を加え十分混合した後アルミナ基板上に入れ大気中８０
０℃で１２時間焼成した。得られた黒色粉末を粉砕混合
し、荷重７ｔ ｏ ｎ ７ｃｍ で１０８φ×１簡に成
形した。次にこの成形物を窒素ガス雰囲気下８６０℃、
１０分間融解し、次いで炉内の雰囲気がスを酸素がスに
変換した後、炉温を８８０℃上昇させ、固化した試料を
さらに２時間熱処理した。この後、加熱を止め材料を炉
内冷却し２時間後、炉が６００℃まで冷却された段階で
試料を炉から取り出し急冷した。このものの臨界温度Ｔ
ｃｏは１００°に、零抵抗温度Ｔｃｅは８５°にであっ
た。
素比でＢｉ ： Ｓｒ ： Ｃａ ： Ｃｕ ＝ １
： ｌ 二１ ： ２の組成に秤量しエチルアルコール
を加え十分混合した後アルミナ基板上に入れ大気中８０
０℃で１２時間焼成した。得られた黒色粉末を粉砕混合
し、荷重７ｔ ｏ ｎ ７ｃｍ で１０８φ×１簡に成
形した。次にこの成形物を窒素ガス雰囲気下８６０℃、
１０分間融解し、次いで炉内の雰囲気がスを酸素がスに
変換した後、炉温を８８０℃上昇させ、固化した試料を
さらに２時間熱処理した。この後、加熱を止め材料を炉
内冷却し２時間後、炉が６００℃まで冷却された段階で
試料を炉から取り出し急冷した。このものの臨界温度Ｔ
ｃｏは１００°に、零抵抗温度Ｔｃｅは８５°にであっ
た。
〔実施例２〕
実施例１で作製した原料粉をポリビニルアルコールに混
合してアルミナ基板上に線状を描いた後、窒素雰囲気８
６０℃で５分間融解し、次いで炉内を酸素雰囲気とし８
８０℃で固化した線状材を４０分間熱処理した。炉内で
徐冷した後、その特性を測定したところ、臨界温度Ｔｃ
ｏは１００°Ｋ、零抵抗温度は７５°にであった。
合してアルミナ基板上に線状を描いた後、窒素雰囲気８
６０℃で５分間融解し、次いで炉内を酸素雰囲気とし８
８０℃で固化した線状材を４０分間熱処理した。炉内で
徐冷した後、その特性を測定したところ、臨界温度Ｔｃ
ｏは１００°Ｋ、零抵抗温度は７５°にであった。
本発明に係る超電導体の製造方法によれば材料を一担融
解することで焼結体の密度向上、組成の均一化が容易と
なる。雰囲気ガスを酸素ガス貧含有ガス雰囲気から酸素
ガス富含有ガス雰囲気に変えることにより、融解温度と
同等あるいはさらに高い温度で熱処理できるので超電導
体結晶の育成時間の短縮、結晶粒成長による焼結度の向
上が図れる。
解することで焼結体の密度向上、組成の均一化が容易と
なる。雰囲気ガスを酸素ガス貧含有ガス雰囲気から酸素
ガス富含有ガス雰囲気に変えることにより、融解温度と
同等あるいはさらに高い温度で熱処理できるので超電導
体結晶の育成時間の短縮、結晶粒成長による焼結度の向
上が図れる。
融解、熱処理の温度差を０〜５０℃の狭い温度領域に限
定することが可能となるので基板の種類、超電導材料と
他の部材の構成上、処理温度の範囲に制約を受けるもの
、例えばデバイス用途の場合には有用の型造方法となる
。
定することが可能となるので基板の種類、超電導材料と
他の部材の構成上、処理温度の範囲に制約を受けるもの
、例えばデバイス用途の場合には有用の型造方法となる
。
又、本発明において材料を融解させることにより、Ｂｉ
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物はセラミックスや金
属の基板と反応することなく付着強度の高い、緻密で平
滑な超電導体の皮膜を形成することができる。
−Ｓｒ −Ｃａ −Ｃｕ系酸化物はセラミックスや金
属の基板と反応することなく付着強度の高い、緻密で平
滑な超電導体の皮膜を形成することができる。
本発明の方法により製造される超電導体材料は送電用線
材、マグネット線材、磁気シールド材、デバイス用配線
に好適に用いることができる。
材、マグネット線材、磁気シールド材、デバイス用配線
に好適に用いることができる。
Claims (2)
- １．Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ系酸化物超電導体の製造方
法において、当該酸化物を酸素ガス貧含有ガス雰囲気で
加熱融解した後、酸素ガス富含有ガス雰囲気で熱処理す
ることを特徴とする超電導体の製造方法。 - ２．酸素ガス貧含有ガス雰囲気での加熱融解温度が酸素
ガス富含有ガス雰囲気で熱処理温度よりも低温または同
温である請求項１記載の超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080114A JPH01252535A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080114A JPH01252535A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01252535A true JPH01252535A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13709159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63080114A Pending JPH01252535A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01252535A (ja) |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63080114A patent/JPH01252535A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gallagher et al. | Oxygen stoichiometry in Ba2YCu3Ox | |
| US5047391A (en) | Process for producing a high-temperature superconductor and also shaped bodies composed thereof | |
| EP0493007B1 (en) | Rare earth oxide superconducting material and process for producing the same | |
| US5077268A (en) | Procesing of superconducting ceramics using microwave energy | |
| JPH0492864A (ja) | 窒化アルミニウム粉末および焼結体およびその製造法 | |
| JPH01252535A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH0735296B2 (ja) | 高温超電導体およびその製造方法 | |
| JPH01201060A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| RU2064909C1 (ru) | Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата | |
| JPH0238359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH01208360A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2545443B2 (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPS63291815A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH01203257A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JP2859283B2 (ja) | 酸化物超電導体 | |
| JPH02252621A (ja) | 超電導繊維状結晶およびその製造方法 | |
| JPH01208359A (ja) | 超電導体の製造方法 | |
| JPH04139026A (ja) | 酸化物超伝導材料およびその製造方法 | |
| JPH03199159A (ja) | ビスマス系超電導体の製造法 | |
| JPH01176268A (ja) | 高温超伝導体の製造方法 | |
| JPH04119922A (ja) | Ｂｉ系酸化物超電導体の製造方法 | |
| JPH01160861A (ja) | 超電導セラミクスの異方成長法 | |
| JPS62252008A (ja) | マイクロ波用誘電体材料の製造方法 | |
| JPH03112810A (ja) | 酸化物超伝導膜の作製方法 | |
| JPH0196060A (ja) | 酸化物超伝導材料の製造方法 |