JPH01264758A

JPH01264758A - 半導体装置の加工装置ならびにに製造方法

Info

Publication number: JPH01264758A
Application number: JP63092557A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Asada; 浅田　武志; Kenji Senuma; 瀬沼　賢治
Original assignee: UEDA GIKEN KK; Nihon Inter Electronics Corp
Current assignee: UEDA GIKEN KK; Nihon Inter Electronics Corp
Priority date: 1988-04-14
Filing date: 1988-04-14
Publication date: 1989-10-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「産業上の利用分野」本発明は、複数の接合を有する半導体装置の外縁周に沿
って円環状のＶ溝を加工する半導体装置の加工装置と、
接合の絶縁を計った半導体装置の製造方法とに関する。

「従来の技術」従来、半導体装置の表面にＶ溝を加工し、絶縁性を付与
した半導体装置の製造技術としては、サンドブラスト加
工による方法と、特公昭６〇−１６０９８号公報に開示
され第８図に示すような砥石ｌを用いて、半導体装１１
Ｈな回転しながら加工する方法などがあった。

「発明が解決しようとする課題」しかしながら従来の半導体装置の製造技術のうち、サン
ドブラスト加工によるものでは、加工能率が悪く、加工
精度も悪く、また、環境を悪化させるという問題点があ
った。

一方、砥石によるものでは、加工部率は著しく向上し、
精度も良く、環境を悪化させることもないすぐれた方法
ではあるが、円環をなすＶ溝２の内側の溝面２を砥石ｌ
の平面状の研磨面１ａで研磨し、しかも創成法の内側の
ｖ１１１面２を砥石の研磨面１ａによって研磨作用なし
に接触させるために、第７図に示すようなチッピングＣ
が生じやすく、半導体装置の電気的特性不良の原因とな
るという問題点があった。

本発明は、このような砥石ｌを用いた従来の半導体装置
の製造方法における問題点に着目してなされたもので、
砥石ｌを用いてチッピングの生じない半導体装置の製造
方法と、その加工装置を提供することを目的としている
。

「課題を解決するための手段」かかる目的を達成するための本発明の要旨とするところ
は、（１）平坦に仕上げられた表面を有する円板状の半導体
装置を担持して、緩速に回転する第１の軸と、高速に回
転し、前記第１の軸と交叉する角度が自在に調整可能の
第２の軸と、該第２の軸の先端に取付けられ、前記半導
体装この平坦な表面外縁周に内側の溝面が前記表面に対
して鋭角であるような円環状のＶ溝を加工する砥石とか
ら成り、前記第２の軸が、前記内側の溝面が半導体装こ
の表面と成す鋭角よりも常に小となるよう移動する切り
込みテーブル上に＠、置されていることを特徴とする半
導体装置の加工装置。

（２）高速に回転する砥石により、複数の接合を有し、
１ｍ速に回転する半導体装置の外縁周に沿って円環状の
Ｖ溝を加工し、接合の絶縁を図った半導体装置の製造方
法において、砥石の切り込み送りの方向が、半導体装置の表面Ｓと成
す角度αを、前記溝の内側の溝面Ｂを創成する砥石の研
磨面ａが半導体装置の表面Ｓと成す角度θよりも小なら
しめたことを特徴とする半導体装置の製造方法に存する
。

「作用」複数の接合を有し、平坦に仕上げられた円板状の半導体
装置は、第１の軸に担持されて緩速に回転している。

一方高速に回転する第２の軸の先端部に取付けられてい
る砥石は、半導体装置の平坦な表面の外縁周に沿って研
磨作用をなし、円環状のＶ溝を創成していく、この際、
砥石が加工のために送られる方向は、前記Ｖ溝の内側の
溝面が半導体装置の表面となす鋭角よりも小さい角度で
送り込まれていくから、前記内側の溝面は砥石の研磨面
によって常に研磨作用を受けながら溝の深さ方向に加工
されていき、加工完了直前まで新しい被研磨面か創成さ
れ続けており、チッピングが生じることがない。

第２の軸が第１の軸と交叉する角度は調整可能に成され
ているから、前記Ｖ溝の内側の溝面が半導体装置の表面
となす前記鋭角は自在に選択可能であり、該角度に対応
して、前記第２の軸の研磨のための送り角度も該鋭角よ
りも小さい範囲において最も適切な送り角度を選択する
ことが可能である。

「実施例」以下、図面に基づき本発明の一実施例を説明する。

第１図〜第６図は本発明の一実施例を示している。

半導体装置の加工袋Ｍ（以下、単に加工装置と搾する。

）ｌＯは第１図ならびに第２図に示すように、高いフレ
ーム１１上に置かれたベット１２の上面手前側に、被加
工物体である半導体装置Ｈを担持し、回転させ、移動さ
せる主軸部２０が左右方向（Ｘ軸方向）に横置され、後
方には該主軸部２０に直交する方向（Ｙ軸方向）に置か
れた砥石台４１に半導体装ｇｌＨを加工する工具部４０
か設けられている。

主軸部２０はベツド１２上の手前側にＸ軸方向に固設さ
れた主軸台２１と、該主軸台２１上においてＸ軸方向に
移動可使に設けられた主軸台テーブル２２と、該主軸台
テーブル２２上に固設され、中心軸に沿って主軸機構２
５を挿嵌する主軸ハウジング２３とから成っている。

主軸台テーブル２２は主軸台２１の端縁部に設けられた
主軸台テーブルハンドル２４によってＸ軸方向に精密送
り可能に成されている。

主軸機構２５は、主軸ハウジング２３内に挿嵌されて固
定される主軸タイル２６と、該主軸クイル２６内に回転
自在に軸支され、主軸駆動モータ２７によって駆動され
る主軸２８（第１の軸）とから成っており、該主軸２８
の先端部には半導体装置Ｈの縁辺をくわえて担持するコ
レットチャック装置２９が設けられている。

工具部４０は砥石台４１上に載置されて成っている。

砥石台４１の上には砥石台テーブル４２が設けられてＳ
す、ベツド１２の前面に設けられている砥石台テーブル
ハンドル４３の操作により主軸２８の軸線に直角方向（
Ｙ軸方向）に移動可能と成っている。

砥石台テーブル４２の上には、第１旋回テーブル４４が
設けられ、手動によって鉛直軸周りに旋回・固定度ｔｌ
と成っており、砥石の切り込み送り角度αの割り出しに
用いられる。

第１旋回テーブル４４の上には、切り込みテーブル４６
が設けられており、第１旋回テーブル４４の後端に設け
られたパルスモータ４７によって駆動され、極微細な切
り込み送りが可鋤と成っている。

切り込みテーブル４６の上には、第２旋回テーブル４８
が設けられており、上面に砥石軸機構５０が固設されて
いる。該第２旋回テーブル４８は砥石の研磨面角度θを
与えるべく、着脱自在の旋回テーブルハンドル４５によ
って旋回調節自在に成されている。

砥石軸機構５０は、第２旋回テーブル４８上にａ置され
た砥石軸ハウジング５１と、該砥石軸ハウジング５１に
挿嵌された砥石軸クイル５２と、該砥石軸クイル５２に
挿通し、回転自在に軸支される砥石軸５３（第２の軸）
と、該砥石軸５３の後端部に巻回された駆動ベルト５４
と、該駆動ベルト５４を介して高速の回転を伝える砥石
軸モータ５５とから成っている。そして、砥石軸５３の
先端部には第３図に示すように、砥石Ｔを取り付けるた
めの砥石軸アダプタ５６とナツト５７が備えられている
。なお、砥石軸５３と主軸２８とは同一水平面内にある
。

砥石軸モータ５５はインバータ制御などの手段により、
可変速かつ超高速駆動が可能と成っている。

砥石Ｔは、第４図に示すように片角度に成されており、
硬鋼等でできた本体７０の外周縁辺部分の表面に、極微
細なダイヤモンド粉を焼結法などにより固結させて研磨
部７１を形成している。研磨部７１は、創成すべきＶ＊
Ｖの内側の溝面Ｂに当る研磨面ａと反対側の面すとから
なっている。

ベツド１２の前面には、操作パネル６０が備えられてお
り、各種加工条件の入力と記憶１発停指示などの操作が
なされる。

また、加工中砥石Ｔの研磨部７１近傍に多量の冷却水を
供給するクーラント供給装Ｍ６５が備えられており、主
軸台テーブル２２にはクーラントの飛散を防止すクーラ
ントカバー６１が備えられている。

なお、主軸台テーブル２２上には、各種サイズの半導体
装置Ｈに対応して砥石Ｔの初期Ｙ軸位置の基準となる基
準ブロック５８が蔵置できるようになっている。

本加工装２１１０を用いて製造された半導体装置Ｈの一
例を第５図ならびに第６図に示す。

半導体装置Ｈは、温度補償板Ｈ２上に複数の接合を有す
る半導体素子Ｈ１をｉ＆置して成り、絶縁用のｙＩｖの
内側の溝面Ｂと表面Ｓとのなす角は０、巾はＷ、深さは
Ｄとなっている。

次に作用を説明する。

半導体装ｆｉＨの加工にあたっては、加工すべきＶ溝の
諸元、すなわち溝巾Ｗ、内側溝面Ｂの傾斜角Ｏ１ならび
に溝深さＤなどを決めて、操作パネル６０に記憶させて
おく、主軸台テーブル２２の上には、加工する半導体装
２ｔＨに対応する基準ブロック５８を載置しておく。

次いで、主軸台テーブル２２をＸ軸の左方向（第１［Ｚ
において左方向）に、また、砥石台テーブル４２をＹ軸
の後方（第１図では上方）に移動し、加工すべき半導体
装１１Ｈな主軸２８のコレットチャック装置２９に装着
する。主軸台テーブル２２は主軸台テーブルハンドル２
４により、また砥石台テーブル４２は砥石台テーブルハ
ンドル４３によって操作できる。

次いで第１旋回テーブル４４を手動にて旋回させ、切り
込み送り角度αを決めて固定する。切り込みテーブル４
６はＹ軸に対して上記角度αだけ傾斜した方向に送られ
る。

次いで旋回テーブルハンドル４５を操作して第２旋回テ
ーブル４８をＹ軸にたいして反時計方向に角度繕π−θ
だけ旋回させて固定する。（砥石軸５３と砥石Ｔの研磨
面ａとは直交しているから砥石軸５３を基準とすると前
記のようになる。）砥石台テーブル４２を前進させ、砥
石Ｔを基準ブロック５８に接触させ、Ｙ軸方向の基準位
置を決め、操作パネルに記憶させる。

次いで主軸台テーブル２２を右方向に移動させ半導体装
２１）１の表面Ｓを砥石Ｔに接触させ主軸台テーブルハ
ンドル２４のロック装置を操作して、その位置に固定す
る。砥石Ｔのこの位置は加工開始の基準位置となり、ま
たＶ溝の深さＤを決める基準位置となり、操作パネル６
０に記憶させる。

以上で加工の準備が完了したので、クーラント供給操作
を実施したのち、操作パネル６０の始動ボタンを押して
加工を開始する。

加工はすべてコンピュータ制御によって自動的になされ
、加工完了によって自動的に停止して。

切り込みテーブル４６は所定量後退し、次加工の準備を
待機している。

同一の被加工半導体装置Ｈであれば、コレットチャック
装置に装着し、始動ボタンを押せば、切り込みテーブル
は記憶している基準位置に自動的に復帰して加工を開始
する。

第４図に示すように、砥石の切り込み送り角度αは、片
角度の砥石Ｔの研磨面ａが半導体装置Ｈの表面Ｓとなす
角度θより常に小さくなされているから、創成されるＶ
溝の内側溝面Ｂは砥石Ｔの切り込みに従って常に研磨面
ａによって研磨作用を受けており、チッピングが生ずる
ことが無い。

「発明の効果」本発明に係る半導体装置の加工装置ならびに製造方法に
よれば、砥石の切り込み送りの方向が半導体表面Ｓと成
す角度αを、加工される溝の内側の溝面Ｂを創成する砥
石の研磨面ａが、半導体装置の表面Ｓと成す角度θより
も小さくしたから、この内側の溝面Ｂは常に砥石による
研磨作用を受けて加工されるため、半導体装置の電気的
特性不良の原因となるチッピングが生ずることが無く、
半導体ＩＩｔＮの製造における不良率の低下に著しく寄
与することが可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は本発明の一実施例を示しており、第１
図は加工装置の平面図、第２図は同じく右側面図、第３
図は半導体装置を加工中の砥石と、砥石軸先端部の構成
を示す説明図、第４図は半導体装置の製造方法の説明図
、第５図は半導体装置の平面図、第６図は同じく縦断面
図、第７図および第８図は従来の製造方法を示しており
、第７［Ｊは従来の製造方法による半導体装置の部分平
面図、第８図は製造方法の説明図である。Ｈ・・・半導体装置　　　　　　Ｔ・・・砥石■・・・
円環状のＶ溝Ｂ・・・円環状のｖＩＩＩの内側の溝面α・・・砥石の
切り込み送り角度０・・・半導体装置のＶ溝の内側溝面Ｂが表面Ｓとなす
鋭角２０・・・主軸部２　Ｂ−・・主軸（第１の軸）４０・・・工具部４６−・・切り込みテーブル５３・・・砥石軸（第２の軸）第１図１０≠’ｌ係ｎ加工＠！第２図第３図第４図第５図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）平坦に仕上げられた表面を有する円板状の半導体
装置を担持して、緩速に回転する第１の軸と、高速に回
転し、前記第１の軸と交叉する角度が自在に調整可能の
第２の軸と、該第２の軸の先端に取付けられ、前記半導
体装置の平坦な表面外縁周に内側の溝面が前記表面に対
して鋭角であるような円環状のＶ溝を加工する砥石とか
ら成り、前記第２の軸が、前記内側の溝面が半導体装置
の表面と成す鋭角よりも常に小となるよう移動する切り
込みテーブル上に載置されていることを特徴とする半導
体装置の加工装置。
（２）高速に回転する砥石により、複数の接合を有し、
緩速に回転する半導体装置の外縁周に沿って円環状のＶ
溝を加工し、接合の絶縁を図った半導体装置の製造方法
において、砥石の切り込み送りの方向が、半導体装置の
表面Ｓと成す角度αを、前記溝の内側の溝面Ｂを創成す
る砥石の研磨面ａが半導体装置の表面Ｓと成す角度θよ
りも小ならしめたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。