JPH0126602B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0126602B2 JPH0126602B2 JP59018910A JP1891084A JPH0126602B2 JP H0126602 B2 JPH0126602 B2 JP H0126602B2 JP 59018910 A JP59018910 A JP 59018910A JP 1891084 A JP1891084 A JP 1891084A JP H0126602 B2 JPH0126602 B2 JP H0126602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- copolymer
- vinylidene fluoride
- vdf
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、高誘電性高分子材料に関し、更に詳
しくは、改良された高誘電率を有するフツ化ビニ
リデン／トリフルオロエチレン共重合体フイルム
から成る高誘電性高分子材料に関する。 近年、電子機器の小型化が望まれ、そこに組み
込まれる部品としてのコンデンサーも、小型化の
要求が高まつてきた。コンデンサーの容量(C)は、
Ｃ＝ε′εo（Ｓ／ｄ） ε′：誘電体の比誘電率 εo：真空の比誘電率＝0.0885PF／cm Ｓ：コンデンサーの面積 ｄ：コンデンサーの厚み で表わされ、この式より明らかに小型大容量のコ
ンデンサーの開発には、ε′とＳを大きくし、ｄを
小さくする必要がある。 高分子物質はその加工上の特徴として、大面
積、薄膜のフイルムを容易に得ることができる
が、一般にε′は２〜５と小さい。どうしてもε′の
大きい高分子物質が求められるコンデンサーの小
型化、高性能化の為には、高い比誘電率を有する
高誘電性高分子材料が必要であり、たとえば特開
昭52−69000号に載されているフツ化ビニリデン
（以下、VdFという。）とトリフルオロエチレン
（以下、TrFEという。）の２元共重合体は、比誘
電率の高い高分子物質としてよく知られているも
のの一つである。この材料の比誘電率は、それ以
前に高誘電性高分子材料としてよく知られている
ポリフツ化ビニリデンの1.5〜2.0倍ほど大きく、
ε′＝15（室温、1KHz）が得られている。 また、高誘電性高分子化合物は、最近注目を集
めている面状発光体のZnS粒子の分散剤としても
応用可能である。 かかる状況において、本発明者らはVdF／
TrFE共重合体の誘電性について鋭意研究を行な
つた結果、この重合体に放射線照射するとフイル
ムの比誘電率は35（24℃、1KHz）以上にも達する
ことを見い出し本発明を完成するに至つた。 即ち、本発明の要旨は、フツ化ビニリデン／ト
リフルオロエチレン共重合体に放射線を照射して
得られる高誘電性高分子材料およびその製法に存
する。 本発明で用いるVdF／TrFE共重合体は、10〜
80モル％、好ましくは40〜80モル％のVdFを含
有する。更にVdF／TrFE共重合体は、ヘキサフ
ルオロプロピレン（HFP）、クロロトリフルオロ
エチレン（CTFE）、テトラフルオロエチレン
（TFE）、フツ化ビニル等を第３、第４成分とし
て少量共重合させた多元共重合体をも含む。共重
合体の合成法については、特開昭52−69000号お
よび特開昭58−112329号に詳しく記載されてい
る。 メチルエチルケトン（MEK）等の溶剤を用い
るキヤステイング法、ホツトプレス法またはフイ
ルム押出法によつて、VdF／TrFE共重合体のフ
イルムを得ることができる。 このVdF／TrFE共重合体フイルムに放射線、
好ましくは電子線、γ線を照射する。特に電子線
は、特定温度で高線量の照射を短時間に達成でき
るのでより好ましい。放射線量は線種によつて異
なるが、一般に20〜300Mラドである。照射時、
共重合体フイルムをキユリー温度以上に保つ。 こうして、従来のVdF／TrFE共重合体フイル
ムよりさらに高い誘電率を有するフイルムが得ら
れる。 本発明の高誘電性高分子材料からコンデンサー
を作るには、共重合体フイルム表面に金属、たと
えばアルミニウム、銀、ニツケルなどを厚さ0.05
〜2μｍで蒸着して電極とすればよい。また、金
属蒸着膜の代りに金属箔を積層して電極としても
よい。 次に実施例および比較例を示し、本発明を具体
的に説明する。 実施例１および比較例１〜２ VdF65モル％のVdF／TrFE共重合体（キユリ
ー点：102℃）を、200℃に加熱したフイルム押出
機によつて厚さ30〜35μｍに成膜し、第１表に示
す温度および線量で電子線照射した。 実施例１および比較例２ 次に、このフイルムの両面にアルミニウムを真
空蒸着して電極を形成し、Yokogawa−Hewlett
−Packard社製の4274A MULTI−
FREQUENCY LCRmeterで、コンデンサー容
量を測定し、比誘電率を得た。 また、比較例１として、電子線照射していない
以外は同じフイルムフイルムを用い、比誘電率を
測定した。 結果を第１表に示す。
しくは、改良された高誘電率を有するフツ化ビニ
リデン／トリフルオロエチレン共重合体フイルム
から成る高誘電性高分子材料に関する。 近年、電子機器の小型化が望まれ、そこに組み
込まれる部品としてのコンデンサーも、小型化の
要求が高まつてきた。コンデンサーの容量(C)は、
Ｃ＝ε′εo（Ｓ／ｄ） ε′：誘電体の比誘電率 εo：真空の比誘電率＝0.0885PF／cm Ｓ：コンデンサーの面積 ｄ：コンデンサーの厚み で表わされ、この式より明らかに小型大容量のコ
ンデンサーの開発には、ε′とＳを大きくし、ｄを
小さくする必要がある。 高分子物質はその加工上の特徴として、大面
積、薄膜のフイルムを容易に得ることができる
が、一般にε′は２〜５と小さい。どうしてもε′の
大きい高分子物質が求められるコンデンサーの小
型化、高性能化の為には、高い比誘電率を有する
高誘電性高分子材料が必要であり、たとえば特開
昭52−69000号に載されているフツ化ビニリデン
（以下、VdFという。）とトリフルオロエチレン
（以下、TrFEという。）の２元共重合体は、比誘
電率の高い高分子物質としてよく知られているも
のの一つである。この材料の比誘電率は、それ以
前に高誘電性高分子材料としてよく知られている
ポリフツ化ビニリデンの1.5〜2.0倍ほど大きく、
ε′＝15（室温、1KHz）が得られている。 また、高誘電性高分子化合物は、最近注目を集
めている面状発光体のZnS粒子の分散剤としても
応用可能である。 かかる状況において、本発明者らはVdF／
