JPH01265546A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01265546A JPH01265546A JP63093026A JP9302688A JPH01265546A JP H01265546 A JPH01265546 A JP H01265546A JP 63093026 A JP63093026 A JP 63093026A JP 9302688 A JP9302688 A JP 9302688A JP H01265546 A JPH01265546 A JP H01265546A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor device
- region
- junction
- junction part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にＰＮ接合に対する冷却
手段を内蔵する半導体装置に関する。
手段を内蔵する半導体装置に関する。
従来、ＬＳＩ等の半導体装置はシリコン（Ｓｉ）または
ガリウム砒素（（ＧａＡｓ）等の半導体基板上にＰＮ接
合を有する能動素子を形成し、その上にパッシベーショ
ン層、絶縁層、導体パターン等を積み重ねた構造をとる
。従って、ＰＮ接合部で発生した熱はこれらパッシベー
ション層、絶縁層、導体パターン層および半導体基板か
らの熱伝導で外部に放散される。
ガリウム砒素（（ＧａＡｓ）等の半導体基板上にＰＮ接
合を有する能動素子を形成し、その上にパッシベーショ
ン層、絶縁層、導体パターン等を積み重ねた構造をとる
。従って、ＰＮ接合部で発生した熱はこれらパッシベー
ション層、絶縁層、導体パターン層および半導体基板か
らの熱伝導で外部に放散される。
このように、上述した従来の半導体装置は、熱伝導率の
悪いパッシベーション層、絶縁層等および半導体基板を
経路とした単なる熱伝導機構で放熱しているので、熱が
逃げにくいという欠点があり、内部回路の誤動作および
信頼性に問題が生じ易い。
悪いパッシベーション層、絶縁層等および半導体基板を
経路とした単なる熱伝導機構で放熱しているので、熱が
逃げにくいという欠点があり、内部回路の誤動作および
信頼性に問題が生じ易い。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、極めて効果的な
放熱機構を備えた半導体装置を提供することである。
放熱機構を備えた半導体装置を提供することである。
本発明によれば、半導体装置は、半導体装置と、前記半
導体基板上に形成される半導体能動素子と、前記半導体
能動素子のＰＮ接合部に隣接して形成されるＮ型領域と
、前記Ｎ型領域の前記ＰＮ接合部に近い端部および遠い
端部に（−）および（＋）の電位をそれぞれ与えるよう
設けられる（−）電位印加電極および（＋）電位印加電
極とを含んで構成される。
導体基板上に形成される半導体能動素子と、前記半導体
能動素子のＰＮ接合部に隣接して形成されるＮ型領域と
、前記Ｎ型領域の前記ＰＮ接合部に近い端部および遠い
端部に（−）および（＋）の電位をそれぞれ与えるよう
設けられる（−）電位印加電極および（＋）電位印加電
極とを含んで構成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の部分平°
面図である。本実施例によれば、本発明の半導体装置は
、半導体基板１と、この基板上に形成されたトランジス
タ素子のＰＮ接合部２と、この近傍に形成されたＮ型領
域３と、Ｎ型領域３のＰＮ接合部２に近い端部および遠
い端部に（−）および（＋）の電位をそれぞれ与えるよ
う設けられたく−）電位印加電極４および（＋）電位印
加電極５とを含む。ここで、Ｂ、ＥおよびＣはトランジ
スタ素子のベース、エミッタおよびコレクタの各電極で
ある。かかる構造の半導体装置では、（−）電位を加え
た電極４とＮ型領域３の接合部との間に吸熱現象が、ま
た、（＋）電位を加えた電極５と同じくＮ型領域３の接
合部との間には発熱現象が所渭ペルチェ効果として現わ
れる。従って、トランジスタ素子のＰＮ接合部２で発生
した熱をＮ型領域を介して（＋）電位印加電極５から外
部に途中の物質を熱することなく電気的に運び出すこと
が可能となる。
面図である。本実施例によれば、本発明の半導体装置は
、半導体基板１と、この基板上に形成されたトランジス
タ素子のＰＮ接合部２と、この近傍に形成されたＮ型領
域３と、Ｎ型領域３のＰＮ接合部２に近い端部および遠
い端部に（−）および（＋）の電位をそれぞれ与えるよ
う設けられたく−）電位印加電極４および（＋）電位印
加電極５とを含む。ここで、Ｂ、ＥおよびＣはトランジ
スタ素子のベース、エミッタおよびコレクタの各電極で
ある。かかる構造の半導体装置では、（−）電位を加え
た電極４とＮ型領域３の接合部との間に吸熱現象が、ま
た、（＋）電位を加えた電極５と同じくＮ型領域３の接
合部との間には発熱現象が所渭ペルチェ効果として現わ
れる。従って、トランジスタ素子のＰＮ接合部２で発生
した熱をＮ型領域を介して（＋）電位印加電極５から外
部に途中の物質を熱することなく電気的に運び出すこと
が可能となる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、ベルチェ
効果を冷却手段に利用することにより、特に今後増える
であろう三次元構造の半導体装置内部の温度上昇を押さ
えることができるので、温度上昇に基づく半導体装置の
誤動作および信頼性の低下を著しく改善することができ
る。
効果を冷却手段に利用することにより、特に今後増える
であろう三次元構造の半導体装置内部の温度上昇を押さ
えることができるので、温度上昇に基づく半導体装置の
誤動作および信頼性の低下を著しく改善することができ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の部分平面
図である。 １・・・半導体基板、２・・・ＰＮ接合部、３・・・Ｎ
型領域、４・・・（−）単位印加電極、５・・・（十）
電位印加電極。 ＥＣ 閉 １ 図
図である。 １・・・半導体基板、２・・・ＰＮ接合部、３・・・Ｎ
型領域、４・・・（−）単位印加電極、５・・・（十）
電位印加電極。 ＥＣ 閉 １ 図
Claims (1)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に形成される半導体
能動素子と、前記半導体能動素子のＰＮ接合部に隣接し
て形成されるＮ型領域と、前記Ｎ型領域の前記ＰＮ接合
部に近い端部および遠い端部に（−）および（＋）の電
位をそれぞれ与えるよう設けられる（−）電位印加電極
および（＋）電位印加電極とを含むことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093026A JPH01265546A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63093026A JPH01265546A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265546A true JPH01265546A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14070981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63093026A Pending JPH01265546A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265546A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574993A (ja) * | 1990-04-24 | 1993-03-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 熱電冷却式集積回路パツケージ |
| DE10132763A1 (de) * | 2001-07-10 | 2003-01-30 | Bosch Gmbh Robert | Integrierte Halbleiterschaltung, Verfahren zum Kühlen eines Mikrowellenschaltungsbereiches und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174749A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Toshiba Corp | 高密度集積回路 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP63093026A patent/JPH01265546A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174749A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Toshiba Corp | 高密度集積回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574993A (ja) * | 1990-04-24 | 1993-03-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 熱電冷却式集積回路パツケージ |
| DE10132763A1 (de) * | 2001-07-10 | 2003-01-30 | Bosch Gmbh Robert | Integrierte Halbleiterschaltung, Verfahren zum Kühlen eines Mikrowellenschaltungsbereiches und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung |
| DE10132763B4 (de) * | 2001-07-10 | 2007-10-11 | Robert Bosch Gmbh | Integrierte Halbleiterschaltung, Verfahren zum Kühlen eines Mikrowellenschaltungsbereiches und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung |
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