JPH01255194A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH01255194A JPH01255194A JP63081517A JP8151788A JPH01255194A JP H01255194 A JPH01255194 A JP H01255194A JP 63081517 A JP63081517 A JP 63081517A JP 8151788 A JP8151788 A JP 8151788A JP H01255194 A JPH01255194 A JP H01255194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- dielectric
- film
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 21
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は情報表示装置等に用いる薄膜ＥＬ素子、特に新
しい構成の絶縁層が採用された安定性の高い薄膜ＥＬ素
子に関する。
しい構成の絶縁層が採用された安定性の高い薄膜ＥＬ素
子に関する。
蛍光体物質に電圧を印加することにより発光させる、い
わゆるエレクトロルミネセンス（［ＥＬ）が１９３６年
に発見されて以来、面光源や表示装置への応用を目的と
して多くの研究開発が行われてきた。
わゆるエレクトロルミネセンス（［ＥＬ）が１９３６年
に発見されて以来、面光源や表示装置への応用を目的と
して多くの研究開発が行われてきた。
その間、種々の素子構造が検討されたが、現在ではＺｎ
Ｓ：Ｍｎ等の薄膜発光層を使用した交流駆動の薄ＩＩＸ
ＥＬ素子が発光輝度特性、安定性に優れ、各種の表示装
置として実用に供されている。
Ｓ：Ｍｎ等の薄膜発光層を使用した交流駆動の薄ＩＩＸ
ＥＬ素子が発光輝度特性、安定性に優れ、各種の表示装
置として実用に供されている。
第３図に代表的なＥＬ素子として刊行物「ニス・アイ・
デイ・７４・ダイジェスト・オブ・テクニカル・ペーパ
ーズ（ＳＩＤ ７４ ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｅｃｈｎ
ｉｃａｌ ｐａ−ｐｅｒｓ）Ｊの８４頁に発表された２
重絶縁型薄膜ＥＬ素子の断面図を示す。図において、こ
の２重絶縁型薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１１上に透明
電極１２．下部絶縁層１３２発光層１４．上部絶縁層１
５．背面電極１６が順次積層された素子構造を有してい
る。下部及び上部絶縁層１３．１５としては、Ｙ２Ｏ，
、Ｔａ２０５ 、 Ｓｉ。
デイ・７４・ダイジェスト・オブ・テクニカル・ペーパ
ーズ（ＳＩＤ ７４ ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ ｔｅｃｈｎ
ｉｃａｌ ｐａ−ｐｅｒｓ）Ｊの８４頁に発表された２
重絶縁型薄膜ＥＬ素子の断面図を示す。図において、こ
の２重絶縁型薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１１上に透明
電極１２．下部絶縁層１３２発光層１４．上部絶縁層１
５．背面電極１６が順次積層された素子構造を有してい
る。下部及び上部絶縁層１３．１５としては、Ｙ２Ｏ，
、Ｔａ２０５ 、 Ｓｉ。
Ｎ、 、 Ｓ ｉ Ｏ，、ＢａＴｉ０． 、５ｒＴｉＯ
，、Ａｌ１．０．等の絶縁体薄膜が真空蒸着やスパッタ
、プラズマＣＶＤ法により形成される。また、発光層１
４としては黄橙色に発光するＺｎＳ ： Ｍｎが最も高
輝度でありこれが実用的に多用されている。
，、Ａｌ１．０．等の絶縁体薄膜が真空蒸着やスパッタ
、プラズマＣＶＤ法により形成される。また、発光層１
４としては黄橙色に発光するＺｎＳ ： Ｍｎが最も高
輝度でありこれが実用的に多用されている。
このような薄膜ＥＬ素子は完全な面発光であるために視
認性に優れ、また微細なパターン化や時分割駆動性に優
れているために簡単なインデイケータから高精細大表示
容量の平型表示装置として広範に使用されることが期待
されている。
認性に優れ、また微細なパターン化や時分割駆動性に優
れているために簡単なインデイケータから高精細大表示
容量の平型表示装置として広範に使用されることが期待
されている。
第３図に素子構造を示したように薄膜ＥＬ素子にとって
発光層の両側に設けられた絶縁層の役割は重要である。
発光層の両側に設けられた絶縁層の役割は重要である。
即ち、絶縁層は素子破壊を招く過剰な電流を制限して安
定な発光動作を可能にすると共に、分極電界が形成され
ることにより電圧輝度特性の急峻性の付与にも大きな効
果がある。但し、この絶縁層の設置は絶縁層にも印加電
圧が分割されるために素子の発光動作に高い外部駆動電
圧が必要となる。また、交流駆動により実効的に発光層
内に流れる電流は絶縁層の容量に反比例して減少するた
めに輝度が低下するという問題がある。
定な発光動作を可能にすると共に、分極電界が形成され
ることにより電圧輝度特性の急峻性の付与にも大きな効
果がある。但し、この絶縁層の設置は絶縁層にも印加電
圧が分割されるために素子の発光動作に高い外部駆動電
圧が必要となる。また、交流駆動により実効的に発光層
内に流れる電流は絶縁層の容量に反比例して減少するた
めに輝度が低下するという問題がある。
従って、絶縁層の容量をあまり小さくすることはできず
、絶縁層の膜厚や材料を最適なものにすることは実用上
重要である。
、絶縁層の膜厚や材料を最適なものにすることは実用上
重要である。
絶縁材料については、製造が容易で絶縁性が高く特性的
にも安定な誘電体薄膜として従来よりＳｉＯ□、ＡらＱ
、、５ＩＪ４等が知られており、薄膜ＥＬ素子の絶縁層
に使用することができる。しかし、これらの材料の誘電
率は小さく、薄膜ＥＬ素子の絶縁層には薄い膜厚として
使用する必要がある。しかし、薄い膜ではピンホールが
発生しやすく、これを核とした絶縁破壊損傷が多発し、
製造歩留りや素子破壊に対する安定性に欠けるという問
題がある。
にも安定な誘電体薄膜として従来よりＳｉＯ□、ＡらＱ
、、５ＩＪ４等が知られており、薄膜ＥＬ素子の絶縁層
に使用することができる。しかし、これらの材料の誘電
率は小さく、薄膜ＥＬ素子の絶縁層には薄い膜厚として
使用する必要がある。しかし、薄い膜ではピンホールが
発生しやすく、これを核とした絶縁破壊損傷が多発し、
製造歩留りや素子破壊に対する安定性に欠けるという問
題がある。
これに対して比較的高い誘電率を有するＴａ、 ０．や
Ｔｉｅ、 、 ＺｒＯ，ｔ ＹｚＯ３，ＰｂＴｉ０ａ
ｔ ＢａＴｉ０ｉ ｔ ５ｒＴｉＯｚ等の薄膜は絶縁体
層としての使用が可能である。この場合は比較的厚い膜
厚とすることができ、ピンホールの発生並びに絶縁破壊
の発生数を大巾に減少しうる点で有利である。しかし５
発光特性を改善するための熱処理や長時間の動作により
電圧輝度特性の急峻性が損なわれたり、また、長時間に
わたって絶縁破壊の発生が散発的に続くといった問題が
ある。
Ｔｉｅ、 、 ＺｒＯ，ｔ ＹｚＯ３，ＰｂＴｉ０ａ
ｔ ＢａＴｉ０ｉ ｔ ５ｒＴｉＯｚ等の薄膜は絶縁体
層としての使用が可能である。この場合は比較的厚い膜
厚とすることができ、ピンホールの発生並びに絶縁破壊
の発生数を大巾に減少しうる点で有利である。しかし５
発光特性を改善するための熱処理や長時間の動作により
電圧輝度特性の急峻性が損なわれたり、また、長時間に
わたって絶縁破壊の発生が散発的に続くといった問題が
ある。
本発明の目的は上記問題を解決した薄膜ＥＬ素子を提供
することにある。
することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、基板上に電極、下
部絶縁層９発光層、上部絶縁層、電極が順次形成された
薄膜ＥＬ素子において、少なくとも前記下部絶縁層は第
１．第２．第３の誘電体層を順に積層した３層構造から
なり、中間の前記第２誘電体層は前記第１及び第３の誘
電体層よりも高い誘電率と厚い膜厚とを有するものであ
る。
部絶縁層９発光層、上部絶縁層、電極が順次形成された
薄膜ＥＬ素子において、少なくとも前記下部絶縁層は第
１．第２．第３の誘電体層を順に積層した３層構造から
なり、中間の前記第２誘電体層は前記第１及び第３の誘
電体層よりも高い誘電率と厚い膜厚とを有するものであ
る。
絶縁層として誘電率の高いＴａ２Ｏ，やＰｂＴｉ０ｉ
のスパッタ膜を使用し、ｚｎｓ：Ｍｎを発光層とした薄
膜ＥＬ素子を作成し、この素子の膜厚方向の組成分布を
５ＩＮＳにより分析した。熱処理工程や長時間の動作で
絶縁層内にＩＴＯ透明電極からのＩｎや背面電極のＡＱ
の拡散が観察された。また、ＺｎＳ ： Ｍｎ発光層内
にも絶縁層からのＴａやＴｉ、 Ｐｂ等の金属イオンや
絶縁層内を通り抜けてきたＡΩやＩｎ等の電極材料から
の拡散もａｍされた。このような構成膜の金属イオンの
拡散が、前述した高誘電率材料を絶縁層として使用した
場合の素子劣化に関与していると判断された９例えば、
発光層や絶縁層内、あるいは界面に拡散イオンによる不
純物準位が形成されることにより、電圧輝度特性がシフ
トしたり、印加電圧に対する発光輝度の立上り特性の急
峻性が損なわれたりする。また、発光層や絶縁層の欠陥
部に拡散イオンが集中し、絶縁破壊発生の核となる低抵
抗部位が形成される等の問題を生じる。これに対して、
本発明の薄膜ＥＬ素子の絶縁層は順次積層された第１．
第２．第３の誘電体膜からなる３層構造となっている。
のスパッタ膜を使用し、ｚｎｓ：Ｍｎを発光層とした薄
膜ＥＬ素子を作成し、この素子の膜厚方向の組成分布を
５ＩＮＳにより分析した。熱処理工程や長時間の動作で
絶縁層内にＩＴＯ透明電極からのＩｎや背面電極のＡＱ
の拡散が観察された。また、ＺｎＳ ： Ｍｎ発光層内
にも絶縁層からのＴａやＴｉ、 Ｐｂ等の金属イオンや
絶縁層内を通り抜けてきたＡΩやＩｎ等の電極材料から
の拡散もａｍされた。このような構成膜の金属イオンの
拡散が、前述した高誘電率材料を絶縁層として使用した
場合の素子劣化に関与していると判断された９例えば、
発光層や絶縁層内、あるいは界面に拡散イオンによる不
純物準位が形成されることにより、電圧輝度特性がシフ
トしたり、印加電圧に対する発光輝度の立上り特性の急
峻性が損なわれたりする。また、発光層や絶縁層の欠陥
部に拡散イオンが集中し、絶縁破壊発生の核となる低抵
抗部位が形成される等の問題を生じる。これに対して、
本発明の薄膜ＥＬ素子の絶縁層は順次積層された第１．
第２．第３の誘電体膜からなる３層構造となっている。
中央の第２の誘電体膜は膜厚の厚い高誘電率の誘電体薄
膜が使用されているのに対して第１．第３の誘電体膜は
誘電率は小さいが安定で、且つイオン拡散の障壁として
優れた性能をもつ物質が使用されており、その膜厚は薄
い。
膜が使用されているのに対して第１．第３の誘電体膜は
誘電率は小さいが安定で、且つイオン拡散の障壁として
優れた性能をもつ物質が使用されており、その膜厚は薄
い。
この第１．第３の誘電体膜を第２の誘電体膜の上下に積
層して上述したような高誘電率誘電体膜、電極、発光層
間の金属イオンの拡散が防止される。
層して上述したような高誘電率誘電体膜、電極、発光層
間の金属イオンの拡散が防止される。
この第１．第３の誘電体膜としてはＳｉ、Ｎ４．５ｉｎ
２゜５ｉＯＮ、 ＡＱ、Ｏ，、ＡＱＮ、 ＳｉＣ等を主
成分とした薄膜が使用される。また、膜厚は駆動電圧を
あまり高くさせず、且つ十分な拡散防止性能が発揮でき
る範囲として０．０２ｍから０．１４程度が好ましい。
２゜５ｉＯＮ、 ＡＱ、Ｏ，、ＡＱＮ、 ＳｉＣ等を主
成分とした薄膜が使用される。また、膜厚は駆動電圧を
あまり高くさせず、且つ十分な拡散防止性能が発揮でき
る範囲として０．０２ｍから０．１４程度が好ましい。
高誘電率の第２の誘電体膜としてはＴａ、Ｏ，、ＴｉＯ
□、 ＰｂＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３，ＺｒＯ，、Ｎｂ２
Ｏ，、５ｒＴｉＯ，等が使用され、膜厚はピンホール等
の発生が減少する０、２５虜以上とすることが好ましい
。なお、上部絶縁層、下部絶縁層の両方をともに３層構
造にする必要はなく、少なくとも下部絶縁層に上述のよ
うな３層構造とすれば実用上十分な効果を得ることがで
きる。
□、 ＰｂＴｉＯ３，ＢａＴｉＯ３，ＺｒＯ，、Ｎｂ２
Ｏ，、５ｒＴｉＯ，等が使用され、膜厚はピンホール等
の発生が減少する０、２５虜以上とすることが好ましい
。なお、上部絶縁層、下部絶縁層の両方をともに３層構
造にする必要はなく、少なくとも下部絶縁層に上述のよ
うな３層構造とすれば実用上十分な効果を得ることがで
きる。
以下に本発明の実施例について図を参照して説明する。
第１図において、ガラス基板１上に厚さ０．１ＬｓのＩ
ＴＯ膜を形成しこれを透明電極２とした０次に下部絶縁
層９の第１誘電体層３としてＳｉ、、Ｎ、の薄膜を０．
０５４の厚さに形成した後、第２誘電体層４として厚さ
０．４４のＴａ２Ｏ，膜で形成した。さらに第３誘電体
層５として、再びｏ、ｏｓａの厚さのＳｉ、Ｎ。
ＴＯ膜を形成しこれを透明電極２とした０次に下部絶縁
層９の第１誘電体層３としてＳｉ、、Ｎ、の薄膜を０．
０５４の厚さに形成した後、第２誘電体層４として厚さ
０．４４のＴａ２Ｏ，膜で形成した。さらに第３誘電体
層５として、再びｏ、ｏｓａの厚さのＳｉ、Ｎ。
薄膜を形成した。なお、これらの第１〜第３誘電体層３
，４．５はＳｉ、Ｎ４とＴａ、 Ｏ，焼結体ターゲット
を装備した高周波スパッタ装置により真空を破ることな
く連続的に成膜した。次に発光層６としてＺｎＳ：Ｍｎ
薄膜を真空蒸着により０．５．の厚さに形成した後、真
空中で５５０’Ｃ，１時間の熱処理を行った。
，４．５はＳｉ、Ｎ４とＴａ、 Ｏ，焼結体ターゲット
を装備した高周波スパッタ装置により真空を破ることな
く連続的に成膜した。次に発光層６としてＺｎＳ：Ｍｎ
薄膜を真空蒸着により０．５．の厚さに形成した後、真
空中で５５０’Ｃ，１時間の熱処理を行った。
