JPH0126230B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0126230B2 JPH0126230B2 JP56130965A JP13096581A JPH0126230B2 JP H0126230 B2 JPH0126230 B2 JP H0126230B2 JP 56130965 A JP56130965 A JP 56130965A JP 13096581 A JP13096581 A JP 13096581A JP H0126230 B2 JPH0126230 B2 JP H0126230B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- periphery
- electrode pad
- semiconductor substrate
- solid
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光を検知して画像信号を得る固体撮像
素子に関する。
素子に関する。
この種固体撮像素子の基本構成を第１図に模式
的に示す。斯る素子は半導体からなる複数の光電
変換領域ａ…が配列された受光部Ａと、この受光
部Ａの両辺に沿つて設けられた複数の転送電極ｂ
…を備えたCCD（電荷結合素子）型の２本の電荷
転送部Ｂ，Ｂと、これ等半導体Ａと電荷転送部
Ｂ，Ｂとの間に夫々介在した２本のゲート電極
Ｃ，Ｃと、に依つて構成されている。そして、ゲ
ート電極Ｃ，Ｃには、上記受光部Ａに生じる光電
荷を２本の電荷転送部Ｂ，Ｂに振り分け導入する
為のクロツクパルスφGが印加されると共に、電
荷転送部Ｂ，Ｂの各転送電極ｂ…には受光部Ａか
ら導入された光電荷を画像信号として外部に転送
出力する為の２相のクロツクパルスφ1，φ2が印
加される構成となつている。
的に示す。斯る素子は半導体からなる複数の光電
変換領域ａ…が配列された受光部Ａと、この受光
部Ａの両辺に沿つて設けられた複数の転送電極ｂ
…を備えたCCD（電荷結合素子）型の２本の電荷
転送部Ｂ，Ｂと、これ等半導体Ａと電荷転送部
Ｂ，Ｂとの間に夫々介在した２本のゲート電極
Ｃ，Ｃと、に依つて構成されている。そして、ゲ
ート電極Ｃ，Ｃには、上記受光部Ａに生じる光電
荷を２本の電荷転送部Ｂ，Ｂに振り分け導入する
為のクロツクパルスφGが印加されると共に、電
荷転送部Ｂ，Ｂの各転送電極ｂ…には受光部Ａか
ら導入された光電荷を画像信号として外部に転送
出力する為の２相のクロツクパルスφ1，φ2が印
加される構成となつている。
第２図に斯様な固体撮像素子の従来例の断面図
を示す。同図に於いて１は半導体基板でＰ型シリ
コンが用いられる。２は該半導体基板１表面に酸
化形成された透明な二酸化シリコンからなる絶縁
膜である。そして、第１図の模式平面図にも示し
た如く、上記半導体基板１内に形成された光電変
換領域ａ…からなる受光部Ａと、この受光部Ａの
両側辺の上記絶縁膜２上に形成された２本のゲー
ト電極Ｃ，Ｃと、更にその両外側辺に形成された
転送電極ｂ，ｂを有する電荷転送部Ｂ，Ｂと、を
備えており、これ等の働きに依つて画像信号が得
られる。３は上記半導体基板１の縁部の絶縁膜２
上に形成された電極パツドであり、上記ゲート電
極Ｃ，Ｃ、又は上記転送電極ｂ，ｂに電気的に接
続され、クロツクパルスφG、又はφ1，φ2を供給
する為の外部リード線をボンデンデイング結合す
る所である。４は上記受光部Ａと、ゲート電極
Ｃ，Ｃと、電荷転送部Ｂ，Ｂと、からなる撮像機
能部の周囲の絶縁膜２上に形成されたアルミニウ
ムの蒸着膜からなる光遮蔽膜であり、上記転送電
極ｂ，ｂとは層間絶縁膜２′を介して一部が重な
り合う様に構成し、光の遮蔽を行なつている。
を示す。同図に於いて１は半導体基板でＰ型シリ
コンが用いられる。２は該半導体基板１表面に酸
化形成された透明な二酸化シリコンからなる絶縁
膜である。そして、第１図の模式平面図にも示し
た如く、上記半導体基板１内に形成された光電変
換領域ａ…からなる受光部Ａと、この受光部Ａの
両側辺の上記絶縁膜２上に形成された２本のゲー
ト電極Ｃ，Ｃと、更にその両外側辺に形成された
転送電極ｂ，ｂを有する電荷転送部Ｂ，Ｂと、を
備えており、これ等の働きに依つて画像信号が得
られる。３は上記半導体基板１の縁部の絶縁膜２
上に形成された電極パツドであり、上記ゲート電
極Ｃ，Ｃ、又は上記転送電極ｂ，ｂに電気的に接
続され、クロツクパルスφG、又はφ1，φ2を供給
する為の外部リード線をボンデンデイング結合す
る所である。４は上記受光部Ａと、ゲート電極
Ｃ，Ｃと、電荷転送部Ｂ，Ｂと、からなる撮像機
能部の周囲の絶縁膜２上に形成されたアルミニウ
ムの蒸着膜からなる光遮蔽膜であり、上記転送電
極ｂ，ｂとは層間絶縁膜２′を介して一部が重な
り合う様に構成し、光の遮蔽を行なつている。
斯様な固体撮像素子は、光遮蔽膜４に依つて光
電変換領域ａの周囲近傍に於いて、即ち、半導体
基板の中央部に於いて、この光電変換領域ａ以外
の半導体基板内に光が入射する事を防止し、この
入射光に依つて生じるノイズ光電荷が電荷転送部
Ｂを転送中の正常な光電荷に混入する不都合の改
善を計つている。
電変換領域ａの周囲近傍に於いて、即ち、半導体
基板の中央部に於いて、この光電変換領域ａ以外
の半導体基板内に光が入射する事を防止し、この
入射光に依つて生じるノイズ光電荷が電荷転送部
Ｂを転送中の正常な光電荷に混入する不都合の改
善を計つている。
しかしながら、近年この種固体撮像素子の集積
化が進みこの為、格子欠陥の無い良質の半導体基
板が用いられる様になり、小面積の光電変換領域
ａ…であつても充分な光電荷を効率良く得られる
様になつている。この為、半導体基板１の縁部に
入射された光に依つて生じるノイズ光電荷量も増
大し、このノイズ光電荷が、この半導体基板１の
中央に位置する電荷転送部Ｂに迄到達する事にな
る。従つて、この電荷転送部Ｂを転送中の正常な
光電荷にノイズ光電荷が混入する不都合が生じ、
これに依り得られる画像信号のＳ／Ｎ比が劣化す
る欠点があつた。
化が進みこの為、格子欠陥の無い良質の半導体基
板が用いられる様になり、小面積の光電変換領域
ａ…であつても充分な光電荷を効率良く得られる
様になつている。この為、半導体基板１の縁部に
入射された光に依つて生じるノイズ光電荷量も増
大し、このノイズ光電荷が、この半導体基板１の
中央に位置する電荷転送部Ｂに迄到達する事にな
る。従つて、この電荷転送部Ｂを転送中の正常な
光電荷にノイズ光電荷が混入する不都合が生じ、
これに依り得られる画像信号のＳ／Ｎ比が劣化す
る欠点があつた。
本発明は上述の不都合を解消するものであり、
受光部以外の半導体基板内に入射される光を完全
に遮蔽した構成の固体撮像素子を提供するもので
ある。
受光部以外の半導体基板内に入射される光を完全
に遮蔽した構成の固体撮像素子を提供するもので
ある。
第３図に本発明の固体撮像素子の一実施例の断
面図を示す。同図の本発明実施例が第２図の従来
例と異なる所は、光電変換領域ａを有する受光部
Ａと、ゲート電極Ｃ，Ｃと、転送電極ｂ，ｂを有
する電荷転送部Ｂ，Ｂと、からなる撮像機能部の
周囲近傍のみならず、半導体基板１の縁部に配置
された電極パツド３を残して、この半導体基板１
の表面の絶縁膜２上の全面にアルミニウムの蒸着
層からなる光遮蔽膜４′を設けた点にある。そし
て、本発明固体撮像素子が最も特徴とする所は、
上記電極パツド３の周縁部と、上記光遮蔽膜４′
の開口周縁部と、が層間絶縁膜２′を介して重な
り合う点にあり、これに依つて、電極パツド３と
光遮蔽膜４′との間隙が互いに接触する事なく完
全に覆蓋されている。
面図を示す。同図の本発明実施例が第２図の従来
例と異なる所は、光電変換領域ａを有する受光部
Ａと、ゲート電極Ｃ，Ｃと、転送電極ｂ，ｂを有
する電荷転送部Ｂ，Ｂと、からなる撮像機能部の
周囲近傍のみならず、半導体基板１の縁部に配置
された電極パツド３を残して、この半導体基板１
の表面の絶縁膜２上の全面にアルミニウムの蒸着
層からなる光遮蔽膜４′を設けた点にある。そし
て、本発明固体撮像素子が最も特徴とする所は、
上記電極パツド３の周縁部と、上記光遮蔽膜４′
の開口周縁部と、が層間絶縁膜２′を介して重な
り合う点にあり、これに依つて、電極パツド３と
光遮蔽膜４′との間隙が互いに接触する事なく完
全に覆蓋されている。
斯る構成の固体撮像素子に於いては、受光部Ａ
の光電変換領域ａ…以外の半導体基板は、ゲート
電極Ｃ，Ｃと、電荷転送電極ｂ…と、電極パツド
３と、これ等電極と端部が重なり合つた光遮蔽膜
と、に依つて全面的に覆われており、全く露出さ
れていない。
の光電変換領域ａ…以外の半導体基板は、ゲート
電極Ｃ，Ｃと、電荷転送電極ｂ…と、電極パツド
３と、これ等電極と端部が重なり合つた光遮蔽膜
と、に依つて全面的に覆われており、全く露出さ
れていない。
本発明の固体撮像素子は、以上の説明から明ら
かな如く、電極パツド箇所の金属光遮蔽膜の開口
周縁部と、電極パツドの周縁部と、を層間絶縁膜
を介して重なり合せたものであるので、従来装置
の如く離間した電極パツドと、金属光遮蔽膜と、
の間〓から半導体基板内に入射される光に依つて
生じるノイズ光電荷を皆無とする事ができる。従
つて、Ｓ／Ｎ比の良好な画像信号を得る事ができ
る。
かな如く、電極パツド箇所の金属光遮蔽膜の開口
周縁部と、電極パツドの周縁部と、を層間絶縁膜
を介して重なり合せたものであるので、従来装置
の如く離間した電極パツドと、金属光遮蔽膜と、
の間〓から半導体基板内に入射される光に依つて
生じるノイズ光電荷を皆無とする事ができる。従
つて、Ｓ／Ｎ比の良好な画像信号を得る事ができ
る。
第１図は固体撮像素子の基本構成を示す平面模
式図、第２図は従来の固体撮像素子の断面図、第
３図は本発明固体撮像素子の断面図、であり、１
は半導体基板、２，２′は絶縁膜、３は電極パツ
ド、４，４′は光遮蔽膜、Ａは受光部、Ｂは電荷
転送部、を夫々示している。
式図、第２図は従来の固体撮像素子の断面図、第
３図は本発明固体撮像素子の断面図、であり、１
は半導体基板、２，２′は絶縁膜、３は電極パツ
ド、４，４′は光遮蔽膜、Ａは受光部、Ｂは電荷
転送部、を夫々示している。
Claims (1)
- １ 半導体基板に、複数の受光部と、該受光部に
生じる光電荷を転送出力する電荷転送部と、該電
荷転送部に連なる各種の電極パツドと、を備え、
上記受光部箇所と上記電極パツド箇所とを除いた
上記半導体基板表面に層間絶縁膜を介して金属光
遮蔽膜を設けてなる固体撮像素子に於いて、上記
金属遮蔽膜は、上記半導体基板の周縁部まで延在
して上記電極パツドの周辺部をすべて被覆すると
共に、上記電極パツドの周縁部と層間絶縁膜を介
して重畳し、上記電極パツドの周縁部から入射す
る光を遮蔽することを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130965A JPS5831673A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130965A JPS5831673A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831673A JPS5831673A (ja) | 1983-02-24 |
| JPH0126230B2 true JPH0126230B2 (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=15046757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56130965A Granted JPS5831673A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831673A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11759571B2 (en) | 2013-03-22 | 2023-09-19 | Amgen Inc. | Injector and method of assembly |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704959A (en) * | 1986-01-22 | 1987-11-10 | Scallen David J | Apparatus for cutting potatoes and onions |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58227B2 (ja) * | 1973-12-18 | 1983-01-05 | 富士通株式会社 | コタイサツゾウソウチ |
| JPS6013553B2 (ja) * | 1977-02-24 | 1985-04-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| JPS5422122A (en) * | 1977-07-20 | 1979-02-19 | Fujitsu Ltd | Solid state pickup element |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP56130965A patent/JPS5831673A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11759571B2 (en) | 2013-03-22 | 2023-09-19 | Amgen Inc. | Injector and method of assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5831673A (ja) | 1983-02-24 |
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