JPH01267476A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01267476A JPH01267476A JP63096267A JP9626788A JPH01267476A JP H01267476 A JPH01267476 A JP H01267476A JP 63096267 A JP63096267 A JP 63096267A JP 9626788 A JP9626788 A JP 9626788A JP H01267476 A JPH01267476 A JP H01267476A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- pin
- relay
- output
- bin
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、異なる半導体検査装置間の相関採り(測定
結果の差の原因分析)を容易にするためのテスト用補助
回路を付加した半導体装置に関するものである。
結果の差の原因分析)を容易にするためのテスト用補助
回路を付加した半導体装置に関するものである。
第3図は従来の半導体装置の構成図である。記憶、、論
理演算などの本来の機能を行う主回路1に、基準信号ビ
ン2や出力ビン3などが接続されている。また使用され
ない空きビン4が存在する。
理演算などの本来の機能を行う主回路1に、基準信号ビ
ン2や出力ビン3などが接続されている。また使用され
ない空きビン4が存在する。
次に、動作について説明する。主回路1は基準信号ビン
2に信号が印加されるとある時間後動作可能となり、出
力ビン3からデータを出力する。
2に信号が印加されるとある時間後動作可能となり、出
力ビン3からデータを出力する。
なお空きビン4は動作上の機能は持たない。例えばメモ
リなどの場合、基準信号ビン2としてチップセレクトC
8,出力ビン3としてデータ出力DOを想定する。チッ
プセレクトC8がアクティブ状態になった後、データ出
力Doに有効なリードデータが出力されるまでには、あ
る遅延時間を伴う。このようなアクセスタイムなどのさ
まざまな時間を測定し、設計上とのずれなどを分析する
ことが半導体装置の製造上重要である。
リなどの場合、基準信号ビン2としてチップセレクトC
8,出力ビン3としてデータ出力DOを想定する。チッ
プセレクトC8がアクティブ状態になった後、データ出
力Doに有効なリードデータが出力されるまでには、あ
る遅延時間を伴う。このようなアクセスタイムなどのさ
まざまな時間を測定し、設計上とのずれなどを分析する
ことが半導体装置の製造上重要である。
このような測定を行うために通常半導体検査装置(以下
テスタと称す)を用いる。ある半導体装置を製造するラ
インが複数あるとし、そのうちの2つをラインA、ライ
ンBとする。また各ラインごとにテスタが設けられてい
るとし、ラインA内のテスタをテスタTA、ラインB内
のテスタをテスタTBとする。このような製造工程にお
いて、この製品のあるアクセスタイムを測定する。ライ
ンAの測定の結果をt 、ラインB−の測定結果をta
とする。この測定結果の間にΔt= l tA−t81
という差が生じた場合、この時間差Δtの原因を分析す
ることが製造工程の改善などのために必要である。
テスタと称す)を用いる。ある半導体装置を製造するラ
インが複数あるとし、そのうちの2つをラインA、ライ
ンBとする。また各ラインごとにテスタが設けられてい
るとし、ラインA内のテスタをテスタTA、ラインB内
のテスタをテスタTBとする。このような製造工程にお
いて、この製品のあるアクセスタイムを測定する。ライ
ンAの測定の結果をt 、ラインB−の測定結果をta
とする。この測定結果の間にΔt= l tA−t81
という差が生じた場合、この時間差Δtの原因を分析す
ることが製造工程の改善などのために必要である。
例えば時間差Δtの原因として次のようなものが考えら
れる。
れる。
(i) テスタTAとテスタTBにおいて、基準信号
ビン2に与えられる信号の特性(レベル、立ち上りのタ
イミングなど)が異なっていたため、(ii)半導体装
置測定時に発生する電源ノイズの影響のため、 (iii)実際に生産されている製品間に、ラインごと
に特性の差が生じたため、など。
ビン2に与えられる信号の特性(レベル、立ち上りのタ
イミングなど)が異なっていたため、(ii)半導体装
置測定時に発生する電源ノイズの影響のため、 (iii)実際に生産されている製品間に、ラインごと
に特性の差が生じたため、など。
このような原因は大別すると、各テスタ固有の特性およ
び測定時の半導体装置の動作の乱れによるものか、各半
導体装置の特性によるものかに分けられる。実際に必要
なデータは各半導体装置の特性なので、テスタ固有の特
性や、測定時の乱れなどという要因をあらかじめ把握し
ておき、測定結果に含まれるこのような要因によるもの
を取り除かなければならない。このようなテスタ固有の
特性や、その使用条件に伴う測定結果のずれを明確化す
ることが、テスタの相関採りを行うことであり、この相
関採りを行うことによって測定結果の正しい評価9分析
が行える。
び測定時の半導体装置の動作の乱れによるものか、各半
導体装置の特性によるものかに分けられる。実際に必要
なデータは各半導体装置の特性なので、テスタ固有の特
性や、測定時の乱れなどという要因をあらかじめ把握し
ておき、測定結果に含まれるこのような要因によるもの
を取り除かなければならない。このようなテスタ固有の
特性や、その使用条件に伴う測定結果のずれを明確化す
ることが、テスタの相関採りを行うことであり、この相
関採りを行うことによって測定結果の正しい評価9分析
が行える。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
主回路1が単純な場合はテスタの相関採りが容易で短時
間で行えたが、集積化が進み回路線能が複雑になると時
間差Δtの要因としてさまざまなものが考えられるため
、テスタの相関採りが困難で、長期間の測定結果を詳細
に分析することが必要となる。このような傾向は半導体
装置の開発サイクルの短期化と相反するものであり、開
発サイクルの短期化が進むにつれて重大な問題となる。
主回路1が単純な場合はテスタの相関採りが容易で短時
間で行えたが、集積化が進み回路線能が複雑になると時
間差Δtの要因としてさまざまなものが考えられるため
、テスタの相関採りが困難で、長期間の測定結果を詳細
に分析することが必要となる。このような傾向は半導体
装置の開発サイクルの短期化と相反するものであり、開
発サイクルの短期化が進むにつれて重大な問題となる。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、テスタによる半導体装置のアクセスタイム測
定等において、異なるテスタ間の相関採りをコストを抑
え簡単な取扱いで容易に行うことができる半導体装置を
得ることを目的とする。
たもので、テスタによる半導体装置のアクセスタイム測
定等において、異なるテスタ間の相関採りをコストを抑
え簡単な取扱いで容易に行うことができる半導体装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、主回路と入出力端子を共
有する比較的簡単な回路構成のテスト用補助回路と、前
記主回路か前記テスト用補助回路かのいずれか一方に、
前記入出力端子を接続する電気的接点と、前記電気的接
点をテストモード信号によって切り換える制御回路とを
備えたものである。
有する比較的簡単な回路構成のテスト用補助回路と、前
記主回路か前記テスト用補助回路かのいずれか一方に、
前記入出力端子を接続する電気的接点と、前記電気的接
点をテストモード信号によって切り換える制御回路とを
備えたものである。
この発明における制御回路は、テストモード信号によっ
て電気的接点を切り換えることにより、主回路、かテス
ト用補助回路かどちらについて入出力を行うかを指定す
る。
て電気的接点を切り換えることにより、主回路、かテス
ト用補助回路かどちらについて入出力を行うかを指定す
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による半導体装置を示すブロッ
ク図である。テスト用補助回路5は例えばインバータな
どによって構成される簡単な回路であり、検査用リレー
6を介して基準信号ビン2に、および検査用リレー7を
介して出力ビン3にそれぞれ接続される。また主回路1
は標準用リレー8を介して基準信号ビン2に、および標
準用リレー9を介して出力ビン3にそれぞれ接続される
。検査用リレー6、標準用リレー8はリレー制御回路1
0によって、検査用リレー7、標準用リレー9はリレー
制御回路11によってそれぞれ切り換えられる。この切
り換えを指定するために、空きビン4を使用したリレー
制御ビン12からテストモード信号が入力される。なお
、第1図に示す検査用リレー6.7および標準用リレー
8゜9の状態は、通常動作モードの場合である。
図はこの発明の一実施例による半導体装置を示すブロッ
ク図である。テスト用補助回路5は例えばインバータな
どによって構成される簡単な回路であり、検査用リレー
6を介して基準信号ビン2に、および検査用リレー7を
介して出力ビン3にそれぞれ接続される。また主回路1
は標準用リレー8を介して基準信号ビン2に、および標
準用リレー9を介して出力ビン3にそれぞれ接続される
。検査用リレー6、標準用リレー8はリレー制御回路1
0によって、検査用リレー7、標準用リレー9はリレー
制御回路11によってそれぞれ切り換えられる。この切
り換えを指定するために、空きビン4を使用したリレー
制御ビン12からテストモード信号が入力される。なお
、第1図に示す検査用リレー6.7および標準用リレー
8゜9の状態は、通常動作モードの場合である。
次に、動作について説明する。通常動作時には第1図に
示すように、検査用リレー6.7が開き標準用リレー8
.9が閉じているので、基準信号ビン2.出力ビン3は
主回路1に接続され本来の動作を行う。
示すように、検査用リレー6.7が開き標準用リレー8
.9が閉じているので、基準信号ビン2.出力ビン3は
主回路1に接続され本来の動作を行う。
テストモード時にはリレー制御ビン12から入力される
テストモード信号に応じで、リレー制御回路10.11
が検査用リレー6.7を閉じ、標準用リレー8,9を開
く。基準信号ビン2.出力ビン3は、インバータから構
成される簡単な回路であるテスト用補助回路5に接続さ
れる。この状態で各テスタによって基準信号ビン2にあ
る信号を入力し、どの程度の遅延時間を経て出力ビン3
に出力されるかを測定する。テスト用補助回路5は簡単
な回路であるため、回路構成のばらつきによる遅延時間
のばらつきは極めて小さい。したがって、各テスタ間に
おいて生じる遅延時間の差Δtは、テスタ固有の特性や
、その使用条件に伴う測定結果のずれによるものである
。このようにして各テスタ間の相関採りを行う。
テストモード信号に応じで、リレー制御回路10.11
が検査用リレー6.7を閉じ、標準用リレー8,9を開
く。基準信号ビン2.出力ビン3は、インバータから構
成される簡単な回路であるテスト用補助回路5に接続さ
れる。この状態で各テスタによって基準信号ビン2にあ
る信号を入力し、どの程度の遅延時間を経て出力ビン3
に出力されるかを測定する。テスト用補助回路5は簡単
な回路であるため、回路構成のばらつきによる遅延時間
のばらつきは極めて小さい。したがって、各テスタ間に
おいて生じる遅延時間の差Δtは、テスタ固有の特性や
、その使用条件に伴う測定結果のずれによるものである
。このようにして各テスタ間の相関採りを行う。
なお上記実施例では、リレー制御ビン12として空きビ
ン4を利用したが、空きビン4が無い場合には第2図に
示すように通常使用されるビン13(例えばアドレスビ
ン)を共用してもよい。またテストモード信号としては
、電源電圧レベル以上の電圧を印加してもよいし、ある
いはメモリ回路などの複数の基準信号を持つ回路におい
ては、各信号の通常使用しないレベルの組合せによって
テストモードを指定する特別な組合せを設定してもよい
。
ン4を利用したが、空きビン4が無い場合には第2図に
示すように通常使用されるビン13(例えばアドレスビ
ン)を共用してもよい。またテストモード信号としては
、電源電圧レベル以上の電圧を印加してもよいし、ある
いはメモリ回路などの複数の基準信号を持つ回路におい
ては、各信号の通常使用しないレベルの組合せによって
テストモードを指定する特別な組合せを設定してもよい
。
なお上記実施例では遅延時間の測定について述べたが、
遅延時間以外の特性についても同様の構成により、テス
タ間の相関採りを行うことができる。
遅延時間以外の特性についても同様の構成により、テス
タ間の相関採りを行うことができる。
以上のように、この発明によれば半導体装置に比較的簡
単な回路構成のテスト用補助回路を付加したので、テス
トモード時に例えば遅延時間などの特性のばらつきが少
い比較的簡単な回路構成のテスト用補助回路を使用すれ
ば、そのテスト結果によりテスタ間の相関採りを容易に
行うことができる。
単な回路構成のテスト用補助回路を付加したので、テス
トモード時に例えば遅延時間などの特性のばらつきが少
い比較的簡単な回路構成のテスト用補助回路を使用すれ
ば、そのテスト結果によりテスタ間の相関採りを容易に
行うことができる。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置のブロッ
ク図、第2図はこの発明の他の実施例による半導体装置
のブロック図、第3図は従来の半導体装置のブロック図
である。 図において、1は主回路、2は基準信号ビン、3は出力
ビン、5はテスト用補助回路、6.7は検査用リレー、
8.9は標準用リレー、10.11は制御回路、12は
リレー制御ビンである。 なお、各図中向−符・号は同一または相当部分を示す。
ク図、第2図はこの発明の他の実施例による半導体装置
のブロック図、第3図は従来の半導体装置のブロック図
である。 図において、1は主回路、2は基準信号ビン、3は出力
ビン、5はテスト用補助回路、6.7は検査用リレー、
8.9は標準用リレー、10.11は制御回路、12は
リレー制御ビンである。 なお、各図中向−符・号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)所定の動作を行う主回路と、 前記主回路と入出力端子を共有する比較的簡単な回路構
成のテスト用補助回路と、 前記主回路か前記テスト用補助回路かいずれか一方に、
前記入出力端子を接続する電気的接点と、前記電気的接
点をテストモード信号によつて切り換える制御回路とを
備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63096267A JPH01267476A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63096267A JPH01267476A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01267476A true JPH01267476A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14160381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63096267A Pending JPH01267476A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01267476A (ja) |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP63096267A patent/JPH01267476A/ja active Pending
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