JPH01257354A - 気密封止型電子部品 - Google Patents
気密封止型電子部品Info
- Publication number
- JPH01257354A JPH01257354A JP63271573A JP27157388A JPH01257354A JP H01257354 A JPH01257354 A JP H01257354A JP 63271573 A JP63271573 A JP 63271573A JP 27157388 A JP27157388 A JP 27157388A JP H01257354 A JPH01257354 A JP H01257354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- metal
- metal substrate
- stem
- electroplating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は電子部品の気密封止用外囲器に係り、特に信頼
性の高い気密度を得るために金属製の外囲器部品にめっ
き被膜が施された気密封止用外囲器に関する。
性の高い気密度を得るために金属製の外囲器部品にめっ
き被膜が施された気密封止用外囲器に関する。
（従来の技術）
従来、電子部品例えばハイブリットＩＣ等を気密封止す
る外囲器（パッケージ）として、金属部材からなる蓋体
例えばシェルにめっき被膜を施し、このシェルをコール
ドシール（圧着接合）法により基台例えばステム金属基
体等の金属基板に圧着することで、信頼性の高い気密度
を得る気密封＋１−用外囲器が使用されている。
る外囲器（パッケージ）として、金属部材からなる蓋体
例えばシェルにめっき被膜を施し、このシェルをコール
ドシール（圧着接合）法により基台例えばステム金属基
体等の金属基板に圧着することで、信頼性の高い気密度
を得る気密封＋１−用外囲器が使用されている。
第４図はこのような従来の気密封止用外囲器の構造を示
す図で、同図に示したように、ステム金属基板１上に電
子部品２例えばハイブリットＩＣ等を接芒剤３等により
搭載し、このステム金属基板１上にシェル４をコールド
シール（圧着封止）法で気密封止した構造である。
す図で、同図に示したように、ステム金属基板１上に電
子部品２例えばハイブリットＩＣ等を接芒剤３等により
搭載し、このステム金属基板１上にシェル４をコールド
シール（圧着封止）法で気密封止した構造である。
この気密封止用外囲器は、電子デバイスの外囲器として
用いるもので、搭載された電子部品２の電極端子は、ボ
ンディングワイヤ５を介して、ステム金属基板１に貫通
して垂設されたステム絶縁シールリードピン６の端面ボ
スト６ａと電気的に接続されている。
用いるもので、搭載された電子部品２の電極端子は、ボ
ンディングワイヤ５を介して、ステム金属基板１に貫通
して垂設されたステム絶縁シールリードピン６の端面ボ
スト６ａと電気的に接続されている。
ステム金属基板１のステム絶縁シールリードピン貫通孔
６ｂとステム絶縁シールリードビン６間には、絶縁ガラ
ス７が充填されており、両者を絶縁している。
６ｂとステム絶縁シールリードビン６間には、絶縁ガラ
ス７が充填されており、両者を絶縁している。
ところでシェル４は、無酸素銅にニッケル無電めっき（
めっき厚さは５μｍ程度）８を施した部材からなり、一
方ステム金属基板１には第１層めっきとしてニッケル電
気めっき（成分：Ｎ１−ｐ１厚さ０，５〜１５μ會）９
、第２層めっきとしてニッケル無電気めっき（成分：Ｎ
ｉ、厚さ １−１５μｍ）８、第３層めっきとして全電
気めっき（成分ニー。
めっき厚さは５μｍ程度）８を施した部材からなり、一
方ステム金属基板１には第１層めっきとしてニッケル電
気めっき（成分：Ｎ１−ｐ１厚さ０，５〜１５μ會）９
、第２層めっきとしてニッケル無電気めっき（成分：Ｎ
ｉ、厚さ １−１５μｍ）８、第３層めっきとして全電
気めっき（成分ニー。
Ａｕ、厚さ０．０５〜５ ｕｔａ ） １１の３層めっ
きが施されている。
きが施されている。
このような気密封止用外囲器の製作は、Ｎ２ガス雰囲気
もしくは減圧雰囲気中で、無酸素銅板をプレス加工して
成型した後、シェル４表面にニッケル無電めっき８を施
し、１５トン〜３０トン容量のコールドシール装置（圧
着封止装置）により加圧力１１０〜１３５ｋｇ／ｃノ程
度で圧着封止して製作する。
もしくは減圧雰囲気中で、無酸素銅板をプレス加工して
成型した後、シェル４表面にニッケル無電めっき８を施
し、１５トン〜３０トン容量のコールドシール装置（圧
着封止装置）により加圧力１１０〜１３５ｋｇ／ｃノ程
度で圧着封止して製作する。
このコールドシール装置による圧着封止は、金型治具の
ポンチでステム金属基板１裏面側を加圧加］二しステム
金属基板１とシェル４の接合部を圧着させる。この時、
第５図に示したように、変形量が最も大きいシェル４と
ステム金属基板１の界面部においては、ステム側のめっ
き被膜およびシェル側のめっき被膜は加工変形時に飛散
して、シェル素材の無酸素銅板とステム基板の鋼板が直
接、接触・接合された状態となっている。
ポンチでステム金属基板１裏面側を加圧加］二しステム
金属基板１とシェル４の接合部を圧着させる。この時、
第５図に示したように、変形量が最も大きいシェル４と
ステム金属基板１の界面部においては、ステム側のめっ
き被膜およびシェル側のめっき被膜は加工変形時に飛散
して、シェル素材の無酸素銅板とステム基板の鋼板が直
接、接触・接合された状態となっている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上述した従来の気密封止用外囲器では、ステ
ムとシェルの封止部をコールドシール装置により密着さ
せた場合、シェルに施したニッケル無電めっき被膜とス
テム金属基板の第２層めっきとして施したニッケル無電
めっき被膜が非常に硬質であることから、ステムとシェ
ルが加工変形する際に、これらめっきが共に破壊・飛散
し、圧着量が最も大きい部分の各めっき層がニッケル無
電めっき被膜層と共に飛散してしまい、シェル素材の銅
板とステム素材の鋼板の異種金属が直接接触する界面が
圧着部に生じる。
ムとシェルの封止部をコールドシール装置により密着さ
せた場合、シェルに施したニッケル無電めっき被膜とス
テム金属基板の第２層めっきとして施したニッケル無電
めっき被膜が非常に硬質であることから、ステムとシェ
ルが加工変形する際に、これらめっきが共に破壊・飛散
し、圧着量が最も大きい部分の各めっき層がニッケル無
電めっき被膜層と共に飛散してしまい、シェル素材の銅
板とステム素材の鋼板の異種金属が直接接触する界面が
圧着部に生じる。
このような圧着封止部界面の異種金属接触は、気密封止
不良発生の原因となっていた。
不良発生の原因となっていた。
すなわち、ステム金属基板の鋼板とシェルの銅板との熱
膨張率の差により、半田付は等による熱衝撃を受けた場
合に接合強度が劣化し、気密封止不良が生じる。例えば
リードビンに２６０℃程度の温度で半田付けする際や、
３５０℃、３秒×２回の半田耐熱試験を行う場合に、接
合強度が劣化し、気密封止不良が発生するという問題が
あった。
膨張率の差により、半田付は等による熱衝撃を受けた場
合に接合強度が劣化し、気密封止不良が生じる。例えば
リードビンに２６０℃程度の温度で半田付けする際や、
３５０℃、３秒×２回の半田耐熱試験を行う場合に、接
合強度が劣化し、気密封止不良が発生するという問題が
あった。
さらに、従来構造の気密封止用外囲器では、コールドシ
ールによる密着時に、めっき被膜が破壊されてステム素
材の鋼板が露出してしまうため、ステム変形加工部（凹
部）が発錆しやすくなり、例えば６０℃、湿度９０％の
耐湿試験等でも発錆してしまうという問題もあった。
ールによる密着時に、めっき被膜が破壊されてステム素
材の鋼板が露出してしまうため、ステム変形加工部（凹
部）が発錆しやすくなり、例えば６０℃、湿度９０％の
耐湿試験等でも発錆してしまうという問題もあった。
上述問題点、すなわち
■コールドシール後の気密不良
■半田付は後の気密不良発生
■半田耐熱試験後の気密不良発生
■ステム変形加工部（四部）の発錆
は、圧着封止部の異種金属接触による熱伝導度、熱膨脹
率のｔＵ違、および圧管部のステム変形加工部（凹部）
のめっき被膜が破壊されることによるステム金属基板素
材の露出に起因していた。
率のｔＵ違、および圧管部のステム変形加工部（凹部）
のめっき被膜が破壊されることによるステム金属基板素
材の露出に起因していた。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
ので、異種金属接触およびステム金属基板素材の露出を
防止し、気密性が大幅に向上する気密封止用外囲器を提
供することを目的とする。
ので、異種金属接触およびステム金属基板素材の露出を
防止し、気密性が大幅に向上する気密封止用外囲器を提
供することを目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明の気密封止用外囲器は、金属めっき層が複数層形
成された金属基体からなる基台金属基体と、この基台金
属基体上に搭載した電子部品と、この電子部品を気密封
止するため前記基台金属基体に圧着接合された、金属め
っき層により被覆された金属性蓋体とからなる気密封止
用外囲器において、前記基台金属基体に複数層形成され
た金属めっき層のうち前記基台金属基体表面から第２層
目の金属めっき層は、前記金属性蓋体と実質的に同種の
部材からなることを特徴とするものである。
成された金属基体からなる基台金属基体と、この基台金
属基体上に搭載した電子部品と、この電子部品を気密封
止するため前記基台金属基体に圧着接合された、金属め
っき層により被覆された金属性蓋体とからなる気密封止
用外囲器において、前記基台金属基体に複数層形成され
た金属めっき層のうち前記基台金属基体表面から第２層
目の金属めっき層は、前記金属性蓋体と実質的に同種の
部材からなることを特徴とするものである。
（作 用）
基台金属基体表面から第２層目の金属めっき層が金属性
蓋体と実質的に同種の部材からなることにより、圧着時
の接合部において、金属性蓋体素材と、基台金属基体の
第２層目の金属めっき層が均一に直接、接触した状態を
、信頼性（再現性）良く、かつ量産的に低コストで作る
ことができる。
蓋体と実質的に同種の部材からなることにより、圧着時
の接合部において、金属性蓋体素材と、基台金属基体の
第２層目の金属めっき層が均一に直接、接触した状態を
、信頼性（再現性）良く、かつ量産的に低コストで作る
ことができる。
従って、圧着時における金属性蓋体素材と基台金属基体
の金属基体素材の異種金属接触を防止し、さらには金属
基体素材の露出を防止でき、気密性を大幅に向上させる
ことができる。
の金属基体素材の異種金属接触を防止し、さらには金属
基体素材の露出を防止でき、気密性を大幅に向上させる
ことができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図を参照して説明する
。なお、第４図および第５図と同一部分には同一符号を
付して重複する部分の説明を省略する。
。なお、第４図および第５図と同一部分には同一符号を
付して重複する部分の説明を省略する。
第１図および第２図は実施例の構成を示す図で、ステム
に施すめっきとして、ステム金属基板１には第１層めっ
きとしてニッケル電気めっき（成分二Ｎｌ、厚さ５μｍ
）９、第２層めっきとして銅電気めっき（成分：Ｃｕ、
厚さ５μｍ）２１、第３層めっきとして金電気めっき（
成分：Ａｕ、厚さ０．３μｍ）１１が施されており、一
方、シェル４は無酸素銅上にニッケル無電めっき（成分
Ｎｉ・Ｐ１厚さ２μｍ）８が施された構造となっている
。
に施すめっきとして、ステム金属基板１には第１層めっ
きとしてニッケル電気めっき（成分二Ｎｌ、厚さ５μｍ
）９、第２層めっきとして銅電気めっき（成分：Ｃｕ、
厚さ５μｍ）２１、第３層めっきとして金電気めっき（
成分：Ａｕ、厚さ０．３μｍ）１１が施されており、一
方、シェル４は無酸素銅上にニッケル無電めっき（成分
Ｎｉ・Ｐ１厚さ２μｍ）８が施された構造となっている
。
本例の気密封止用外囲器は、このステム金属基板１とシ
ェル４とをコールドシール装置を用いて圧着して内部を
気密封止したものである。
ェル４とをコールドシール装置を用いて圧着して内部を
気密封止したものである。
このような構造の気密封止用外囲器では、ステム金属基
板１の第２層めっきとして、従来のステム金属基板の第
２層めっきに用いられていたニラ−ケル無電めっき（成
分：Ｎ１−Ｐ）に変えてシェルと同じ材質の銅電気めっ
き（成分：Ｃｕ）２１を、第３層めっきとして金電気め
っき（成分：Ａｕ）１１を用いたことで、圧着封止時に
おける圧若封止部界面のめっき飛散消失はなくなり、第
２図に示すように、変形部のステム金属基板１とシェル
４の界面に存在するめっき被膜はステムの銅めっきが主
体となり、シェル４の一部にニッケル無電めっき８、ス
テムのニッケル電気めっき９、金電気めっき１１が残存
した構造となる。すなわち、シェル４とステム金属基板
１との界面には、主体的に銅めっき被膜２１が介在し、
シェル素材の無酸素銅とステム素材の鋼板が直接接触す
ることがなくなり、同種金属に近い圧着接合になる。
板１の第２層めっきとして、従来のステム金属基板の第
２層めっきに用いられていたニラ−ケル無電めっき（成
分：Ｎ１−Ｐ）に変えてシェルと同じ材質の銅電気めっ
き（成分：Ｃｕ）２１を、第３層めっきとして金電気め
っき（成分：Ａｕ）１１を用いたことで、圧着封止時に
おける圧若封止部界面のめっき飛散消失はなくなり、第
２図に示すように、変形部のステム金属基板１とシェル
４の界面に存在するめっき被膜はステムの銅めっきが主
体となり、シェル４の一部にニッケル無電めっき８、ス
テムのニッケル電気めっき９、金電気めっき１１が残存
した構造となる。すなわち、シェル４とステム金属基板
１との界面には、主体的に銅めっき被膜２１が介在し、
シェル素材の無酸素銅とステム素材の鋼板が直接接触す
ることがなくなり、同種金属に近い圧着接合になる。
この現象を説明すると、加圧変形時に、シェル側の堅い
ニッケル無電めっき８は破壊飛散し、ステム側の第３層
めっきの軟かい薄膜である金電気めっき１１は加工時の
変形ですべって流動する。
ニッケル無電めっき８は破壊飛散し、ステム側の第３層
めっきの軟かい薄膜である金電気めっき１１は加工時の
変形ですべって流動する。
従って、接合部（コールドシール部）は、シェル素材の
無酸素銅と、ステム側の第２めっきの軟かい厚膜の銅電
気めっき２１が接触した状態となる。
無酸素銅と、ステム側の第２めっきの軟かい厚膜の銅電
気めっき２１が接触した状態となる。
この際、ステム側の軟かい第１層めっきのニッケル電気
めっき９は加工変形時破れないで伸びることにより、ス
テム側の銅電気めっき層２１の下層として連続な被膜で
存在する。
めっき９は加工変形時破れないで伸びることにより、ス
テム側の銅電気めっき層２１の下層として連続な被膜で
存在する。
以上説明したように、同種金属に近い圧着接合となるた
め、両者の熱膨脹率の差が緩和され、これによる気密封
止不良の発生が皆無となった。本例の気密封止用外囲器
を用いて３５０℃の半田耐熱試験後、即冷水に浸漬する
強制試験を４〜５回繰返したところ、気密不良の発生は
全く無かった。
め、両者の熱膨脹率の差が緩和され、これによる気密封
止不良の発生が皆無となった。本例の気密封止用外囲器
を用いて３５０℃の半田耐熱試験後、即冷水に浸漬する
強制試験を４〜５回繰返したところ、気密不良の発生は
全く無かった。
さらに、シェル側のめっきには、ニッケル無電めっき８
の様な硬質なめっきを用いなくてはならない。
の様な硬質なめっきを用いなくてはならない。
なぜなら、加工時（コールドシール時）、シェル側の硬
質なニッケル無電めっき８が飛散し、素材の無酸素銅（
銅板）が露出することにより、加工終了後の接合部にお
いて、シェル素材の無酸素銅とステム側の第２層めっき
の厚膜の銅電気めっき２１が直接接触するようにするた
めである。すなわち、シェル側の硬質なめっきが飛散す
ることにより、同種金属の直接接触で完了するコールド
シールができる。
質なニッケル無電めっき８が飛散し、素材の無酸素銅（
銅板）が露出することにより、加工終了後の接合部にお
いて、シェル素材の無酸素銅とステム側の第２層めっき
の厚膜の銅電気めっき２１が直接接触するようにするた
めである。すなわち、シェル側の硬質なめっきが飛散す
ることにより、同種金属の直接接触で完了するコールド
シールができる。
第３図は本発明の他の実施例を示す図で、本例はステム
金属基板に第１層めっきとしてニッケル電気めっき（成
分：Ｎｉ、厚さ５μｍ）９、第２層めっきとして銅電気
めっき（成分：Ｃｕ、厚さ５μａ＋）２１を施し、一方
、シェル４には無酸素銅上にニッケル無電めっき（成分
：Ｎｉ１１Ｐ１厚さ２μｍ）８を施し、両者をコールド
シール装置で圧着封止した気密封止用外囲器である。
金属基板に第１層めっきとしてニッケル電気めっき（成
分：Ｎｉ、厚さ５μｍ）９、第２層めっきとして銅電気
めっき（成分：Ｃｕ、厚さ５μａ＋）２１を施し、一方
、シェル４には無酸素銅上にニッケル無電めっき（成分
：Ｎｉ１１Ｐ１厚さ２μｍ）８を施し、両者をコールド
シール装置で圧着封止した気密封止用外囲器である。
このように、ステム金属基板１上の全電気めっき被膜を
なくしたことによりステムコストが低減できる。この構
造の外囲器の防錆技術としては、防錆剤をコーティング
したり、外装すずめつきを施すこと等により解決できる
。
なくしたことによりステムコストが低減できる。この構
造の外囲器の防錆技術としては、防錆剤をコーティング
したり、外装すずめつきを施すこと等により解決できる
。
実施例の気密封止用外囲器を用いて実際に試験を行った
ところ以下の効果が判明した。
ところ以下の効果が判明した。
■コールドシール後の気密不良の防止
■リードピン半田付け（２ＢＯ℃×３秒、２回）楓の気
密不良の発生防止 ■半田耐熱試験（３５０℃×３秒、２回）後の気密不良
の発生防止 ０６０℃、９０％の耐湿試験における封止部のステム変
形部（凹部）の発錆の防止 上記■、■、■、■の効果により、デバイス歩留および
信頼性は大幅に向上した。
密不良の発生防止 ■半田耐熱試験（３５０℃×３秒、２回）後の気密不良
の発生防止 ０６０℃、９０％の耐湿試験における封止部のステム変
形部（凹部）の発錆の防止 上記■、■、■、■の効果により、デバイス歩留および
信頼性は大幅に向上した。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の気密封止用外囲器によれば
以下の効果を奏する。
以下の効果を奏する。
■気密封止不良が防止できる
■外囲器の発錆性の大幅な低減
■耐熱性能の大幅な向上
■作業条件の自由度拡大によるコールドシール作業の簡
易化 ところで、本発明の気密封止用外囲器に搭載した電子部
品のリードピンへの半田付は性、ボンディング性、素子
接若固定特性（マウント性）は、従来装置と比べ、同等
のレベルであることが大量試験レベルで確認できた。
易化 ところで、本発明の気密封止用外囲器に搭載した電子部
品のリードピンへの半田付は性、ボンディング性、素子
接若固定特性（マウント性）は、従来装置と比べ、同等
のレベルであることが大量試験レベルで確認できた。
第１図は本発明による一実施例の気密封止用外囲器の断
面図、第２図は第１図の封止部の部分拡大断面図、第３
図は他の実施例の封止部の部分拡大断面図、第４図は従
来の気密封止用外囲器の断面図、第５図は第４図の封止
部の部分拡大断面図である。 １・・・・・・・・・ステム金属基板（基台金属基体）
２・・・・・・・・・電子部品 ４・・・・・・・・・シェル（金属性蓋体）８・・・・
・・・・・ニッケル無電めっき層９・・・・・・・・・
ニッケル電気めっき層１１・・・・・・・・・全電気め
っき層２１・・・・・・・・・銅電気めっき届出願人
株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 ￥３図 第４図 第５図
面図、第２図は第１図の封止部の部分拡大断面図、第３
図は他の実施例の封止部の部分拡大断面図、第４図は従
来の気密封止用外囲器の断面図、第５図は第４図の封止
部の部分拡大断面図である。 １・・・・・・・・・ステム金属基板（基台金属基体）
２・・・・・・・・・電子部品 ４・・・・・・・・・シェル（金属性蓋体）８・・・・
・・・・・ニッケル無電めっき層９・・・・・・・・・
ニッケル電気めっき層１１・・・・・・・・・全電気め
っき層２１・・・・・・・・・銅電気めっき届出願人
株式会社 東芝 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 ￥３図 第４図 第５図
Claims (4)
- （１）金属めっき層が複数層形成された金属基体からな
る基台金属基体と、 この基台金属基体上に搭載した電子部品と、この電子部
品を気密封止するため前記基台金属基体に圧着接合され
た、金属めっき層により被覆された金属性蓋体とからな
る気密封止用外囲器において、 前記基台金属基体に複数層形成された金属めっき層のう
ち前記基台金属基体表面から第２層目の金属めっき層は
、前記金属性蓋体と実質的に同種の部材からなることを
特徴とする気密封止用外囲器。 - （２）前記金属性蓋体は、ニッケル無電めっき層により
被覆された無酸素銅基体からなり、前記基台金属基体は
、ニッケル電気めっき、銅電気めっきを順次積層形成し
た金属基体からなることを特徴とする請求項１記載の気
密封止用外囲器。 - （３）前記金属性蓋体は、ニッケル無電めっき層により
被覆された無酸素銅基体からなり、前記基台金属基体は
、ニッケル電気めっき、銅電気めっき、金電気めっきを
順次積層形成された金属基体からなることを特徴とする
請求項１記載の気密封止用外囲器。 - （４）前記基台金属基体に形成されたニッケル無電めっ
きの厚さが０．５〜１５μｍであり、銅電気めっきの厚
さが０．５〜１０μｍであり、金電気めっきの厚さが０
．０５〜５μｍであることを特徴とする請求項３記載の
気密封止用外囲器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63271573A JPH07105459B2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-10-27 | 気密封止型電子部品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27488487 | 1987-10-30 | ||
| JP62-274884 | 1987-10-30 | ||
| JP63271573A JPH07105459B2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-10-27 | 気密封止型電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257354A true JPH01257354A (ja) | 1989-10-13 |
| JPH07105459B2 JPH07105459B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=26549778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63271573A Expired - Lifetime JPH07105459B2 (ja) | 1987-10-30 | 1988-10-27 | 気密封止型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105459B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4851589A (ja) * | 1971-10-29 | 1973-07-19 |
-
1988
- 1988-10-27 JP JP63271573A patent/JPH07105459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4851589A (ja) * | 1971-10-29 | 1973-07-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105459B2 (ja) | 1995-11-13 |
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