JPH01258430A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01258430A
JPH01258430A JP63086519A JP8651988A JPH01258430A JP H01258430 A JPH01258430 A JP H01258430A JP 63086519 A JP63086519 A JP 63086519A JP 8651988 A JP8651988 A JP 8651988A JP H01258430 A JPH01258430 A JP H01258430A
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
protective film
edge
element forming
forming surface
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Pending
Application number
JP63086519A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Morikawa
森川　信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01258430A publication Critical patent/JPH01258430A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に耐湿性の向
上が可能な樹脂封止型半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置に使用される半導体ペレット
素子形成面縁辺部は、第２図に示すように半導体ペレッ
トに上面にのみ保護膜が形成されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレッ
トの素子形成面縁辺部は保護膜で覆われていないので、
縁辺部の保護膜端部と半導体基板との界面から水分が浸
入し耐湿性不良を起こすといった欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、樹脂封止型半導体装置において
、半導体ペレット素子形成面縁辺部及びその側面を保護
膜で覆うことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体ペレットの縦断面図
である。１は素子形成面縁辺部、２は段差、３はペレッ
ト側面、４は保護膜、５は半導体基板、６は素子形成面
で、素子形成面縁辺部１に段差２をもうけ、素子形成面
６素子形成面縁辺部１及び段差２に保護膜４を設ける。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体ペレットの素子形
成面縁辺部及びその側面を保護膜で覆うことにより、縁
辺部の保護膜端部と半導体基板との界面からの水分の浸
入を防止でき、耐湿性の向上を図ることが出来る効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の半導体ペレットの縦断面図
、第２図は従来の半導体ペレットの縦断面図である。 １・・・・・・素子形成面縁辺部、２・・・・・・段差
、３・・・・・・ペレット側面、４・・・・・・保護膜
、５・・・・・・半導体基板、６・・・・・・素子形成
面。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　樹脂封止型半導体装置において、半導体ペレットの素
    子形成面縁辺部及びその側面を保護膜で覆うことを特徴
    とする半導体装置。
JP63086519A 1988-04-08 1988-04-08 半導体装置 Pending JPH01258430A (ja)

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