JPH01259252A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
- Publication number
- JPH01259252A JPH01259252A JP63086282A JP8628288A JPH01259252A JP H01259252 A JPH01259252 A JP H01259252A JP 63086282 A JP63086282 A JP 63086282A JP 8628288 A JP8628288 A JP 8628288A JP H01259252 A JPH01259252 A JP H01259252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- sealing
- housing
- sensor
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はガスセンサ、特に内燃機関からの排ガスを浄化
するために利用される空燃比センサに関する。
するために利用される空燃比センサに関する。
［従来技術及び課題］
空燃比センサとしては、金属ケースとセンサ素子とを低
温接着用ガラスによって封着（シール）してセンサ特性
を維持するのが一般的である。
温接着用ガラスによって封着（シール）してセンサ特性
を維持するのが一般的である。
しかし、この種の空燃比センサにあっては。
シール部の温度が４５０℃以上の高温になると。
電気絶縁性か低下し、センサ出力特性に支障をきたす。
本発明はかかる課題を解決すること、即ち４５０℃以上
の高温下においてもシール性及び電気絶縁性に優れ、正
確なセンサ出力特性を長期間安定に維持できるガスセン
サ、特に空燃比センサを開発することを目的とする。
の高温下においてもシール性及び電気絶縁性に優れ、正
確なセンサ出力特性を長期間安定に維持できるガスセン
サ、特に空燃比センサを開発することを目的とする。
［課題の解決手段］
本発明者はこうした見地に鑑み鋭意研究を重ねた結果１
本発明を完成するに至δたちのであり。
本発明を完成するに至δたちのであり。
本発明は上述の課題を下記手段によって解決する。
ハウジング内にセンサ素子が収容され、ハウジングとセ
ンサ素子との間の少なくとも一部をガラスで封着してな
るガスセンサにおいて。
ンサ素子との間の少なくとも一部をガラスで封着してな
るガスセンサにおいて。
シールガラスがより先方に位置する第１ガラス及びより
後方に位置する第２ガラスからなり。
後方に位置する第２ガラスからなり。
第１ガラスが１ＭΩ以上（４５０℃）の高絶縁性を有し
。
。
ハウジングと第２ガラスとの熱膨張係数差が２、ＯＸ
１０−６／ ’Ｃ以内であり、かつ、第１ガラスと第２
ガラスとの熱膨張係数差が１．ＯＸ １０−６／ ’Ｃ
以内である。
１０−６／ ’Ｃ以内であり、かつ、第１ガラスと第２
ガラスとの熱膨張係数差が１．ＯＸ １０−６／ ’Ｃ
以内である。
ガスセンサ。
［好適な実施態様及び作用コ
こうした構成に基づき、シールガラス部において仮に高
温状態（例えば４５０℃）になった場合であっても、第
１ガラスが高絶縁性を維持し、しかも第２ガラスに係る
α差の特定によってシール性をも安定に維持できる。
温状態（例えば４５０℃）になった場合であっても、第
１ガラスが高絶縁性を維持し、しかも第２ガラスに係る
α差の特定によってシール性をも安定に維持できる。
本発明は、センサ素子がハウジングとは絶縁されている
タイプのガスセンサを対象とする。センサ素子とハウジ
ングとの高温絶縁性を問題にするからである。又、使用
時においてシール部の温度が４００℃以上、特に４５０
℃以上の高温状態になるガスセンサに好ましく適用され
る。例えば、空燃比センサが挙げられる。空燃比センサ
は、その素子が、低温状態での検知特性を向上させるた
めにヒータを備えてなるもの、又理論空燃比（Ａ／Ｆ）
以外のＡ／Ｆであっても利用可能とするためにポンプ素
子を備えてなるもの等２種々のタイプのものであってよ
い。又、センサ素子が高温高強度材料としてのセラミッ
クス例えばアルミナによって所定位置に保持されている
とよい。ガラスシール部における高温絶縁性が問題とな
る限りにおいて、素子形状は板状１円管状又は袋状（試
験管状）のいずれてあってもよい。ハウジングは素子が
板状又は管状である場合、内外二重構造になっているも
のを採用するとよい。
タイプのガスセンサを対象とする。センサ素子とハウジ
ングとの高温絶縁性を問題にするからである。又、使用
時においてシール部の温度が４００℃以上、特に４５０
℃以上の高温状態になるガスセンサに好ましく適用され
る。例えば、空燃比センサが挙げられる。空燃比センサ
は、その素子が、低温状態での検知特性を向上させるた
めにヒータを備えてなるもの、又理論空燃比（Ａ／Ｆ）
以外のＡ／Ｆであっても利用可能とするためにポンプ素
子を備えてなるもの等２種々のタイプのものであってよ
い。又、センサ素子が高温高強度材料としてのセラミッ
クス例えばアルミナによって所定位置に保持されている
とよい。ガラスシール部における高温絶縁性が問題とな
る限りにおいて、素子形状は板状１円管状又は袋状（試
験管状）のいずれてあってもよい。ハウジングは素子が
板状又は管状である場合、内外二重構造になっているも
のを採用するとよい。
ハウジングとセンサ素子との間は、より先方に位置する
第１ガラス及びより後方に位置する第２ガラスによって
封着されな、ければならない。シール性及び絶縁性を確
保し、センサ素子の検知特性を高精度かつ安定に維持す
るためである。ガラスシールは基本的には被測定ガスが
センサ先方から後方へ通過するのを規制するものである
。従って、その封着部位は、そのガス通過を規制し得る
限り、ハウジングとセンサ素子との間の少なくとも一部
であってよい。又センサ素子がポンプ素子又はヒータを
付設してなるものにあっては、素子同士又は素子とヒー
タとの間についても同様にガラスシールしてもよい。又
、素子等からの信号を出力するためのリードの存在部位
について封着させてもよい。第１．２ガラスはともに８
００℃以下の温度で封着できるものが好ましい。又、被
封着物としてのハウジング及び素子等との濡れ性が良い
ものが好ましい。
第１ガラス及びより後方に位置する第２ガラスによって
封着されな、ければならない。シール性及び絶縁性を確
保し、センサ素子の検知特性を高精度かつ安定に維持す
るためである。ガラスシールは基本的には被測定ガスが
センサ先方から後方へ通過するのを規制するものである
。従って、その封着部位は、そのガス通過を規制し得る
限り、ハウジングとセンサ素子との間の少なくとも一部
であってよい。又センサ素子がポンプ素子又はヒータを
付設してなるものにあっては、素子同士又は素子とヒー
タとの間についても同様にガラスシールしてもよい。又
、素子等からの信号を出力するためのリードの存在部位
について封着させてもよい。第１．２ガラスはともに８
００℃以下の温度で封着できるものが好ましい。又、被
封着物としてのハウジング及び素子等との濡れ性が良い
ものが好ましい。
第１ガラスはシール性とともに、高温下（例えば４００
℃以上）においても高絶縁性を維持するものである。従
って、ガラスシール部のうち使用時において４００℃以
上の高温状態となる部位についてこの第１ガラスを存在
させるとよい。後記測定方法による絶縁抵抗が４５００
Ｃにて１ＭΩ以上、好ましくは５ＭΩ以上であるとよい
。又１体積固有抵抗（４５０℃）としては１０７・３Ω
印以上、好ましくは１０ ｇ・２Ω印以上である。この
種のガラスとしては、ｐｂｏを主成分（６０〜７０ ｖ
’ｔ％）とし、 Ｓ ｉ Ｏ１５〜２５ｗｔ％、Ｂ２
Ｏ３約２０ｗｔ％からなるものに膏剤としてＺｒＯ，Ａ
ｊ！２０３、スピネル、ジルコン、ムライト、シリカ（
結晶質）等の粉末を約１０〜２０ｗｔ％添加混合したも
のを使用するとよい。基本ガラス組成は、上記ＰｂＯ−
８ｉＯ−Ｂ Ｏ系の他、 Ｓ ｔ ０２−ＢａＯ−
ＮａＯ−Ｋ Ｏ系、 Ｓ ｉ０２ Ｚ ｎ Ｏ−
ＢＯ系、５ｉＯ１２８ａ Ｏ−Ｃａ Ｏ系、Ｓｉ０２−
Ｂ２０３系等の組成のものであってもよい。非晶質ガラ
スが好ましいが、結晶化ガラスであってもよい。気孔率
は１０％以下にするとよい。
℃以上）においても高絶縁性を維持するものである。従
って、ガラスシール部のうち使用時において４００℃以
上の高温状態となる部位についてこの第１ガラスを存在
させるとよい。後記測定方法による絶縁抵抗が４５００
Ｃにて１ＭΩ以上、好ましくは５ＭΩ以上であるとよい
。又１体積固有抵抗（４５０℃）としては１０７・３Ω
印以上、好ましくは１０ ｇ・２Ω印以上である。この
種のガラスとしては、ｐｂｏを主成分（６０〜７０ ｖ
’ｔ％）とし、 Ｓ ｉ Ｏ１５〜２５ｗｔ％、Ｂ２
Ｏ３約２０ｗｔ％からなるものに膏剤としてＺｒＯ，Ａ
ｊ！２０３、スピネル、ジルコン、ムライト、シリカ（
結晶質）等の粉末を約１０〜２０ｗｔ％添加混合したも
のを使用するとよい。基本ガラス組成は、上記ＰｂＯ−
８ｉＯ−Ｂ Ｏ系の他、 Ｓ ｔ ０２−ＢａＯ−
ＮａＯ−Ｋ Ｏ系、 Ｓ ｉ０２ Ｚ ｎ Ｏ−
ＢＯ系、５ｉＯ１２８ａ Ｏ−Ｃａ Ｏ系、Ｓｉ０２−
Ｂ２０３系等の組成のものであってもよい。非晶質ガラ
スが好ましいが、結晶化ガラスであってもよい。気孔率
は１０％以下にするとよい。
但し、独立気孔状態であれば１０％を越えても差支えな
い。
い。
第２ガラスは、高温下においてもシール性を確実に維持
するものである。熱膨張差は、センサ使用時の冷熱サイ
クルによってハウジング（金属）とシールガラスとの間
に歪みを発生させる。
するものである。熱膨張差は、センサ使用時の冷熱サイ
クルによってハウジング（金属）とシールガラスとの間
に歪みを発生させる。
長期使用を考慮すると、シールガラス部の脆化。
クラックの発生によるシール崩れを防止する必要かある
。従って１次の熱膨張差以内に材料を選択組合せること
が重要となる。即ち、ハウジングとの熱膨張係数差の差
（α差）か２．ＯＸ １０ ”／℃以内、好ましくは１
．５Ｘ １０ ’／℃以内のものにするとよい。又、第
１ガラスとのα差が１．ＯＸ １０−６／℃以内、好ま
しくは０．５Ｘ１０ ”／℃以内のものにするとよい。
。従って１次の熱膨張差以内に材料を選択組合せること
が重要となる。即ち、ハウジングとの熱膨張係数差の差
（α差）か２．ＯＸ １０ ”／℃以内、好ましくは１
．５Ｘ １０ ’／℃以内のものにするとよい。又、第
１ガラスとのα差が１．ＯＸ １０−６／℃以内、好ま
しくは０．５Ｘ１０ ”／℃以内のものにするとよい。
この種のカラスとしても、前記第１ガラスと同様の組成
のものか好ましく使用される。上記α差になるように付
則の種類、量を適宜調節するとよい。シール性を確保す
るため、金属材料とのα差か少ないものを用いるとよい
。第２ガラスの存在によって、仮に高温状態において第
１ガラスのシール性か劣化してもセンサ先方から後方へ
の排ガスの抜けを確実に防止できる。第２ガラスは使用
時において４００８Ｃ以下の温度状態となるガラスシー
ル部において使用するとよい。
のものか好ましく使用される。上記α差になるように付
則の種類、量を適宜調節するとよい。シール性を確保す
るため、金属材料とのα差か少ないものを用いるとよい
。第２ガラスの存在によって、仮に高温状態において第
１ガラスのシール性か劣化してもセンサ先方から後方へ
の排ガスの抜けを確実に防止できる。第２ガラスは使用
時において４００８Ｃ以下の温度状態となるガラスシー
ル部において使用するとよい。
４００℃を越える高温状態になると、絶縁抵抗が低下し
、導通性及びセンザ出力特性に悪影響を及ぼすおそれか
あるからである。好ましくは３５０℃以下の温度部位に
使用するとよい。
、導通性及びセンザ出力特性に悪影響を及ぼすおそれか
あるからである。好ましくは３５０℃以下の温度部位に
使用するとよい。
［実施例］
以下２本発明の詳細な説明する。
第１．２図は空燃比センサＡに本発明を適用した一実施
例を示した図である。各図において、空燃比センサＡは
、大略、センサ素子１と、素子１からの信号を出力する
リード２・・と、素子１を収容するハウシング３と、ハ
ウジング３と素子１及びリード２とを離間させて保持す
る介装部材４とから構成されている。センサ素子１は板
状であって、ポンプ素子及びヒータを備えている。リー
ド２・・・は素子１後端に接続されて後方へ伸びハウジ
ング３外へ延設されている。ハウジング３は内外二重構
造となっており、外筒としての取付金具５及び内筒６を
有する。又、取付金具５の先方には保護キャップ７、後
方には後方筒体８か配設されている。
例を示した図である。各図において、空燃比センサＡは
、大略、センサ素子１と、素子１からの信号を出力する
リード２・・と、素子１を収容するハウシング３と、ハ
ウジング３と素子１及びリード２とを離間させて保持す
る介装部材４とから構成されている。センサ素子１は板
状であって、ポンプ素子及びヒータを備えている。リー
ド２・・・は素子１後端に接続されて後方へ伸びハウジ
ング３外へ延設されている。ハウジング３は内外二重構
造となっており、外筒としての取付金具５及び内筒６を
有する。又、取付金具５の先方には保護キャップ７、後
方には後方筒体８か配設されている。
介装部側４は先方より、素子１を所定位置に保持するセ
ラミック保持体９．素子１後端部及びリード２・・先端
部を包囲して絶縁するシールガラス１０．及びより後方
においてリード２ ・を包囲して絶縁するシールゴム１
１からなる。セラミック保持体９は先方部９ａ、中間部
９ｂ、後方部９ｃで若干制質を異ならせ、熱膨張係数を
内筒６に適合させている。シールゴム１１も先方部１１
ａ、後方部１１ｂからなる。
ラミック保持体９．素子１後端部及びリード２・・先端
部を包囲して絶縁するシールガラス１０．及びより後方
においてリード２ ・を包囲して絶縁するシールゴム１
１からなる。セラミック保持体９は先方部９ａ、中間部
９ｂ、後方部９ｃで若干制質を異ならせ、熱膨張係数を
内筒６に適合させている。シールゴム１１も先方部１１
ａ、後方部１１ｂからなる。
シールガラス１０はより先方に位置する第１ガラスｌｏ
ａ及びより後方に位置する第２ガラスｌＯｂからなり、
ここでは軸方向距離で第１ガラスＬＯａが１３ｍ＋ｎ、
第２ガラスｌＯｂか７龍となっている。
ａ及びより後方に位置する第２ガラスｌＯｂからなり、
ここでは軸方向距離で第１ガラスＬＯａが１３ｍ＋ｎ、
第２ガラスｌＯｂか７龍となっている。
又、センサ素子の一例を第３図に示す。第３図は積層印
刷技術によって得られる板状のセンサ素子Ａを一体化前
の状態において示した図である。
刷技術によって得られる板状のセンサ素子Ａを一体化前
の状態において示した図である。
尚１本例はポンプ素子を備えた閉鎖室型の例である。積
層印刷技術とは、センサ素子の各構成要素を所定のグリ
ーンシートに積層して印刷し。
層印刷技術とは、センサ素子の各構成要素を所定のグリ
ーンシートに積層して印刷し。
この印刷グリーンシートを基材に被着して焼成一体化す
る技術をいう。その詳細は例えば特開昭８２−１５０１
５６を参照されたい。第３図において、下方より、基材
１２．−側電極層１３．第１の固体電解質層（グリーン
シー１−）１４．他側電極層１５．ガス律速層１Ｂ、ス
ペーサ１７．−側電極層１８．第２の固体電解質層１９
．他側電極層２０．電極保護層２１．絶縁層２２が位置
して各要素１２〜２２が積層され、焼成一体化される。
る技術をいう。その詳細は例えば特開昭８２−１５０１
５６を参照されたい。第３図において、下方より、基材
１２．−側電極層１３．第１の固体電解質層（グリーン
シー１−）１４．他側電極層１５．ガス律速層１Ｂ、ス
ペーサ１７．−側電極層１８．第２の固体電解質層１９
．他側電極層２０．電極保護層２１．絶縁層２２が位置
して各要素１２〜２２が積層され、焼成一体化される。
又、１７ａは測定ガス室、 ２３．２４は他側電極を外
部と接続するための端子、２５は他側電極層１５と端子
２３とを導通するための導通口。
部と接続するための端子、２５は他側電極層１５と端子
２３とを導通するための導通口。
２２ａは保護層２１の位置に対応して形成された開口を
示す。各要素の寸法は例えば次の通りである。
示す。各要素の寸法は例えば次の通りである。
（ａ）試料１２ ： ０．３６Ｘ ３．８Ｘ ４４ｍｍ
（ｂ）固体電解質層１４．１９ ： ０．３Ｂｘ ３
．［ｉＸ ４５＋＋＋＋ｎ（ｃ）電極１３．１５．１８
．２０： ２．ＯＸ ４．Ｏｍｍ（ｄ）スペーサ１７
： ８０ｇ＋ｎ Ｘ ３．ＯＸ ４４ｎ＋ｎ＋（ｅ
）測定ガス室１７ａ ： ２．ＯＸ ４．Ｏｍｍ又、
材料としては、固体電解質層１４．１９はＺ ｒ Ｏ２
Ｙ ２０３系、電極１３．１５．１８．２０は白金／１
６％セラミックからなる。
（ｂ）固体電解質層１４．１９ ： ０．３Ｂｘ ３
．［ｉＸ ４５＋＋＋＋ｎ（ｃ）電極１３．１５．１８
．２０： ２．ＯＸ ４．Ｏｍｍ（ｄ）スペーサ１７
： ８０ｇ＋ｎ Ｘ ３．ＯＸ ４４ｎ＋ｎ＋（ｅ
）測定ガス室１７ａ ： ２．ＯＸ ４．Ｏｍｍ又、
材料としては、固体電解質層１４．１９はＺ ｒ Ｏ２
Ｙ ２０３系、電極１３．１５．１８．２０は白金／１
６％セラミックからなる。
［試験例］
前記実施例の空燃比センサにおいて下記表の４種のガラ
スＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄを単独又は組合せてなるものをシール
ガラスとして使用し。
スＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄを単独又は組合せてなるものをシール
ガラスとして使用し。
シール性及び絶縁性について調べた。尚、内筒としては
５ＵＳ４０３ （α＝ ｉｏ、ｏｘ １０−６／ ℃）
。
５ＵＳ４０３ （α＝ ｉｏ、ｏｘ １０−６／ ℃）
。
５ＵＳ４３０（α＝ ｌＯ，４Ｘ １０−６／ ℃）の
二種類のものを採用した。
二種類のものを採用した。
（以下余白）
※１： 「結」は結晶化ガラス、「非」は非晶質ガラス
を示す。
を示す。
※２：４５０℃にて、 ５０ ＶＭΩ計で測定した値で
ある。
ある。
＊３ニガラスＡ、Ｃは、ガラスＤに膏剤として約１５ｗ
ｔ％のＺｒＯ、Ａｊ７ ０ 、スピネル、ジルコン、
ムライト、シリカ等の粉末のいずれか一種又は二種を添
加混合してなる。
ｔ％のＺｒＯ、Ａｊ７ ０ 、スピネル、ジルコン、
ムライト、シリカ等の粉末のいずれか一種又は二種を添
加混合してなる。
※４：４５０℃の体積固有抵抗（Ωｍ）値は２５０℃の
体積固有抵抗値に基づき、第４図のグラフから算出した
ものである。
体積固有抵抗値に基づき、第４図のグラフから算出した
ものである。
（ａ）電気絶縁性
空燃比センサの先端部（Ｔｉｐ部）をブンゼンバーナで
加熱し、ガラスシール部の温度（℃）を４５０℃まで変
化させ、絶縁抵抗（ＭΩ）を調べ、絶縁性を評価する。
加熱し、ガラスシール部の温度（℃）を４５０℃まで変
化させ、絶縁抵抗（ＭΩ）を調べ、絶縁性を評価する。
その絶縁抵抗の測定は、取付金具５とリード２との間に
５０ ＶＭＱ計を接続し、セラミック絶縁体９とシール
ガラス１０との界面の温度をガラスシール温度（’Ｃ）
とし、ヒータ通電しない状態で行なった。
５０ ＶＭＱ計を接続し、セラミック絶縁体９とシール
ガラス１０との界面の温度をガラスシール温度（’Ｃ）
とし、ヒータ通電しない状態で行なった。
（ｂ）シール性
空燃比センサをエンジン実車にて所定の位置に取付け、
ガラスシール部を４００℃にて１００ｈｒ耐久に供し、
シール性を評価する。即ち、シールゴム１１の先方端面
について、シールガラス部ｌＯのガスリークに基づく熱
分解（シリコンゴムの場合、ゴム架橋剤の発生、更には
シロキサン結合の分解）による白色変化及びゴム硬化等
をチエツクする。
ガラスシール部を４００℃にて１００ｈｒ耐久に供し、
シール性を評価する。即ち、シールゴム１１の先方端面
について、シールガラス部ｌＯのガスリークに基づく熱
分解（シリコンゴムの場合、ゴム架橋剤の発生、更には
シロキサン結合の分解）による白色変化及びゴム硬化等
をチエツクする。
尚、各評価項目（ａ） （ｂ）についての結果を第４．
５図に夫々示す。
５図に夫々示す。
第４，５図から明らかな通り１本発明の規定範囲のもの
、即ち第１ガラス１０ａとしてガラスＡ又はガラスＣ１
第２ガラスとしてガラスＢを使用してなる組合せのもの
のみが絶縁性及びシール性について優れた結果を示す。
、即ち第１ガラス１０ａとしてガラスＡ又はガラスＣ１
第２ガラスとしてガラスＢを使用してなる組合せのもの
のみが絶縁性及びシール性について優れた結果を示す。
即ち、この組合せに係る実施例の空燃比センサは４５０
℃の高温下にあっても絶縁抵抗１Ｍ！２以」二であり、
１００ｈｒ耐久後においても高いシール性を維持す
る。ガラスＡ、Ｂ。
℃の高温下にあっても絶縁抵抗１Ｍ！２以」二であり、
１００ｈｒ耐久後においても高いシール性を維持す
る。ガラスＡ、Ｂ。
Ｃ，Ｄ単独、又は−ト記実施例以外の組合せに係るもの
は、いずれについても絶縁性又はシール性のいずれかが
実用上のレベルを満足しない。例えば、高絶縁性ガラス
であるガラスＤを単独で使用した場合、シール性の点で
次のような問題を生ずると考えられる。即ち、この高絶
縁性ガラスと内筒とのα差は３．ＯＸ ｔｏ−６／℃で
ある。そのため空燃比センサの使用時において、センサ
先端部が排ガスに晒され、その排ガスが後方部のガラス
シール部に達した場合、金属ケースと高絶縁性ガラスと
の上記熱膨張係数の差によって高絶縁性ガラスにクラッ
クを生じ、シール性を低下させる。そして、このクラッ
クを通じて排ガスがより後方に位置するゴムシール部を
カーボン化させ、導通不良をきたし、センサ出力特性を
劣化させる。
は、いずれについても絶縁性又はシール性のいずれかが
実用上のレベルを満足しない。例えば、高絶縁性ガラス
であるガラスＤを単独で使用した場合、シール性の点で
次のような問題を生ずると考えられる。即ち、この高絶
縁性ガラスと内筒とのα差は３．ＯＸ ｔｏ−６／℃で
ある。そのため空燃比センサの使用時において、センサ
先端部が排ガスに晒され、その排ガスが後方部のガラス
シール部に達した場合、金属ケースと高絶縁性ガラスと
の上記熱膨張係数の差によって高絶縁性ガラスにクラッ
クを生じ、シール性を低下させる。そして、このクラッ
クを通じて排ガスがより後方に位置するゴムシール部を
カーボン化させ、導通不良をきたし、センサ出力特性を
劣化させる。
［効果］
以−１−の如く本発明によれば、４５０℃以」二の高温
下においてもシール性及び電気絶縁性に優れ。
下においてもシール性及び電気絶縁性に優れ。
正確なセンサ出力特性を長期間安定に維持できるので、
ガスセンサ分野において極めて有用なものである。
ガスセンサ分野において極めて有用なものである。
第１図は本発明の一実施例に係る空燃比センサを示す正
面半断面図及び平面図。 第２図は第１図の■拡大図。 第３図は一実施例に係るセンサ素子の分解斜視図。 第４図は種々のガラスシールについて、ガラスシール部
温度と絶縁抵抗（ＭΩ）との関係を示すグラフ。 第５図は種々のガラスシールについて、ガラスシール部
温度を４００℃に維持して耐久させたときのシール性を
示すグラフ。 を夫々表わす。 １ センサ素子 ３・・ハウジング１０・・シール
ガラス １０ａ・・・第１ガラス１０ｂ・・・第２ガ
ラス 出願人 日本特殊陶業株式会社 代理人 弁理士 加 藤 朝 道（外１名） 第３図 ／フこ２１ 第４図 ガラスンール部温良（０Ｃ）
面半断面図及び平面図。 第２図は第１図の■拡大図。 第３図は一実施例に係るセンサ素子の分解斜視図。 第４図は種々のガラスシールについて、ガラスシール部
温度と絶縁抵抗（ＭΩ）との関係を示すグラフ。 第５図は種々のガラスシールについて、ガラスシール部
温度を４００℃に維持して耐久させたときのシール性を
示すグラフ。 を夫々表わす。 １ センサ素子 ３・・ハウジング１０・・シール
ガラス １０ａ・・・第１ガラス１０ｂ・・・第２ガ
ラス 出願人 日本特殊陶業株式会社 代理人 弁理士 加 藤 朝 道（外１名） 第３図 ／フこ２１ 第４図 ガラスンール部温良（０Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ハウジング内にセンサ素子が収容され、ハウジングとセ
ンサ素子との間の少なくとも一部をガラスで封着してな
るガスセンサにおいて、 シールガラスがより先方に位置する第１ガラス及びより
後方に位置する第２ガラスからなり、第１ガラスが１Ｍ
Ω以上（４５０℃）の高絶縁性を有し、 ハウジングと第２ガラスとの熱膨張係数差が２．０×１
０＾−＾６／℃以内であり、かつ、第１ガラスと第２ガ
ラスとの熱膨張係数差が１．０×１０＾−＾６／℃以内
である、 ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086282A JP2618678B2 (ja) | 1988-04-09 | 1988-04-09 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086282A JP2618678B2 (ja) | 1988-04-09 | 1988-04-09 | ガスセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259252A true JPH01259252A (ja) | 1989-10-16 |
| JP2618678B2 JP2618678B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=13882474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63086282A Expired - Fee Related JP2618678B2 (ja) | 1988-04-09 | 1988-04-09 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2618678B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11242015A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
| JPH11248674A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
| JP2004028766A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサの製造方法、及びガスセンサ |
| JP2005114527A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
| JP2018080986A (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 東京窯業株式会社 | 固体電解質センサ及び固体電解質センサの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131054U (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 端子の組付構造 |
| JPS6280552A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Japan Electronic Control Syst Co Ltd | 内燃機関用酸素センサ |
-
1988
- 1988-04-09 JP JP63086282A patent/JP2618678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131054U (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-03 | 日本特殊陶業株式会社 | 端子の組付構造 |
| JPS6280552A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Japan Electronic Control Syst Co Ltd | 内燃機関用酸素センサ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11242015A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
| JPH11248674A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
| JP2004028766A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサの製造方法、及びガスセンサ |
| JP2005114527A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
| JP2018080986A (ja) * | 2016-11-16 | 2018-05-24 | 東京窯業株式会社 | 固体電解質センサ及び固体電解質センサの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2618678B2 (ja) | 1997-06-11 |
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