JPH01268565A - 麻酔強度モニター - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は麻酔ガスに感応する素材を使用した麻酔感応素
子を用い、麻酔深度または麻酔濃度を測定・表示可能な
麻酔強度モニターに関する。

［従来の技術］ 従来、手術のため吸入麻酔を受ける患者に対して安全を
図るためのモニタリングとしては、心電モニターなどが
行なわれているが、直接、麻酔ガスの吸入量を測定する
ような機器はあまり知られていない。

現在、麻酔濃度の測定機器としては、質量分析器や麻酔
濃度計がある。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来から使用されている質量分析器は大
型で、操作較正が難しく、またガスを吸引してサンプリ
ングするため排気も必要であり、かつ大型のため移動が
難しく、手術室に一台づつ設置することは場所等の制約
から一般に困難であるという問題かあった。

また、従来使用されている麻酔濃度計は、麻酔ガスか赤
外線を吸収する量を利用して麻酔濃度を算出しており、
またガスを吸引して測定を行なうため測定後のガスの排
気回路か必要であり、さらに麻酔ガスの種類によっては
、装置上においてガスの種類の設定を行なう必要かあっ
た。

［課題を解決するための手段］ そこで、本発明者はト記した従来の麻酔ａ度計の問題点
にｆｆｉみ鋭意検討を重ねた結果、麻酔ガスの吸引排気
を行うことなく直接麻酔濃度あるいは深度か測定可能な
、使用に際して簡便な麻酔強度モニターを見出し、本発
明に到達した。

即ち本発明によれば、櫛形電極に、レシチン、ケファリ
ン、ジオクタデシル・フすスファイト、亜リン酸トリス
テアリル、■、３−ジテトラデシルグリセロ−２−フォ
スフォコリン、ジメチルジオクタデシルアンモニウムブ
ロマイド、Ｎ−（β−（トリメチルアンモニオ）エチル
オキシベンゾイル〕−ジオクタデシル−Ｌ−タルタメイ
トーブロマイド、ソジウム１．２−ビス（オクタデシル
オキシカーボニル）−エタン−１−サルフォネートから
なる群からｊｘばれる少なくとも一種の物質をライニン
グして形成した麻酔感応素子と。

該麻酔感応素子に連結され、該麻酔感応素子の静電容量
の麻酔ガスに対する変化量に対応した麻酔深度又は麻酔
濃度を表示する電気回路とからなることを特徴とする麻
酔強度干二ター、か提供される。

本発明においては、麻酔ガスに感応する物質として、レ
シチン、ケファリン、ジオクタデシル・フォスファイト
、亜リン酸トリステアリル、■。

３−シテトラデシルグリセロー２−フォスフォコリン、
ジメチルジオクタデシルアンモニウムブロマイド、Ｎ−
（β〜（トリメチルアンモニオ）エチルオキシベンゾイ
ル）−ジオクタデシル−Ｌ−グルタメイド−ブロマイド
、ソジウム１．２−ビス（オクタデシルオキシカーボニ
ル）−エタン−１−サルフォネートからなる群から選ば
れる少なくとも一種か通出なものであり、特に、レシチ
ンか麻酔ガスへの感応性に優れていることから好ましい
。

ここで麻酔深度とは、外科的刺激によって体を動かさな
い吸入麻酔薬の肺胞気儂度のことを指し、ミニマム　ア
ルビオラ−コンセントレージョン（ｍｉｎｉｍｕｍ　ａ
ｌｖｅｏｌａｒ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）　　（
ＭＡＣ）と称するものである。この値は吸入麻酔薬の種
類により異なり、少ないもの程強力である。

又、幼児ではＭＡＣはやや高くなる。

麻酔深度（ＭＡＣ）と麻酔薬濃度の関係（麻酔ハンｌへ
ノックより） 従って、吸入麻酔薬の種類に依らない統一した基準値と
して用いられている。濃度表示において、例えばエトレ
ン用気化器にへロタンを入れ、誤用に気付かなかった場
合、ダイヤルによりある設定値を決めると、エトレンと
へロタンの蒸気圧の違いにより、設定濃度より高い値の
へロタンかエトレンの気化器から出ることになり、極め
て危険である。しかし、ＭＡＣ表示では、その様な事故
の防止にも有効である。

［作用］ 麻酔ガスを、その麻酔ガスに感応して静電容を辻か変化
する物質に接触させ、該静電容量の変化に対応した電位
差を測定することにより、麻酔濃度あるいは麻酔深度を
測定・表示する。

［実施例コ 以下、本発明を図示の実施例に基いて更に詳しく説明す
るか、本発明はこれら実施例に限られるものではない。

第１図は本発明の麻酔感応素子の一例であり、第２図は
第１図のＡ−Ａ′部分拡大断面ＩＡを示すものである。

図において、１０は櫛形電極からなる麻酔感応素子であ
り、非導電性物質からなる基板１１上にＣｒ、又はＡＩ
などから形成される電極素子１２を配置し、その電極素
子１２には絶縁層１３が塗布されている。そして、さら
にその上から麻酔ガスに感応する物質１４をコーティン
グして構成されているものである。

基板１１としては、非導電性物質であればよく、特にそ
の種類は限定されず、例えば、ガラス−エポキシ板、ベ
ークライト板等が挙げられる。

また、絶縁層１３としては絶縁性物質からなるもので、
例えば窒化珪素（ＳｉＮｘ）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）
などが挙げられる。

次に、麻酔感応素子を組込んだ第３図の電気回路につい
て説明する。

パルスジェネレーター２０は、標準タイマー回路（ＮＥ
５５５）２１とキャパシタンス２２及び抵抗２３とから
構成されており、このパルスジェネレーター２０はマル
チバイブレータ−２４に規則的な反復パルスを送ってい
る。

このマルチハイツレ−ター２４は上記標準タイマー回路
２１と類似のタイマー回路２５を含み。

その出力信号のパルス幅か麻酔感応素子ｌＯの静電容量
に依存するように接続されている。出力は、抵抗２８と
キャパシタンス２９から成る積分回路３１で積分され、
増幅器（インピーダンス変調）２６及び２７にて増幅さ
れてその信号は３２以後の回路で変換され、デジタル化
され１表示されるのである。

以下、本発明の具体的な実施結果を説明する。

（実施例１） 脂質の１種である大豆製レシチン１０ｇを、試薬特級９
９．５％のエタノール液１００ｇの入ったビーカー中に
攪拌しながら溶解した。得られた溶液に櫛形電極を垂直
に浸し、３０秒後、垂直のまま引き上げて取り出し、真
空乾燥機により５００Ｃて３時間乾燥させ、レシチンで
コーティングされた櫛形電極からなる麻酔感応素子を作
製した。

尚、上記の櫛形電極はクロム−アルミニウム（Ｃｒ、Ａ
Ｍ）合金製で、幅約１０ＪＬｍ、厚さ約１０ルｍ、長さ
約４．１ｍｓの電極素子を陽極６０本。

陰極６１本（５９木＋外側２本）として、約３ｍ鵬Ｘ７
ｍｍでガラス−エポキシ基板上に配置され構成されてい
る。また、電極には絶縁層として窒化珪素（Ｓ　ｉ　Ｎ
ｘ）が０．２７Ｌｍの厚さで塗布されており、この電極
は、温度２１’Ｃ１湿度４５％において、電気抵抗が１
ｘｌｏ”Ω以上（印加電圧１０Ｖ）、静電容量が約１８
ｐＦ　（電圧５ｖ、周波数１０ＫＨｚ）てあった。

この櫛形電極からなる麻酔感応素子は、レシチン塗布後
においては、１回のレシチンのコーティングにより静電
容量が約０．５ｐＦ増加した。

この麻酔感応素子を、第３図に示す、麻酔感応素子の静
電容量を電位差として出力および表示が可能で、且つ電
位差のゼロ点の調整及びゲイン調整可能な電気回路に接
続し麻酔強度モニター３０を作製した。

次に、上記の麻酔強度モニター３０に接続された麻酔感
応素子ｌＯを、第４図に示すように、酸素ガスが流量５
　交／Ｓｉｎ、で流れているパイプ１５中に挿入し、そ
こに揮発性吸入麻酔薬であるハロタン（ｌ１ａｌｏｔｈ
ａｎｅ）　（非爆発性フッ素化合物）を気化器を用いて
濃度０％、１％、０％、２％、０％、３％、０％、４％
、０％、３％、０％、２％、０％、１％、０％の順序で
流し、麻酔感応素子ｌＯの静電容量の変化に対応した電
位差を測定し、第５図のグラフに示した。なお、１６は
麻酔ガス気化ぶである。

第５図に示す結果から明らかなように、ハロタンの濃度
に鋭敏に対応し、電位差として示されることかわかる。

更に同様に、上記の麻酔強度モニター３０に接続された
麻酔感応素子ｌＯを第４図に示すように、酸素ガスか流
量５１　／ｓｉｎ、で流れているバイブ１５中に挿入し
、そこに揮発性吸入麻酔薬であるエトレン（Ｅｔｈｒａ
ｎｅ）　（非爆発性フッ素化合物）を気化器を用いて濃
度０％、０．７％、０％、１．８％、０％、３．７％、
０％、１．８％、０％、０．７％、０％の順序で流し、
麻酔感応素子ｌＯの静電容量の変化に対応した電位差を
測定し、第６図のグラフに示した。第６図に示す結果か
ら明らかな様に、エトレンの濃度に鋭敏に対応し、電位
差として示されていることがわかる。

又、第５図及び第６図の結果を、第７図に示す麻酔深度
（ＭＡＣ）を示すグラフに表わしてみると、レシチンを
コーティングした麻酔感応素子ｌＯの静電容量の変化に
対応した電位差は、麻酔深度（ＭＡＣ）に対応している
ことが分かる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明は麻酔ガスに感応する麻酔
感応素子を電気回路に連結し、麻酔ガスに対する麻酔感
応素子の静電容量の変化に対応して麻酔深度または麻酔
濃度を測定・表示しているので、麻酔ガスの吸引排気を
行なう必要かなく、操作も容易で安全に行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の麻酔感応素子の一例を示す平面図、第
２図は第１図のＡ−Ａ’部分拡大断面図、第３図は本発
明の麻酔感応素子を接続した電位差のゼロ点調整及びゲ
イン調整可能な電気回路を示す電気回路図、第４図は本
発明の麻酔感応素子をバイブ中に挿入した例を示す説明
図、第５図は麻酔感応素子のへロタン濃度に対する感応
度を示すグラフ、第６図は麻酔感応素子のエトレン濃度
に対する感応度を示すグラフ、第７図は麻酔深度と電位
差との対応関係を示すグラフである。 １０．１０’・・・麻酔感応素子、１１・・・基板、１
２・・・電極素子、１３・・・絶縁層、１４・・・麻酔
感応物質、１５・・・パイプ、１６・・・麻酔ガス気化
器、２０・・・パルスジェネレーター、２１・・・標準
タイマー回路２２・・・キャパシタンス、２３・・・抵
抗、２４・・・マルチバイブレータ−１２５・・・タイ
マー回路、２６．２７・・・増幅器、３０・・・麻酔強
度モニター、３１・・・積分回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）櫛形電極に、レシチン、ケファリン、ジオクタデ
   シル・フォスファイト、亜リン酸トリステアリル、１，
   ３−ジテトラデシルグリセロ−２−フォスフォコリン、
   ジメチルジオクタデシルアンモニウムブロマイド、Ｎ−
   （β−（トリメチルアンモニオ）エチルオキシベンゾイ
   ル）−ジオクタデシル−Ｌ−グルタメイド−ブロマイド
   、ソジウム１，２−ビス（オクタデシルオキシカーボニ
   ル）−エタン−１−サルフォネートからなる群から選ば
   れる少なくとも一種の物質をライニングして形成した麻
   酔感応素子と、 該麻酔感応素子に連結され、該麻酔感応素子の静電容量
   の麻酔ガスに対する変化量に対応した麻酔深度又は麻酔
   濃度を表示する電気回路と からなることを特徴とする麻酔強度モニター。