TrFE共重合体の誘電性について鋭意研究を行な
つた結果、この重合体に放射線照射するとフイル
ムの比誘電率は35（24℃、1KHz）以上にも達する
ことを見い出し本発明を完成するに至つた。 即ち、本発明の要旨は、フツ化ビニリデン／ト
リフルオロエチレン共重合体に放射線を照射して
得られる高誘電性高分子材料およびその製法に存
する。 本発明で用いるVdF／TrFE共重合体は、10〜
80モル％、好ましくは40〜80モル％のVdFを含
有する。更にVdF／TrFE共重合体は、ヘキサフ
ルオロプロピレン（HFP）、クロロトリフルオロ
エチレン（CTFE）、テトラフルオロエチレン
（TFE）、フツ化ビニル等を第３、第４成分とし
て少量共重合させた多元共重合体をも含む。共重
合体の合成法については、特開昭52−69000号お
よび特開昭58−112329号に詳しく記載されてい
る。 メチルエチルケトン（MEK）等の溶剤を用い
るキヤステイング法、ホツトプレス法またはフイ
ルム押出法によつて、VdF／TrFE共重合体のフ
イルムを得ることができる。 このVdF／TrFE共重合体フイルムに放射線、
好ましくは電子線、γ線を照射する。特に電子線
は、特定温度で高線量の照射を短時間に達成でき
るのでより好ましい。放射線量は線種によつて異
なるが、一般に20〜300Mラドである。照射時、
共重合体フイルムをキユリー温度以上に保つ。 こうして、従来のVdF／TrFE共重合体フイル
ムよりさらに高い誘電率を有するフイルムが得ら
れる。 本発明の高誘電性高分子材料からコンデンサー
を作るには、共重合体フイルム表面に金属、たと
えばアルミニウム、銀、ニツケルなどを厚さ0.05
〜2μｍで蒸着して電極とすればよい。また、金
属蒸着膜の代りに金属箔を積層して電極としても
よい。 次に実施例および比較例を示し、本発明を具体
的に説明する。 実施例１および比較例１〜２ VdF65モル％のVdF／TrFE共重合体（キユリ
ー点：102℃）を、200℃に加熱したフイルム押出
機によつて厚さ30〜35μｍに成膜し、第１表に示
す温度および線量で電子線照射した。 実施例１および比較例２ 次に、このフイルムの両面にアルミニウムを真
空蒸着して電極を形成し、Yokogawa−Hewlett
−Packard社製の4274A MULTI−
FREQUENCY LCRmeterで、コンデンサー容
量を測定し、比誘電率を得た。 また、比較例１として、電子線照射していない
以外は同じフイルムフイルムを用い、比誘電率を
測定した。 結果を第１表に示す。
【表】
比較例 ３〜４
VdF52モル％のVdF／TrFE共重合体（キユリ
ー点：70℃）を、260℃に加熱したフイルム押出
機によつて厚さ30〜35μｍに成膜し、第２表に示
す温度および線量で電子線照射し、実施例１と同
方法で比誘電率を測定した。（比較例３）。 また比較例４として、電子線照射していない以
外は同じフイルムを用い、比誘電率を測定した。 結果を第２表に示す。
ー点：70℃）を、260℃に加熱したフイルム押出
機によつて厚さ30〜35μｍに成膜し、第２表に示
す温度および線量で電子線照射し、実施例１と同
方法で比誘電率を測定した。（比較例３）。 また比較例４として、電子線照射していない以
外は同じフイルムを用い、比誘電率を測定した。 結果を第２表に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フツ化ビニリデン10〜80モル％を含むフツ化
ビニリデン／トリフルオロエチレン共重合体フイ
ルムに、この共重合体のキユリー点以上で、高エ
ネルギー放射線を照射して得られる高誘電性高分
子材料。 ２ 共重合体フイルムが40〜80モル％のフツ化ビ
ニリデンを含むフツ化ビニリデン／トリフルオロ
エチレン共重合体フイルムである特許請求の範囲
第１項に記載の高誘電性高分子材料。 ３ 放射線は電子線またはγ線である特許請求の
範囲第１項に記載の高誘電性高分子材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891084A JPS60163909A (ja) | 1984-02-04 | 1984-02-04 | 高誘電性高分子材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891084A JPS60163909A (ja) | 1984-02-04 | 1984-02-04 | 高誘電性高分子材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163909A JPS60163909A (ja) | 1985-08-26 |
| JPH0126602B2 true JPH0126602B2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=11984756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1891084A Granted JPS60163909A (ja) | 1984-02-04 | 1984-02-04 | 高誘電性高分子材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60163909A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5525692B2 (ja) * | 1973-09-12 | 1980-07-08 | ||
| JPS5269000A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-08 | Daikin Ind Ltd | Highhmolecular dielectric material |
| JPS55126905A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-01 | Nippon Telegraph & Telephone | High molecular ferrodielectric material |
-
1984
- 1984-02-04 JP JP1891084A patent/JPS60163909A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60163909A (ja) | 1985-08-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |