JPH0217662A - 耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法 - Google Patents
耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0217662A JPH0217662A JP16677988A JP16677988A JPH0217662A JP H0217662 A JPH0217662 A JP H0217662A JP 16677988 A JP16677988 A JP 16677988A JP 16677988 A JP16677988 A JP 16677988A JP H0217662 A JPH0217662 A JP H0217662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- corrosion
- hermetic seal
- layer
- iron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のハーメチックシールに好適のシー
ルカバーの構造に関するものである。
ルカバーの構造に関するものである。
半導体素子のパフケージングの一種に第２図に示すよう
なセラミックパッケージがある。第２図においてセラミ
ック基板１は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ
層を有する下層板と、リードパターンが形成され且つ中
央部に開口を有する中間板と、リードパターンの内側先
端が露出するような更に大きい開口を有する上層板の３
層が一体化された構造であり、長辺側部には上記リード
パターンの外側先端と導通するように複数の金属リード
２が接合され、上記上層板の開口周囲にはカバー取り付
は用のメタライズ層３が形成されている。メタライズ層
及びリードパターンは通常Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペースト
で形成され、これらとり−ド２には、金メッキが施され
ている。このような基板１を用いるパッケージは先ず半
導体素子４を基板１の中央窪みに接合し、該素子４上の
電極とリードパターンの内側先端を細いコネクター線（
図示せず）で結線した後、メタライズ層３の上に第２図
に示すようなシールリング５と金属性カバーを載せ、シ
ールリング５の融点以上に加熱し、後冷却してカバー６
を取り付ける諸工程からなる。このカバー６の取り付は
工程を一般にハーメチックシールと称し、シールリング
５には、半導体素子４の接合に用いるＡｕ−３ｉ合金ろ
うより低い融点を有するＡｕ−３ｎ合金ろう、Ｐｂ−３
ｎ合金ろう等が用いられ、金属製（通常コバール類）カ
バー６の少なくともシーリング５が当接する周縁部には
ろう付は性の良好な金、ニッケルメッキ等のメッキから
なる被膜が施されているのが通常である。
なセラミックパッケージがある。第２図においてセラミ
ック基板１は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ
層を有する下層板と、リードパターンが形成され且つ中
央部に開口を有する中間板と、リードパターンの内側先
端が露出するような更に大きい開口を有する上層板の３
層が一体化された構造であり、長辺側部には上記リード
パターンの外側先端と導通するように複数の金属リード
２が接合され、上記上層板の開口周囲にはカバー取り付
は用のメタライズ層３が形成されている。メタライズ層
及びリードパターンは通常Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ペースト
で形成され、これらとり−ド２には、金メッキが施され
ている。このような基板１を用いるパッケージは先ず半
導体素子４を基板１の中央窪みに接合し、該素子４上の
電極とリードパターンの内側先端を細いコネクター線（
図示せず）で結線した後、メタライズ層３の上に第２図
に示すようなシールリング５と金属性カバーを載せ、シ
ールリング５の融点以上に加熱し、後冷却してカバー６
を取り付ける諸工程からなる。このカバー６の取り付は
工程を一般にハーメチックシールと称し、シールリング
５には、半導体素子４の接合に用いるＡｕ−３ｉ合金ろ
うより低い融点を有するＡｕ−３ｎ合金ろう、Ｐｂ−３
ｎ合金ろう等が用いられ、金属製（通常コバール類）カ
バー６の少なくともシーリング５が当接する周縁部には
ろう付は性の良好な金、ニッケルメッキ等のメッキから
なる被膜が施されているのが通常である。
従来のハーメチックシールカバーは鉄系合金板の両面に
ニッケル板を被着しただけのものや、鉄系合金板に直接
にニッケルメッキを施し、次に金メッキを施したものが
知られているが、前者のニッケル板を被着しただけのも
のは、剪断面から腐食が進行し易いという欠点があり、
又後者のメッキだけのものはメッキ時に生じるピンホー
ルのために、金とニッケルの局部電極が形成され、鉄系
合金を腐食させる原因になり易いという欠点がある。鉄
系合金の腐食が進んでハーメチックシールカバーの上面
から下面まで貫通した場合気密性を失なうことになる。
ニッケル板を被着しただけのものや、鉄系合金板に直接
にニッケルメッキを施し、次に金メッキを施したものが
知られているが、前者のニッケル板を被着しただけのも
のは、剪断面から腐食が進行し易いという欠点があり、
又後者のメッキだけのものはメッキ時に生じるピンホー
ルのために、金とニッケルの局部電極が形成され、鉄系
合金を腐食させる原因になり易いという欠点がある。鉄
系合金の腐食が進んでハーメチックシールカバーの上面
から下面まで貫通した場合気密性を失なうことになる。
気密性、封着性を失なうと使用環境中に存在する腐食性
ガスおよび湿度、温度差、気圧差等によって、半導体素
子への結露等の悪い影響を与える。
ガスおよび湿度、温度差、気圧差等によって、半導体素
子への結露等の悪い影響を与える。
また、上記腐食により鉄系合金がカバーからパッケージ
内部に欠落し、半導体素子面に付着した場合は、短絡が
発生し半導体デバイスの信軌性を低下させるという致命
的欠陥があった。
内部に欠落し、半導体素子面に付着した場合は、短絡が
発生し半導体デバイスの信軌性を低下させるという致命
的欠陥があった。
本発明の目的は、上記欠点を解消し、耐腐食性を改善し
た信頼性の高いハーメチックシールカバーを提供するこ
とにある。
た信頼性の高いハーメチックシールカバーを提供するこ
とにある。
上記目的を達成するために本発明者らは、鉄系合金板の
両面にピンホールのないニッケルを被着し、これにニッ
ケルメッキ、次に金メッキを全面に施すことにより、耐
腐食性の良好なハーメチックシールカバーを得ることが
出来ることを見い出し本発明に到達したものである。
両面にピンホールのないニッケルを被着し、これにニッ
ケルメッキ、次に金メッキを全面に施すことにより、耐
腐食性の良好なハーメチックシールカバーを得ることが
出来ることを見い出し本発明に到達したものである。
すなわち、本発明は、鉄系合金板の両面に圧延ニッケル
層が３ミクロン以上の厚さで被着され、該ニッケル層の
外側に順次ニッケルメッキ層と金メッキ層が設けられて
なる耐腐食性のハーメチックシールカバーであり、又こ
のハーメチックシールカバーの製法は鉄系合金板の両面
にニッケル層を被着せしめた後圧延処理し、該ニッケル
層の外側に先づ全面ニッケルメッキを、次いで全面金メ
ッキを施す点に特徴がある。
層が３ミクロン以上の厚さで被着され、該ニッケル層の
外側に順次ニッケルメッキ層と金メッキ層が設けられて
なる耐腐食性のハーメチックシールカバーであり、又こ
のハーメチックシールカバーの製法は鉄系合金板の両面
にニッケル層を被着せしめた後圧延処理し、該ニッケル
層の外側に先づ全面ニッケルメッキを、次いで全面金メ
ッキを施す点に特徴がある。
従来の鉄系合金にニッケルメッキ、次に金メッキを全面
に施したものは、メッキの欠陥としてピンホールが発生
しており、ピンホールによって局部電極を生じ鉄系合金
を腐食させやすい。しかし、メッキと鉄系合金板の間に
、圧延したニッケル層が３μｍ以上あるとニッケルメッ
キと金メッキによって局部電極が発生してもニッケルメ
ッキより緻密である圧延ニッケル層があるためにピンホ
ールの影響が少なく鉄系合金の腐食を低減する事が出来
る。圧延したニッケル層が３μｍ未満の場合は、ニッケ
ルメッキよりも緻密な層となっているために従来の鉄系
合金にニッケルメッキ、次に金メッキを全面に施したも
のと比較すると鉄系合金の腐食を低減する効果を認める
事は出来るが、圧延したニッケル層が３μｍ以上のもの
と比較すると効果は少ない。
に施したものは、メッキの欠陥としてピンホールが発生
しており、ピンホールによって局部電極を生じ鉄系合金
を腐食させやすい。しかし、メッキと鉄系合金板の間に
、圧延したニッケル層が３μｍ以上あるとニッケルメッ
キと金メッキによって局部電極が発生してもニッケルメ
ッキより緻密である圧延ニッケル層があるためにピンホ
ールの影響が少なく鉄系合金の腐食を低減する事が出来
る。圧延したニッケル層が３μｍ未満の場合は、ニッケ
ルメッキよりも緻密な層となっているために従来の鉄系
合金にニッケルメッキ、次に金メッキを全面に施したも
のと比較すると鉄系合金の腐食を低減する効果を認める
事は出来るが、圧延したニッケル層が３μｍ以上のもの
と比較すると効果は少ない。
又鉄系合金に圧延したニッケル層が両面に被着され、ハ
ーメチックシールカバーの形状に打ち抜き加工された鉄
系合金の上面、下面にはニッケル層があるが剪断面は鉄
系合金が露出し、この部分から腐食が進行する。しかし
、これにニッケルメッキ、次に金メッキを全面に施すこ
とによって剪断面の鉄系合金の露出を防止し、腐食を抑
制するものである。
ーメチックシールカバーの形状に打ち抜き加工された鉄
系合金の上面、下面にはニッケル層があるが剪断面は鉄
系合金が露出し、この部分から腐食が進行する。しかし
、これにニッケルメッキ、次に金メッキを全面に施すこ
とによって剪断面の鉄系合金の露出を防止し、腐食を抑
制するものである。
次に本発明を実施例により説明する。
０゜ｌ ｍｍ厚のコバール板そのままの試料（１）、０
．１霞識厚、１０１ｍ角のコバール板に直接ニッケルメ
ッキ（４μｍ厚）、次に金メッキ（２μｍ厚）を施した
試料（２）、０．１關厚コバール板の両面に０．０１ｍ
１厚のニッケル板を被着し１０龍角に打ち抜いただけの
試料（３）、及び０．１ ｍｍ厚のコバール板の両面に
０．０１ ｍｍ厚のニッケル板を被着し、圧延処理した
材料を１０ｍｍ角に打ち抜き、バレルメッキによりニッ
ケルメッキ（４μｍ厚）、次に金メッキ（２μｍ厚）を
全面に施した本発明試料（４）を塩水噴霧試験機で５％
ＮａＣｌ、室温で２４時間の試験を行った。塩水噴霧試
験後、実体顕微鏡（倍率３０倍）で腐食状態を観察した
結果を第１表に示す。
．１霞識厚、１０１ｍ角のコバール板に直接ニッケルメ
ッキ（４μｍ厚）、次に金メッキ（２μｍ厚）を施した
試料（２）、０．１關厚コバール板の両面に０．０１ｍ
１厚のニッケル板を被着し１０龍角に打ち抜いただけの
試料（３）、及び０．１ ｍｍ厚のコバール板の両面に
０．０１ ｍｍ厚のニッケル板を被着し、圧延処理した
材料を１０ｍｍ角に打ち抜き、バレルメッキによりニッ
ケルメッキ（４μｍ厚）、次に金メッキ（２μｍ厚）を
全面に施した本発明試料（４）を塩水噴霧試験機で５％
ＮａＣｌ、室温で２４時間の試験を行った。塩水噴霧試
験後、実体顕微鏡（倍率３０倍）で腐食状態を観察した
結果を第１表に示す。
第１表に示される通り、コバール板そのままの試料（１
）は全面腐食が生じている。コバール板に直接にニッケ
ルメッキ、次いで金メッキを施した試料（２）は試料の
上面、下面に腐食がかなり発生しており、側面にも腐食
の発生が認められる。又コバール板にニッケル板を被着
しただけの試料（３）は打ち抜いた剪断面から腐食がか
なり進んでいる。本発明の試料（４）の上面、下面には
腐食は認められなかったが、側面（剪断面）には腐食が
わずかに認められた。
）は全面腐食が生じている。コバール板に直接にニッケ
ルメッキ、次いで金メッキを施した試料（２）は試料の
上面、下面に腐食がかなり発生しており、側面にも腐食
の発生が認められる。又コバール板にニッケル板を被着
しただけの試料（３）は打ち抜いた剪断面から腐食がか
なり進んでいる。本発明の試料（４）の上面、下面には
腐食は認められなかったが、側面（剪断面）には腐食が
わずかに認められた。
この試験の結果、コバール板の両面に被着したニッケル
層を圧延処理し、これに全面ニッケルメッキを、次いで
全面金メッキを施すことによって耐腐食性が大幅に向上
することが確認できた。
層を圧延処理し、これに全面ニッケルメッキを、次いで
全面金メッキを施すことによって耐腐食性が大幅に向上
することが確認できた。
本発明によりハーメチックシールカバーの腐食が減少す
るため半導体デバイスの信頼性が大幅に向上して工業上
極めて有用である。
るため半導体デバイスの信頼性が大幅に向上して工業上
極めて有用である。
第１図は本発明によるハーメチックシールカバーの断面
図であり、第２図はセラミックパッケージの構造図であ
る。 １・・・セラミック基板、２・・・金属リード、３・・
・メタライズ層、４・・・半導体素子、５・・・シール
リング、６・・・ハーメチックシールカバー ７・・・
金メッキ層、８・・・ニッケルメッキ層、９・・・ニッ
ケル被着層、１０・・・コバール材。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社
図であり、第２図はセラミックパッケージの構造図であ
る。 １・・・セラミック基板、２・・・金属リード、３・・
・メタライズ層、４・・・半導体素子、５・・・シール
リング、６・・・ハーメチックシールカバー ７・・・
金メッキ層、８・・・ニッケルメッキ層、９・・・ニッ
ケル被着層、１０・・・コバール材。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社
Claims (2)
- （１）鉄系合金板の両面に圧延ニッケル層が３ミクロン
以上の厚さで被着され、該ニッケル層の外側に順次ニッ
ケルメッキ層と金メッキ層が設けられてなる耐腐食性ハ
ーメチックシールカバー。 - （２）鉄系合金板の両面にニッケル層を被着せしめた後
圧延処理し、該ニッケル層の外側に先づ全面ニッケルメ
ッキを、次いで全面金メッキを施すことを特徴とする耐
腐食性ハーメチックシールカバーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16677988A JPH0217662A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16677988A JPH0217662A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217662A true JPH0217662A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15837527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16677988A Pending JPH0217662A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | 耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217662A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296194A (en) * | 1991-02-01 | 1994-03-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Blood analyzing system |
| US5583379A (en) * | 1993-09-03 | 1996-12-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Outer lead for a semiconductor IC package having individually annealed plated layers |
| US7187060B2 (en) | 2003-03-13 | 2007-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with shield |
| JP2010010617A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Kyocera Kinseki Corp | 電子部品用の蓋体 |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP16677988A patent/JPH0217662A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296194A (en) * | 1991-02-01 | 1994-03-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Blood analyzing system |
| US5583379A (en) * | 1993-09-03 | 1996-12-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Outer lead for a semiconductor IC package having individually annealed plated layers |
| US5668060A (en) * | 1993-09-03 | 1997-09-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Outer lead for a semiconductor IC package and a method of fabricating the same |
| US7187060B2 (en) | 2003-03-13 | 2007-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with shield |
| JP2010010617A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Kyocera Kinseki Corp | 電子部品用の蓋体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960002495B1 (ko) | 개량된 리드를 갖는 반도체장치 | |
| US4640436A (en) | Hermetic sealing cover and a method of producing the same | |
| KR20140017446A (ko) | 열 압착 본딩용 본딩 패드, 본딩 패드 제조 방법, 및 소자 | |
| TW200302530A (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor II | |
| US4590672A (en) | Package for electronic device and method for producing same | |
| JPH0217662A (ja) | 耐腐食性ハーメチックシールカバー及びその製造方法 | |
| JP2000068396A (ja) | ハーメチックシール用カバー | |
| JPH03101234A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4765528A (en) | Plating process for an electronic part | |
| JPH0590465A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11186423A (ja) | ハーメチックシールカバーおよびその製造方法 | |
| US20010041385A1 (en) | Plated leadframes with cantilevered leads | |
| JP2654872B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6032774Y2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
| JPS6226846A (ja) | 半導体装置封止用キヤツプ | |
| JPS63137574A (ja) | メタライズ金属層の表面被覆構造 | |
| KR100450090B1 (ko) | 반도체 팩키지의 리드프레임과 이 리드 프레임의 도금방법 | |
| JPS6222532B2 (ja) | ||
| JPS62241364A (ja) | リ−ド付き電子部品及びその製造方法 | |
| JPH0222992Y2 (ja) | ||
| JPS6158259A (ja) | チツプキヤリア | |
| JPS61206245A (ja) | ハ−メチツクシ−ルカバ−及びその製造方法 | |
| JPH01137654A (ja) | チップキャリア | |
| JPS60195915A (ja) | 積層セラミツクコンデンサの端子電極形成方法 | |
| JPS63228740A (ja) | ハ−メチツクシ−ル用金属製カバ− |