JPH01260830A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH01260830A JPH01260830A JP63088789A JP8878988A JPH01260830A JP H01260830 A JPH01260830 A JP H01260830A JP 63088789 A JP63088789 A JP 63088789A JP 8878988 A JP8878988 A JP 8878988A JP H01260830 A JPH01260830 A JP H01260830A
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- Japan
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- etching
- substrate
- nozzle
- water
- torr
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔１既要〕
半導体、主としてシリコン（Ｓｉ）基板及びＳｉ系薄膜
のエツチング方法に関し。
のエツチング方法に関し。
エツチング室程を華純化し、薬品の残存しない且つ直接
描画の可能なエツチング方法を提供することを目的とし
。
描画の可能なエツチング方法を提供することを目的とし
。
真空エツチング室内にノズルより吹き出す水分子の分圧
を調節して、該ノズルより吹き出す水分子流を、エツチ
ングしようとする半導体基板に吹きつけて該基板のエツ
チングを行うように構成する。
を調節して、該ノズルより吹き出す水分子流を、エツチ
ングしようとする半導体基板に吹きつけて該基板のエツ
チングを行うように構成する。
前記分圧は、水分子流の分子の平均自由行程を大きくし
てその活性度を高めるために実用上１０−’ Ｔｏｒｒ
以下であることが必要である。
てその活性度を高めるために実用上１０−’ Ｔｏｒｒ
以下であることが必要である。
本発明は半導体、主としてシリコン（Ｓｉ）基板及びＳ
ｉ系薄膜のエツチング方法に関する。
ｉ系薄膜のエツチング方法に関する。
Ｓｔ基板及び５１０２． Ｓｉ３Ｎ４＋ＳＩＣ＋ポリＳ
ｉ等の薄膜のエツチングは、半導体素子の製造工程にお
いて不可欠の重要な工程である。
ｉ等の薄膜のエツチングは、半導体素子の製造工程にお
いて不可欠の重要な工程である。
従来、半導体素子の製造工程において半導体基板及び薄
膜をエツチングする場合は主として酸。
膜をエツチングする場合は主として酸。
アルカリ溶液を用いる方法が採られている。
しかしながら、従来のエツチング方法では、エッチング
工程後、必ず超純水による洗浄及びリンス工程が必要で
あり、それに用いられる超純水は多量であるにもかかわ
らず加工表面に付着した酸。
工程後、必ず超純水による洗浄及びリンス工程が必要で
あり、それに用いられる超純水は多量であるにもかかわ
らず加工表面に付着した酸。
アルカリはとりきれないことが屡あり、製造歩留及び素
子の信顛性を低下させていた。
子の信顛性を低下させていた。
本発明はエツチング工程を単純化し、薬品の残存しない
且つ直接描画の可能なエツチング方法を提供することを
目的とする。
且つ直接描画の可能なエツチング方法を提供することを
目的とする。
上記課題の解決は、真空エツチング室内にノズルより吹
き出す水分子の分圧を調節して、該ノズルより吹き出す
水分子流をエツチングしようとする半導体基板に吹きつ
けて該基板のエツチングを行うことを特徴とするエツチ
ング方法により達成される。
き出す水分子の分圧を調節して、該ノズルより吹き出す
水分子流をエツチングしようとする半導体基板に吹きつ
けて該基板のエツチングを行うことを特徴とするエツチ
ング方法により達成される。
前記分圧は、水分子流の分子の平均自由行程を大きくし
てその活性度を高めるために実用上１０−’ Ｔｏｒｒ
以下であることが必要である。
てその活性度を高めるために実用上１０−’ Ｔｏｒｒ
以下であることが必要である。
本発明は差動排気系を用い、超高真空工・７チング室内
にノズルより吹き出す水分子の分圧を調整することによ
り、ノズルより吹き出す水分子流は各分子の平均自由行
程を大きくシ、活性化された状態にできることを利用し
て、この状態の水分子流をノズルよりエツチングしよう
とする基板表面に吹きつけることによりエツチングを進
行させるものである。
にノズルより吹き出す水分子の分圧を調整することによ
り、ノズルより吹き出す水分子流は各分子の平均自由行
程を大きくシ、活性化された状態にできることを利用し
て、この状態の水分子流をノズルよりエツチングしよう
とする基板表面に吹きつけることによりエツチングを進
行させるものである。
又、ノズル又は基板を走査することにより直接描画エツ
チングが可能となる。
チングが可能となる。
第１図は本発明の原理図である。
図中に９分子及びその挙動が模式的に画かれている。
図において、高真空エツチング室内に設けられたノズル
ｌより吹き出す水の分子流は同じエツチング室内に置か
れたＳｉ基板２に当たり、高速で吹きつけられた水分子
はＳｉ基板表面で分解する。
ｌより吹き出す水の分子流は同じエツチング室内に置か
れたＳｉ基板２に当たり、高速で吹きつけられた水分子
はＳｉ基板表面で分解する。
この分解したフラグメントはＳｔと容易に反応し。
Ｓｉｎ、 ＳｉＬ等の不飽和の分子を生成する。
反応系内は高真空に保たれているので、生成された分子
は気化して除去される。
は気化して除去される。
以上のようにして１分子流エツチングは進行する。
第２図は本発明の一実施例を説明する水分子流エツチン
グ装置の断面図である。
グ装置の断面図である。
図において、ｌは水の分子流を吹き出すノズル。
２はエツチングしようとするＳｉ基板、３はエツチング
室、４は基板を保持するサセプタ、５はエツチング水を
入れる容器、６は水を入れる容器を０℃に冷却するコー
ルドトラップ、７は微小流量弁。
室、４は基板を保持するサセプタ、５はエツチング水を
入れる容器、６は水を入れる容器を０℃に冷却するコー
ルドトラップ、７は微小流量弁。
８はターボモレキュラポンプ（ＴＭＰ） 、 ９は回
転ポンプ（ＲＰ）である。
転ポンプ（ＲＰ）である。
容器庫に入れる水は、イオン交換、紫外線照射。
逆浸透膜２分子フィルタ等の過程を経た超純水を用いる
。
。
又、コールドトラップ６は、超純水の圧力上昇を一防止
するために用いる。
するために用いる。
この装置を用いて、Ｓｉの直接描画によるバターニング
を説明する。
を説明する。
Ｓｉ基板２が置かれたエツチング室今内は排気系（図番
８，９）により１０− ’°Ｔｏｒｒ程度の超高真空に
保たれる。
８，９）により１０− ’°Ｔｏｒｒ程度の超高真空に
保たれる。
Ｓｉ基板２のエツチングされる部分にノズル１を近づけ
る。このときノズル先端と基板間の距離は１ｍｍ以内に
し、ノズル径は１μｍ以内にする。
る。このときノズル先端と基板間の距離は１ｍｍ以内に
し、ノズル径は１μｍ以内にする。
次いで、微小流量弁７を開け、水分子流をＳｉ基板２に
吹きつけてエツチングを行う。
吹きつけてエツチングを行う。
このときの水分子の分圧を排気能力及びノズル径により
調節し、エツチング室４の内部を１Ｏ−４Ｔｏｒｒ程度
に保つ。この際水の分圧は（１０−’−１０−”）Ｔｏ
ｒｒ＃１０−’ Ｔｏｒｒ。
調節し、エツチング室４の内部を１Ｏ−４Ｔｏｒｒ程度
に保つ。この際水の分圧は（１０−’−１０−”）Ｔｏ
ｒｒ＃１０−’ Ｔｏｒｒ。
となり、この室内圧力が略本の分圧に相当することにな
る。
る。
上記のようにして、 Ｓｉ基板は１μｍ／ｍｉｎ程度の
速度でエツチングされる。
速度でエツチングされる。
このようにして得られたエツチング面は薬品を用いてい
ないため非常に清浄である。
ないため非常に清浄である。
実施例では直接描画によるパターニングについて説明し
たが１本発明は拡散や気相成長（ＣＶＤ）工程等におけ
る基板の全面もしくは部分的な前洗浄としても応用でき
る。
たが１本発明は拡散や気相成長（ＣＶＤ）工程等におけ
る基板の全面もしくは部分的な前洗浄としても応用でき
る。
又、実施例においては比較的活性なＳｉのエツチングに
ついて説明したが、水分子流との間に反応生成物をつく
るその他の半導体１例えばＧａＡｓ。
ついて説明したが、水分子流との間に反応生成物をつく
るその他の半導体１例えばＧａＡｓ。
ＩｎＰ等の化合物半導体についても本発明を適用するこ
とができる。
とができる。
以上説明したように本発明によれば、エツチング工程を
単純化し、薬品の残存しない且つ直接描画の可能なエツ
チング方法が得られた。
単純化し、薬品の残存しない且つ直接描画の可能なエツ
チング方法が得られた。
例えば、Ｓｉ基板に１００ ｎｍのパターンがマスクレ
スで描画でき、さらにエツチングされた部分は清浄な自
然酸化膜を表面に持つＳｉ面が得られた。
スで描画でき、さらにエツチングされた部分は清浄な自
然酸化膜を表面に持つＳｉ面が得られた。
第１図は本発明の原理図。
第２図は本発明の一実施例を説明する水分子流エツチン
グ装置の断面図である。 図において２ １は水の分子流を吹き出すノズル。 ２はエツチングしようとするＳｉ基板。 ３はエツチング室。 ４は基板を保持するサセプタ。 ５はエンチング水を入れる容器。 ６はコールドトラップ。 ７は微小流量弁。 ８はターボモレキュラポンプ（ＴＭＰ） 。 ９は回転ポンプ（ＲＰ） 臭成例○斯わ日 ３２ ■
グ装置の断面図である。 図において２ １は水の分子流を吹き出すノズル。 ２はエツチングしようとするＳｉ基板。 ３はエツチング室。 ４は基板を保持するサセプタ。 ５はエンチング水を入れる容器。 ６はコールドトラップ。 ７は微小流量弁。 ８はターボモレキュラポンプ（ＴＭＰ） 。 ９は回転ポンプ（ＲＰ） 臭成例○斯わ日 ３２ ■
Claims (2)
- （１）真空エッチング室内にノズルより吹き出す水分子
の分圧を調節して、該ノズルより吹き出す水分子流をエ
ッチングしようとする半導体基板に吹きつけて該基板の
エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。 - （２）前記分圧が１０＾−＾４Ｔｏｒｒ以下であること
を特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088789A JP2681988B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63088789A JP2681988B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01260830A true JPH01260830A (ja) | 1989-10-18 |
| JP2681988B2 JP2681988B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=13952607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63088789A Expired - Lifetime JP2681988B2 (ja) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681988B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294461A (ja) * | 2003-02-21 | 2008-12-04 | Panasonic Corp | 液相エッチング装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019804Y1 (ja) * | 1970-10-29 | 1975-06-16 | ||
| JPS546418Y1 (ja) * | 1970-07-17 | 1979-03-26 | ||
| JPS54157017U (ja) * | 1978-04-24 | 1979-11-01 | ||
| JPH0614880Y2 (ja) * | 1988-07-26 | 1994-04-20 | 忠助 浦田 | 汚水処理装置 |
-
1988
- 1988-04-11 JP JP63088789A patent/JP2681988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546418Y1 (ja) * | 1970-07-17 | 1979-03-26 | ||
| JPS5019804Y1 (ja) * | 1970-10-29 | 1975-06-16 | ||
| JPS54157017U (ja) * | 1978-04-24 | 1979-11-01 | ||
| JPH0614880Y2 (ja) * | 1988-07-26 | 1994-04-20 | 忠助 浦田 | 汚水処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008294461A (ja) * | 2003-02-21 | 2008-12-04 | Panasonic Corp | 液相エッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681988B2 (ja) | 1997-11-26 |
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