JPH01300963A - 麻酔強度モニター - Google Patents
麻酔強度モニターInfo
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- JPH01300963A JPH01300963A JP13226388A JP13226388A JPH01300963A JP H01300963 A JPH01300963 A JP H01300963A JP 13226388 A JP13226388 A JP 13226388A JP 13226388 A JP13226388 A JP 13226388A JP H01300963 A JPH01300963 A JP H01300963A
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- Japan
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- anesthesia
- humidity
- temperature
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- anesthetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
未発明は麻酔感応素子と温湿度感応素子とを併設するこ
とにより、温度補償及び湿度補償を可能とｌノだ麻酔深
度または麻酔濃度を測定・表示する麻酔強度モニターに
関する。
とにより、温度補償及び湿度補償を可能とｌノだ麻酔深
度または麻酔濃度を測定・表示する麻酔強度モニターに
関する。
［従来の技術Ｊ
従来、手術のため吸入麻酔を受ける患者に対して安全を
図るためのモニタリングと１．・ては、心電ヤニターな
どが行なｔ）れているか、直接、麻酔ガスの吸入量を測
定するような機器はあまり知られていない。
図るためのモニタリングと１．・ては、心電ヤニターな
どが行なｔ）れているか、直接、麻酔ガスの吸入量を測
定するような機器はあまり知られていない。
現在、麻酔濃度の測定機器と１ノでは、置部分析器や麻
酔濃度計かある。
酔濃度計かある。
「発明か解決しようとする課８］
しかしなから、従来から使用されている真穴分析器は大
型で、操作較正か難しく、またガスを吸引してサンプリ
ングするため排気も必要であり、かつ大型のため移動か
難しく、ｆ段室に一台づつ設首することは場所等の制約
から一般に困難であるという問題かあった。
型で、操作較正か難しく、またガスを吸引してサンプリ
ングするため排気も必要であり、かつ大型のため移動か
難しく、ｆ段室に一台づつ設首することは場所等の制約
から一般に困難であるという問題かあった。
また、従来使用さｔｌている麻酔濃度計は、麻酔ガスか
赤外線を吸収する量を利用して麻酔濃度を算出しており
、またガスを吸引１ノで測定を行なうため測定後のガス
の排気回路か必要であった。そして、吸引するガスの湿
度の影響を取り除く方法としてウォータートラップが使
用されており、連続使用が困難であった。
赤外線を吸収する量を利用して麻酔濃度を算出しており
、またガスを吸引１ノで測定を行なうため測定後のガス
の排気回路か必要であった。そして、吸引するガスの湿
度の影響を取り除く方法としてウォータートラップが使
用されており、連続使用が困難であった。
さらに、これらの麻酔濃度計は麻酔ガスの種類によって
、装置上の設定をその度毎に行なう必要があった。
、装置上の設定をその度毎に行なう必要があった。
［課題を解決するための手段］
そこで、本発明者は上記した従来の麻酔濃度計の問題点
に鑑み鋭意検討を重ねた結果、麻酔ガスの吸引排気を行
うことなく直接麻酔濃度あるいは深度か測定可能で、し
かも温度補償及び湿度補償を可能な麻酔強度モニターを
見出し、本発明に到達した。
に鑑み鋭意検討を重ねた結果、麻酔ガスの吸引排気を行
うことなく直接麻酔濃度あるいは深度か測定可能で、し
かも温度補償及び湿度補償を可能な麻酔強度モニターを
見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明によれば、温度及び湿度に感応するが麻酔
ガスには感応しない温湿度感応素子と、麻酔ガスに感応
し且つ温度及び湿度に感応する麻酔感応素子とから構成
される麻酔センサーと、該麻酔センサーに連結され、該
麻酔センサーの静電容量の麻酔ガスに対する変化量に対
応した麻酔深度又は麻酔濃度を表示する電気回路とから
なり、 前記麻酔感応素子の温度・湿度に対する電気的変化量を
前記温湿度感応素子の温度・湿度に対する電気的変化量
で相殺し較正することを特徴とする麻酔強度モニター、
が提供される。
ガスには感応しない温湿度感応素子と、麻酔ガスに感応
し且つ温度及び湿度に感応する麻酔感応素子とから構成
される麻酔センサーと、該麻酔センサーに連結され、該
麻酔センサーの静電容量の麻酔ガスに対する変化量に対
応した麻酔深度又は麻酔濃度を表示する電気回路とから
なり、 前記麻酔感応素子の温度・湿度に対する電気的変化量を
前記温湿度感応素子の温度・湿度に対する電気的変化量
で相殺し較正することを特徴とする麻酔強度モニター、
が提供される。
本発明においては、麻酔ガスに感応し、且つ温度及び湿
度に感応する麻酔感応素子が、電極、好ましくは櫛形電
極に、レシチン、ケファリン、ジオクタデシル・フォス
ファイト、亜リン酸トリステアリル、１．３−タテトラ
デシルグリセロ−２−フオスフオコリン、ジメチルジオ
クタデシルアンモニウムブロマイド アンモニオ）エチルオキシベンゾイル）−ジオクタデシ
ル−Ｌ−グルタメイト−フロマイト、ラジウム１．２ー
ビス（オクタデシルオキシカーボニル）−エタン−１−
サルフオネートからなる群から選ばれる少なくとも一種
の物質をライニングして形成されていることが好ましく
、上記ライニング物質のうち、特にレシチンが麻酔ガス
への感応性に優れていることから好ましい。
度に感応する麻酔感応素子が、電極、好ましくは櫛形電
極に、レシチン、ケファリン、ジオクタデシル・フォス
ファイト、亜リン酸トリステアリル、１．３−タテトラ
デシルグリセロ−２−フオスフオコリン、ジメチルジオ
クタデシルアンモニウムブロマイド アンモニオ）エチルオキシベンゾイル）−ジオクタデシ
ル−Ｌ−グルタメイト−フロマイト、ラジウム１．２ー
ビス（オクタデシルオキシカーボニル）−エタン−１−
サルフオネートからなる群から選ばれる少なくとも一種
の物質をライニングして形成されていることが好ましく
、上記ライニング物質のうち、特にレシチンが麻酔ガス
への感応性に優れていることから好ましい。
一方、温度及び湿度に感応するが麻酔ガスには感応しな
い温湿度感応素子としては、電極、好ましくは櫛形電極
に、ポリスチレン樹脂、セレブシン、スフィンゴシン、
スフィンゴミエリン、酢酸酪酸セルロース、スチレンス
ルホン酸系樹脂、アセテート、セルロース、ポリスチレ
ンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩からなる群から選ば
れる少なくとも一種の物質をライニングして形成されて
いることが好ましい。
い温湿度感応素子としては、電極、好ましくは櫛形電極
に、ポリスチレン樹脂、セレブシン、スフィンゴシン、
スフィンゴミエリン、酢酸酪酸セルロース、スチレンス
ルホン酸系樹脂、アセテート、セルロース、ポリスチレ
ンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩からなる群から選ば
れる少なくとも一種の物質をライニングして形成されて
いることが好ましい。
ここで麻酔深度とは、外科的刺激によって体を動かさな
い吸入麻酔薬の肺胞気濃度のことを指し、ミニマム ア
ルビオラ− コンセントレージョン（ｍｉｎｉｍｕ＋ｓ
ａｌｖｅｏｌａｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）
（ＭＡ（：）と称するものである。この値は吸入麻酔
薬の種類により異なり、少ないもの程強力である。
い吸入麻酔薬の肺胞気濃度のことを指し、ミニマム ア
ルビオラ− コンセントレージョン（ｍｉｎｉｍｕ＋ｓ
ａｌｖｅｏｌａｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）
（ＭＡ（：）と称するものである。この値は吸入麻酔
薬の種類により異なり、少ないもの程強力である。
又、幼児ではＭＡＣはやや高くなる。
麻酔深度（ＭＡＣ）と麻酔薬濃度の関係（麻酔ハンドブ
ックより） 基準値として用いられている。濃度表示において、例え
ばエトレン用気化器にハロタンを入れ、誤用に気付かな
かった場合、ダイヤルによりある設定値を決めると、エ
トレンとハロタンの蒸気圧の違いにより，設定濃度より
高い値のハロタンがエトレンの気化器から出ることにな
り、極めて危険である。しかし、ＭＡＣ表示では、その
様な事故の防止にも有効である。
ックより） 基準値として用いられている。濃度表示において、例え
ばエトレン用気化器にハロタンを入れ、誤用に気付かな
かった場合、ダイヤルによりある設定値を決めると、エ
トレンとハロタンの蒸気圧の違いにより，設定濃度より
高い値のハロタンがエトレンの気化器から出ることにな
り、極めて危険である。しかし、ＭＡＣ表示では、その
様な事故の防止にも有効である。
［作用］
麻酔ガスを、その麻酔ガスに感応して静電容量か変化す
る物質をコープインクしＣなる麻酔感応素子と、温度及
び湿度に感応するが麻酔ガスには感応しない温湿度感応
素子に接触させ、麻酔感応素子の温度・湿度に対する′
電気的変化量を温湿度感応素子の温度・湿度に対する電
気的変化量で相殺し較正することにより、麻酔ガスの温
Ｉ■−湿度によって影響を受けない正しい麻酔濃度ある
いは麻酔深度を測定・表示する。
る物質をコープインクしＣなる麻酔感応素子と、温度及
び湿度に感応するが麻酔ガスには感応しない温湿度感応
素子に接触させ、麻酔感応素子の温度・湿度に対する′
電気的変化量を温湿度感応素子の温度・湿度に対する電
気的変化量で相殺し較正することにより、麻酔ガスの温
Ｉ■−湿度によって影響を受けない正しい麻酔濃度ある
いは麻酔深度を測定・表示する。
［実施例］
以下、・本発明を図示の実施例に基いて更に詳ｔノ〈説
明するが、本発明はこれら実施例に限られるものではな
い。
明するが、本発明はこれら実施例に限られるものではな
い。
第１図は本発明の麻酔感応素子の一例であり、第２図は
第１図のＡ−Ａ’部分拡大断面図を示すものである。
第１図のＡ−Ａ’部分拡大断面図を示すものである。
図において、１０は櫛形電極からなる麻酔感応素子であ
り、非導電性物質からなる基板ｌｌ−［−にＣｒ、又は
Ａ Ｎ、などから形成される電極素子１２を配置し、そ
の電極素子１２には絶縁層１３か塗布されている。そし
て、さらにその上から麻酔ガスに感応する物質１４をコ
ーティングして構成されているものである。
り、非導電性物質からなる基板ｌｌ−［−にＣｒ、又は
Ａ Ｎ、などから形成される電極素子１２を配置し、そ
の電極素子１２には絶縁層１３か塗布されている。そし
て、さらにその上から麻酔ガスに感応する物質１４をコ
ーティングして構成されているものである。
基板１１としては、非導電性物質であればよく、特にそ
の種類は限定されず、例えば、ガラス−エポキシ板、ベ
ークライ１〜板等が挙げられる。
の種類は限定されず、例えば、ガラス−エポキシ板、ベ
ークライ１〜板等が挙げられる。
また、絶縁層１，３としては絶縁性物質からなるものて
、例えば窒化珪素（ＳｉＮｘ）、二酸化珪素（ＳｉＯ□
）などが挙げられる。
、例えば窒化珪素（ＳｉＮｘ）、二酸化珪素（ＳｉＯ□
）などが挙げられる。
一方、温湿度感応素子も」−記の麻酔感応素子と基本的
な構成は同して、櫛形電極からなっている。麻酔感応素
子と異なるのは、櫛形電極にコーティングされる物質か
、温度及び湿度に感応するが麻酔ガスには感応１ノない
特性な有する点である。
な構成は同して、櫛形電極からなっている。麻酔感応素
子と異なるのは、櫛形電極にコーティングされる物質か
、温度及び湿度に感応するが麻酔ガスには感応１ノない
特性な有する点である。
以上のように作製される麻酔感応素子１０と温湿度感応
素子１５な併設置ノて麻酔センサーと１ノ、第３図のよ
うに麻酔（呼吸）回路に組込むためのアダプター１６に
接続する。
素子１５な併設置ノて麻酔センサーと１ノ、第３図のよ
うに麻酔（呼吸）回路に組込むためのアダプター１６に
接続する。
次に、麻酔センサーを組込んだ第４図の電気回路につい
て説明する。
て説明する。
リニアＩＣ２０は標準タイマー回路を２つ含み、抵抗２
１．２２及びキャパシタンス２３とで構成される回路２
４において、規則的な反復パルス信１′ｙのパルス幅か
麻酔感応素子１０の静電容量に依存するようにされてい
る。出力は抵抗２６及びキャパシタンス２７からなる積
分回路で積分された後、増幅器２８．２９でインピーダ
