JPH07263447A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH07263447A JPH07263447A JP4736194A JP4736194A JPH07263447A JP H07263447 A JPH07263447 A JP H07263447A JP 4736194 A JP4736194 A JP 4736194A JP 4736194 A JP4736194 A JP 4736194A JP H07263447 A JPH07263447 A JP H07263447A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニウム合金膜と反射防止膜である窒化
チタン膜との間に酸化アルミニウム膜が形成されること
を防止する。 【構成】 アルミニウム膜３と反射防止膜である窒化チ
タン膜５との間に窒化アルミニウム膜４が設けられてい
る。アルミニウム膜３は約１.０％程度のシリコンと約
０.１％程度の銅とを含むアルミニウム合金からなる。
アルミニウム膜３を窒化アルミニウム膜４で保護してお
くと、大気と接触しても、表面に酸化アルミニウムが形
成されるようなことはない。このため、アルミニウム膜
３に集中していた電子が、アルミニウム膜３と窒化チタ
ン膜５、あるいは窒化アルミニウム膜４に分散されるの
で、エレクトロマイグレーション寿命が向上する。
チタン膜との間に酸化アルミニウム膜が形成されること
を防止する。 【構成】 アルミニウム膜３と反射防止膜である窒化チ
タン膜５との間に窒化アルミニウム膜４が設けられてい
る。アルミニウム膜３は約１.０％程度のシリコンと約
０.１％程度の銅とを含むアルミニウム合金からなる。
アルミニウム膜３を窒化アルミニウム膜４で保護してお
くと、大気と接触しても、表面に酸化アルミニウムが形
成されるようなことはない。このため、アルミニウム膜
３に集中していた電子が、アルミニウム膜３と窒化チタ
ン膜５、あるいは窒化アルミニウム膜４に分散されるの
で、エレクトロマイグレーション寿命が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細寸法のアルミニウム
合金配線を有する半導体装置およびその製造方法に関す
るものである。
合金配線を有する半導体装置およびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの集積化が進み、アルミ
ニウム合金配線幅が次第に微細化されてくると、アルミ
ニウム膜の反射率を低減することが重要となっている。
このため、アルミニウム合金配線上に反射防止膜として
窒化チタン膜を積層する配線構造が最も多く用いられて
いる。
ニウム合金配線幅が次第に微細化されてくると、アルミ
ニウム膜の反射率を低減することが重要となっている。
このため、アルミニウム合金配線上に反射防止膜として
窒化チタン膜を積層する配線構造が最も多く用いられて
いる。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
半導体装置およびその製造方法について説明する。
半導体装置およびその製造方法について説明する。
【０００４】図５は従来の半導体装置の断面図である。
図５において、１はシリコン基板、２はボロンリン珪酸
ガラス膜、３はアルミニウム膜、５は窒化チタン膜、６
はパシベーション膜である。
図５において、１はシリコン基板、２はボロンリン珪酸
ガラス膜、３はアルミニウム膜、５は窒化チタン膜、６
はパシベーション膜である。
【０００５】アルミニウム膜３上に窒化チタン膜５を反
射防止膜として設け、アルミニウム膜３の反射率の低減
を図り、配線のレジストパターン形成時のハレーション
を防止してきた。
射防止膜として設け、アルミニウム膜３の反射率の低減
を図り、配線のレジストパターン形成時のハレーション
を防止してきた。
【０００６】図６は従来の実施例である半導体装置の製
造方法の工程説明図である。アルミニウム膜３は第一の
スパッタ装置、窒化チタン膜５は第二のスパッタ装置と
いうようにアルミニウム膜３と窒化チタン膜５を不連続
で形成していた。
造方法の工程説明図である。アルミニウム膜３は第一の
スパッタ装置、窒化チタン膜５は第二のスパッタ装置と
いうようにアルミニウム膜３と窒化チタン膜５を不連続
で形成していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構造および製造方法では、エレクトロマイグレーシ
ョン寿命が劣化し、半導体デバイスの信頼性を低下させ
る問題があった。
うな構造および製造方法では、エレクトロマイグレーシ
ョン寿命が劣化し、半導体デバイスの信頼性を低下させ
る問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の半導体装置は、半導体基板の絶縁膜上に所定
のパターンで形成されたアルミニウム合金配線と、前記
アルミニウム合金配線上に窒化アルミニウム膜を挟んで
形成された窒化チタン膜を備えている。
に本発明の半導体装置は、半導体基板の絶縁膜上に所定
のパターンで形成されたアルミニウム合金配線と、前記
アルミニウム合金配線上に窒化アルミニウム膜を挟んで
形成された窒化チタン膜を備えている。
【０００９】上記課題を解決するために本発明の半導体
装置の製造方法は、半導体基板上にアルミニウム合金配
線を形成した後、窒素ガスを主成分とするプラズマを照
射する。
装置の製造方法は、半導体基板上にアルミニウム合金配
線を形成した後、窒素ガスを主成分とするプラズマを照
射する。
【００１０】また、半導体基板上にアルミニウム合金配
線を形成した後、前記アルミニウム合金配線を形成する
のと同一のスパッタ装置内で、反応性スパッタにより窒
化アルミニウム膜を形成する。
線を形成した後、前記アルミニウム合金配線を形成する
のと同一のスパッタ装置内で、反応性スパッタにより窒
化アルミニウム膜を形成する。
【００１１】また、半導体基板上にアルミニウム合金配
線を形成した後、前記アルミニウム合金配線を形成する
のと同一のスパッタ装置内で、窒素ガスを主成分とする
雰囲気中でアニールを行うことにより窒化アルミニウム
膜を形成する。
線を形成した後、前記アルミニウム合金配線を形成する
のと同一のスパッタ装置内で、窒素ガスを主成分とする
雰囲気中でアニールを行うことにより窒化アルミニウム
膜を形成する。
【００１２】さらに、半導体基板上にアルミニウム合金
配線を形成した後、アルゴンスパッタエッチングを行
い、その後前記アルゴンスパッタエッチングと同一のス
パッタ装置内にて、連続して窒化チタン膜を形成する。
配線を形成した後、アルゴンスパッタエッチングを行
い、その後前記アルゴンスパッタエッチングと同一のス
パッタ装置内にて、連続して窒化チタン膜を形成する。
【００１３】
【作用】本発明は上記した構造およびその製造方法によ
ってエレクトロマイグレーション寿命の劣化を防止で
き、半導体デバイスの信頼性を向上できる。
ってエレクトロマイグレーション寿命の劣化を防止で
き、半導体デバイスの信頼性を向上できる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の半導体装置の一実施例の断面
図である。図１において、１はシリコン基板、２はボロ
ンリン珪酸ガラス膜、３はアルミニウム膜、４は窒化ア
ルミニウム膜、５は窒化チタン膜、６はパシベーション
膜である。
図である。図１において、１はシリコン基板、２はボロ
ンリン珪酸ガラス膜、３はアルミニウム膜、４は窒化ア
ルミニウム膜、５は窒化チタン膜、６はパシベーション
膜である。
【００１５】アルミニウム膜３と反射防止膜である窒化
チタン膜５の間には窒化アルミニウム膜４が設けられて
いる。また、アルミニウム膜３は、約１.０％程度のシ
リコンと約０.１％程度の銅とを含むアルミニウム合金
からなる。
チタン膜５の間には窒化アルミニウム膜４が設けられて
いる。また、アルミニウム膜３は、約１.０％程度のシ
リコンと約０.１％程度の銅とを含むアルミニウム合金
からなる。
【００１６】従来の技術では窒化アルミニウム膜４は設
けられておらず、アルミニウム膜３のスパッタ装置と窒
化チタン膜５のスパッタ装置が異なり、不連続な形成と
なると、アルミニウム膜３の形成後、大気と接触するた
め、アルミニウム膜３の表面が酸化され、酸化アルミニ
ウム膜が形成される。しかし、本実施例のようにアルミ
ニウム膜３を窒化アルミニウム膜４で保護しておくと、
大気と接触しても、表面に酸化アルミニウムが形成され
ることはない。このため、アルミニウム膜３に集中して
いた電子の移動が、アルミニウム膜３と窒化チタン膜
５、あるいは窒化アルミニウム膜４に分散される。この
ためエレクトロマイグレーション寿命が向上できる。
けられておらず、アルミニウム膜３のスパッタ装置と窒
化チタン膜５のスパッタ装置が異なり、不連続な形成と
なると、アルミニウム膜３の形成後、大気と接触するた
め、アルミニウム膜３の表面が酸化され、酸化アルミニ
ウム膜が形成される。しかし、本実施例のようにアルミ
ニウム膜３を窒化アルミニウム膜４で保護しておくと、
大気と接触しても、表面に酸化アルミニウムが形成され
ることはない。このため、アルミニウム膜３に集中して
いた電子の移動が、アルミニウム膜３と窒化チタン膜
５、あるいは窒化アルミニウム膜４に分散される。この
ためエレクトロマイグレーション寿命が向上できる。
【００１７】また、本実施例ではアルミニウム膜３と窒
化チタン膜５を同一のスパッタ装置内で連続して形成す
るので、アルミニウム膜３が大気と接触することがな
い。このため、窒化アルミニウム膜４を形成しなくても
酸化アルミニウム膜は形成されず、エレクトロマイグレ
ーション寿命が劣化することはない。
化チタン膜５を同一のスパッタ装置内で連続して形成す
るので、アルミニウム膜３が大気と接触することがな
い。このため、窒化アルミニウム膜４を形成しなくても
酸化アルミニウム膜は形成されず、エレクトロマイグレ
ーション寿命が劣化することはない。
【００１８】本実施例では、アルミニウム合金配線の下
層にバリアメタルを用いない構造について述べたが、バ
リアメタルを用いた場合も同様の効果が得られる。
層にバリアメタルを用いない構造について述べたが、バ
リアメタルを用いた場合も同様の効果が得られる。
【００１９】以上のように本実施例によれば、アルミニ
ウム合金配線と窒化チタン膜５の間に窒化アルミニウム
膜４を設けることにより、アルミニウム膜のスパッタ装
置と反射防止膜である窒化チタン膜５のスパッタ装置が
異なり、不連続な形成となる場合でも、エレクトロマイ
グレーション寿命の劣化を防止することができる。
ウム合金配線と窒化チタン膜５の間に窒化アルミニウム
膜４を設けることにより、アルミニウム膜のスパッタ装
置と反射防止膜である窒化チタン膜５のスパッタ装置が
異なり、不連続な形成となる場合でも、エレクトロマイ
グレーション寿命の劣化を防止することができる。
【００２０】図２は本発明の半導体装置の製造方法にお
ける第１の実施例の工程図である。まず、第一のスパッ
タ装置でアルミニウム膜３を形成する。次に、アルミニ
ウム膜３に窒素プラズマを照射する。最後に、第二のス
パッタ装置で窒化チタン膜５を形成する。
ける第１の実施例の工程図である。まず、第一のスパッ
タ装置でアルミニウム膜３を形成する。次に、アルミニ
ウム膜３に窒素プラズマを照射する。最後に、第二のス
パッタ装置で窒化チタン膜５を形成する。
【００２１】従来の技術では、第一のスパッタ装置でア
ルミニウム膜３を形成した後、第二のスパッタ装置で窒
化チタン膜５を形成していた。このため、アルミニウム
膜３と窒化チタン膜５の形成が不連続となり、アルミニ
ウム膜３が大気と接触し、アルミニウム膜３の表面に酸
化アルミニウム膜が形成され、エレクトロマイグレーシ
ョン寿命を劣化させていた。
ルミニウム膜３を形成した後、第二のスパッタ装置で窒
化チタン膜５を形成していた。このため、アルミニウム
膜３と窒化チタン膜５の形成が不連続となり、アルミニ
ウム膜３が大気と接触し、アルミニウム膜３の表面に酸
化アルミニウム膜が形成され、エレクトロマイグレーシ
ョン寿命を劣化させていた。
【００２２】しかし、本実施例のように第一のスパッタ
装置でアルミニウム膜３を形成した後、アルミニウム膜
３に窒素プラズマを照射すると、酸化アルミニウム膜を
窒化アルミニウム膜４に変化させることができる。こう
して形成された窒化アルミニウム膜４は大気と接触して
も酸化されないため、窒素プラズマの照射装置と窒化チ
タン膜５のスパッタ装置が異なっても、酸化アルミニウ
ムが形成されることはない。このため、酸化アルミニウ
ム膜が存在すると、アルミニウム膜３に集中していた電
子の移動が、アルミニウム膜３と窒化チタン膜５、ある
いは窒化アルミニウム膜４に分散できるため、エレクト
ロマイグレーション寿命が向上できる。
装置でアルミニウム膜３を形成した後、アルミニウム膜
３に窒素プラズマを照射すると、酸化アルミニウム膜を
窒化アルミニウム膜４に変化させることができる。こう
して形成された窒化アルミニウム膜４は大気と接触して
も酸化されないため、窒素プラズマの照射装置と窒化チ
タン膜５のスパッタ装置が異なっても、酸化アルミニウ
ムが形成されることはない。このため、酸化アルミニウ
ム膜が存在すると、アルミニウム膜３に集中していた電
子の移動が、アルミニウム膜３と窒化チタン膜５、ある
いは窒化アルミニウム膜４に分散できるため、エレクト
ロマイグレーション寿命が向上できる。
【００２３】本実施例では、プラズマ照射として窒素ガ
スを用いたが、アンモニアガス等を用いた場合も同様の
効果が得られる。
スを用いたが、アンモニアガス等を用いた場合も同様の
効果が得られる。
【００２４】また、本実施例では、アルミニウム合金配
線の下層にバリアメタルを用いない方法について述べた
が、バリアメタルを用いた場合も同様の効果が得られ
る。
線の下層にバリアメタルを用いない方法について述べた
が、バリアメタルを用いた場合も同様の効果が得られ
る。
【００２５】以上のように本実施例によれば、アルミニ
ウム合金配線の形成後に、窒素ガスを主成分とするプラ
ズマを照射することにより、酸化アルミニウムを窒化ア
ルミニウム膜４に変化させることができる。このため、
アルミニウム膜３のスパッタ装置と反射防止膜である窒
化チタン膜５のスパッタ装置が異なり、不連続な形成と
なる場合でも、エレクトロマイグレーション寿命の劣化
を防止することができる。
ウム合金配線の形成後に、窒素ガスを主成分とするプラ
ズマを照射することにより、酸化アルミニウムを窒化ア
ルミニウム膜４に変化させることができる。このため、
アルミニウム膜３のスパッタ装置と反射防止膜である窒
化チタン膜５のスパッタ装置が異なり、不連続な形成と
なる場合でも、エレクトロマイグレーション寿命の劣化
を防止することができる。
【００２６】図３は本発明の半導体装置の製造方法にお
ける第二の実施例の工程図である。まず、第一のスパッ
タ装置でアルミニウム膜３を形成する。次に、アルミニ
ウム膜３の形成と同一のスパッタ装置で、窒化アルミニ
ウム膜４を反応性スパッタ法にて形成する。最後に、第
二のスパッタ装置で窒化チタン膜５を形成する。
ける第二の実施例の工程図である。まず、第一のスパッ
タ装置でアルミニウム膜３を形成する。次に、アルミニ
ウム膜３の形成と同一のスパッタ装置で、窒化アルミニ
ウム膜４を反応性スパッタ法にて形成する。最後に、第
二のスパッタ装置で窒化チタン膜５を形成する。
【００２７】第一のスパッタ装置でアルミニウム膜３を
形成した後、同一のスパッタ装置で窒化アルミニウム膜
４を形成すると、アルミニウム膜３の表面は窒化アルミ
ニウム膜４で保護される。このため、酸化アルミニウム
がアルミニウム膜３表面に形成されない。また、窒化ア
ルミニウム膜４は大気と接触しても酸化されないため、
窒化アルミニウム膜４のスパッタ装置と窒化チタン膜５
のスパッタ装置が異なっても、酸化アルミニウムが形成
されない。このため、酸化アルミニウム膜が存在する
と、アルミニウム膜３に集中していた電子の移動が、ア
ルミニウム膜３と窒化チタン膜５、あるいは窒化アルミ
ニウム膜４に分散できるため、エレクトロマイグレーシ
ョン寿命が向上できる。
形成した後、同一のスパッタ装置で窒化アルミニウム膜
４を形成すると、アルミニウム膜３の表面は窒化アルミ
ニウム膜４で保護される。このため、酸化アルミニウム
がアルミニウム膜３表面に形成されない。また、窒化ア
ルミニウム膜４は大気と接触しても酸化されないため、
窒化アルミニウム膜４のスパッタ装置と窒化チタン膜５
のスパッタ装置が異なっても、酸化アルミニウムが形成
されない。このため、酸化アルミニウム膜が存在する
と、アルミニウム膜３に集中していた電子の移動が、ア
ルミニウム膜３と窒化チタン膜５、あるいは窒化アルミ
ニウム膜４に分散できるため、エレクトロマイグレーシ
ョン寿命が向上できる。
【００２８】さらに、本発明の方法の第一の実施例で
は、新たにプラズマ照射設備が必要となり、設備投資が
増大するという問題があったが、本実施例によれば、新
たな設備は必要とせず、設備投資が増大するという問題
もない。
は、新たにプラズマ照射設備が必要となり、設備投資が
増大するという問題があったが、本実施例によれば、新
たな設備は必要とせず、設備投資が増大するという問題
もない。
【００２９】本実施例では、窒化アルミニウム膜４を反
応性スパッタにて形成したが、アルミニウム合金配線の
形成と同一のスパッタ装置内にて、窒素を主成分とする
熱処理を行う方法により、窒化アルミニウム膜４を形成
しても同様の効果が得られる。
応性スパッタにて形成したが、アルミニウム合金配線の
形成と同一のスパッタ装置内にて、窒素を主成分とする
熱処理を行う方法により、窒化アルミニウム膜４を形成
しても同様の効果が得られる。
【００３０】また、本実施例では、アルミニウム合金配
線の下層にバリアメタルを用いない方法について述べた
が、バリアメタルを用いた場合も同様の効果が得られ
る。
線の下層にバリアメタルを用いない方法について述べた
が、バリアメタルを用いた場合も同様の効果が得られ
る。
【００３１】以上のように本実施例によれば、アルミニ
ウム合金配線形成と同一のスパッタ装置内で反応性スパ
ッタや窒素ガスを主成分とする雰囲気中で熱処理を行う
ことにより、窒化アルミニウム膜４を形成することがで
きる。このため、アルミニウム膜３のスパッタ装置と反
射防止膜である窒化チタン膜５のスパッタ装置が異な
り、不連続な形成となる場合でも、エレクトロマイグレ
ーション寿命の劣化を防止することができる。
ウム合金配線形成と同一のスパッタ装置内で反応性スパ
ッタや窒素ガスを主成分とする雰囲気中で熱処理を行う
ことにより、窒化アルミニウム膜４を形成することがで
きる。このため、アルミニウム膜３のスパッタ装置と反
射防止膜である窒化チタン膜５のスパッタ装置が異な
り、不連続な形成となる場合でも、エレクトロマイグレ
ーション寿命の劣化を防止することができる。
【００３２】図４は本発明の半導体装置の製造方法にお
ける第三の実施例の工程図である。まず、第一のスパッ
タ装置でアルミニウム膜３を形成する。次に、第二のス
パッタ装置でアルゴンスパッタエッチングを行う。最後
に、アルゴンスパッタエッチングと同一のスパッタ装置
で窒化チタン膜５を形成する。
ける第三の実施例の工程図である。まず、第一のスパッ
タ装置でアルミニウム膜３を形成する。次に、第二のス
パッタ装置でアルゴンスパッタエッチングを行う。最後
に、アルゴンスパッタエッチングと同一のスパッタ装置
で窒化チタン膜５を形成する。
【００３３】第一のスパッタ装置でアルミニウム膜３を
形成した後に、第二のスパッタ装置でアルゴンスパッタ
エッチングを行うと、アルミニウム膜３表面の酸化アル
ミニウム膜が除去される。また、アルゴンスパッタエッ
チングと窒化チタン膜５の形成を同一のスパッタ装置で
行うため、酸化アルミニウムがその後に形成されない。
このため、酸化アルミニウム膜が存在すると、アルミニ
ウム膜３に集中していた電子がアルミニウム膜３と窒化
チタン膜５とに分散されるために、エレクトロマイグレ
ーション寿命が向上できる。
形成した後に、第二のスパッタ装置でアルゴンスパッタ
エッチングを行うと、アルミニウム膜３表面の酸化アル
ミニウム膜が除去される。また、アルゴンスパッタエッ
チングと窒化チタン膜５の形成を同一のスパッタ装置で
行うため、酸化アルミニウムがその後に形成されない。
このため、酸化アルミニウム膜が存在すると、アルミニ
ウム膜３に集中していた電子がアルミニウム膜３と窒化
チタン膜５とに分散されるために、エレクトロマイグレ
ーション寿命が向上できる。
【００３４】本実施例では、アルミニウム合金配線の下
層にバリアメタルを用いない方法について述べたが、バ
リアメタルを用いた場合も同様の効果が得られる。
層にバリアメタルを用いない方法について述べたが、バ
リアメタルを用いた場合も同様の効果が得られる。
【００３５】以上のように本実施例によれば、アルミニ
ウム合金配線の形成後、アルゴンスパッタエッチングと
窒化チタン膜の形成を同一のスパッタ装置内で行うこと
により、酸化アルミニウム膜を除去することができる。
このため、アルミニウム膜のスパッタ装置と反射防止膜
である窒化チタン膜のスパッタ装置が異なり、不連続な
形成となる場合でも、エレクトロマイグレーション寿命
の劣化を防止することができる。
ウム合金配線の形成後、アルゴンスパッタエッチングと
窒化チタン膜の形成を同一のスパッタ装置内で行うこと
により、酸化アルミニウム膜を除去することができる。
このため、アルミニウム膜のスパッタ装置と反射防止膜
である窒化チタン膜のスパッタ装置が異なり、不連続な
形成となる場合でも、エレクトロマイグレーション寿命
の劣化を防止することができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、酸化アルミニウム膜の
形成を防止できるため、エレクトロマイグレーション寿
命の劣化を防止でき、半導体デバイスの信頼性を向上さ
せることができる。
形成を防止できるため、エレクトロマイグレーション寿
命の劣化を防止でき、半導体デバイスの信頼性を向上さ
せることができる。
【図１】本発明の半導体装置における一実施例の断面図
【図２】本発明の半導体装置の製造方法における第一の
実施例の工程図
実施例の工程図
【図３】本発明の半導体装置の製造方法における第二の
実施例の工程図
実施例の工程図
【図４】本発明の半導体装置の製造方法における第三の
実施例の工程図
実施例の工程図
【図５】従来の半導体装置の断面図
【図６】従来の半導体装置の製造方法の工程図
１ シリコン基板 ２ ボロンリン珪酸ガラス膜 ３ アルミニウム膜 ４ 窒化アルミニウム膜 ５ 窒化チタン膜 ６ パシベーション膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/318 Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板の絶縁膜上に所定のパターン
で形成されたアルミニウム合金配線と、前記アルミニウ
ム合金配線上に窒化アルミニウム膜を挟んで形成された
窒化チタン膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上にアルミニウム合金配線を
形成した後、窒素ガスを主成分とするプラズマを照射す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体基板上にアルミニウム合金配線を
形成した後、前記アルミニウム合金配線を形成するのと
同一のスパッタ装置内で、反応性スパッタにより窒化ア
ルミニウム膜を形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上にアルミニウム合金配線を
形成した後、前記アルミニウム合金配線を形成するのと
同一のスパッタ装置内で、窒素ガスを主成分とする雰囲
気中でアニールを行うことにより窒化アルミニウム膜を
形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体基板上にアルミニウム合金配線を
形成した後、アルゴンスパッタエッチングを行い、その
後前記アルゴンスパッタエッチングと同一のスパッタ装
置内にて、連続して窒化チタン膜を形成することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4736194A JPH07263447A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4736194A JPH07263447A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263447A true JPH07263447A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12772984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4736194A Pending JPH07263447A (ja) | 1994-03-17 | 1994-03-17 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263447A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11284195A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置 |
| US6690077B1 (en) * | 1996-01-19 | 2004-02-10 | Micron Technology, Inc. | Antireflective coating and field emission display device, semiconductor device and wiring line comprising same |
| US8159749B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-04-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Antireflection coating and display device |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP4736194A patent/JPH07263447A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6690077B1 (en) * | 1996-01-19 | 2004-02-10 | Micron Technology, Inc. | Antireflective coating and field emission display device, semiconductor device and wiring line comprising same |
| JPH11284195A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置 |
| US8159749B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-04-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Antireflection coating and display device |
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