JPH0126175B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0126175B2 JPH0126175B2 JP55166134A JP16613480A JPH0126175B2 JP H0126175 B2 JPH0126175 B2 JP H0126175B2 JP 55166134 A JP55166134 A JP 55166134A JP 16613480 A JP16613480 A JP 16613480A JP H0126175 B2 JPH0126175 B2 JP H0126175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal foil
- fingers
- flexible tape
- photoresist
- copper foil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フイルムキヤリアのフレキシブルテ
ープの製造方法に関する。
ープの製造方法に関する。
従来のフイルムキヤリアのフレキシブルテープ
製造方法は、第１図に示す如く概して10工程であ
る。そのａは、ポリイミドテープ１にデイバイス
穴２が設けられた断面図、ｂはその表面に銅箔３
が設けられた断面図、ｃは銅箔３上にフオトレジ
スト４が形成された断面図、ｄはレジスト上にパ
ターンの形状のマスクを配し露光する状態の断面
図、ｅはレジストの未露光部を現像・除去した状
態の断面図、ｆはポリイミドテープ１のデイバイ
ス穴２をエツチングレジスト５で埋めた状態の断
面図、ｇは銅箔３をエツチングしフインガー６を
多数形成した状態の断面図、ｈはフオトレジスト
４及びエツチングレジストを除去した状態の断面
図、ｉはフインガー６を化学研摩を行なつた状態
の断面図、ｊはフインガーにスズメツキを行なつ
た場合を説明する断面図である。
製造方法は、第１図に示す如く概して10工程であ
る。そのａは、ポリイミドテープ１にデイバイス
穴２が設けられた断面図、ｂはその表面に銅箔３
が設けられた断面図、ｃは銅箔３上にフオトレジ
スト４が形成された断面図、ｄはレジスト上にパ
ターンの形状のマスクを配し露光する状態の断面
図、ｅはレジストの未露光部を現像・除去した状
態の断面図、ｆはポリイミドテープ１のデイバイ
ス穴２をエツチングレジスト５で埋めた状態の断
面図、ｇは銅箔３をエツチングしフインガー６を
多数形成した状態の断面図、ｈはフオトレジスト
４及びエツチングレジストを除去した状態の断面
図、ｉはフインガー６を化学研摩を行なつた状態
の断面図、ｊはフインガーにスズメツキを行なつ
た場合を説明する断面図である。
この場合、フイルムキヤリアのフレキシブルテ
ープに使用される金属箔は銅箔が大部分で、プラ
スチツクフイルムとの接着力を強くするために裏
面（プラスチツクフイルムと接着する面）に約
10μmの凹凸がある。フイルムキヤリアのフレキ
シブルテープではフインガー形成後スズメツキ
等々を施し金バンプ付半導体集積回路とボンデイ
ングを行なうが金とスズの良好な共晶状態と充分
なボンデイング強度を得るためには、均一なメツ
キ厚みと更にフインガーの幅のバラツキの少ない
ものが要求されている。従つて、均一なメツキ厚
みを得るために金属箔の裏面をメツキ形成前に滑
らかにしなければならない。従来のフイルムキヤ
リアのフレキシブルテープ製造は、第１図ｉに示
す如くフインガーを形成した後に研磨を行なつて
いた。この方法では、メツキ厚みは均一になるが
エツチング工程においてフインガーの幅のバラツ
キが比較的少ない状態であつたのが研磨されると
更にそれが助長されバラツキの多い状態ができる
という欠点を有していた。
ープに使用される金属箔は銅箔が大部分で、プラ
スチツクフイルムとの接着力を強くするために裏
面（プラスチツクフイルムと接着する面）に約
10μmの凹凸がある。フイルムキヤリアのフレキ
シブルテープではフインガー形成後スズメツキ
等々を施し金バンプ付半導体集積回路とボンデイ
ングを行なうが金とスズの良好な共晶状態と充分
なボンデイング強度を得るためには、均一なメツ
キ厚みと更にフインガーの幅のバラツキの少ない
ものが要求されている。従つて、均一なメツキ厚
みを得るために金属箔の裏面をメツキ形成前に滑
らかにしなければならない。従来のフイルムキヤ
リアのフレキシブルテープ製造は、第１図ｉに示
す如くフインガーを形成した後に研磨を行なつて
いた。この方法では、メツキ厚みは均一になるが
エツチング工程においてフインガーの幅のバラツ
キが比較的少ない状態であつたのが研磨されると
更にそれが助長されバラツキの多い状態ができる
という欠点を有していた。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目
的はフインガーの幅のバラツキが非常に少ない高
性能なフイルムキヤリアのフレキシブルテープを
提供するものである。本発明の要旨は、フレキシ
ブルテープにデバイス穴を連続的に形成する工
程、 上記フレキシブルテープ上に金属箔を貼り付る
工程、 上記金属箔の表裏面を研磨する工程、 上記金属箔表面にフオトレジストを塗布し、択
的にフオトレジストを露光、現像、除去する程、 前記デバイス穴をエツチングレジストで埋め工
程、 前記金属箔をエツチングし前記デバイス穴に端
が突出するように多数のフインガーが形成される
工程、 前記フインガーにメツキを施す工程、 を有することを特徴とするフイルムキヤリアのレ
キシブルテープの製造方法である。
的はフインガーの幅のバラツキが非常に少ない高
性能なフイルムキヤリアのフレキシブルテープを
提供するものである。本発明の要旨は、フレキシ
ブルテープにデバイス穴を連続的に形成する工
程、 上記フレキシブルテープ上に金属箔を貼り付る
工程、 上記金属箔の表裏面を研磨する工程、 上記金属箔表面にフオトレジストを塗布し、択
的にフオトレジストを露光、現像、除去する程、 前記デバイス穴をエツチングレジストで埋め工
程、 前記金属箔をエツチングし前記デバイス穴に端
が突出するように多数のフインガーが形成される
工程、 前記フインガーにメツキを施す工程、 を有することを特徴とするフイルムキヤリアのレ
キシブルテープの製造方法である。
以下、実施例に基づいて本発明を詳しく説明す
る。
る。
第２図は本発明のフイルムキヤリアのフレキシ
ブルテープ製造方法である。従来の方法と異なる
ところは、金属箔をプラスチツクフイルムに貼付
けた後に研磨を実施するという点である。本実施
例では１つのデバイス穴２に80本のフインガー６
を有するフイルムキヤリアのフレキシブルテープ
の製造方法について各製造工程毎に詳しく説明す
る。先ず接着剤が塗布されている幅35mm長さ50ｍ
ポリイミドテープ１の中心に10mmの正方形のデイ
バイス穴２を25mm間隔で連続的に明ける。（第１
―ａ図）次に厚み約35μm幅26mmの銅箔３をポリ
イミドテープ１に貼付ける。（第２―ｂ図）次に
銅箔３を洗浄液で汚れと酸化膜を除去した後に約
50℃に加温された化学研磨液（過酸化水素水を主
成分とする。）に数分間浸漬する。デイバイス穴
２の銅箔３の厚みは約25μm又銅箔３の裏面の凹
凸も約10μmから約２〜3μmとなり非常に滑らか
になる。一方ポリイミドテープ１上の銅箔３は片
側からのみ研磨されるので厚みは約30μmとなる。
（第２―ｃ図）次にフオトレジスト４を塗布し露
光及び現像を行ないエツチングする銅箔３上のフ
オトレジスト４を除去する。（第２図―ｄ図、第
２―ｅ図、第２―ｆ図）次にデイバイス穴２の銅
箔３がポリイミドテープ１側からエツチングされ
ないようにデイバイス穴２をエツチングレジスト
５を塗布して埋める。（第２―ｇ図）次に約40℃
に加温した塩化第２鉄をシヤワーで銅箔３面に吹
きつけエツチングする。従来の方法では銅箔３の
厚みが約35μmであるのに比較して約25μmと薄く
エツチング量が少ないためにフインガー６の幅の
バラツキが少なくなりフイルムキヤリアのフレキ
シブルテープの50ｍにおける全てのフインガー６
の幅のバラツキは約7μm以内に収まる。更にサイ
ドエツチング量が少ないのでエツチングフアクタ
ーも高くでき、非常にシヤープなフインガー６形
成が可能である。（第２―ｈ図）次にフオトレジ
スト４とエツチングレジスト５を剥離しスズメツ
キ７を約0.5μm形成する。（第２―ｉ図、第２―
ｊ図） 以上の例にみられるように金属箔をプラスチツ
クフイルムに貼付けた後に金属箔を研磨してから
フオトエツチングすることによりフインガーの幅
のバラツキが非常に少ない高性能なフイルムキヤ
リアのフレキシブルテープを提供することができ
る。本実施例は金属箔を研磨するのに化学研磨を
使用したがブラシ又はバフ研磨等々の機械的な研
磨方法でも目的は達成できる。
ブルテープ製造方法である。従来の方法と異なる
ところは、金属箔をプラスチツクフイルムに貼付
けた後に研磨を実施するという点である。本実施
例では１つのデバイス穴２に80本のフインガー６
を有するフイルムキヤリアのフレキシブルテープ
の製造方法について各製造工程毎に詳しく説明す
る。先ず接着剤が塗布されている幅35mm長さ50ｍ
ポリイミドテープ１の中心に10mmの正方形のデイ
バイス穴２を25mm間隔で連続的に明ける。（第１
―ａ図）次に厚み約35μm幅26mmの銅箔３をポリ
イミドテープ１に貼付ける。（第２―ｂ図）次に
銅箔３を洗浄液で汚れと酸化膜を除去した後に約
50℃に加温された化学研磨液（過酸化水素水を主
成分とする。）に数分間浸漬する。デイバイス穴
２の銅箔３の厚みは約25μm又銅箔３の裏面の凹
凸も約10μmから約２〜3μmとなり非常に滑らか
になる。一方ポリイミドテープ１上の銅箔３は片
側からのみ研磨されるので厚みは約30μmとなる。
（第２―ｃ図）次にフオトレジスト４を塗布し露
光及び現像を行ないエツチングする銅箔３上のフ
オトレジスト４を除去する。（第２図―ｄ図、第
２―ｅ図、第２―ｆ図）次にデイバイス穴２の銅
箔３がポリイミドテープ１側からエツチングされ
ないようにデイバイス穴２をエツチングレジスト
５を塗布して埋める。（第２―ｇ図）次に約40℃
に加温した塩化第２鉄をシヤワーで銅箔３面に吹
きつけエツチングする。従来の方法では銅箔３の
厚みが約35μmであるのに比較して約25μmと薄く
エツチング量が少ないためにフインガー６の幅の
バラツキが少なくなりフイルムキヤリアのフレキ
シブルテープの50ｍにおける全てのフインガー６
の幅のバラツキは約7μm以内に収まる。更にサイ
ドエツチング量が少ないのでエツチングフアクタ
ーも高くでき、非常にシヤープなフインガー６形
成が可能である。（第２―ｈ図）次にフオトレジ
スト４とエツチングレジスト５を剥離しスズメツ
キ７を約0.5μm形成する。（第２―ｉ図、第２―
ｊ図） 以上の例にみられるように金属箔をプラスチツ
クフイルムに貼付けた後に金属箔を研磨してから
フオトエツチングすることによりフインガーの幅
のバラツキが非常に少ない高性能なフイルムキヤ
リアのフレキシブルテープを提供することができ
る。本実施例は金属箔を研磨するのに化学研磨を
使用したがブラシ又はバフ研磨等々の機械的な研
磨方法でも目的は達成できる。
第１図ａ〜ｊは従来のフイルムキヤリアのフレ
キシブルテープの各製造工程における断面図を示
す。第２図ａ〜ｊは本発明のフイルムキヤリアの
フレキシブルテープの各製造工程における断面図
を示す。 １はポリイミドテープ、２はデイバイス穴、３
は銅箔、４はフオトレジスト、５はエツチングレ
ジスト、６はフインガー、７はスズメツキであ
る。
キシブルテープの各製造工程における断面図を示
す。第２図ａ〜ｊは本発明のフイルムキヤリアの
フレキシブルテープの各製造工程における断面図
を示す。 １はポリイミドテープ、２はデイバイス穴、３
は銅箔、４はフオトレジスト、５はエツチングレ
ジスト、６はフインガー、７はスズメツキであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フレキシブルテープにデバイス穴を連続的に
形成する工程、 上記フレキシブルテープ上に金属箔を貼り付け
る工程、 上記金属箔の表裏面を研磨する工程、 上記金属箔表面にフオトレジストを塗布し、選
択的にフオトレジストを露光、現像、除去する工
程、 前記デバイス穴をエツチングレジストで埋める
工程、 前記金属箔をエツチングし前記デバイス穴に内
端が突出するように多数のフインガーが形成され
る工程、 前記フインガーにメツキを施す工程、 を有することを特徴とするフイルムキヤリアのフ
レキシブルテープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55166134A JPS5789950A (en) | 1980-11-26 | 1980-11-26 | Manufacture of flexible tape of film carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55166134A JPS5789950A (en) | 1980-11-26 | 1980-11-26 | Manufacture of flexible tape of film carrier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5789950A JPS5789950A (en) | 1982-06-04 |
| JPH0126175B2 true JPH0126175B2 (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=15825658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55166134A Granted JPS5789950A (en) | 1980-11-26 | 1980-11-26 | Manufacture of flexible tape of film carrier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5789950A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171134A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Fuji Xerox Co Ltd | フイルムキヤリアおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2660934B2 (ja) * | 1989-10-30 | 1997-10-08 | 三井金属鉱業株式会社 | 接続機能を有するテープキャリヤ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412993B2 (ja) * | 1972-07-05 | 1979-05-26 | ||
| JPS52124865A (en) * | 1976-04-13 | 1977-10-20 | Sharp Corp | Semiconductor device |
-
1980
- 1980-11-26 JP JP55166134A patent/JPS5789950A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5789950A (en) | 1982-06-04 |
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