ンス変換されると同時にローパスフィルター３０．３１
を経て出力信号は更に増幅器３２で増幅され、３３以後
の回路で変換器にてデジタル化され、その後演算処理さ
れ表示されるのである。
１．２２及びキャパシタンス２３とで構成される回路２
４において、規則的な反復パルス信１′ｙのパルス幅か
麻酔感応素子１０の静電容量に依存するようにされてい
る。出力は抵抗２６及びキャパシタンス２７からなる積
分回路で積分された後、増幅器２８．２９でインピーダ
ンス変換されると同時にローパスフィルター３０．３１
を経て出力信号は更に増幅器３２で増幅され、３３以後
の回路で変換器にてデジタル化され、その後演算処理さ
れ表示されるのである。
以下、本発明の具体的な実施結果を説明する。
（実施例１）
合成脂質の１種であるジオクタフォスファイト１０ｇを
、０．１％エタノール水溶液１００ｃｃの入ったビーカ
ー中に攪拌しながら溶解した。得られた溶液に、陽極５
９本、陰極６１本からなる外観的３ ｍｍＸ ７ ｍｍ
のクロム−アルミニウム（Ｃｒ。
、０．１％エタノール水溶液１００ｃｃの入ったビーカ
ー中に攪拌しながら溶解した。得られた溶液に、陽極５
９本、陰極６１本からなる外観的３ ｍｍＸ ７ ｍｍ
のクロム−アルミニウム（Ｃｒ。
Ａｆｌ）合金製の櫛形電極（ガラス−エポキシ基板を使
用し、絶縁層としてＳｉＮｘか塗布されている）を垂直
に侵し、３０秒後、垂直のまま引き一１ｍげて取り出ｌ
ノ、真空乾燥機により５０°Ｃで１０時間乾繰させ、ジ
オクタフォスファイトでコーティングされた櫛形電極か
らなる麻酔感応素子１０を作製した。
用し、絶縁層としてＳｉＮｘか塗布されている）を垂直
に侵し、３０秒後、垂直のまま引き一１ｍげて取り出ｌ
ノ、真空乾燥機により５０°Ｃで１０時間乾繰させ、ジ
オクタフォスファイトでコーティングされた櫛形電極か
らなる麻酔感応素子１０を作製した。
一方、高分子物質の一種であるポリスチレン樹脂１０ｇ
をエタノール１００ｇの入ったビーカー中で攪拌しなが
ら溶解し、得られた溶液を用いて、麻酔感応素子１０作
製と同様の方法により温湿度感応素子１５を作製した。
をエタノール１００ｇの入ったビーカー中で攪拌しなが
ら溶解し、得られた溶液を用いて、麻酔感応素子１０作
製と同様の方法により温湿度感応素子１５を作製した。
次いで、第３図のように、画素子を併設して麻酔センサ
ーとし、この麻酔センサーを第４図に示す電気回路を２
つ用いて麻酔感応素子１０及び温湿度感応素子１５をそ
れぞれ接続する。ここで、温湿度感応素子１５は、第４
図の電気回路で麻酔感応素子１０の接続部に接続するの
である。
ーとし、この麻酔センサーを第４図に示す電気回路を２
つ用いて麻酔感応素子１０及び温湿度感応素子１５をそ
れぞれ接続する。ここで、温湿度感応素子１５は、第４
図の電気回路で麻酔感応素子１０の接続部に接続するの
である。
そして：５４図の電気回路２つ、すなわち麻酔感応素子
を接続した電気回路と温湿度感応素子を接続した第４図
の電気回路は、第５図においてＡ／Ｄ変換部４２．４３
を介して接続されている麻酔感応素子４０を含んだ電気
回路部５０及び、温湿度感応素子４１を含んだ電気回路
部５１に対応する。即ち、第５図の電気回路のＡ／Ｄ変
換部４２．４３以後のブロックに於いて制御、演算処理
及び表示等を行なう。
を接続した電気回路と温湿度感応素子を接続した第４図
の電気回路は、第５図においてＡ／Ｄ変換部４２．４３
を介して接続されている麻酔感応素子４０を含んだ電気
回路部５０及び、温湿度感応素子４１を含んだ電気回路
部５１に対応する。即ち、第５図の電気回路のＡ／Ｄ変
換部４２．４３以後のブロックに於いて制御、演算処理
及び表示等を行なう。
次に第５図のブロック図の説明を行なう。
Ａ／Ｄ変換部４２．４３に於いて、麻酔感応素子を含ん
だ電気回路部５０及び温湿度感応素子を含んだ電気回路
部５１からのアナログ信号をデジタル信号にアナログ−
デジタル変換か行なわれ。
だ電気回路部５０及び温湿度感応素子を含んだ電気回路
部５１からのアナログ信号をデジタル信号にアナログ−
デジタル変換か行なわれ。
Ｉ１０変換部４４にデジタル信号が入力される。
Ｉ１０変換部４４とＣＰＵ部４５はデータのやりとりを
行なう。又、ＣＰＵ部４５はＲＯＭ部４６が内蔵してい
る第５図の回路全体の動作の制御・管理の為のプログラ
ム、及びあらかじめ記憶させておいた温湿度感応素子の
温湿度依存性のデータを取り込み、ＲＡＭ部４７に蓄積
記憶される測定時のデータ及びプログラムを逐次取り込
んてデータの演算処理を行なう。
行なう。又、ＣＰＵ部４５はＲＯＭ部４６が内蔵してい
る第５図の回路全体の動作の制御・管理の為のプログラ
ム、及びあらかじめ記憶させておいた温湿度感応素子の
温湿度依存性のデータを取り込み、ＲＡＭ部４７に蓄積
記憶される測定時のデータ及びプログラムを逐次取り込
んてデータの演算処理を行なう。
演算処理されたデータは再びＩ１０変換部４４を介し、
デイスプレィ（表示）部４９に向けて出力される。その
間にラッチ部４８でラッチを行ない、デイスプレィ部４
９でスタテック（静的）な表示か行なわれるのである。
デイスプレィ（表示）部４９に向けて出力される。その
間にラッチ部４８でラッチを行ない、デイスプレィ部４
９でスタテック（静的）な表示か行なわれるのである。
従って、第４図、第５図に示す夫々の電気回路を併わせ
たものか、麻酔強度モニターを構成するのである。この
電気回路中のメモリー用ＩＣ（第５図中のＲＯＭ部）４
６中には、予め測定しておいた麻酔感応素子１０の温湿
度に対する変化量を記憶させ、かつ予め測定しておいた
温湿度感応素子１５の温湿度に対する変化量を記憶させ
ておき、メモリー用ＩＣ４６にプロクラムされた手順（
第６図参照）に沿った処理を行ない、得られた電位差を
表示させる。第６図に示すように、その処理方法は、所
定の温湿度において、温湿度感応素子１５における温湿
度に対する変化量にある倍数（例えば、ｋ）を乗じ、麻
酔感応素子１０の温湿度に対する変化量と同量になる様
にする。そして温湿度感応素子１５の変化量を反転し、
麻酔感応素子１０の変化量と加算を行ない、温湿度によ
る変化量を相殺させるのである。従って、これにより表
示される麻酔センサーの変化量は麻酔ガスに反応した変
化量となる。
たものか、麻酔強度モニターを構成するのである。この
電気回路中のメモリー用ＩＣ（第５図中のＲＯＭ部）４
６中には、予め測定しておいた麻酔感応素子１０の温湿
度に対する変化量を記憶させ、かつ予め測定しておいた
温湿度感応素子１５の温湿度に対する変化量を記憶させ
ておき、メモリー用ＩＣ４６にプロクラムされた手順（
第６図参照）に沿った処理を行ない、得られた電位差を
表示させる。第６図に示すように、その処理方法は、所
定の温湿度において、温湿度感応素子１５における温湿
度に対する変化量にある倍数（例えば、ｋ）を乗じ、麻
酔感応素子１０の温湿度に対する変化量と同量になる様
にする。そして温湿度感応素子１５の変化量を反転し、
麻酔感応素子１０の変化量と加算を行ない、温湿度によ
る変化量を相殺させるのである。従って、これにより表
示される麻酔センサーの変化量は麻酔ガスに反応した変
化量となる。
この麻酔強度モニターにおける麻酔センサーを流量５１
／ｍｉｎ、で流れる０２ガス中にさらし、湿度及び揮発
性吸入麻酔薬であるハロタン（Ｈａｌｏｔｈａｎｅ）
（ＣＦ３ＣＨＣ文Ｂｒ）のガス濃度を変化させ、その時
々の、麻酔感応素子ｌＯから得られた静電容量の変化に
対応した電位差を第７図に、温湿度感応素子１５から得
られた静電容量の変化に対応した電位差を第８図に、及
び実際に麻酔強度モニターに表示される値（電位差）を
第９図に示した。
／ｍｉｎ、で流れる０２ガス中にさらし、湿度及び揮発
性吸入麻酔薬であるハロタン（Ｈａｌｏｔｈａｎｅ）
（ＣＦ３ＣＨＣ文Ｂｒ）のガス濃度を変化させ、その時
々の、麻酔感応素子ｌＯから得られた静電容量の変化に
対応した電位差を第７図に、温湿度感応素子１５から得
られた静電容量の変化に対応した電位差を第８図に、及
び実際に麻酔強度モニターに表示される値（電位差）を
第９図に示した。
（実施例２）
高分子物質の一種である亜リン酸トリステアリルｌｏｇ
を１％テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）水溶液１００ｃｃ
の入ったビーカー中で攪拌しながら溶解した。得られた
溶液に陽極５９本、陰極６１本から成る外観的３ Ｘ
７ ｍｍ２のクロム−アルミニウム（Ｃｒ−ＡＭ）合金
製の櫛形電極（ガラス−エポキシ基板を使用し、かつ絶
縁層としてＳｉＮｘが塗布されている）を垂直に浸し、
３０秒後爪直に引き上げて取り出し、真空乾燥機で５０
°Ｃ１１０時間乾燥させた。この櫛形電極を麻酔感応素
子ｉｏとした。
を１％テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）水溶液１００ｃｃ
の入ったビーカー中で攪拌しながら溶解した。得られた
溶液に陽極５９本、陰極６１本から成る外観的３ Ｘ
７ ｍｍ２のクロム−アルミニウム（Ｃｒ−ＡＭ）合金
製の櫛形電極（ガラス−エポキシ基板を使用し、かつ絶
縁層としてＳｉＮｘが塗布されている）を垂直に浸し、
３０秒後爪直に引き上げて取り出し、真空乾燥機で５０
°Ｃ１１０時間乾燥させた。この櫛形電極を麻酔感応素
子ｉｏとした。
そして、この麻酔感応素子ｉｏと市販の温湿度センサー
素子１５’を、第１０図のように併設し、この部分を麻
酔センサーとした。
素子１５’を、第１０図のように併設し、この部分を麻
酔センサーとした。
次に、この麻酔センサーを、第４図、第１０図および第
１１図に示す如く、温湿度センサ−１７の外部出力と、
麻酔感応素子１０からアンプを通して得られた出力とを
演算処理しうる第１２図の電気回路に組み込み、麻酔強
度モニターとした。
１１図に示す如く、温湿度センサ−１７の外部出力と、
麻酔感応素子１０からアンプを通して得られた出力とを
演算処理しうる第１２図の電気回路に組み込み、麻酔強
度モニターとした。
ここで、第１１図中のアンプとは第４図の電気回路のこ
とである。
とである。
第１２図に示す電気回路中のメモリー用ＩＣ（即ち、Ｒ
ＯＭ）６１中に、予め測定しておいた温湿度センサ−１
７の外部出力から得られる温湿度に対する変化量を記憶
させておき、且つ予め測定しておいた麻酔感応素子ｌＯ
の温湿度に対する変化量を記憶させておいた。
ＯＭ）６１中に、予め測定しておいた温湿度センサ−１
７の外部出力から得られる温湿度に対する変化量を記憶
させておき、且つ予め測定しておいた麻酔感応素子ｌＯ
の温湿度に対する変化量を記憶させておいた。
ｆ：Ｌノて、メ千り・−川ＩＣ６１にブＶトタラムされ
た千ＩｆｆＱ （第１３図参照）に沿った処理を行ない
、得られた電位差を表示させる。第１３［Ａに示すよう
に、その処理力Ｕ、は温湿度センサ−１７に、Ｊ、ＱＭ
ｉ度を３１１！定ｌ〜・、その温湿度での麻酔感応素子
１０の変化量を減することで温湿度による影響を除去す
るの゛（ある。
た千ＩｆｆＱ （第１３図参照）に沿った処理を行ない
、得られた電位差を表示させる。第１３［Ａに示すよう
に、その処理力Ｕ、は温湿度センサ−１７に、Ｊ、ＱＭ
ｉ度を３１１！定ｌ〜・、その温湿度での麻酔感応素子
１０の変化量を減することで温湿度による影響を除去す
るの゛（ある。
この麻酔強度ヤニターの麻酔セン・リーを流量５（１／
ｍｉｎ、て流れる０２ガス中にさらＩ７．湿度及びカス
揮発性吸入麻酔薬であるハロタン（ｔｌａ ｌｏ ｔｌ
ｉａｎｅ）（ＣＦ：＋ＣｔｌＣ文１（ｒ）の刀ス濃度を
変化さ１±、その時々の麻酔強度モニターに表示される
値〔外部出力（電位差）〕を第１４図に示１７た。
ｍｉｎ、て流れる０２ガス中にさらＩ７．湿度及びカス
揮発性吸入麻酔薬であるハロタン（ｔｌａ ｌｏ ｔｌ
ｉａｎｅ）（ＣＦ：＋ＣｔｌＣ文１（ｒ）の刀ス濃度を
変化さ１±、その時々の麻酔強度モニターに表示される
値〔外部出力（電位差）〕を第１４図に示１７た。
また、麻酔感応素子１０の温湿度に対する変化を第１５
図にホＩノだ。
図にホＩノだ。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、麻酔・ガスの吸
引排気を行うことなく直接麻酔濃度あるいは深度を測定
することかて、：＊、しかも麻酔・ガスの温度及び湿度
の影響な受ない測定か口ｆ能であるという利点な有する
。
引排気を行うことなく直接麻酔濃度あるいは深度を測定
することかて、：＊、しかも麻酔・ガスの温度及び湿度
の影響な受ない測定か口ｆ能であるという利点な有する
。
第１図は本発明の麻酔感応素子の−・例を示す平面図、
第２図は第１図のＡ−Ａ′部分拡大断面図、第３図は麻
酔感応素子と温湿度感応素子を併設置ノだ麻酔センサー
の例を示す説明図、第４図は麻酔感応素子まｌ−・は温
湿度感応素子を接続する電気回路を示す回路図、第５図
は第４図の簡略図を含めた電気回路に続くフロック図、
第６図はプログラムされた手順を示すブロック図、第７
図は麻酔感応素子のハロタンに対する感応度を示すクラ
ブ、第８図は温湿度のハロタンに対する感応度を示すグ
ラフ、第９図は麻酔強度モニターに表示される感応度を
示すグラフ、第１０図及び第１１図は人々麻酔感応素ｆ
−と温湿度感応素子を１Ｊ１設した麻酔センサーの他の
例を示す説明図、第１２図は温湿１隻センサーの外部出
力と麻酔感応素子−からアンプを通Ｉノだ得られた出力
とを演算処理１″る電気回路のフロック図、第１３図は
プロダラムされＩ；−手１１１ｆｉを示すフロック図、
第１４図は麻酔強度モニターに表示される感応度を示す
グラフ、第１５図は麻酔感応素子の温湿度に対する変化
を示すクラブである。。 １０・・・麻酔感応素−ｆ、１１・・・基板、１２・・
・電極素子、１３・・・絶縁層、１４・・・麻酔感応物
質、１５・・・温湿ＪＪ）２感応素子、１６・・・アタ
ブター、１７・・・温湿１隻センサー、４０・・・麻酔
感応素子、４１・・・温湿度感応素子、４２．４３・・
・Ａ／Ｄ変換部、４４・・・Ｉ′１０変換部、４５・・
・ＣＰＵ部、４６・・・ＲＯＭ部、４７・・・ＲＡＭ部
、４８・・・ラッチ部、４９・・・デイスプレィ部、５
０．５１・・パ市気回路部、５５・・・麻酔感応素ｆ、
５６，５７．５８・・・Ａ／Ｄ変喚部、５９・・・Ｉ１
０変換部、６０・・・ＣＰＵ部、６１・・・ＲＯＭ部、
６２・・・ＲＡＭ部、６３・・・ラッチ部、６４・・・
デーイスブ１／イ部、６５・・・電気回路部、６６・・
・温湿１隻センサー（市（仮）。
第２図は第１図のＡ−Ａ′部分拡大断面図、第３図は麻
酔感応素子と温湿度感応素子を併設置ノだ麻酔センサー
の例を示す説明図、第４図は麻酔感応素子まｌ−・は温
湿度感応素子を接続する電気回路を示す回路図、第５図
は第４図の簡略図を含めた電気回路に続くフロック図、
第６図はプログラムされた手順を示すブロック図、第７
図は麻酔感応素子のハロタンに対する感応度を示すクラ
ブ、第８図は温湿度のハロタンに対する感応度を示すグ
ラフ、第９図は麻酔強度モニターに表示される感応度を
示すグラフ、第１０図及び第１１図は人々麻酔感応素ｆ
−と温湿度感応素子を１Ｊ１設した麻酔センサーの他の
例を示す説明図、第１２図は温湿１隻センサーの外部出
力と麻酔感応素子−からアンプを通Ｉノだ得られた出力
とを演算処理１″る電気回路のフロック図、第１３図は
プロダラムされＩ；−手１１１ｆｉを示すフロック図、
第１４図は麻酔強度モニターに表示される感応度を示す
グラフ、第１５図は麻酔感応素子の温湿度に対する変化
を示すクラブである。。 １０・・・麻酔感応素−ｆ、１１・・・基板、１２・・
・電極素子、１３・・・絶縁層、１４・・・麻酔感応物
質、１５・・・温湿ＪＪ）２感応素子、１６・・・アタ
ブター、１７・・・温湿１隻センサー、４０・・・麻酔
感応素子、４１・・・温湿度感応素子、４２．４３・・
・Ａ／Ｄ変換部、４４・・・Ｉ′１０変換部、４５・・
・ＣＰＵ部、４６・・・ＲＯＭ部、４７・・・ＲＡＭ部
、４８・・・ラッチ部、４９・・・デイスプレィ部、５
０．５１・・パ市気回路部、５５・・・麻酔感応素ｆ、
５６，５７．５８・・・Ａ／Ｄ変喚部、５９・・・Ｉ１
０変換部、６０・・・ＣＰＵ部、６１・・・ＲＯＭ部、
６２・・・ＲＡＭ部、６３・・・ラッチ部、６４・・・
デーイスブ１／イ部、６５・・・電気回路部、６６・・
・温湿１隻センサー（市（仮）。
Claims (1)
- （１）温度及び湿度に感応するが麻酔ガスには感応しな
い温湿度感応素子と、麻酔ガスに感応し且つ温度及び湿
度に感応する麻酔感応素子とから構成される麻酔センサ
ーと、 該麻酔センサーに連結され、該麻酔センサーの静電容量
の麻酔ガスに対する変化量に対応した麻酔深度又は麻酔
濃度を表示する電気回路と からなり、 前記麻酔感応素子の温度・湿度に対する電気的変化量を
前記温湿度感応素子の温度・湿度に対する電気的変化量
で相殺し較正することを特徴とする麻酔強度モニター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13226388A JPH01300963A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 麻酔強度モニター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13226388A JPH01300963A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 麻酔強度モニター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300963A true JPH01300963A (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=15077190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13226388A Pending JPH01300963A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 麻酔強度モニター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01300963A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003004683A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
| JP2003028824A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-29 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
| JP2003516539A (ja) * | 1999-12-08 | 2003-05-13 | ゼンジリオン アクチエンゲゼルシャフト | 容量型センサー |
| US8633047B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-01-21 | Sensirion Ag | Method for manufacturing a sensor chip |
| US10996183B2 (en) | 2016-07-22 | 2021-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Detection device and method of controlling detection device |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13226388A patent/JPH01300963A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003516539A (ja) * | 1999-12-08 | 2003-05-13 | ゼンジリオン アクチエンゲゼルシャフト | 容量型センサー |
| JP2003004683A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
| JP2003028824A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-29 | Denso Corp | 容量式湿度センサ |
| US8633047B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-01-21 | Sensirion Ag | Method for manufacturing a sensor chip |
| US9140740B2 (en) | 2011-09-02 | 2015-09-22 | Sensirion Ag | Sensor chip and method for manufacturing a sensor chip |
| US10996183B2 (en) | 2016-07-22 | 2021-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Detection device and method of controlling detection device |
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