JPH01266719A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01266719A JPH01266719A JP63094439A JP9443988A JPH01266719A JP H01266719 A JPH01266719 A JP H01266719A JP 63094439 A JP63094439 A JP 63094439A JP 9443988 A JP9443988 A JP 9443988A JP H01266719 A JPH01266719 A JP H01266719A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- barrier metal
- semiconductor device
- heat treatment
- barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要］
半導体装置の製造方法、特に、バリアメタルの形成に高
圧高温の熱処理を行うことにより電極配線を形成する方
法に関し、 半導体装置の電極形成において、バリア性が大きく、微
細化構造に適した半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とし、 下地との電気的接触を形成する領域にコンタクト窓（１
４）形成し、このコンタクト窓（１４）にバリアメタル
（１５）を形成し、次いで導電メタル（１５）を形成す
る半導体装置の製造方法において、前記コンタクト窓（
１４）にバリアメタル（１５）を形成した後に、該バリ
アメタル（１５）を常圧を越える圧力で、窒素ガスを主
体とする雰囲気中において熱処理することを特徴とする
半導体装置の製造方法を含み構成する。
圧高温の熱処理を行うことにより電極配線を形成する方
法に関し、 半導体装置の電極形成において、バリア性が大きく、微
細化構造に適した半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とし、 下地との電気的接触を形成する領域にコンタクト窓（１
４）形成し、このコンタクト窓（１４）にバリアメタル
（１５）を形成し、次いで導電メタル（１５）を形成す
る半導体装置の製造方法において、前記コンタクト窓（
１４）にバリアメタル（１５）を形成した後に、該バリ
アメタル（１５）を常圧を越える圧力で、窒素ガスを主
体とする雰囲気中において熱処理することを特徴とする
半導体装置の製造方法を含み構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、バリアメタル
の形成に高圧高温の熱処理を行い微細化に適した電極配
線を形成する方法に関する。
の形成に高圧高温の熱処理を行い微細化に適した電極配
線を形成する方法に関する。
従来、半導体装置の製造において、素子の微細化ととも
に動作速度が向上してきており、それにともない接合が
浅くなってきている。そのために電極配線の形成には、
配線金属とシリコンとの間の相互拡散により生じる接合
破壊などを防止するために、相互拡散の防止用のバリア
メタルが用いられている。
に動作速度が向上してきており、それにともない接合が
浅くなってきている。そのために電極配線の形成には、
配線金属とシリコンとの間の相互拡散により生じる接合
破壊などを防止するために、相互拡散の防止用のバリア
メタルが用いられている。
第４図はこのような従来の電極配線部分を示す断面図で
ある。同図に示す如く、シリコン基板１のコンタクトを
形成する拡散領域２上には、酸化シリコン（ＳｉＯｚ）
膜３を除去してコンタクト窓４が形成され、このコンタ
クト窓４内にバリアメタル５が気相成長（ＣＶＤ）法な
どにより形成され、そのバリアメタル５上にアルミニュ
ウム（ＡＩ）、金（Ａｕ）などの配線用の導電メタル６
が形成されている。
ある。同図に示す如く、シリコン基板１のコンタクトを
形成する拡散領域２上には、酸化シリコン（ＳｉＯｚ）
膜３を除去してコンタクト窓４が形成され、このコンタ
クト窓４内にバリアメタル５が気相成長（ＣＶＤ）法な
どにより形成され、そのバリアメタル５上にアルミニュ
ウム（ＡＩ）、金（Ａｕ）などの配線用の導電メタル６
が形成されている。
このバリアメタル５は、下地のシリコンと導電メタル６
であるＡＩ、 Ａｕなどとの間の相互拡散を防止し、接
合破壊が生じないようにするため設けられるものである
。このバリアメタル５としては、例えば、窒化チタン（
チタンナイトライド：ＴｉＮ）などが多用されている。
であるＡＩ、 Ａｕなどとの間の相互拡散を防止し、接
合破壊が生じないようにするため設けられるものである
。このバリアメタル５としては、例えば、窒化チタン（
チタンナイトライド：ＴｉＮ）などが多用されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来のバリアメタル５は、コンタクト窓４の段
差となる側壁部分の膜厚が薄くなり、かつ膜質か弱く、
バリア性が不完全となる欠点があった。これは、バリア
メタル６がＣＶＤ法などにより堆積されるため、側壁部
分の膜質が平坦部分の膜質より悪く、かつ側壁部分の膜
と平坦部分の膜の成長方向に違いが生じ、その境界に不
連続線ができることによるものである。このため、従来
はバリアメタル６を厚く堆積したり、あるいは種々の熱
処理などを施していたが、必ずしもバリア性は十分では
なく、微細化の支障になっていた。
差となる側壁部分の膜厚が薄くなり、かつ膜質か弱く、
バリア性が不完全となる欠点があった。これは、バリア
メタル６がＣＶＤ法などにより堆積されるため、側壁部
分の膜質が平坦部分の膜質より悪く、かつ側壁部分の膜
と平坦部分の膜の成長方向に違いが生じ、その境界に不
連続線ができることによるものである。このため、従来
はバリアメタル６を厚く堆積したり、あるいは種々の熱
処理などを施していたが、必ずしもバリア性は十分では
なく、微細化の支障になっていた。
本発明は、半導体装置の電極形成において、バリア性が
大きく、微細化構造に適した半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
大きく、微細化構造に適した半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
上記目的は、下地との電気的接触を形成する領域にコン
タクト窓形成し、このコンタクト窓にバリアメタルを形
成し、次いで導電メタルを形成する半導体装置の製造方
法において、前記コンタクト窓にバリアメタルを形成し
た後に、該バリアメタルを常圧を越える圧力で、窒素ガ
スを主体とする雰囲気中において熱処理することを特徴
とする半導体装置の製造方法によって解決される。
タクト窓形成し、このコンタクト窓にバリアメタルを形
成し、次いで導電メタルを形成する半導体装置の製造方
法において、前記コンタクト窓にバリアメタルを形成し
た後に、該バリアメタルを常圧を越える圧力で、窒素ガ
スを主体とする雰囲気中において熱処理することを特徴
とする半導体装置の製造方法によって解決される。
すなわち、本発明はコンタクト窓にバリアメタルを形成
した後に、常圧を越す圧力の雰囲気中で熱処理すること
により従来よりも低温で窒化が進むことを見出したもの
で、この雰囲気中でバリアメタルを窒化することにより
結晶中の線状欠陥、グレイン境界の弱い部分が補強され
、特にコンタクト窓の側壁部分の膜質が改良される。従
って、バリア性が太き（なるとともに、より低温で熱処
理ができるようになり、かつ膜厚も薄（することができ
微細化構造が可能になる。
した後に、常圧を越す圧力の雰囲気中で熱処理すること
により従来よりも低温で窒化が進むことを見出したもの
で、この雰囲気中でバリアメタルを窒化することにより
結晶中の線状欠陥、グレイン境界の弱い部分が補強され
、特にコンタクト窓の側壁部分の膜質が改良される。従
って、バリア性が太き（なるとともに、より低温で熱処
理ができるようになり、かつ膜厚も薄（することができ
微細化構造が可能になる。
〔実施例］
以下、本発明を図示の一実施例により具体的に説明する
。
。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明実施例の電極配線部分の
製造工程断面図である。
製造工程断面図である。
まず、同図（ａ）に示す如く、電気的な接触などのコン
タクト部分を形成する例えば、シリコン基板１１の拡散
領域１２上には、図示しない工程により１μｍ程度の１
１１の酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜１３がエツチングな
どの工程により除去され、幅が１μｍ程度のコンタクト
窓１４が形成される。
タクト部分を形成する例えば、シリコン基板１１の拡散
領域１２上には、図示しない工程により１μｍ程度の１
１１の酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜１３がエツチングな
どの工程により除去され、幅が１μｍ程度のコンタクト
窓１４が形成される。
次に、同図（ｂ）に示す如く、上記コンタクト窓１４内
にバリアメタルとして、ＴｉＮ膜１５を反応性マグネト
ロンスパッタリング法により平坦部分における膜厚が１
ｏｏｏ人程度になるよう堆積する。この反応性マグネト
ロンスパッタリング法によるＴｉＮ膜１５の形成条件は
、例えば、圧力が５ Ｘｌ０−３ｔｏｒｒ、アルゴンと
窒素ガス（Ａｒ＋Ｎりが流量比で１：１の割合の雰囲気
中で、大きさが直径２０ｃｍ厚さ５輔程度の円形のチタ
ン（Ｔｉ）ターゲットに、３ｋｗ程度のエネルギーを投
入し、対向する１０ｃｍ離れた上記シリコン基板１１に
１分間程度成長して、約１００００程度の膜厚のＴｉＮ
膜１５を得る。次に、このＴｉＮ膜１膜形５形成後圧を
越える１０気圧程度の圧力、４００゛Ｃ程度の温度で、
窒素ガスを主体（例えば、Ｎ２ガス中にドーピグガスと
して１１００ｐｐ程度の若干の酸素ガスを含む）とした
雰囲気中で、３０分程度の熱処理を行う。これによりＴ
ｉＮ膜１５の窒化が進む。
にバリアメタルとして、ＴｉＮ膜１５を反応性マグネト
ロンスパッタリング法により平坦部分における膜厚が１
ｏｏｏ人程度になるよう堆積する。この反応性マグネト
ロンスパッタリング法によるＴｉＮ膜１５の形成条件は
、例えば、圧力が５ Ｘｌ０−３ｔｏｒｒ、アルゴンと
窒素ガス（Ａｒ＋Ｎりが流量比で１：１の割合の雰囲気
中で、大きさが直径２０ｃｍ厚さ５輔程度の円形のチタ
ン（Ｔｉ）ターゲットに、３ｋｗ程度のエネルギーを投
入し、対向する１０ｃｍ離れた上記シリコン基板１１に
１分間程度成長して、約１００００程度の膜厚のＴｉＮ
膜１５を得る。次に、このＴｉＮ膜１膜形５形成後圧を
越える１０気圧程度の圧力、４００゛Ｃ程度の温度で、
窒素ガスを主体（例えば、Ｎ２ガス中にドーピグガスと
して１１００ｐｐ程度の若干の酸素ガスを含む）とした
雰囲気中で、３０分程度の熱処理を行う。これによりＴ
ｉＮ膜１５の窒化が進む。
次に、同図（Ｃ）に示す如く、通常の方法により、上記
ＴｉＮ膜１膜上５上純アルミニュウム配線膜１６が７０
００人程度０膜厚に形成される。
ＴｉＮ膜１膜上５上純アルミニュウム配線膜１６が７０
００人程度０膜厚に形成される。
上記電極部分の製造方法によれば、従来１度も試みられ
たことのなかった常圧を越す高圧力の雰囲気中で熱処理
することにより、従来よりも低温で窒化が進むことが確
認された。通常、ＴｉＮなどの高融点メタルを窒化する
には、高温にし窒化のための熱エネルギーを供給する必
要があるが、常圧を越す圧力の雰囲気中で熱処理するこ
とで、より低温で熱エネルギーが与えられるためと考え
られる。この熱処理によりＴｉＮ膜１５が強くなるとと
もに、 ＴｉＮ膜１５の線状欠陥あるいはグレイン境界
の弱い部分が熱処理工程で酸化により補強され、相互拡
散を防止するからと考えられる。従って、コンタクト窓
の側壁部分の膜質が改良され、バリア性が大きくなると
ともに、膜厚も薄（することができ、コンタクト抵抗を
低くでき、かつ微細化構造が可能になる。
たことのなかった常圧を越す高圧力の雰囲気中で熱処理
することにより、従来よりも低温で窒化が進むことが確
認された。通常、ＴｉＮなどの高融点メタルを窒化する
には、高温にし窒化のための熱エネルギーを供給する必
要があるが、常圧を越す圧力の雰囲気中で熱処理するこ
とで、より低温で熱エネルギーが与えられるためと考え
られる。この熱処理によりＴｉＮ膜１５が強くなるとと
もに、 ＴｉＮ膜１５の線状欠陥あるいはグレイン境界
の弱い部分が熱処理工程で酸化により補強され、相互拡
散を防止するからと考えられる。従って、コンタクト窓
の側壁部分の膜質が改良され、バリア性が大きくなると
ともに、膜厚も薄（することができ、コンタクト抵抗を
低くでき、かつ微細化構造が可能になる。
また、従来アルミニュウム中にＮ２が含まれると表面に
アルミニュウムの大きな突起が形成される問題があり、
上方向に形成された突起は層間のショート、横方向に形
成された突起はライン間のショートの原因となることが
あった。特に、４００°Ｃを越す温度では突起の形成が
多かった。ところが、上記熱処理では、遊Ｚ’ＪＮｚが
なく、またより低温で熱処理ができ、アルミニュウム突
起の防止に有効である。
アルミニュウムの大きな突起が形成される問題があり、
上方向に形成された突起は層間のショート、横方向に形
成された突起はライン間のショートの原因となることが
あった。特に、４００°Ｃを越す温度では突起の形成が
多かった。ところが、上記熱処理では、遊Ｚ’ＪＮｚが
なく、またより低温で熱処理ができ、アルミニュウム突
起の防止に有効である。
第２図（ａ）及び（ｂ）は、本発明実施例のバリア性を
試験するために形成された電極部分の断面図である。な
お、第１図に対応する部分は同一の符号を記す。
試験するために形成された電極部分の断面図である。な
お、第１図に対応する部分は同一の符号を記す。
まず、同図（ａ）に示す如く、バリア性を試験するため
に、１００個程度のコンタクト窓１４を形成し、このコ
ンタクト窓１４に上記第１図に示すように、ＴＩＮ膜１
５を形成した。このとき、窒素ガス（Ｎ２）を主体とし
た雰囲気中で、３０分程度の熱処理を、圧力を１気圧か
ら１０気圧程度まで、また温度を２００゛Ｃから６００
゛Ｃ程度まで変化させてＴｉＮ膜１５を形成した。その
後、ＴｉＮ膜１膜上５上アルミニュウム配線膜１６を７
０００人程度０膜厚に形成した。純アルミニュウムを用
いているのは、相互拡散の影響を見るためである。そし
て、バリア性を試験するために、４８０°Ｃ１３０分間
の熱処理を３回はど操り返した。この熱処理によりＴｉ
Ｎ膜１５に欠陥があると、純アルミニュウム配線膜１６
とシリコン基板１１との間の相互拡散が生じシリコン基
板１１には、不良箇所として、いわゆるくわれが生じる
。
に、１００個程度のコンタクト窓１４を形成し、このコ
ンタクト窓１４に上記第１図に示すように、ＴＩＮ膜１
５を形成した。このとき、窒素ガス（Ｎ２）を主体とし
た雰囲気中で、３０分程度の熱処理を、圧力を１気圧か
ら１０気圧程度まで、また温度を２００゛Ｃから６００
゛Ｃ程度まで変化させてＴｉＮ膜１５を形成した。その
後、ＴｉＮ膜１膜上５上アルミニュウム配線膜１６を７
０００人程度０膜厚に形成した。純アルミニュウムを用
いているのは、相互拡散の影響を見るためである。そし
て、バリア性を試験するために、４８０°Ｃ１３０分間
の熱処理を３回はど操り返した。この熱処理によりＴｉ
Ｎ膜１５に欠陥があると、純アルミニュウム配線膜１６
とシリコン基板１１との間の相互拡散が生じシリコン基
板１１には、不良箇所として、いわゆるくわれが生じる
。
その後、同図（ｂ）に示す如く、王水で純アルミニュウ
ム配線膜１６と、ＴｉＮ膜１５を除去して、下地である
シリコン基板１１のくわれを観察した。
ム配線膜１６と、ＴｉＮ膜１５を除去して、下地である
シリコン基板１１のくわれを観察した。
第３図は本発明実施例によるバリア性の試験結果を示す
図である。同図において、横軸は処理の温度（’Ｃ）、
縦軸はサンプル数に対するくわれのない良品数の割合（
χ）を示し、へ曲線は１気圧、８曲線は２気圧、Ｃ曲線
は３気圧、０曲線は５気圧、８曲線は７気圧、Ｆ曲線は
１０気圧で試験したときのバリア性を示す。バリア性は
、圧力を２気圧にしたとき顕著に向上することが判明し
た。
図である。同図において、横軸は処理の温度（’Ｃ）、
縦軸はサンプル数に対するくわれのない良品数の割合（
χ）を示し、へ曲線は１気圧、８曲線は２気圧、Ｃ曲線
は３気圧、０曲線は５気圧、８曲線は７気圧、Ｆ曲線は
１０気圧で試験したときのバリア性を示す。バリア性は
、圧力を２気圧にしたとき顕著に向上することが判明し
た。
同図に示す如（、バリア性は、処理の温度が２００°Ｃ
から４００°Ｃまではゑ、激に上昇し、４００ ”Ｃか
ら６００°Ｃまでは緩やかに上昇していることを示して
いる。また、圧力が常圧（１気圧のへ曲線）を越えてい
るときには、高くなるほど（１気圧〜ＩＯ気圧→）バリ
ア性が向上することを示している。なお、４００°Ｃを
越える温度では、アルミニュウム突起の形成が激しくな
った。従って、４００°Ｃ以下の温度で、アルミニュウ
ム突起の少ないバリアメタルの形成が可能になる。
から４００°Ｃまではゑ、激に上昇し、４００ ”Ｃか
ら６００°Ｃまでは緩やかに上昇していることを示して
いる。また、圧力が常圧（１気圧のへ曲線）を越えてい
るときには、高くなるほど（１気圧〜ＩＯ気圧→）バリ
ア性が向上することを示している。なお、４００°Ｃを
越える温度では、アルミニュウム突起の形成が激しくな
った。従って、４００°Ｃ以下の温度で、アルミニュウ
ム突起の少ないバリアメタルの形成が可能になる。
なお、本発明においては、少なくとも、バリ゛アメタル
形成後、常圧を越える圧力で窒素ガスを主体とする雰囲
気中において熱処理を行えばよく、この圧力は、高いほ
どバリア性がよくなり、また窒素ガス中には、ドーピン
グガスとして若干の酸素（０□）ガス、アルゴン（Ａｒ
）ガスが含まれていてもよい。これらの温度、圧力、処
理期間、ドーピングガスなどは、コンタクト抵抗、トラ
ンジスタ特性により適宜変えてもよい。
形成後、常圧を越える圧力で窒素ガスを主体とする雰囲
気中において熱処理を行えばよく、この圧力は、高いほ
どバリア性がよくなり、また窒素ガス中には、ドーピン
グガスとして若干の酸素（０□）ガス、アルゴン（Ａｒ
）ガスが含まれていてもよい。これらの温度、圧力、処
理期間、ドーピングガスなどは、コンタクト抵抗、トラ
ンジスタ特性により適宜変えてもよい。
また、コンタクト窓１４は、下地と電気的な接触を形成
する領域に形成されればよい。
する領域に形成されればよい。
さらに、上記実施例においては、チタンナイトライド（
ＴｉＮ ）を用いているが、通常用いられる高融点メタ
ルなどのバリアメタルについても適用できる。
ＴｉＮ ）を用いているが、通常用いられる高融点メタ
ルなどのバリアメタルについても適用できる。
また、バリアメタルの膜厚、成形条件は配線金属などに
応じて任意にでき、実施例に限定されない。
応じて任意にでき、実施例に限定されない。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、コンタクト窓にバ
リアメタルを形成した後に、常圧を越す圧力の雰囲気中
で熱処理することにより、従来よりも低温で窒化が進み
、コンタクト窓の側壁部分の改質が改良されため、バリ
ア性が大きくなるとともに、より低温で熱処理ができる
ようになり、かつ膜厚も薄くすることができ半導体装置
の微細化構造が可能になる。
リアメタルを形成した後に、常圧を越す圧力の雰囲気中
で熱処理することにより、従来よりも低温で窒化が進み
、コンタクト窓の側壁部分の改質が改良されため、バリ
ア性が大きくなるとともに、より低温で熱処理ができる
ようになり、かつ膜厚も薄くすることができ半導体装置
の微細化構造が可能になる。
第１図（ａ）〜（６）は本発明実施例の製造工程断面図
、第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明実施例のバリア性を
試験するための電極部分の断面図、 第３図は本発明実施例のバリア性試験結果を示す図、 第４図は従来の電極配線部分の断面図である。 図中、 １１はシリコン基板、 １２は拡散領域、 １３は酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜、 １４はコンタクト窓、 １５はＴｉＮ膜、 １６は純アルミニュウム配線膜、 を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 本ちｅｆＪ欠攪例のｆ！ｉ五二硅前面国第１図
、第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明実施例のバリア性を
試験するための電極部分の断面図、 第３図は本発明実施例のバリア性試験結果を示す図、 第４図は従来の電極配線部分の断面図である。 図中、 １１はシリコン基板、 １２は拡散領域、 １３は酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜、 １４はコンタクト窓、 １５はＴｉＮ膜、 １６は純アルミニュウム配線膜、 を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 本ちｅｆＪ欠攪例のｆ！ｉ五二硅前面国第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下地との電気的接触を形成する領域にコンタクト窓（
１４）形成し、このコンタクト窓（１４）にバリアメタ
ル（１５）を形成し、次いで導電メタル（１５）を形成
する半導体装置の製造方法において、 前記コンタクト窓（１４）にバリアメタル（１５）を形
成した後に、該バリアメタル（１５）を常圧を越える圧
力で、窒素ガスを主体とする雰囲気中において熱処理す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63094439A JP2561123B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63094439A JP2561123B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01266719A true JPH01266719A (ja) | 1989-10-24 |
| JP2561123B2 JP2561123B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=14110289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63094439A Expired - Fee Related JP2561123B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2561123B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684826A (ja) * | 1992-02-26 | 1994-03-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 基板に埋込み金属を形成する方法 |
| JP2025531940A (ja) * | 2022-09-23 | 2025-09-25 | エイチピエスピ カンパニー リミテッド | 半導体素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP63094439A patent/JP2561123B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684826A (ja) * | 1992-02-26 | 1994-03-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 基板に埋込み金属を形成する方法 |
| JP2025531940A (ja) * | 2022-09-23 | 2025-09-25 | エイチピエスピ カンパニー リミテッド | 半導体素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2561123B2 (ja) | 1996-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2537413B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03214717A (ja) | 電気的セラミック酸化物装置用電極 | |
| JP2000208744A (ja) | 五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法 | |
| EP0268027A1 (en) | Silicide to silicon bond | |
| JPS61142739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63229814A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| CN1111903C (zh) | 高－ε－介电层或铁电层的制造方法 | |
| JPH01266719A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04264729A (ja) | 金属薄膜の平坦化形成方法 | |
| JPS62113421A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2750860B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61156872A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100210898B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPH01200651A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0144167B1 (ko) | 확산 배리어의 기능을 갖는 반도체 소자의 전극형성방법 | |
| JP2669611B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2857170B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0243726A (ja) | 接続配線形成法 | |
| JPS6294937A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0254926A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2555754B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0268926A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100351982B1 (ko) | 반도체 장치의 절연막 제조방법 | |
| JPH07263447A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03154332A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |