JPH01255802A - 多層光学素子 - Google Patents
多層光学素子Info
- Publication number
- JPH01255802A JPH01255802A JP8589588A JP8589588A JPH01255802A JP H01255802 A JPH01255802 A JP H01255802A JP 8589588 A JP8589588 A JP 8589588A JP 8589588 A JP8589588 A JP 8589588A JP H01255802 A JPH01255802 A JP H01255802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- index layers
- blank parts
- low
- blank
- Prior art date
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- Granted
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、低屈折率層と高屈折率層が両者の境界にお
ける光の反射を強める厚みで交互に形成された多層光学
素子に関する。
ける光の反射を強める厚みで交互に形成された多層光学
素子に関する。
「従来の技術」
第５図に示すように、石英やＢＫ−７などの光学ガラス
からなる基板３１上に、それぞれ対象波長領域において
光の吸収の少ない、Ｓ ｉ Ｏｔなどからなる相対的に
屈折率の低い層３２と、Ｔｉ０１などからなる相対的に
屈折率の高い層３３を、全体として１０数層〜２０数層
にわたって交互に形成して、高反射率の反射膜を構成し
たものが考えられている。
からなる基板３１上に、それぞれ対象波長領域において
光の吸収の少ない、Ｓ ｉ Ｏｔなどからなる相対的に
屈折率の低い層３２と、Ｔｉ０１などからなる相対的に
屈折率の高い層３３を、全体として１０数層〜２０数層
にわたって交互に形成して、高反射率の反射膜を構成し
たものが考えられている。
「発明が解決しようとする課題」
しかしながら、第５図に示す従来の多層光学素子のよう
に屈折率の異なる物質を交互に被着して反射膜を形成す
るときは、半導体レーザの端面などに反射膜を精度よく
形成するのが難かしい、最近注目されている極短波長領
域では光の吸収の少ない材料を得ることができないため
に反射膜を形成できない、などの不都合がある。
に屈折率の異なる物質を交互に被着して反射膜を形成す
るときは、半導体レーザの端面などに反射膜を精度よく
形成するのが難かしい、最近注目されている極短波長領
域では光の吸収の少ない材料を得ることができないため
に反射膜を形成できない、などの不都合がある。
そこで、この発明は、半導体レーザの端面などにも高反
射率の反射部を精度よく容易に形成することができ、高
反射率の反射部を備えた半導体レーザなどを容易に実現
することができるとともに、極短波長領域を対象波長領
域とする高反射率の反射体ないし反射部をも容易に実現
することができるようにしたものである。
射率の反射部を精度よく容易に形成することができ、高
反射率の反射部を備えた半導体レーザなどを容易に実現
することができるとともに、極短波長領域を対象波長領
域とする高反射率の反射体ないし反射部をも容易に実現
することができるようにしたものである。
「課題を解決するための手段」
この発明においては、低屈折率層と高屈折率層のいずれ
か一方をブランク部にする。
か一方をブランク部にする。
「作 用」
このように構成された、この発明の多層光学素子におい
ては、ブランク部を真空にし、またはブランク部に空気
や適当なガスを存在させることにより、ブランク部から
なる低屈折率層または高屈折率層が極短波長領域を含む
全波長領域において屈折率が１ないしほぼ１の光の吸収
を無視できるものとなり、高い反射率が得られる。
ては、ブランク部を真空にし、またはブランク部に空気
や適当なガスを存在させることにより、ブランク部から
なる低屈折率層または高屈折率層が極短波長領域を含む
全波長領域において屈折率が１ないしほぼ１の光の吸収
を無視できるものとなり、高い反射率が得られる。
「実施例」
第１図は、この発明の多層光学素子の一例である。
この例においては、基体１１にスリット構造のブランク
部１２が一定の厚みおよび一定のピッチで多数形成され
、対象波長領域に応じて基体１１の屈折率が１に対して
高低いずれかに選ばれて、ブランク部１２が高屈折率層
または低屈折率層とされ、基体１１のそれぞれのブラン
ク部１２の両側の層状部１３が低屈折率層または高屈折
率層とされる。例えば、基体１１がタングステンで形成
されるときは、ブランク部１２が高屈折率層となり、層
状部１３が低屈折率層となる。ブランク部１２および層
状部１３の厚みは、両者の境界における光の反射を強め
るように、対象波長領域と屈折率に応じて選定される。
部１２が一定の厚みおよび一定のピッチで多数形成され
、対象波長領域に応じて基体１１の屈折率が１に対して
高低いずれかに選ばれて、ブランク部１２が高屈折率層
または低屈折率層とされ、基体１１のそれぞれのブラン
ク部１２の両側の層状部１３が低屈折率層または高屈折
率層とされる。例えば、基体１１がタングステンで形成
されるときは、ブランク部１２が高屈折率層となり、層
状部１３が低屈折率層となる。ブランク部１２および層
状部１３の厚みは、両者の境界における光の反射を強め
るように、対象波長領域と屈折率に応じて選定される。
ブランク部１２は、基体１１へのドライエツチングなど
により、精度よく容易に形成することができる。
により、精度よく容易に形成することができる。
上述の多層光学素子は、その基体１１を真空中または空
気や適当なガス中に保持させる。これにより、ブランク
部１２は極短波長領域を含む全波長領域において屈折率
が１ないしほぼ１となり、ブランク部１２での波長に対
する屈折率の分散および光の吸収は無視できるものとな
って、高い反射率が得られる。
気や適当なガス中に保持させる。これにより、ブランク
部１２は極短波長領域を含む全波長領域において屈折率
が１ないしほぼ１となり、ブランク部１２での波長に対
する屈折率の分散および光の吸収は無視できるものとな
って、高い反射率が得られる。
第２図は、第１図の例の多層光学素子において、基体１
１をタングステンで形成して、ブランク部１２を高屈折
率層とし、層状部１３を低屈折率層とするとともに、ブ
ランク部１２を真空にしたものについて、光の入射角度
をブランク部１２の積層方向である法線方向に対して７
０°にし、波長領域を１０〜１００人にして、極短波長
領域での反射特性をコンピュータ・シミュレーションに
より求めた結果である。また、第３図は、ブランク部１
２の代わりに極短波長領域で光の吸収が少ないとされる
カーボンにより高屈折率層を形成し、他は上述と同じに
した場合の、同じく極短波長領域での反射特性をコンピ
ュータ・シミュレーションにより求めた結果である。
１をタングステンで形成して、ブランク部１２を高屈折
率層とし、層状部１３を低屈折率層とするとともに、ブ
ランク部１２を真空にしたものについて、光の入射角度
をブランク部１２の積層方向である法線方向に対して７
０°にし、波長領域を１０〜１００人にして、極短波長
領域での反射特性をコンピュータ・シミュレーションに
より求めた結果である。また、第３図は、ブランク部１
２の代わりに極短波長領域で光の吸収が少ないとされる
カーボンにより高屈折率層を形成し、他は上述と同じに
した場合の、同じく極短波長領域での反射特性をコンピ
ュータ・シミュレーションにより求めた結果である。
第２図および第３図から明らかなように、ブランク部１
２を高屈折率層とした例の、この発明の多層光学素子の
方が、１０〜１００人の極短波長領域全域で反射率が高
くなる。
２を高屈折率層とした例の、この発明の多層光学素子の
方が、１０〜１００人の極短波長領域全域で反射率が高
くなる。
第４図は、この発明の多層光学素子の他の例で、この発
明を半導体レーザに適用した場合である。
明を半導体レーザに適用した場合である。
この例においては、半導体からなる基体２１の中央部に
溝２２が形成され、溝２２に臨む基体２１の面２１ａ上
にクラッド層２３、活性層２４、クラッド層２５および
電極２６が順次形成されて、増幅媒質部が構成されると
ともに、この増幅媒質部の両側において基体２１に溝構
造のブランク部２８が一定の厚みおよび一定のピッチで
多数形成されて、ブランク部２８を低屈折率層とし、基
体２１のそれぞれのブランク部２８の両側の層状部２９
を高屈折率層とする反射部が構成される。例えば、Ｇａ
Ａｓ半導体レーザの場合、低屈折率層であるブランク部
２８の屈折率が１ないしほぼ１であるのに対して、高屈
折率層である層状部２９の屈折率は３．６となって、両
者の間に屈折率の大きな差が得られる。ブランク部２８
および層状部２９の厚みは、両者の境界における光の反
射を強めるように、対象波長領域と屈折率に応じて選定
される。
溝２２が形成され、溝２２に臨む基体２１の面２１ａ上
にクラッド層２３、活性層２４、クラッド層２５および
電極２６が順次形成されて、増幅媒質部が構成されると
ともに、この増幅媒質部の両側において基体２１に溝構
造のブランク部２８が一定の厚みおよび一定のピッチで
多数形成されて、ブランク部２８を低屈折率層とし、基
体２１のそれぞれのブランク部２８の両側の層状部２９
を高屈折率層とする反射部が構成される。例えば、Ｇａ
Ａｓ半導体レーザの場合、低屈折率層であるブランク部
２８の屈折率が１ないしほぼ１であるのに対して、高屈
折率層である層状部２９の屈折率は３．６となって、両
者の間に屈折率の大きな差が得られる。ブランク部２８
および層状部２９の厚みは、両者の境界における光の反
射を強めるように、対象波長領域と屈折率に応じて選定
される。
反射部は、増幅媒質部を形成したのちドライエツチング
などにより基体２１にブランク部２８を形成することに
より、精度よく容易に形成することができる。
などにより基体２１にブランク部２８を形成することに
より、精度よく容易に形成することができる。
この例においても、基体２１を真空中または適当なガス
中に保持させることにより、反射部において高い反射率
が得られる。そして、この例においては、増幅媒質部の
両側に高反射率の反射部が設けられることにより、レー
ザ光が増幅媒質部近辺に効率よく閉じ込められて伝搬す
る。
中に保持させることにより、反射部において高い反射率
が得られる。そして、この例においては、増幅媒質部の
両側に高反射率の反射部が設けられることにより、レー
ザ光が増幅媒質部近辺に効率よく閉じ込められて伝搬す
る。
「発明の効果Ｊ
この発明によれば、半導体レーザの端面などにも高反射
率の反射部を精度よく容易に形成することができ、高反
射率の反射部を備えた半導体レーザなどを容易に実現す
ることができるとともに、極短波長領域を対象波長領域
とする高反射率の反射体ないし反射部をも容易に実現す
ることができる。
率の反射部を精度よく容易に形成することができ、高反
射率の反射部を備えた半導体レーザなどを容易に実現す
ることができるとともに、極短波長領域を対象波長領域
とする高反射率の反射体ないし反射部をも容易に実現す
ることができる。
第１図はこの発明の多層光学素子の一例を示す斜視図、
第２図は第１図の素子で基体をタングステンにしたとき
のコンピュータ・シミュレーシヨンによる反射特性の結
果を示す図、第３図は第１図の素子のブランク部をカー
ボンにより形成された高屈折率層に代えた場合について
のコンピュータ・シミニレ−ジョンによる反射特性の結
果を示す図、第４図はこの発明の多層光学素子の他の例
である半導体レーザを示す断面図、第５図は従来の多層
光学素子を示す断面図である。
第２図は第１図の素子で基体をタングステンにしたとき
のコンピュータ・シミュレーシヨンによる反射特性の結
果を示す図、第３図は第１図の素子のブランク部をカー
ボンにより形成された高屈折率層に代えた場合について
のコンピュータ・シミニレ−ジョンによる反射特性の結
果を示す図、第４図はこの発明の多層光学素子の他の例
である半導体レーザを示す断面図、第５図は従来の多層
光学素子を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）低屈折率層と高屈折率層が両者の境界における光
の反射を強める厚みで交互に形成された多層光学素子に
おいて、 上記低屈折率層と上記高屈折率層のいずれか一方がブラ
ンク部にされた多層光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8589588A JPH01255802A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 多層光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8589588A JPH01255802A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 多層光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01255802A true JPH01255802A (ja) | 1989-10-12 |
| JPH0529881B2 JPH0529881B2 (ja) | 1993-05-06 |
Family
ID=13871618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8589588A Granted JPH01255802A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 多層光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01255802A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5070039A (ja) * | 1973-03-14 | 1975-06-11 |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8589588A patent/JPH01255802A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5070039A (ja) * | 1973-03-14 | 1975-06-11 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529881B2 (ja) | 1993-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |