JPS6239401B2 - - Google Patents
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- JPS6239401B2 JPS6239401B2 JP11956279A JP11956279A JPS6239401B2 JP S6239401 B2 JPS6239401 B2 JP S6239401B2 JP 11956279 A JP11956279 A JP 11956279A JP 11956279 A JP11956279 A JP 11956279A JP S6239401 B2 JPS6239401 B2 JP S6239401B2
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- Japan
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- thin film
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- prism
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- semi
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Landscapes
- Viewfinders (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
技術分野
本発明は、カメラの二重像合致式距離計フアイ
ンダーの光学系などに用いられるプリズム式の半
透過鏡に関する。 従来技術 従来、２個のプリズムを接合し、該接合面に光
半透過用の薄膜部を設ける構成の半透過鏡におい
て、該薄膜部は、金属薄膜を用いたものと、複数
の誘電体薄膜の組み合わせよりなる薄膜を用いた
ものとがある。前者の場合には、金属薄膜の膜厚
を変えることにより透過率と反射率との比をコン
トロールすることができるし、偏光に対する影響
も少ないという利点はあるものの、光を吸収する
現象を伴うために効率が悪いという欠点がある。
後者の場合には、光の吸収がないという利点はあ
るものの、偏光に対する影響が大きく、更に、透
過光量と反射光量との比のコントロールが困難
で、特に、反射光量を透過光量よりも多くするこ
とが困難である。 更に、USP3559090号によつて、金属薄膜の両
側を1.8〜2.5の高屈折率を有する誘電体薄膜でサ
ンドイツチするように構成して、偏光に対する影
響を金属薄膜のみの場合よりも更に少なくしたも
のが提案されているが、光を吸収する現象につい
ては改善されていない。 目 的 本発明は、上述のような従来の種々の欠点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、光学的性
能のバランスのよい半透過鏡を提供することにあ
る。 発明の要旨 上記目的を達成するために、本発明は、２個の
プリズムの接合面に設けられる光半透過用の薄膜
部の構成を、該薄膜部によつて反射される反射光
の通るプリズム側より他方のプリズム側へ、該プ
リズムの屈折率より低い屈折率を有する誘電体か
らなる誘電体薄膜、銀薄膜、該プリズムの屈折率
より高い屈折率を有する誘電体からなる誘電体薄
膜の順に構成した半透過鏡を提供するものであ
る。 実施例 第１図は、本発明の一実施例を示しており、第
１図において、ＰR，ＰTは互いに同屈折率を有す
るガラスからなる２個の直角プリズムであり、該
直角プリズムＰR，ＰTの互いの接合面に接着剤層
６と薄膜部Ｄとが設けられている。２個の直角プ
リズムＰR，ＰTのうち、入射光線ＩLが薄膜部Ｄ
によつて反射光線ＲLと透過光線ＴLとに分けられ
るとして、反射光線ＲLが通る方の直角プリズム
をＰR、他方の直角プリズムをＰTとする。薄膜部
Ｄの構成は、直角プリズムＰRの側から直角プリ
ズムＰTの側へ順に、直角プリズムＰR，ＰTを構
成するガラスの屈折率より低い屈折率を有する誘
電体からなる低屈折率誘電体薄膜Ｌ、銀薄膜
Ag、直角プリズムＰR，ＰTを構成するガラスの
屈折率より高い屈折率を有する誘電体からなる高
屈折率誘電体薄膜Ｈとなつている。 このような構成の半透過鏡を製造するには、ま
ず直角プリズムＰTに高屈折率誘電体薄膜Ｈを蒸
着し、その上に銀薄膜Agを蒸着し、その上に低
屈折率誘電体薄膜Ｌを蒸着して、最後に直角プリ
ズムＰTと直角プリズムＰRとを接着剤で接着すれ
ばよい。 低屈折率誘電体薄膜Ｌに用いられる誘電体は、
MgF2、チオライト、氷晶石など、直角プリズム
ＰR，ＰTを形成するガラスの屈折率よりも低い屈
折率を有するものであればよいが、稠密性が高く
て銀薄膜Agをよく保護するものが好ましい。高
屈折率誘電体薄膜Ｈに用いられる誘電体は、
ZnS、CeO2、ZrO2、TiO2など、直角プリズムＰ
R，ＰTを形成するガラスの屈折率よりも屈折率を
有するものであればよいが、屈折率が高いものを
用いるほど光の吸収を少なくすることができる。 接着剤層６は、薄膜部Ｄと直角プリズムＰTと
の間に設けてもよいが、そのように構成しようと
すれば、直角プリズムＰRに低屈折率誘電体薄膜
Ｌ、銀薄膜Ag、高屈折率誘電体薄膜Ｈの順に蒸
着して、その後直角プリズムＰRと直角プリズム
ＰTとを接着しなければならなくなり、高屈折率
誘電体薄膜Ｈの蒸着には基板温度をある程度まで
上げる必要があるので銀薄膜Agの蒸着前の方が
望ましく、従つて、接着剤層６は、直角プリズム
ＰRと薄膜部Ｄとの間の方が好ましい。 第２図は、第１図に示した半透過鏡を二重像合
致式距離計フアインダーの光学系に用いた適用例
を示すもので、逆ガリレオ系を構成するレンズ８
とレンズ１０との間に第１図の実施例の半透過鏡
を配置し、該半透過鏡によつて、レンズ８を通過
した撮影範囲観察用光線を透過させてレンズ１０
に導くとともに、反射ミラー１２によつて反射さ
れ中空ミラー１４を通過し像合致用可動レンズ１
６を透過した測距用光線、及び、視野枠表示窓１
８から入射し中空ミラー１４によつて反射されレ
ンズ２０を透過した撮影範囲表示用光線を反射し
てレンズ１０に導くように構成したものである。
第２図において、半透過鏡を透過する光線は、直
角プリズムＰTから入射し薄膜部Ｄを透過し直角
プリズムＰRを通つて該半透過鏡から射出するよ
うに構成されており、これは、直角プリズムＰ
R、薄膜部Ｄ、直角プリズムＰTの順に透過光線が
通る第１図の場合と光路が全く逆になつている
が、透過光線は各物質を通る順序によつてその性
質が変化しないので、第１図の実施例を第２図の
ように用いても問題はない。薄膜部Ｄによつて反
射される光線の通る順序は、第１図の場合と第２
図の場合と全く同様である。 本実施例の効果を示すために、第１図の銀薄膜
Agの両側の誘電体薄膜をいろいろかえて、薄膜
部Ｄの透過率及び反射率などを計算した結果が第
１表に示されている。第１表は、薄膜部Ｄの構成
を直角プリズムＰRの側から直角プリズムＰTの側
へ順に、 Ｌ―Ag―Ｈとした場合 Ｈ―Ag―Ｌとした場合 Ｌ―Ag―Ｌとした場合
ンダーの光学系などに用いられるプリズム式の半
透過鏡に関する。 従来技術 従来、２個のプリズムを接合し、該接合面に光
半透過用の薄膜部を設ける構成の半透過鏡におい
て、該薄膜部は、金属薄膜を用いたものと、複数
の誘電体薄膜の組み合わせよりなる薄膜を用いた
ものとがある。前者の場合には、金属薄膜の膜厚
を変えることにより透過率と反射率との比をコン
トロールすることができるし、偏光に対する影響
も少ないという利点はあるものの、光を吸収する
現象を伴うために効率が悪いという欠点がある。
後者の場合には、光の吸収がないという利点はあ
るものの、偏光に対する影響が大きく、更に、透
過光量と反射光量との比のコントロールが困難
で、特に、反射光量を透過光量よりも多くするこ
とが困難である。 更に、USP3559090号によつて、金属薄膜の両
側を1.8〜2.5の高屈折率を有する誘電体薄膜でサ
ンドイツチするように構成して、偏光に対する影
響を金属薄膜のみの場合よりも更に少なくしたも
のが提案されているが、光を吸収する現象につい
ては改善されていない。 目 的 本発明は、上述のような従来の種々の欠点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、光学的性
能のバランスのよい半透過鏡を提供することにあ
る。 発明の要旨 上記目的を達成するために、本発明は、２個の
プリズムの接合面に設けられる光半透過用の薄膜
部の構成を、該薄膜部によつて反射される反射光
の通るプリズム側より他方のプリズム側へ、該プ
リズムの屈折率より低い屈折率を有する誘電体か
らなる誘電体薄膜、銀薄膜、該プリズムの屈折率
より高い屈折率を有する誘電体からなる誘電体薄
膜の順に構成した半透過鏡を提供するものであ
る。 実施例 第１図は、本発明の一実施例を示しており、第
１図において、ＰR，ＰTは互いに同屈折率を有す
るガラスからなる２個の直角プリズムであり、該
直角プリズムＰR，ＰTの互いの接合面に接着剤層
６と薄膜部Ｄとが設けられている。２個の直角プ
リズムＰR，ＰTのうち、入射光線ＩLが薄膜部Ｄ
によつて反射光線ＲLと透過光線ＴLとに分けられ
るとして、反射光線ＲLが通る方の直角プリズム
をＰR、他方の直角プリズムをＰTとする。薄膜部
Ｄの構成は、直角プリズムＰRの側から直角プリ
ズムＰTの側へ順に、直角プリズムＰR，ＰTを構
成するガラスの屈折率より低い屈折率を有する誘
電体からなる低屈折率誘電体薄膜Ｌ、銀薄膜
Ag、直角プリズムＰR，ＰTを構成するガラスの
屈折率より高い屈折率を有する誘電体からなる高
屈折率誘電体薄膜Ｈとなつている。 このような構成の半透過鏡を製造するには、ま
ず直角プリズムＰTに高屈折率誘電体薄膜Ｈを蒸
着し、その上に銀薄膜Agを蒸着し、その上に低
屈折率誘電体薄膜Ｌを蒸着して、最後に直角プリ
ズムＰTと直角プリズムＰRとを接着剤で接着すれ
ばよい。 低屈折率誘電体薄膜Ｌに用いられる誘電体は、
MgF2、チオライト、氷晶石など、直角プリズム
ＰR，ＰTを形成するガラスの屈折率よりも低い屈
折率を有するものであればよいが、稠密性が高く
て銀薄膜Agをよく保護するものが好ましい。高
屈折率誘電体薄膜Ｈに用いられる誘電体は、
ZnS、CeO2、ZrO2、TiO2など、直角プリズムＰ
R，ＰTを形成するガラスの屈折率よりも屈折率を
有するものであればよいが、屈折率が高いものを
用いるほど光の吸収を少なくすることができる。 接着剤層６は、薄膜部Ｄと直角プリズムＰTと
の間に設けてもよいが、そのように構成しようと
すれば、直角プリズムＰRに低屈折率誘電体薄膜
Ｌ、銀薄膜Ag、高屈折率誘電体薄膜Ｈの順に蒸
着して、その後直角プリズムＰRと直角プリズム
ＰTとを接着しなければならなくなり、高屈折率
誘電体薄膜Ｈの蒸着には基板温度をある程度まで
上げる必要があるので銀薄膜Agの蒸着前の方が
望ましく、従つて、接着剤層６は、直角プリズム
ＰRと薄膜部Ｄとの間の方が好ましい。 第２図は、第１図に示した半透過鏡を二重像合
致式距離計フアインダーの光学系に用いた適用例
を示すもので、逆ガリレオ系を構成するレンズ８
とレンズ１０との間に第１図の実施例の半透過鏡
を配置し、該半透過鏡によつて、レンズ８を通過
した撮影範囲観察用光線を透過させてレンズ１０
に導くとともに、反射ミラー１２によつて反射さ
れ中空ミラー１４を通過し像合致用可動レンズ１
６を透過した測距用光線、及び、視野枠表示窓１
８から入射し中空ミラー１４によつて反射されレ
ンズ２０を透過した撮影範囲表示用光線を反射し
てレンズ１０に導くように構成したものである。
第２図において、半透過鏡を透過する光線は、直
角プリズムＰTから入射し薄膜部Ｄを透過し直角
プリズムＰRを通つて該半透過鏡から射出するよ
うに構成されており、これは、直角プリズムＰ
R、薄膜部Ｄ、直角プリズムＰTの順に透過光線が
通る第１図の場合と光路が全く逆になつている
が、透過光線は各物質を通る順序によつてその性
質が変化しないので、第１図の実施例を第２図の
ように用いても問題はない。薄膜部Ｄによつて反
射される光線の通る順序は、第１図の場合と第２
図の場合と全く同様である。 本実施例の効果を示すために、第１図の銀薄膜
Agの両側の誘電体薄膜をいろいろかえて、薄膜
部Ｄの透過率及び反射率などを計算した結果が第
１表に示されている。第１表は、薄膜部Ｄの構成
を直角プリズムＰRの側から直角プリズムＰTの側
へ順に、 Ｌ―Ag―Ｈとした場合 Ｈ―Ag―Ｌとした場合 Ｌ―Ag―Ｌとした場合
【表】
Ｈ―Ag―Ｈとした場合
及び比較のために、
Agのみの場合
の５つの場合について薄膜部Ｄの反射率及び透過
率の変化などを計算したものである。 計算に際して、銀薄膜Agの屈折率を0.13、吸
収係数を25.4とし、基準波長をλとして高屈折率
誘電体薄膜Ｈ及び低屈折率誘電体薄膜Ｌの膜厚を
λ／４とし、高屈折率誘電体薄膜Ｈの屈折率を
2.1とし、低屈折率誘電体薄膜Ｌの屈折率を1.38
として、銀薄膜Agの膜厚は薄膜部Ｄにおける透
過率Ｔと反射率Ｒとの比が、Ｔ：Ｒ≒１：1.5に
なるように設定した。第１表において、Ｒは反射
率、Ｔは透過率をそれぞれ示し、Ｐは入射面に平
行な面内の偏光成分に関する反射率あるいは透過
率を、Ｓは入射面に垂直な面内の偏光成分に関す
る反射率あるいは透過率をそれぞれ示している。
最下行は、Agの幾何学的の膜厚を示すものであ
る。第１表は、薄膜部Ｄへの光線の入射角を45゜
±15゜にして計算を行なつたものであるが、これ
を35゜±10゜及び55゜±10゜にして計算してもほ
ぼ同様の傾向を示す。尚、誘電体薄膜Ｈ，Ｌの薄
膜をλ／４より厚め（例えば0.3λ）にすると、
薄膜部Ｄにおける光の吸収はやや少なくなるが、
銀薄膜Agの反射特性が短波長側でややフラツト
でないので、誘電体薄膜Ｈ，Ｌの薄膜をλ／４よ
りやや薄めにして薄膜部Ｄにおける反射特性をフ
ラツトにした方がよい。 なお、誘電体薄膜のみの組合せからなるものに
ついては、上記〜のように透過率よりも反射
率を高くすることが困難であるので、はじめから
比較の対象外とした。 第１表を見ると、の場合が〜の場合に比
較して、Ｒ＋Ｔが比較的大きいために光の吸収が
少ないことがわかり、更に、入射角の変化による
反射率Ｒや透過率Ｔの変化が少なく、反射率Ｒあ
るいは透過率ＴにおいてＰとＳが大きく異ならな
いので偏光に対する影響が少ないこともわかるの
で、の場合すなわち薄膜部の構成をＬ―Ag―
Ｈとした場合が、他の場合に比べて光学的性能の
バランスが良いことがわかる。 効 果 本発明のように、２個のプリズムを接合し、該
接合面に光半透過用の薄膜部を設ける構成の半透
過鏡において、該薄膜部の構成を、該薄膜部によ
つて反射される反射光が通る側のプリズム側より
他方のプリズム側へ、該プリズムの屈折率より低
い屈折率を有する誘電体薄膜に次いで銀薄膜を配
し、次いで該プリズムの屈折率より高い屈折率を
有する誘電体薄膜を配するように構成することに
よつて、光の吸収が少なく、偏光に対する影響も
少なく、更に、透過及び反射特性を可視光線の波
長全域にわたつてほぼフラツトすることができ、
更に、前記薄膜部への光線の入射角の変化による
透過率と反射率との比の変化も少ないなど、光学
的性能のバランスのよい半透過鏡を得ることがで
きる。更に、本発明の半透過鏡は、薄膜部の銀薄
膜の膜厚を変えることにより透過率と反射率との
比を容易にコントロールすることができる。
率の変化などを計算したものである。 計算に際して、銀薄膜Agの屈折率を0.13、吸
収係数を25.4とし、基準波長をλとして高屈折率
誘電体薄膜Ｈ及び低屈折率誘電体薄膜Ｌの膜厚を
λ／４とし、高屈折率誘電体薄膜Ｈの屈折率を
2.1とし、低屈折率誘電体薄膜Ｌの屈折率を1.38
として、銀薄膜Agの膜厚は薄膜部Ｄにおける透
過率Ｔと反射率Ｒとの比が、Ｔ：Ｒ≒１：1.5に
なるように設定した。第１表において、Ｒは反射
率、Ｔは透過率をそれぞれ示し、Ｐは入射面に平
行な面内の偏光成分に関する反射率あるいは透過
率を、Ｓは入射面に垂直な面内の偏光成分に関す
る反射率あるいは透過率をそれぞれ示している。
最下行は、Agの幾何学的の膜厚を示すものであ
る。第１表は、薄膜部Ｄへの光線の入射角を45゜
±15゜にして計算を行なつたものであるが、これ
を35゜±10゜及び55゜±10゜にして計算してもほ
ぼ同様の傾向を示す。尚、誘電体薄膜Ｈ，Ｌの薄
膜をλ／４より厚め（例えば0.3λ）にすると、
薄膜部Ｄにおける光の吸収はやや少なくなるが、
銀薄膜Agの反射特性が短波長側でややフラツト
でないので、誘電体薄膜Ｈ，Ｌの薄膜をλ／４よ
りやや薄めにして薄膜部Ｄにおける反射特性をフ
ラツトにした方がよい。 なお、誘電体薄膜のみの組合せからなるものに
ついては、上記〜のように透過率よりも反射
率を高くすることが困難であるので、はじめから
比較の対象外とした。 第１表を見ると、の場合が〜の場合に比
較して、Ｒ＋Ｔが比較的大きいために光の吸収が
少ないことがわかり、更に、入射角の変化による
反射率Ｒや透過率Ｔの変化が少なく、反射率Ｒあ
るいは透過率ＴにおいてＰとＳが大きく異ならな
いので偏光に対する影響が少ないこともわかるの
で、の場合すなわち薄膜部の構成をＬ―Ag―
Ｈとした場合が、他の場合に比べて光学的性能の
バランスが良いことがわかる。 効 果 本発明のように、２個のプリズムを接合し、該
接合面に光半透過用の薄膜部を設ける構成の半透
過鏡において、該薄膜部の構成を、該薄膜部によ
つて反射される反射光が通る側のプリズム側より
他方のプリズム側へ、該プリズムの屈折率より低
い屈折率を有する誘電体薄膜に次いで銀薄膜を配
し、次いで該プリズムの屈折率より高い屈折率を
有する誘電体薄膜を配するように構成することに
よつて、光の吸収が少なく、偏光に対する影響も
少なく、更に、透過及び反射特性を可視光線の波
長全域にわたつてほぼフラツトすることができ、
更に、前記薄膜部への光線の入射角の変化による
透過率と反射率との比の変化も少ないなど、光学
的性能のバランスのよい半透過鏡を得ることがで
きる。更に、本発明の半透過鏡は、薄膜部の銀薄
膜の膜厚を変えることにより透過率と反射率との
比を容易にコントロールすることができる。
第１図は発明の一実施例を示す図、第２図は第
１図の実施例の半透過鏡をカメラのフアインダー
光学系に適用した適用例を示す図である。 Ｄ；薄膜部、Ag；銀薄膜、ＲR，ＰT；プリズ
ム、６；接着剤層、Ｌ；プリズムを形成するガラ
スの屈折率より低い屈折率を有する誘電体からな
る誘電体薄膜、Ｈ；プリズムを形成するガラスの
屈折率より高い屈折率を有する誘電体からなる誘
電体薄膜。
１図の実施例の半透過鏡をカメラのフアインダー
光学系に適用した適用例を示す図である。 Ｄ；薄膜部、Ag；銀薄膜、ＲR，ＰT；プリズ
ム、６；接着剤層、Ｌ；プリズムを形成するガラ
スの屈折率より低い屈折率を有する誘電体からな
る誘電体薄膜、Ｈ；プリズムを形成するガラスの
屈折率より高い屈折率を有する誘電体からなる誘
電体薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２個のプリズムを接合し、該接合面に光半透
過用の薄膜部を設ける構成の半透過鏡において、
該薄膜部が、該薄膜部によつて反射される反射光
の通るプリズム側より他方のプリズム側へ、Ｌ―
Ag―Ｈの順に構成されていることを特徴とする
半透過鏡； 但し、ここで、 Ｌ：前記プリズムより低い屈折率を有する誘電
体からなる誘電体薄膜、 Ag：銀薄膜、 Ｈ：前記プリズムより高い屈折率を有する誘電
体からなる誘電体薄膜、 である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11956279A JPS5643601A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Semipermeable mirror |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11956279A JPS5643601A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Semipermeable mirror |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5643601A JPS5643601A (en) | 1981-04-22 |
| JPS6239401B2 true JPS6239401B2 (ja) | 1987-08-22 |
Family
ID=14764392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11956279A Granted JPS5643601A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Semipermeable mirror |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5643601A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58159512U (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-24 | 株式会社東芝 | レ−ザビ−ム合成装置 |
| JPH0619482B2 (ja) * | 1983-07-26 | 1994-03-16 | ミノルタカメラ株式会社 | プリズム式ビ−ムスプリツタ |
-
1979
- 1979-09-17 JP JP11956279A patent/JPS5643601A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5643601A (en) | 1981-04-22 |
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