JPH01262921A - ガス流からのｈ↓２ｓの除去方法 - Google Patents
ガス流からのｈ↓２ｓの除去方法Info
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- JPH01262921A JPH01262921A JP1046351A JP4635189A JPH01262921A JP H01262921 A JPH01262921 A JP H01262921A JP 1046351 A JP1046351 A JP 1046351A JP 4635189 A JP4635189 A JP 4635189A JP H01262921 A JPH01262921 A JP H01262921A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、下記工程から成るガス流からの１４ ８の除
去方法に関する； （ａ）第一吸収帯ｔａ（ａｂｓｏｒｐｔ ｉｏｎ ｚｏ
ｎｅ） ニ１３ （＋’ Ｔ、ガス流と再生しうる水性
吸収剤とを接触させて、精製ガスおよびＨＳ含有の負荷
吸収剤（ｌ ｏａｄｅｄａｂｓｏｒｂｅｎｔ）を１０る
■稈； ｂ）第一・吸収帯域からの１１荷吸収剤を再生器へ供給
し、ここで吸収剤は再生され、ＨＳ含有の再１器排ガス
を生成する■程： （Ｃ）再生４耕ガスの少なくとも一部を硫黄回収プラン
トへ供給し、ここで元木状硫質が生成され、かつここで
Ｓ０２およびＨ２ｓ含有のプラント排ガスが形成される
■程： （ｄ）プラント排ガス中のＳＯをＨＳに転換し、還元ブ
ラント排ガスを１′７６エ稈；（ｅ）第二吸収帯域にお
ける還元プラント１Ｍガスと再生しうる水性吸収剤とを
接触させて、第二精製ガスおよびＨ８含有の半負荷吸収
剤（ｓｅｍｉ−１ｏａｄｅｄ ａｂｓｏｒｂｅｎｔ）を
得る■稈：および（ｆ）第二吸収帯域からの″Ｉ２負荷
吸収剤を再生器に送り、ここで吸収剤が工程（ａ）およ
び工程（ｅ）における水性吸収剤としての使用のために
再生される工程。
去方法に関する； （ａ）第一吸収帯ｔａ（ａｂｓｏｒｐｔ ｉｏｎ ｚｏ
ｎｅ） ニ１３ （＋’ Ｔ、ガス流と再生しうる水性
吸収剤とを接触させて、精製ガスおよびＨＳ含有の負荷
吸収剤（ｌ ｏａｄｅｄａｂｓｏｒｂｅｎｔ）を１０る
■稈； ｂ）第一・吸収帯域からの１１荷吸収剤を再生器へ供給
し、ここで吸収剤は再生され、ＨＳ含有の再１器排ガス
を生成する■程： （Ｃ）再生４耕ガスの少なくとも一部を硫黄回収プラン
トへ供給し、ここで元木状硫質が生成され、かつここで
Ｓ０２およびＨ２ｓ含有のプラント排ガスが形成される
■程： （ｄ）プラント排ガス中のＳＯをＨＳに転換し、還元ブ
ラント排ガスを１′７６エ稈；（ｅ）第二吸収帯域にお
ける還元プラント１Ｍガスと再生しうる水性吸収剤とを
接触させて、第二精製ガスおよびＨ８含有の半負荷吸収
剤（ｓｅｍｉ−１ｏａｄｅｄ ａｂｓｏｒｂｅｎｔ）を
得る■稈：および（ｆ）第二吸収帯域からの″Ｉ２負荷
吸収剤を再生器に送り、ここで吸収剤が工程（ａ）およ
び工程（ｅ）における水性吸収剤としての使用のために
再生される工程。
既知の方法において、負荷吸収剤は完全に再生され、再
生器から第一吸収帯域および第二吸収帯域へ供給される
。
生器から第一吸収帯域および第二吸収帯域へ供給される
。
再生器における再生は、吸収剤を再沸騰させてストリッ
ピング流を得ることによって実施されている。このスト
リッピング流は、再生器において１」２Ｓを吸収剤から
取り除き、Ｈ２Ｓ含右の再生４排ガスを生成覆る。
ピング流を得ることによって実施されている。このスト
リッピング流は、再生器において１」２Ｓを吸収剤から
取り除き、Ｈ２Ｓ含右の再生４排ガスを生成覆る。
負荷吸収剤を再生するのに要する熱の焔を減少させるこ
とが本発明の目的である。
とが本発明の目的である。
この目的のために、本発明による方法は）記工程から成
る。１なわち； （ａ）第一吸収帯域において、ガス流と再生しうる水性
吸収剤とを接触させて、精製ガスおよび１」２Ｓ含有の
負荷吸収剤を得る工程：（ｂｌ第一吸収帯域からの負荷
吸収剤を再生器へ供給し、ここで吸収剤は再生されＨ８
含有の再生鼎排ガスを生成ザる工程： （Ｃ）再生４拮ガスの少なくとも一部を硫黄回収プラン
トへ供給し、ここで元素状硫黄が生成され、かつここで
Ｓ０２およびｌ−１２８含有のプラント排ガスが形成さ
れる■稈； （ｄ）プラント排ガス中のＳＯをｔ＋ Ｓに転換し、
還元ブラント排ガスを１１−６１程；（０）第二吸収帯
域における還元ブラント排ガスと再生しうる水性吸収剤
とを接触させて、第二精製ガスおよびｌ−１ｓｆｆｉ右
の半負荷吸収剤を得る工稈；および （ｆ）第二吸収帯域からの半負荷吸収剤を再生器に送り
、ここで吸収剤が再生され、ここで一部再生された吸収
剤が再生器から除去され第一・吸収帯域へ供給され、か
つここで完全に再生された吸収剤は再生器から除去され
、第二吸収帯域へ供給される工程。
る。１なわち； （ａ）第一吸収帯域において、ガス流と再生しうる水性
吸収剤とを接触させて、精製ガスおよび１」２Ｓ含有の
負荷吸収剤を得る工程：（ｂｌ第一吸収帯域からの負荷
吸収剤を再生器へ供給し、ここで吸収剤は再生されＨ８
含有の再生鼎排ガスを生成ザる工程： （Ｃ）再生４拮ガスの少なくとも一部を硫黄回収プラン
トへ供給し、ここで元素状硫黄が生成され、かつここで
Ｓ０２およびｌ−１２８含有のプラント排ガスが形成さ
れる■稈； （ｄ）プラント排ガス中のＳＯをｔ＋ Ｓに転換し、
還元ブラント排ガスを１１−６１程；（０）第二吸収帯
域における還元ブラント排ガスと再生しうる水性吸収剤
とを接触させて、第二精製ガスおよびｌ−１ｓｆｆｉ右
の半負荷吸収剤を得る工稈；および （ｆ）第二吸収帯域からの半負荷吸収剤を再生器に送り
、ここで吸収剤が再生され、ここで一部再生された吸収
剤が再生器から除去され第一・吸収帯域へ供給され、か
つここで完全に再生された吸収剤は再生器から除去され
、第二吸収帯域へ供給される工程。
本発明はここで、下記のような図面を参照して、より肩
線に実施例を用いて記載される。
線に実施例を用いて記載される。
図面において、
第１図は、本発明の第一の具体例のフロースキームを図
式的に示寸；および 第２図は、本発明の第二の具体例のフ［１−スキームを
図式的に示づ。
式的に示寸；および 第２図は、本発明の第二の具体例のフ［１−スキームを
図式的に示づ。
ここで第１図を参照する。Ｈ８含打ガス流を、導管４を
通って第一吸収帯域１へ供給する。第一吸収帯域１にお
いて、ガス流を、導管５を通つ゛【供給された再生しう
る水性吸収剤と接触させて、精製ガス（これは導管７を
通って第一吸収帯域１から除去される）、およびＨＳ含
有の負荷吸収剤（これは導管９を通って第一吸収帯域１
から除去される）を得る。
通って第一吸収帯域１へ供給する。第一吸収帯域１にお
いて、ガス流を、導管５を通つ゛【供給された再生しう
る水性吸収剤と接触させて、精製ガス（これは導管７を
通って第一吸収帯域１から除去される）、およびＨＳ含
有の負荷吸収剤（これは導管９を通って第一吸収帯域１
から除去される）を得る。
好ましくは使用される吸収剤は、弱塩基、例えばアルカ
ノール￥１１つあたり１〜４個、好ましくは２〜３個の
炭素原子を含むアルカノールアミン、例えばジエヂルモ
ノエタノールアミン、メチルジ［タノールアミンまたは
ジイソプロパツールアミン、および場合によっては物理
溶媒、例えばスルホランから成る水性組成物である。吸
収剤は、２５へ・５５重呈％の塩基、５〜７５重量％の
水および０〜５５小吊％の物理溶媒から成る。
ノール￥１１つあたり１〜４個、好ましくは２〜３個の
炭素原子を含むアルカノールアミン、例えばジエヂルモ
ノエタノールアミン、メチルジ［タノールアミンまたは
ジイソプロパツールアミン、および場合によっては物理
溶媒、例えばスルホランから成る水性組成物である。吸
収剤は、２５へ・５５重呈％の塩基、５〜７５重量％の
水および０〜５５小吊％の物理溶媒から成る。
第一吸収帯域１にＪ３４）る接触は、好ましくは絶対）
１： ０．１〜２５ＨＰａ 、 ｒＡ度３０〜９０℃で
実施される。
１： ０．１〜２５ＨＰａ 、 ｒＡ度３０〜９０℃で
実施される。
第一吸収帯域１からの負荷吸収剤は、再生器１１に供給
される。ここで吸収剤は再生され、ＨＳ含有の再生器排
ガスが生成され、これは再生器１１から導管１５を通っ
て除去される。
される。ここで吸収剤は再生され、ＨＳ含有の再生器排
ガスが生成され、これは再生器１１から導管１５を通っ
て除去される。
丙午器１１は、２つの区域、すなわら上部再／ｌｌ）域
１７Ｊ３よび下部再生区域１９を含む。上部再（［区域
１７のみで再生された吸収剤は、一部再生吸収剤と呼ば
れる。一部再生吸収剤の一部は、導管５を通って第一・
吸収帯域１へ供給される。−・部Ｉ′Ｙｌ生吸収剤が再
生器１１から除去されるレベルは、吸収剤の８８１１１
度が、第一吸収帯域１のＩｎ部を支配覆る圧力および温
度において、第一吸収帯域１から出る精製ガスのＨ２Ｓ
含沿の１〜１／３であるＪ、うな、ＨＳ３罎を有するガ
ス混合物と平衡しているようなものである。
１７Ｊ３よび下部再生区域１９を含む。上部再（［区域
１７のみで再生された吸収剤は、一部再生吸収剤と呼ば
れる。一部再生吸収剤の一部は、導管５を通って第一・
吸収帯域１へ供給される。−・部Ｉ′Ｙｌ生吸収剤が再
生器１１から除去されるレベルは、吸収剤の８８１１１
度が、第一吸収帯域１のＩｎ部を支配覆る圧力および温
度において、第一吸収帯域１から出る精製ガスのＨ２Ｓ
含沿の１〜１／３であるＪ、うな、ＨＳ３罎を有するガ
ス混合物と平衡しているようなものである。
一部再生吸収剤の残りの部分は、さらに下部再牛区１ｉ
！１１９で再生され、完全に再生された吸収剤が得られ
る。完全再生吸収剤は、再生器１１から専管２１を通っ
て除去される。完全再生吸収剤の一部は、再沸ｌｌ！ｉ
ｉ器２５へ供給され、再沸騰器２５で発生した蒸気は、
導管２７を通って再生器１１の１部へ、ストリッピング
剤として導入される。完全再生吸収剤の残りの部分は、
専管３０を通って第二吸収帯域３２に供給される。完全
再生吸収剤中のＨＳＣ度は、第二吸収帯１４３２のＫ１
部を支配Ｊる圧力および温度において、第二吸収帯域３
２から出る第二精製ガスのＨ８含昂の１〜１／３である
ような、Ｈ８含鉛を有するガス混合物と平衡している。
！１１９で再生され、完全に再生された吸収剤が得られ
る。完全再生吸収剤は、再生器１１から専管２１を通っ
て除去される。完全再生吸収剤の一部は、再沸ｌｌ！ｉ
ｉ器２５へ供給され、再沸騰器２５で発生した蒸気は、
導管２７を通って再生器１１の１部へ、ストリッピング
剤として導入される。完全再生吸収剤の残りの部分は、
専管３０を通って第二吸収帯域３２に供給される。完全
再生吸収剤中のＨＳＣ度は、第二吸収帯１４３２のＫ１
部を支配Ｊる圧力および温度において、第二吸収帯域３
２から出る第二精製ガスのＨ８含昂の１〜１／３である
ような、Ｈ８含鉛を有するガス混合物と平衡している。
吸収剤の再生は、温度１００〜１９０℃、絶対圧０．１
＝０．３８Ｐａで実施される。
＝０．３８Ｐａで実施される。
′Ｓ管１５を通って再生器１１から除去されるＨ８含有
の再１器排ガスは、硫黄回収プラントに供給される。こ
れは図式的に示され（！３つ、参照番号３５′ｃ吋ばれ
る。
の再１器排ガスは、硫黄回収プラントに供給される。こ
れは図式的に示され（！３つ、参照番号３５′ｃ吋ばれ
る。
硫黄回収プラント３５において、元素状硫黄がクラウス
反応に従っ【生成される。この反応では、＋］Ｓの一部
がＳＯに酸化され、これは残りの１１２Ｓど反応して元
素状硫黄を形成する。この目的のために、硫黄回収プラ
ント３５は、バーブ−（図示されていない）、Ｊ３よび
硫黄凝縮器（図示されていない）を有する少なくとも１
つの接触反応器（図示されてい％い）を右ツる。元先状
）流黄は、導管３６を通って硫黄回収プラントから除去
される。
反応に従っ【生成される。この反応では、＋］Ｓの一部
がＳＯに酸化され、これは残りの１１２Ｓど反応して元
素状硫黄を形成する。この目的のために、硫黄回収プラ
ント３５は、バーブ−（図示されていない）、Ｊ３よび
硫黄凝縮器（図示されていない）を有する少なくとも１
つの接触反応器（図示されてい％い）を右ツる。元先状
）流黄は、導管３６を通って硫黄回収プラントから除去
される。
ＳＯおよびＨ２Ｓを含むプラント排ガスは、導管３７を
通って転換装置３９へ供給される。この中でＳ０２は１
１２８に転換され、３ｗ元ブシント・排ガスが１１１ら
れる。
通って転換装置３９へ供給される。この中でＳ０２は１
１２８に転換され、３ｗ元ブシント・排ガスが１１１ら
れる。
転換装置３９において、硫黄回収装置３５がらの１１ガ
スは、還元ガスである１１□および／またはＣＯの存在
下に還元され、温度１８０〜４５０℃で、適切な触媒と
接触させられる。適切な触媒は、無１１！１化物担体上
に担持された第■および／または■族金属の硫化触媒で
ある。
スは、還元ガスである１１□および／またはＣＯの存在
下に還元され、温度１８０〜４５０℃で、適切な触媒と
接触させられる。適切な触媒は、無１１！１化物担体上
に担持された第■および／または■族金属の硫化触媒で
ある。
還元プラント排ガスは、導管４１を通って第二吸収帯域
３２へ供給される。第二吸収帯域３２において、還元プ
ラント１Ｊｌガスは、導管３０を通って供給される再生
しつる水性吸収剤と接触させられて、第二精製ガス（こ
れは第二吸収帯域３２から導管４５を通って除去される
）、およびＨ８含有の半負荷吸成剤が（ｑられる。半負
荷吸収剤は、導管４７を通って再生器１１へ直接送られ
る。
３２へ供給される。第二吸収帯域３２において、還元プ
ラント１Ｊｌガスは、導管３０を通って供給される再生
しつる水性吸収剤と接触させられて、第二精製ガス（こ
れは第二吸収帯域３２から導管４５を通って除去される
）、およびＨ８含有の半負荷吸成剤が（ｑられる。半負
荷吸収剤は、導管４７を通って再生器１１へ直接送られ
る。
第二吸収帯域３２における接触は、好ましくは絶対圧０
．１〜０．２ＨＰａ、温度１５〜６５℃で実施される。
．１〜０．２ＨＰａ、温度１５〜６５℃で実施される。
ここぐ、もう１つの）［１−スキームを示すＷ１２図を
参照する。第１図に示された７０−スキームにおける部
分と同一の、第２図に示されたフロース−Ｖ−ムの部分
に番、１、同じ参照ｆＩ号が与えられている。
参照する。第１図に示された７０−スキームにおける部
分と同一の、第２図に示されたフロース−Ｖ−ムの部分
に番、１、同じ参照ｆＩ号が与えられている。
第一吸収帯域１は、上部２および下部３を含む。
ＨＳ含有のガス流は、導管４を通って第一吸収帯域１へ
供給される。第一吸収帯域１の１・部３において、ガス
流は、導管４９を通って供給される再生しうる水性吸収
剤と接触させられ、上部２において、の導管５を通って
供給される再生しろろ水性吸収剤ど接触、させられて、
Ｖ３”Ａガスが得られ、これは第一吸収帯域１から導管
７を通って除去される。第一吸収帯域の上部２から下降
する吸収剤は、導管４９を通って供給される吸収剤と合
流し、下部３でガスを処理し、ト１□Ｓ含有の負荷吸収
剤は、第一吸収帯域１の下端部から導管９を通って除去
される。使用される吸収剤および接触中の条件は、第１
図に関して記載されたしのと同じである。
供給される。第一吸収帯域１の１・部３において、ガス
流は、導管４９を通って供給される再生しうる水性吸収
剤と接触させられ、上部２において、の導管５を通って
供給される再生しろろ水性吸収剤ど接触、させられて、
Ｖ３”Ａガスが得られ、これは第一吸収帯域１から導管
７を通って除去される。第一吸収帯域の上部２から下降
する吸収剤は、導管４９を通って供給される吸収剤と合
流し、下部３でガスを処理し、ト１□Ｓ含有の負荷吸収
剤は、第一吸収帯域１の下端部から導管９を通って除去
される。使用される吸収剤および接触中の条件は、第１
図に関して記載されたしのと同じである。
第一吸収帯域１からの負荷吸収剤は、再生器１１へ供給
され、ここで吸収剤は再生され、Ｈ８含右の再生４排ガ
スを生成し、これは再生器１１から導管１５を通って除
去される。完全再生吸収剤は、再生器１１からη管２１
を通って除去される。完全再生吸収剤の一部は、再沸騰
器２５へ供給され、再沸騰器２５で発生した蒸気は、導
管２７を通って再生お１１の下部へ、ストリッピング剤
として導入される。
され、ここで吸収剤は再生され、Ｈ８含右の再生４排ガ
スを生成し、これは再生器１１から導管１５を通って除
去される。完全再生吸収剤は、再生器１１からη管２１
を通って除去される。完全再生吸収剤の一部は、再沸騰
器２５へ供給され、再沸騰器２５で発生した蒸気は、導
管２７を通って再生お１１の下部へ、ストリッピング剤
として導入される。
完全再生吸収剤の残りの部分は、導管３０を通って第二
吸収帯域３２に供給される。再うし中の条件は、第１図
を参照しＣ記載されたものと同じである。
吸収帯域３２に供給される。再うし中の条件は、第１図
を参照しＣ記載されたものと同じである。
導管１５を通って再生器１１から除去されるＨ２Ｓ含ｔ
Ｊの再生４排ガスは、’ｅＡ Ｆｉ回収プラント３５に
供給される。元素状硫黄は、導管３６を通って硫黄回収
プラントから除去される。さらに硫黄回収プラント３５
は、ＳＯおよびｌ−Ｉ Ｓを含むプラント排ガスを生
成し、このプラント刊ガスは、導管３７を通って転換装
置＋！￥３９へ供給される。この中でＳ０２はＨＳに転
換され、還元プラント排ガスが得られる。
Ｊの再生４排ガスは、’ｅＡ Ｆｉ回収プラント３５に
供給される。元素状硫黄は、導管３６を通って硫黄回収
プラントから除去される。さらに硫黄回収プラント３５
は、ＳＯおよびｌ−Ｉ Ｓを含むプラント排ガスを生
成し、このプラント刊ガスは、導管３７を通って転換装
置＋！￥３９へ供給される。この中でＳ０２はＨＳに転
換され、還元プラント排ガスが得られる。
還元プラント排ガスは、導管４１を通って第二吸収帯域
３２へ供給される。第二吸収帯域３２において、還元プ
ラント排ガスは、導管３０を通って供給される再生しつ
る水性吸収剤と接触させられて、第二精製ガス（これは
第二吸収帯域３２から導管４５を通って除去される）、
およびＨ８含有半負荷吸収剤が得られる。第二吸収帯域
における接触中の条ｆｔは、第１図に関して記載された
ものと同じである。半負荷吸収剤を第二吸収帯１ｊｌｉ
３２から再生器１１へ送ることには、半負荷吸収剤を導
管４９を通って第一吸収帯ＡＩ！１１の下部３の上端部
へ供給りることが含まれている。第一吸収帯域１におい
て、半負荷吸収剤は、第一吸収帯域１の上部２から下降
する吸収剤と合流する。吸収剤混合物は、第一吸収帯域
１から除去され、導管９を通って再生器１１へ供給され
る。
３２へ供給される。第二吸収帯域３２において、還元プ
ラント排ガスは、導管３０を通って供給される再生しつ
る水性吸収剤と接触させられて、第二精製ガス（これは
第二吸収帯域３２から導管４５を通って除去される）、
およびＨ８含有半負荷吸収剤が得られる。第二吸収帯域
における接触中の条ｆｔは、第１図に関して記載された
ものと同じである。半負荷吸収剤を第二吸収帯１ｊｌｉ
３２から再生器１１へ送ることには、半負荷吸収剤を導
管４９を通って第一吸収帯ＡＩ！１１の下部３の上端部
へ供給りることが含まれている。第一吸収帯域１におい
て、半負荷吸収剤は、第一吸収帯域１の上部２から下降
する吸収剤と合流する。吸収剤混合物は、第一吸収帯域
１から除去され、導管９を通って再生器１１へ供給され
る。
半負荷吸収剤が第一吸収帯域１に導入されるレベルは、
吸収剤のＨ８ｆｆ１度が、第一吸収帯域１の下部３の頂
部を支配づる１を力および温度においＣ１第一吸収帯域
１の下部３から出るガスのＨＳ３吊の１〜１／３である
にうな、ＨＳ含Ｍを右づるガス混合物と１７衡している
ようなものである。
吸収剤のＨ８ｆｆ１度が、第一吸収帯域１の下部３の頂
部を支配づる１を力および温度においＣ１第一吸収帯域
１の下部３から出るガスのＨＳ３吊の１〜１／３である
にうな、ＨＳ含Ｍを右づるガス混合物と１７衡している
ようなものである。
半負荷吸収剤の１−１８濃度が十分に低いならば、これ
は第一吸収帯域１へ導管５を通って供給される一部再生
吸収剤と混合されてもよい。
は第一吸収帯域１へ導管５を通って供給される一部再生
吸収剤と混合されてもよい。
導管４９を通って供給される半負荷吸収剤の一部は、ｌ
Ｉ生器１１へ直接供給されてもよい。
Ｉ生器１１へ直接供給されてもよい。
別の実施態様において、導管４９を通って再生器１１へ
直接供給される（第２図参照）か、あるいは導管４９を
通って第一吸収帯ｖＡｌへ供給される（第１図参照）半
負荷吸収剤の一部は、例えば低ｆ、ｆ吸収帯域である第
二吸収帯域（図示されていない）へ供給されてもよい。
直接供給される（第２図参照）か、あるいは導管４９を
通って第一吸収帯ｖＡｌへ供給される（第１図参照）半
負荷吸収剤の一部は、例えば低ｆ、ｆ吸収帯域である第
二吸収帯域（図示されていない）へ供給されてもよい。
この第一吸収帯域からの負荷吸収剤は、再生器１１へ供
給される。
給される。
第一吸収帯域１、第二吸収帯域３２および再生器１１は
、適切な接触材料、例えば接触トレー、ランダムバッキ
ング、または構）へ化パラヤングまたはそれらの組合わ
せを備えている。
、適切な接触材料、例えば接触トレー、ランダムバッキ
ング、または構）へ化パラヤングまたはそれらの組合わ
せを備えている。
第１図は、本発明の第一の具体例の７Ｌ１−スキームを
示す。第２図は、本発明の第二の具体例のフ１１−スキ
ームをホす。 １・・・・・・第一吸収帯域、１１・・・・・・再住器
、３２・・・・・・第二吸収帯域、４．５．７．９．１
５．２１．２７．３０．３Ｇ、 ３７゜４１、４５．４
９・・・・・・導管、３５・・・・・・硫黄回収プラン
ト、３９・・・・・・転換装置、２５・・・・・・再沸
騰器。
示す。第２図は、本発明の第二の具体例のフ１１−スキ
ームをホす。 １・・・・・・第一吸収帯域、１１・・・・・・再住器
、３２・・・・・・第二吸収帯域、４．５．７．９．１
５．２１．２７．３０．３Ｇ、 ３７゜４１、４５．４
９・・・・・・導管、３５・・・・・・硫黄回収プラン
ト、３９・・・・・・転換装置、２５・・・・・・再沸
騰器。
Claims (4)
- （１）（ａ）第一吸収帯域において、ガス流と再生しう
る水性吸収剤とを接触させて、精製ガスおよびＨ＿２Ｓ
含有の負荷吸収剤を得る工程； （ｂ）第一吸収帯域からの負荷吸収剤を再生器へ供給し
、ここで吸収剤は再生されＨ＿２Ｓ含有の再生器排ガス
を生成する工程； （ｃ）再生器排ガスの少なくとも一部を硫黄回収プラン
トへ供給し、ここで元素状硫黄が生成され、かつここで
ＳＯ＿２およびＨ＿２Ｓ含有のプラント排ガスが形成さ
れる工程；（ｄ）プラント排ガス中のＳＯ＿２をＨ＿２
Ｓに転換し、還元プラント排ガスを得る工程； （ｅ）第二吸収帯域における還元プラント排ガスと再生
しうる水性吸収剤とを接触させて、第二精製ガスおよび
Ｈ＿２Ｓ含有の半負荷吸収剤を得る工程；および （ｆ）第二吸収帯域からの半負荷吸収剤を再生器に送り
、ここで吸収剤が再生され、ここで一部再生された吸収
剤が再生器から除去され第一吸収帯域へ供給され、かつ
ここで完全に再生された吸収剤が再生器から除去され、
第二吸収帯域へ供給される工程； を含むガス流からのＨ＿２Ｓの除去方法。 - （２）工程（ｆ）における第二吸収帯域からの半負荷吸
収剤を再生器に送ることには、第二吸収帯域からの半負
荷吸収剤を第一吸収帯域へ供給する工程を含む請求項１
に記載の方法。 - （３）第二吸収帯域からの半負荷吸収剤を、一部再生さ
れた吸収剤が第一吸収帯域に導入されるレベル以下のレ
ベルで第一吸収帯域に導入することを特徴とする請求項
２に記載の方法。 - （４）図面を参照して明細書に実質的に記載されている
、ガス流からのＨ＿２Ｓの除去方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB888804728A GB8804728D0 (en) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | Process for removing h2s from gas stream |
| GB8804728 | 1988-02-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01262921A true JPH01262921A (ja) | 1989-10-19 |
| JP2895497B2 JP2895497B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=10632565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1046351A Expired - Lifetime JP2895497B2 (ja) | 1988-02-29 | 1989-02-27 | ガス流からのｈ▲下２▼ｓの除去方法 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0331228B2 (ja) |
| JP (1) | JP2895497B2 (ja) |
| KR (1) | KR970006836B1 (ja) |
| CN (1) | CN1019745B (ja) |
| AR (1) | AR242509A1 (ja) |
| AU (1) | AU606267B2 (ja) |
| BR (1) | BR8900882A (ja) |
| CA (1) | CA1339974C (ja) |
| DE (1) | DE68908736T3 (ja) |
| GB (1) | GB8804728D0 (ja) |
| MY (1) | MY104408A (ja) |
| ZA (1) | ZA891485B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006511433A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-04-06 | テキサコ ディベラップメント コーポレイション | Ｈ２ｓリッチ・ストリームからｃｏ２を分離するための化学溶媒の使用法 |
| JP2009530073A (ja) * | 2006-03-16 | 2009-08-27 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 二相の接点が熱発生を随伴している二相を接触させる方法 |
| JP2014227553A (ja) * | 2013-05-23 | 2014-12-08 | リンデ アクチエンゲゼルシャフトＬｉｎｄｅ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 硫黄回収器からの硫黄含有の廃ガスを処理するための方法及び装置 |
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| CN1099308C (zh) * | 1997-04-30 | 2003-01-22 | 张庆维 | 一种用于催化裂化装置中吸收稳定系统的防腐方法 |
| CN101097215B (zh) * | 2006-06-29 | 2011-02-09 | 中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院 | 一种测定含h2s的烃类气体中so2浓度的方法 |
| DE102010013279B3 (de) * | 2010-03-29 | 2011-07-28 | Uhde GmbH, 44141 | Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung eines kohlendioxidreichen Sauergases in einem Claus-Prozess |
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| CN103611407B (zh) * | 2013-12-18 | 2015-09-23 | 安徽工业大学 | 一种用缓冲溶液从硫化氢酸气中脱除二氧化碳的方法 |
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| DE2644617A1 (de) * | 1976-10-02 | 1978-04-06 | Otto & Co Gmbh Dr C | Verfahren zum entfernen von schwefelwasserstoff aus gasen und zur gewinnung von elementarschwefel |
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| DE3047830A1 (de) * | 1980-12-18 | 1982-07-15 | Linde Ag, 6200 Wiesbaden | Verfahren zum reinigen eines gasstromes |
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-
1988
- 1988-02-29 GB GB888804728A patent/GB8804728D0/en active Pending
-
1989
- 1989-02-03 CA CA000590077A patent/CA1339974C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-14 DE DE68908736T patent/DE68908736T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-14 EP EP89200367A patent/EP0331228B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-25 CN CN89101154A patent/CN1019745B/zh not_active Expired
- 1989-02-27 AU AU30770/89A patent/AU606267B2/en not_active Expired
- 1989-02-27 JP JP1046351A patent/JP2895497B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-27 KR KR1019890002359A patent/KR970006836B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1989-02-27 BR BR898900882A patent/BR8900882A/pt not_active IP Right Cessation
- 1989-02-27 MY MYPI89000235A patent/MY104408A/en unknown
- 1989-02-27 ZA ZA891485A patent/ZA891485B/xx unknown
- 1989-02-27 AR AR89313293A patent/AR242509A1/es active
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| KR970006836B1 (ko) | 1997-04-30 |
| AU606267B2 (en) | 1991-01-31 |
| BR8900882A (pt) | 1989-10-17 |
| AR242509A1 (es) | 1993-04-30 |
| ZA891485B (en) | 1989-10-25 |
| EP0331228A3 (en) | 1991-04-24 |
| DE68908736T2 (de) | 1993-12-16 |
| KR890012695A (ko) | 1989-09-18 |
| CN1019745B (zh) | 1992-12-30 |
| CN1035443A (zh) | 1989-09-13 |
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| MY104408A (en) | 1994-03-31 |
| JP2895497B2 (ja) | 1999-05-24 |
| CA1339974C (en) | 1998-07-28 |
| DE68908736D1 (de) | 1993-10-07 |
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| GB8804728D0 (en) | 1988-03-30 |
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