この後、上部絶縁層７として再びＳｉ、Ｎ４薄膜を０゜
１２虜の厚さに形成した。最後にＡＱ薄膜の背面電極８
を形成し本実施例の薄膜ＥＬ素子を完成した。
１２虜の厚さに形成した。最後にＡＱ薄膜の背面電極８
を形成し本実施例の薄膜ＥＬ素子を完成した。
第２図にこの素子の電圧輝度特性を示す。図中、実施例
の素子Ａについて実線は初期特性であり。
の素子Ａについて実線は初期特性であり。
破線は２０００時間動作後の特性である。なお、参考と
して第１及び第３誘電体層を持たない従来型の薄膜ＥＬ
素子Ｂの特性をもあわせて示した。本実施例の素子Ａに
よれば、発光開始電圧は若干高いが、飽和輝度及び輝度
特性の急峻性に優れている。また、長時間動作により従
来素子では大巾に特性が変化するのに対して本実施例の
素子Ａの経時変化は僅かである。
して第１及び第３誘電体層を持たない従来型の薄膜ＥＬ
素子Ｂの特性をもあわせて示した。本実施例の素子Ａに
よれば、発光開始電圧は若干高いが、飽和輝度及び輝度
特性の急峻性に優れている。また、長時間動作により従
来素子では大巾に特性が変化するのに対して本実施例の
素子Ａの経時変化は僅かである。
また、従来素子Ｂでは絶縁破壊の発生がかなりあったが
、本実施例の素子Ａでは数分の１以下の発生数であった
。
、本実施例の素子Ａでは数分の１以下の発生数であった
。
なお、上部絶縁体層も下部絶縁体層と同じＳｉ。
Ｎ４＼Ｔａ、 Ｏ，＼Ｓｉ、 Ｎ、構成とした素子では
さらに絶縁破壊の発生数を少なくすることができた。ま
た、５ｉＪ４以外に第１あるいは第３誘電体層としてＳ
ｉｎ。
さらに絶縁破壊の発生数を少なくすることができた。ま
た、５ｉＪ４以外に第１あるいは第３誘電体層としてＳ
ｉｎ。
や５ｉＯＮ、 ＡＱ、Ｏ□ＡΩＮ、ＳｉＣを使用しても
ほぼ同様の効果を得た。勿論、第１及び第３誘電体層と
して同じ材料を使用する必要はなく、例えば密着性の改
善を考慮して第１誘電体層にＳｉｎ、を使用し、第３誘
電体層にＳｉＮを採用した素子でも良好な特性が得られ
た。
ほぼ同様の効果を得た。勿論、第１及び第３誘電体層と
して同じ材料を使用する必要はなく、例えば密着性の改
善を考慮して第１誘電体層にＳｉｎ、を使用し、第３誘
電体層にＳｉＮを採用した素子でも良好な特性が得られ
た。
以上詳述したように本発明の薄膜ＥＬ素子によれば、良
好な発光特性、即ち１発光電圧９発光輝度。
好な発光特性、即ち１発光電圧９発光輝度。
輝度特性の急峻性がバランス良く良好であり、経時変化
も少ない特性が得られる。また、本発明の素子は絶縁破
壊の発生も少なく高い製造歩留りと信頼性をもたらす意
味でも工業的価値の大なるものである。
も少ない特性が得られる。また、本発明の素子は絶縁破
壊の発生も少なく高い製造歩留りと信頼性をもたらす意
味でも工業的価値の大なるものである。
第１図は本発明の実施例の薄膜ＥＬ素子の断面構造を示
す図、第２図は実施例の素子と従来型の素子の電圧輝度
特性を示す図、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示
す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・
・第１誘電体層 ４・・・第２誘電体層５・・・
第３誘電体層 ６・・・発光層７・・・上部絶縁
層 ８・・・背面電極９・・・下部絶縁層
す図、第２図は実施例の素子と従来型の素子の電圧輝度
特性を示す図、第３図は従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示
す断面図である。 １・・・ガラス基板 ２・・・透明電極３・・
・第１誘電体層 ４・・・第２誘電体層５・・・
第３誘電体層 ６・・・発光層７・・・上部絶縁
層 ８・・・背面電極９・・・下部絶縁層
Claims (1)
- １． 基板上に電極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁層
、電極が順次形成された薄膜ＥＬ素子において、少なく
とも前記下部絶縁層は第１、第２、第３の誘電体層を順
に積層した３層構造からなり、中間の前記第２誘電体層
は前記第１及び第３の誘電体層よりも高い誘電率と厚い
膜厚とを有することを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081517A JPH01255194A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63081517A JPH01255194A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255194A true JPH01255194A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13748536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63081517A Pending JPH01255194A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255194A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6899916B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-05-31 | The Westaim Corporation | Composite substrate, EL panel using the same, and making method |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63081517A patent/JPH01255194A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6899916B2 (en) | 2001-10-29 | 2005-05-31 | The Westaim Corporation | Composite substrate, EL panel using the same, and making method |
| KR100497213B1 (ko) * | 2001-10-29 | 2005-06-28 | 더 웨스타임 코퍼레이션 | 복합기판 및 이를 사용한 ｅｌ패널과 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4482841A (en) | Composite dielectrics for low voltage electroluminescent displays | |
| JP2000173768A (ja) | 薄膜電界発光装置及びその製造方法 | |
| JPS61230296A (ja) | Ｅｌ素子とその製造方法 | |
| JPH01255194A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0156517B2 (ja) | ||
| JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
| JP2517629B2 (ja) | 薄膜ｅｌパネル | |
| JPH03112089A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH05326151A (ja) | 薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPS58175294A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JPH0516158B2 (ja) | ||
| JPH01146290A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS5832393A (ja) | 薄膜電場発光素子 | |
| JPS63158793A (ja) | 電場発光素子 | |
| JPH027390A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
| JPH0348879Y2 (ja) | ||
| JPS62150690A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6314833B2 (ja) | ||
| JPH0218895A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS6147097A (ja) | エレクトロルミネセンス素子 | |
| JPH046274B2 (ja) | ||
| JPS60177502A (ja) | 透明絶縁体 | |
| JPH01213991A (ja) | 透明電極基板とこれを用いたエレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPH01204394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH02301991A (ja) | Ｅｌディスプレイの製造方法 |