JPH01264019A - 磁束伝送システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は磁束を効率よく伝送する磁束伝送システムに関
する。

（従来の技術および発明が解決しようとする課題） 従莱、磁石、トランスまたはチョークコイル等を用いて
これから発生する磁束を有効に利用するものとして種々
の電気装置が開発されているが、例えば磁束を十分離れ
た場所へ伝送する場合にはその伝送距離相当分の長さの
ソレノイドを用いる必要があり、非常にコイル長が長く
なって不経済であり実用性に乏しいものである。

以下、１１束を長距離伝送できない理由について計算に
よりその根拠を説明する。今、第１図において最左端の
１ターンのコイルからなる円形回路に電流Ｉが流れたと
き、そのときの中心０点の磁束の方向は円形回路の面に
垂直に方向（イ）となる。そこで、所定長さの線素片ｄ
ｓによって得られる０点の磁界ｄＨは真空中ではビオサ
バールの法則により゛ ｄＨ−（１／（４πａ２））ｄｓ　　　・−・−（１）
なる式で求めることができる。従って、円形回路全体に
よって得られる磁界Ｈは −Ｉ／２ａ　　　　　　　　　　　　　　・・・・−（
２）となる。但し、ｄｓ−２πａである。上記（２式は
第１図の最左端の１ターンについて求めたものであるが
、ｎターンの場合には、 Ｈ−ｎ　Ｉ／２ａ　　　　　　　　　　　・・・・・・
（３）となることは明らかである。

次に、円形回路の軸上の一点Ｐにおける磁界の強さにつ
いて求める。線素片ｄｓによって得られるＰ点の磁界ｄ
Ｈはｄｓと距離ｒに垂直であるので、対象の考えに基づ
いて全体の磁界の有効分はＯＰ力方向成分のみである。

ここで、ｄＨのＯＰ力方向成分−（（Ｉｄｓ）／（４π
ｒ２））ｓｉｎφであるノテ、Ｈ−／（（Ｉｄｓ）／（
４πｒ２））ｓｉｎφ−（（ａ　Ｉ）／　（２ｒ”　）
）ｓｉｎφ−ａ２Ｉ／２ｒ”　　　　　　　　　・・・
・・・（４）となる。ここで、ｏｐ−ｘとすれば、 立 Ｈ（ｘ）−Ｉａ２／（２（ａ２＋ｘ”）　　）・・・・
・・（５） が得られる。仮に、０巻の円形回路ならば、五 Ｈ−ｎ　Ｉａ”　／　（２（ａ２　＋ｘ２　）２）・・
・・・・（ａ になる。従って、軸上以外の点の磁界の強さを求めるこ
とは容易でないが、磁界のおおよその大きさは後述する
第２図からも推測できる。

そこで、計算を簡単にするために単層巻ソレノイドによ
って作られる磁界について調べる。円筒体上に一様に厚
みで巻装したソレノイドコイルの単位長さ当りの巻数を
ｎ、半径ａとすれば、中心軸上の点Ｐにおける磁界の強
さは、 ｄＨ−（ｎｌａ２　ｄｘ） ／　（２（ａ２　＋ｘ”　）　　）　　・・・・・・・
・・（カーｃある。ココテ、ｘ　−ａ　ｃｏｔθ、ｄＨ
−−（１／２）ｎｌｓｉｎθｄθであルノテ、 となる。従って、Ｐ点が十分長いソレノイドの中央付近
テアｈ　ハ、ＣＯＳθｔ＝ｏ、ｃｏｓθ２勢＋１である
ので、上記（８）式から、 Ｈ−ｎｌ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・
・・・・・■となる。また、ソレノイドの端０点では、
ＣａＳＯ３−０，ｃｏｓθ２ｉ＋１であるから、［Ｆ］
）式％式％（１０） となる。つまり、ソレノイド端部の磁界の強さは、０式
および（１０）式から明らかなように中央部の１／２と
なり、第２図のように急激に減少する。

このことは、鉄芯を用いた従来の磁束発生装置では、上
述した空芯コイルと同様にコイルの巻装長さしより外に
出たところで、磁束が第３図に示す如く外部に漏れでて
しまい、磁界が急激に減少してしまうので磁束の長距離
伝送が不可能となる。

本発明は以上のような不具合を解決するためになされた
もので、磁束を所望の距離まで確実に伝送でき、かつ、
磁束を適宜分岐または集束させて伝送可能な磁束伝送シ
ステムを提供することを目的とする。

また、本発明の他の目的は、上記目的に加えて磁束それ
自体に情報の機能を持たせて伝送する磁束伝送システム
を提供するものである。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明による磁束伝送システムは上記目的を達成すため
に、超伝導材料で形成された任意に定めた所定長さの磁
束伝送路と、この磁束伝送路の任意に定めた所定部分に
設けられ前記磁束伝送路内に磁束を送り込む磁束発生＠
置とを備え、この磁束発生装置から送り込んだ磁束を前
記磁束伝送路で磁気シールドして伝送するものである。

上記磁束伝送路は、開放端または閉ループの何れでもよ
く、また端部を所定本数に分岐し、あるいは逆に分岐路
から１本に集束する磁束伝送路を設けたものであっても
よい。

また、上記磁束発生装置は磁石またはコイルの何れでも
よく、かつ、その取付は位置は磁束伝送路の内側または
外側の何れでも設置することができ、磁束伝送路の外側
に設けた場合には磁界の強度を可変しまたは所定の温度
を印加して超伝導体の機能を消失させて外部から磁束を
磁束伝送路内へ送り込む構成とする。

さらに、前記磁束伝送路および磁束発生装置に加えて、
磁束伝送路内を伝送する磁束を制御して情報を伝送する
情報伝送手段を備えたものである。

この情報伝送手段は、磁束発生装置への励磁電源を制御
し、または磁束の伝送路にシャッタを設けて磁束を制御
するものである。

（作用） 従って、本発明は以上のような手段とすることにより、
磁束発生装置から発生した磁束を超伝導材料で形成され
た磁束伝送路の内部に封じ込めて磁気シールドすること
により、磁束を所定の場所まで伝送することができる。

また、本発明装置は、磁束伝送路内を伝送する磁束の伝
送中に情報伝送手段を用いてその磁束を制御することに
より、所望とする情報を所定の場所まで確実に伝送する
ことができる。

（実施例） 以下、本発明システムの一実施例について説明するに先
立ち、超伝導材料が磁束を外部に漏らさずに伝送できる
原理について簡単に説明する。

一般に、磁界は第４図に示す如く球状の常伝導体１０の
内部をそのまま直進する。ところで、前記常伝導体１０
に代えて例えば第５図の如く球状の超伝導体１１を配置
した場合、その磁界１２は超伝導体１１の内部を通らず
に表面に逆向きの磁界を作り、いわゆる外部からの侵入
をこばむ性質を持っている。つまり、常伝導体（金属）
１０を磁場中におくと、電子はローレンツ力を受けて円
運動を行い常伝導体１０に反磁性電流が流れるが、超伝
導体１１ではその反磁性電流が極めて大きく、その電流
で作る磁場が外部からの磁場を打消してしまう。しかも
、超伝導体１１は電流が流れるにも拘らず電気抵抗が無
いから内部には磁界も存在しない。

そこで、かかる超伝導体の性質を有効に利用し、前記球
体を前影せしめた筒体形状のものを用いてその内部に磁
石またはコイルを設置させたとき、第６図および第７図
に示すような磁束経路が得られた。すなわち、第６図は
常伝導体バイブ１３の内部に磁石またはコイル１４を設
置したとき、例えばその磁石のＮｆｆ１から発生した磁
束１５が超導電体バイブ１３内あるいはバイブ１３から
外側を通ってそのほとんどがＳ極に入る閉磁路を形成し
、その結果、磁束１５は遠方に伝送させることができな
い。

一方、第７図のように超伝導体バイア１６の内部に磁石
またはコイル１７を設置したとき、その磁石１７のＮ極
から出た磁束１８の一部１８ａはパイプ１６内の空間部
分を通り、他の一部１８ｂはバイブ１６の内壁を通り、
ざらに他の残りの磁束１８ｃはバイブ１６の一端を出て
空中を飛んでバイブ他端より入って磁石１７のＳ極に入
る。そこで、上記各磁束のうち、磁石の外径をパイプ１
６の内径とほぼ等しくして隙間の生じない状態に設置す
れば前記磁束１８ａの磁路を無くすことができ、またパ
イプ１６を長くすれば磁束１８Ｃを大幅に減少させるこ
とが可能となり、結局、Ｎ極から発生した磁束のほとん
ど全部をパイプ１６の内壁に集束させることが可能であ
る。

そこで、本発明システムは以上のような実験の積み重ね
を通して実現したもので、以下、具体的にその実施例を
説明する。

第８図は本発明装置の一実施例を示す図であって、超伝
導体材料で構成された任意に定めた所定長さの超伝導体
磁束伝送路２１を有し、この磁束伝送路２１内部の任意
に定めた所定部分に該磁束伝送路２１の内径とほぼ等し
い外径を有する磁束発生装置２２例えば直流磁化された
磁石または交流磁化された磁石あるいは交流励磁用コイ
ル等が設置されている。この超伝導体磁束伝送路２１は
第１種超伝導体材料＜ＡＮＱ、Ｐｂ、Ｓｎ等）および第
２種超伝導体材料（Ｎｂ、Ｖ、酸化物系等）が挙げられ
るが、実際的には第１種のものが非常に純粋な金属であ
って磁束２３を通さないので望ましい。一方、第２種の
ものは合金や化合物のものがあり、これらの中には内部
に常伝導体が混じっているために部分的に磁束２３を通
すものもあるが、これからの技術の進歩によって十分に
利用可能であり、それほど遠方に磁束を伝送しない場合
または磁気結合を必要としない場合もあるので、第１種
および第２種の何れでも使用できる。また、これら超伝
導材には湿度や特殊雰囲気（ＩＩ！、アルカリ、有様等
のガスや飛沫等）等の雰囲気下で使用するもの、その様
な雰囲気に放ａｌｌ使用するものについては、雰囲気の
種類に応じて樹脂コーティング（例えばエポキシ樹脂、
弗素樹脂、ポリエステル樹脂、フォールマル樹脂等ゴム
ライニング。

ガラスライニング等を行う必要がある。なお、筒状の超
伝導体磁束伝送路２２の内部は真空、ガス。

液体または粉体あるいは固体の何れを充填してもよいが
特に磁束２３の伝送効率を高めるものが好ましい。

従って、以上のような実施例の構成によれば、磁束発生
装置２２のＮ極から発生された磁束２３のほとんど全部
は超伝導体磁束伝送路２１内の空間部または磁束伝送路
２１の内壁を通って一方開放端へ伝送され、その一方開
放端から理論的には空中を通って他方の開放端から入っ
て磁束発生装置２２のＳ極へ戻ってくる。従って、本シ
ステムにおいては、磁束発生袋Ｗ１２２から発生した磁
束２３を効率良く任意に定めた所定の距離まで伝送でき
、所定位置に磁束を利用する装置例えばトランスや磁束
感応素子その他の装置を設置しておけば、伝送中の磁束
２３を有効に利用できる。

なお、第８図は超伝導体磁束伝送路２１の両端が開放状
態になっているものを使用したが、例えば第９図のよう
な閉ループの超伝導体磁束伝送路２１ａを用いたもので
もよい。この場合には磁束利用装″１ｔ２４は閏ループ
の超伝導体磁束伝送路２１ａの途中に設置される。何れ
にせよ、超伝導体磁束伝送路２１ａが閉ループとなって
いるので帰還磁路としての役割を持っている。

このような実施例の構成によれば、磁束利用装置２４が
磁束を密な結合で利用でき、また磁束発生［１！２２か
ら発生された磁束を十分離れた場所で確実、かつ、有効
に利用できる。

また、磁束伝送路２１（２１ａを含む）は磁束利用装Ｗ
１２４の所在する場所等に応じて第１０図のように適当
な場所で複数の分岐路２１１゜２１２、・・・に分けて
もよく、あるいはその逆の形態、つまり複数の分岐路２
１１，２１２．・・・から例えば１本の磁束伝送路２１
または複数の分岐路２１１．２１２．・・・をそのまま
の状態で延長させてもよい。なお、この場合にはその分
岐路２１１゜２１２、・・・にそれぞれ例えば後述する
第１６図ないし第１８図のようなコアを挿入し柔軟性を
持たせる構成としてもよい。

特に、前者の複数に分岐するものは例えばマイクロマシ
ニング等で作った３ｉウエハーガラス等の磁気素子に磁
束を送込むときに有効である。また、後者の複数本の磁
束伝送路２１を束ねたものは例えばマイクロマシニング
等で作ったＳ１ウエハー上に作り込んだモータを動作さ
せるとき、２相または３相、つまり多相の磁束を送ると
きに有効である。

一方、磁束発生装Ｗ１２２は、第８図および第９図に示
すように磁束伝送路２１．２１８の内部に設けたが、例
えば第１１図に示すように磁束伝送路２１．２１ａの外
部に設置してもよい。この具体的構成は第１１図のＡ部
を拡大して示す第１２図ないし第１５図に示すようにし
て実現できる。

第１２図は、磁束発生装置２２の取付部分に相当する磁
束伝送路２１，２１ａの位置を切り欠いて非超伝導部分
２６．すなわち超伝導体バイブ無し部分を作り、かつ、
これら非超伝導部分２６にまたがって例えばコイル等の
磁束発生装＠２２の端部を超伝導体磁束伝送路２１．２
１ａの外側に設けたものである。

第１３図は、磁束発生装ｆｆ１２２を第１２図と同様な
構成とすると共に磁束発生Ｈ置２２の外側を超伝導体２
７で覆うことにより磁気シールドする構成である。なお
、このとき磁束発生装［２２の端部を超伝導体２７で包
み込むようにしてもよい。

次に、第１４図および第１５図は磁束伝送路２１．２１
８に非超伝導部分２６を形成せずに磁束伝送路２１．２
１８の外側に直接磁束発生装置２２を設けた場合には、
磁束発生装置２２と磁束伝送路２１．２１ａの間に伝送
路長手方向にそって縦杭ヒータ２８（第１４図）を設け
るか、あるいは螺旋状ヒータ２８′　（第１５図）を設
けたものである。これらヒータ２８．２８’　は超伝導
体の性質を示す温度とは異なる温度を印加することによ
り、磁束発生装置２２の取付部分だけ超伝導体の機能を
消失させ、磁束発生装置２２から発生された磁束を磁束
伝送路２１．２１８の内部に送り込む構成である。なお
、磁束発生装置１２２の外側を第１２図または第１３図
のように超伝導体２７を設けるか否かは任意である。

従って、以上のような構成にすれば、例えば第１２図お
よび第１３図では超伝導体磁束伝送路２１．２１８の継
目部分を利用して磁束発生装置２２から磁束を容易に伝
送でき、しかも継目部分の各所にかかる状態で磁束発生
装置２２を設置すれば磁束のパワーアップにも大きく寄
与する。また、第１４図および第１５図においては、磁
束伝送路２１．２１８の超伝導的性質を破損させずにそ
の伝送路内部に磁束発生装置２２の磁束を注入でき、か
つ、後日に適宜な場所に磁束発生装置２２を設置するこ
とができる。また、必要な時にヒータ２８，２８’　に
電源を印加することにより、磁束のパワーアップを図る
ことが可能である。

次に、磁束発生装置２２の一部の機能として、または磁
束発生装置２２から発生された磁束の伝送効率を高める
観点から例えば第１６図ないし第１８図のように磁束伝
送路２１．２１ａ内にコアを挿入する。第１６図は磁束
伝送路２１．２１ａの内部に細いコア３１ａを挿入した
例であり、第１７図は逆に太いコア３１ｂを挿入した例
であり、ざらに第１８図は第１７図のコアを具体化した
例であって同図（ａ）は帯状成層コア３１ｃ、同図（ｂ
）は複芯ワイアコア３１ｄ１同図（Ｃ）は樹脂に磁性粉
末を混合させたフレキシブルまたはノンフレキシブルコ
ア等のソリッドコア３１ｅ、同図（ｄ）は単芯ワイヤコ
ア３１ｆを用いた例である。３１ｏはソリッドコアであ
る。特に、前記分岐部分などの箇所にフレキシブルなソ
リッドコア等を用いると有効である。

次に、磁束伝送路２１．２１ａを作るための他の例とし
ては、第１６図ないし第１８図に示すコア上に例えば第
１９図（ａ）のようにファイバー状超伝導体３２ａを巻
装する方法、同図（ｂ）のようにダイスでしごいてコア
上に超伝導体３２ｂを密着させる方法、あるいは同図（
Ｃ）のようにコアの外周上に超伝導体粉末を焼結、溶射
またはバインダーと共に結合した超伝導体３２ｃを施す
方法であってもよい。

次に、本発明システムの他の実施例について第　、２ｏ
図を参照して説明する。すなわち、このシステムは、磁
束発生装置２２自体または磁束伝送路２１．２１ａの適
宜な箇所に磁束２３をオン・オフ制御する情報伝送手段
４０を設けた構成である。

この情報伝送手段４０は、具体例には例えばコイル等の
磁束発生装置２２を用いている場合にその励磁′ＩＩ源
を変調したり、オン・オフしたり、あるいはそのオン・
オフ周期を変える手段により伝送内容の符号化を行った
り、電圧の大きさを変えることにより、磁束伝送路２１
内において磁束の現出または消滅を繰り返し、磁束利用
装置ではそれを検出することによりある特定の意味を持
つた情報を伝送できる。

また、第２１図に示すように磁束伝送路２１゜２１８の
適宜な箇所を切り欠いて非超伝導部分４１を形成すると
共にこの非超伝導部分をまたがって磁束伝送路２１．２
１ａの各端部に伸びるようにヒータ４２を配設し、この
ヒータ４２へ通電する電源を制御すれば容易に情報を伝
送でき、またオン・アフでもそのオン時には磁束伝送路
２１゜２１８の超伝導的性質の消滅により磁束が外部に
漏れ、オフ時には本来の超伝導体磁束伝送路となって磁
束を伝送するので、容易に情報を伝送できる。

更に、第２２図に示すように非超伝導部分４１の内部に
挿脱または固定的に超伝導体等のシャッタ４３を設け、
磁束の伝送中に非超伝導部分４１にシャッタ４３を挿入
しあるいは引き出すようにすれば、磁束のオン・オフを
利用して情報を伝送できる。また、非超伝導部分４１の
内部に超伝導体等のシャッタ４３を固定的に設けたもの
は、そのシャッタ近傍にヒータ４４を設け、電源を制御
すればシャツタ４３自体の持つ超伝導体としての機能の
復元および消失作用により、磁束の現出および消失の繰
り返しによって情報を伝送できる。

図中、４５は磁気センサであって、この磁気センサ４５
の信号レベルを用いて磁界の強度をコントロールすると
かあるいは磁束のオン・オフ状態を知ることができる。

従って、以上のような実施例によれば、磁束を用いて情
報を伝送するのでその損失分は極めて少なく、所望とす
る情報を遠距離へ適切に伝送できる。

なお、本発明は上記実施例に限定されずにその要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施できる。

［発明の効果］ 以上詳記したように本発明によれば、以下に述べるよう
に種々の効果を奏する。

請求項１においては、磁束発生装置から発生された磁束
を超伝導材料の磁束伝送路の内部に送り込んで磁束伝送
路の磁気シールド効果を利用して伝送するので、磁束発
生装置で得られた磁束を所望とする場所まで確実に伝送
でき、適宜な場所でその磁束を有効に利用できる。

また、請求項２では、特に閉ループとすることによりネ
ットワーク化して各種の磁束利用装置に磁束を供給でき
る。

請求項３においては、磁束伝送路を適宜に分岐させるこ
とにより、磁束利用装置の散在場所に応じた自由度を持
たせることが可能である。

次に、請求項４ないし７においては、磁束伝送路の設置
状態等に応じて磁束発生装置を効果的に設置でき、かつ
、磁束発生装置を適宜な間隔をもって設置することによ
り磁束のパワーアップを図ることができる。

請求項８ないし１０においては、磁束を有効に利用して
所望とする場所まで情報を確実に伝送でき、かつ、少な
い損失で情報を伝送できる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は磁束を伝送できない理由を説明す
る図、第４図および第５図は球状の常伝導体と超伝導体
との磁気的性質の違いを説明する模式図、第６図および
第７図は筒状の常伝導体と超伝導体の内部に磁石を設置
したときの磁束の経路を説明する図、第８図は本発明に
係わる磁束伝送システムの一実施例を示す構成図、第９
図は本発明システムの他の実施例を示す構成図、第１０
図は磁束伝送路を分岐した、場合の図、第１１図ないし
第１５図は磁束伝送路の外側に磁束発生装置を設置する
時の具体例を示す図、第１６図ないし第１８図は磁束伝
送路内に設けるコアの態様を説明する図、第１９図はコ
ア上に形成する磁束伝送路の他の例を説明する図、第２
０図は本発明システムの他の実施例を示す構成図、第２
１図および第２２図は第２０図の情報伝送手段の具体例
を説明する図である。 ２１．２１８・・・磁束伝送路、２２・・・磁束発生装
置、２３・・・磁束、２４・・・磁束利用装置、２６・
・・非超伝導部分、２７・・・超伝導体、２８．２８’
・・・ヒータ、３１ａ〜３１ｆ・・・ヒータ、４０・・
・情報伝送手段、４１・・・非超伝導部分、４２．４４
・・・ヒータ、４３・・・シャッタ、４５・・・磁気セ
ンサ。 第１図 第２図 第３図 第４図　　第５図 第６図　　第７図 第１１図　　第１２図　　第１３図 第１４図　　第１５図 第１６図　　第１７図 （ａ）　　　　（ｂ）　　　　　（ｃ）　　　　　　（
ｄ）第１８図 （ａ）　　　　　　　　　　（ｂ）　　　　　　　（ｃ
）第１９図 第２０図 １、事件の表示 特願昭６３−９２０３８号 ２、発明の名称 磁束伝送システム ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （３０７）　　株式会社　東芝 ４、代理人 東京都千代田区霞が関３丁目７番２号 〒１００　　電話　０３　（５０２）３１８１　（大代
表）Ｃ５８４７）　　弁理士　　鈴　　江　　武　　彦
　　）′６、補正の対象 ７、補正の内容 （１）　明細書第１２頁第１２行目のｒ　Ａ　）ＪＯＪ
とあるを「Ａ１」と訂正する。 （２）　明細書第１３頁第１０行目の「伝送路２２」と
あるを「伝送路２１」と訂正する。 （３）　明細書第２０頁第８行目の「オン・アフとある
を「オン・オフ」と訂正する。 （４）　明細書第２３頁第１８行目の「３１ｆ・・・ヒ
ータ」とあるを「３１ｆ・・・コア」と訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）超伝導材料で形成された任意に定めた所定長さの
   磁束伝送路と、この磁束伝送路の任意に定めた所定部分
   に設けられ前記磁束伝送路内に磁束を送り込む磁束発生
   装置とを備え、この磁束発生装置から発生された磁束を
   前記磁束伝送路で磁気シールドして伝送することを特徴
   とする磁束伝送システム。 （２）磁束伝送路は開放端または閉ループ構成とした請
   求項１記載の磁束伝送システム。（３）磁束伝送路は、
   １：Ｎ（Ｎは２以上の整数）またはＮ：１の分岐形状と
   した請求項１記載の磁束伝送システム。 （４）磁束発生装置は前記磁束伝送路の内部に設置した
   ことを特徴とする請求項１記載の磁束伝送システム。 （５）磁束伝送路の任意に定めた所定部分を切り欠いて
   非超伝導部分を形成すると共にこの非超伝導部分をまた
   がって前記磁束伝送路の外側に磁束発生装置を設けたこ
   とを特徴とする請求項１記載の磁束伝送システム。 （６）磁束伝送路の任意に定めた所定部分を切り欠いて
   非超伝導部分を形成すると共にこの非超伝導部分をまた
   がって前記磁束伝送路の外側に磁束発生装置を設け、か
   つ、この磁束発生装置の外側を超伝導体で覆ってなるこ
   とを特徴とする磁束伝送システム。 （７）磁束伝送路の外側に配置された磁束発生装置を超
   伝導体で覆うと共に磁束発生装置の磁界の強度を可変し
   または所定の温度を印加し、前記磁束発生装置の内側に
   位置する磁束伝送路を非超伝導体に変えて磁束伝送路の
   内部に磁束を送り込むことを特徴とする請求項１記載の
   磁束伝送システム。 （８）超伝導材料で形成された任意に定めた所定長さの
   磁束伝送路と、この磁束伝送路の所定部分に設けられ前
   記磁束伝送路内に磁束を送り込む磁束発生装置と、この
   磁束発生装置から前記磁束伝送路内部を伝送する磁束を
   オン・オフ制御して情報を伝送する情報伝送手段とを備
   えたことを特徴とする磁束伝送システム。 （９）情報伝送手段は、磁束発生装置への励磁電源の印
   加時間またはその電源電圧の大きさを変えて行うもので
   ある請求項８記載の磁束伝送システム。 （１０）情報伝送手段は、前記磁束伝送路の所定部分に
   ヒータまたは超伝導体等のシャッタを設け、このヒータ
   電源の制御または超伝導体の着脱により磁束をオン・オ
   フ制御することにより情報を伝送するものである請求項
   ８記載の磁束伝送システム。