JPH01268873A - 金属硫化物薄膜の製造方法 - Google Patents

金属硫化物薄膜の製造方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は金属硫化物薄膜の製造方法に関するものであシ
、更に詳しくは、エレクトロニクス分野において各種受
光素子、表示素子などとして使用される金属硫化物薄膜
の製造方法に関するものである。
従来の技術 従来より、各種センサ、光電変換素子1表示素子などに
使用されている硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化鉛等の
金属硫化物の薄膜は主として真空蒸着、スパッタ等の真
空法で製造されてきた。しかし真空法は装置コストが高
く、生産性が悪いという欠点を有しており、安価で性能
の優れた金属硫化物薄膜の製造方法が望まれてきた。
この改良策として例えば米国特許筒314802I4号
明細3(1964年9月8日)に記載されているごとく
、無機金属塩と硫黄またはセレンの可溶性塩とを高温に
加熱された基板上にスプレーする、いわゆるスプレー法
や、フランス特許第1297777号明細書(1962
年6月28日)に代表される様に、それぞれ金属と硫黄
を別個に含む化合物(一方はガス状である場合も含む)
を反応させることによる薄膜の製造方法、米国特許第2
905574号(19259年9月22日)に例示され
ている様に有機アンモニウム塩と硫黄化合物とのコンブ
レックスの溶液を塗布、熱分解する方法などが提案され
てきた。
また、本願発明者らは上記従来の発明の欠点を改良する
方法として既に特許出願し、公開された特開昭61−1
66979号公報(昭和61年7月28日)において、
金属−硫黄結合を構造中に少なくとも一つ含有する有機
化合物を基板上に塗布してのち、不活性雰囲気で熱分解
して金属硫化物薄膜を製造することにより均一で、特性
の優れた金属硫化物薄膜を製造できることを見出した。
発明が解決しようとする課題 しかし、従来の上記金属硫化物薄膜の製造方法にはそれ
ぞれ問題点を有しておシ、本発明の目的であるエレクト
ロニクス用薄膜として使用することは困難である場合が
多かった。すなわち、スプレー法は生成した膜の均一性
が不良で特性変動が生じやすく、2種の化合物を反応さ
せる場合は均一な薄膜が生じにくいか、又は特殊な雰囲
気や、時として毒性の強いガスの使用を必須条件とする
等の問題点を有していた。
また、上記、本発明者らの発明にかかる金属硫化物薄膜
の製造方法においても、膜の均一性は優れるものの、超
微細構造においてはポーラスになり易く、膜面に電界が
かかる用途には使用困難となる場合があった。
課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するための手段として、金属−
硫黄結合を構造中に少なくとも一つ含有する有機化合物
を単独で、または溶剤に溶解した状態で微細な粉霧状に
し、加熱された基板上に吹きかけて金属硫化物薄膜を製
造することを特徴とする。また、ここに使用される金属
−硫黄結合を構造中に少なくとも一つ含有する有機化合
物は室温またはその化合物の熱分解温度以下の温度で蒸
気圧を有することが望ましい。
作用 金属−硫黄結合を構造中に少なくとも一つ含有する有機
化合物を単独で、または溶剤に溶解した状態で微細な粉
霧状にし、加熱された基板上に吹きかけて製造すること
により、均一かつ緻密で電気特性に優れた金属硫化物薄
膜を得ようとするものである。
実施例 以下、本発明の概要について説明する。
本発明に使用できる、金属−硫黄結合を構造中に少なく
とも一つ含有する有機化合物としては、上記構造を有す
る従来公知の化合物を使用することができる。例を挙げ
れば、各種金属メルカプチド(金属チオレート)、金属
のチオカルボン酸塩。
金属のジチオカルボン酸塩、金属のチオグリコール酸塩
、金属の千オグリコール酸エステル塩、すどがある。
上記金属−硫黄結合を構造中に少なくとも一つ含有する
有機化合物は単独で、または各種溶剤に溶解し、微細な
粉霧状にして、加熱された基板上に吹きかけられること
によシ熱分解されて基板上に金属の硫化物薄膜として沈
着される。上記化合物は液体でも固体でも使用可能であ
るが、より均一かつ緻密な膜を得ようとする場合はその
熱分解温度以下の温度で蒸気圧を有することが好ましい
。
上記化合物またはその溶液を微細な粉霧状にする手段は
公知である。−成約には超音波の振動を利用するのが簡
便であるが、特にこれに限定されることはない。
本発明にかかるプロセスは一見、金属酸化物薄膜の製造
における、いわゆる「iスト法」に類似しているが、未
だかってかかる手法による金属硫化物薄膜の製造方法は
知られておらず、本発明は全く新規な金属硫化物薄膜の
製造方法ということができる。
以下、具体的な実施例につき説明する。
(実施例1) 亜鉛−tar−ノニルチオレートを芳香族系溶剤に溶解
し、超音波で微細な粉霧状にして、アルゴン気流中、5
00’Cに加熱されたガラス板上に吹き付けた。この結
果、ガラス板上に均一な無色透明な薄膜が形成された。
薄膜用X線回折装置で解析の結果、この膜は六方晶の硫
化亜鉛であることが確認された。高分解能電子顕微鏡で
観察したところこの膜は単結晶状の均一な膜になってい
ることが確認された。
(比較例1) 実施例1で使用した溶液をガラス板上にスピンコードし
、乾燥の後、アルゴン気流中500°Cで熱分解して作
った膜はX線分析の結果では実施例1と同様の結果を示
したが、高分解電子顕微鏡で観案じたところ、この膜は
直径数百人の細粒の集合体であり、粒子間に空隙が観察
された。
(実施例2) 実施例1において亜鉛−tar−ノニルチオレートに代
えて亜鉛=tar−ドデシルチオレートを使用した場合
も実施例1と同様の硫化亜鉛の均一な膜が得られた。
(実施例3) 実施例1において亜鉛−tea−ノニルチオレートに代
えて亜鉛−2−エチルへキシルチオレートを使用した場
合も実施例1と同様の硫化亜鉛の均一な膜が得られた。
(実施例4) 実施例1において亜鉛−tar−ノニルチオレートに代
えてカドミウム−tar−ノニルチオレートを使用した
。この場合は淡黄色の均一な膜が得られ、X線回折装置
で解析の結果、この膜は硫化カドミウムであることが確
認された。この膜について光導電性を測定したところ、
480n!11にピークを有する光電流が確認された。
(実施例6) 実施例1において亜鉛−ter−ノニルチオレートに代
えてインジウム−ter−ノニルチオレートヲ使用した
場合は淡褐色の均一な膜が得られた。X線回折装置で解
析の結果、この膜は硫化インジウムであることが確認さ
れた。
(実施例6) 実施例1において亜鉛−ter−ノニルチオレートに代
えてスズ−1θr−ノニルチオラートを使用した場合は
無色透明で均一な膜が得られた。X線回折装置で解析の
結果、この膜は硫化スズであることが確認された。
(実施例7) 実施例1において亜鉛−tar−ノニルチオレートに代
えて亜鉛のチオグリコール酸−n−ブチルエステル塩を
使用した場合は無色透明で均一な膜が得られた。X線回
折装置で解析の結果、この膜は硫化亜鉛であることが確
認された。
(実施測子) 実施例1において、亜鉛−ter−ノニルチオレート溶
液に代えて、亜鉛−ter−ノニルチオレート(液状)
を単独で使用した場合も実施例1と同様に均一な硫化亜
鉛の膜が得られた。
発明の効果 以上の説明から解るごとく、本発明にかかる金属硫化物
薄膜の製造方法を採用することにより、膜質に優れた金
属硫化物薄膜が生産性よく製造できるものであり、工業
的価値は高いものである。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属−硫黄結合を構造中に少なくとも一つ含有す
    る有機化合物を単独で、または溶剤に溶解した状態で微
    細な粉霧状にし、加熱された基板上に吹きかけて製造す
    ることを特徴とする金属硫化物薄膜の製造方法。
  2. (2)金属−硫黄結合を構造中に少なくとも一つ含有す
    る有機化合物が室温またはその化合物の熱分解温度以下
    の温度で蒸気圧を有することを特徴とする請求項1記載
    の金属硫化物薄膜の製造方法。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110529A (en) * 1990-07-06 2000-08-29 Advanced Tech Materials Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition
US5711816A (en) * 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
US7323581B1 (en) 1990-07-06 2008-01-29 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition
US5820664A (en) * 1990-07-06 1998-10-13 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same
US5300316A (en) * 1991-12-11 1994-04-05 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Method of forming thin oxysulfide film
US5376409B1 (en) * 1992-12-21 1997-06-03 Univ New York State Res Found Process and apparatus for the use of solid precursor sources in liquid form for vapor deposition of materials
US5916359A (en) * 1995-03-31 1999-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition
US5837320A (en) * 1996-02-27 1998-11-17 The University Of New Mexico Chemical vapor deposition of metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with monodenate or multidentate ligands
US5744198A (en) * 1996-02-27 1998-04-28 The University Of New Mexico Method of depositing metal sulfide films from metal thiocarboxylate complexes with multidentate ligands
US5876503A (en) * 1996-11-27 1999-03-02 Advanced Technology Materials, Inc. Multiple vaporizer reagent supply system for chemical vapor deposition utilizing dissimilar precursor compositions
US5719417A (en) * 1996-11-27 1998-02-17 Advanced Technology Materials, Inc. Ferroelectric integrated circuit structure
US5882416A (en) * 1997-06-19 1999-03-16 Advanced Technology Materials, Inc. Liquid delivery system, heater apparatus for liquid delivery system, and vaporizer
US5923970A (en) * 1997-11-20 1999-07-13 Advanced Technology Materials, Inc. Method of fabricating a ferrolelectric capacitor with a graded barrier layer structure
US6133051A (en) * 1998-06-30 2000-10-17 Advanced Technology Materials, Inc. Amorphously deposited metal oxide ceramic films
US6015917A (en) 1998-01-23 2000-01-18 Advanced Technology Materials, Inc. Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate
US6210485B1 (en) 1998-07-21 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition vaporizer
US7012292B1 (en) * 1998-11-25 2006-03-14 Advanced Technology Materials, Inc Oxidative top electrode deposition process, and microelectronic device structure
US7166732B2 (en) * 2004-06-16 2007-01-23 Advanced Technology Materials, Inc. Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films
US20060102895A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Hendrix Bryan C Precursor compositions for forming tantalum-containing films, and tantalum-containing barrier films and copper-metallized semiconductor device structures
US9312557B2 (en) * 2005-05-11 2016-04-12 Schlumberger Technology Corporation Fuel cell apparatus and method for downhole power systems
WO2008069821A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Advanced Technology Materials, Inc. Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates
US7750173B2 (en) * 2007-01-18 2010-07-06 Advanced Technology Materials, Inc. Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films
US20090275164A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Advanced Technology Materials, Inc. Bicyclic guanidinates and bridging diamides as cvd/ald precursors

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2905574A (en) * 1956-01-04 1959-09-22 Alpha Molykote Corp Method for forming metal sulfide coatings
IT649834A (ja) * 1961-05-04
NL130859C (ja) * 1961-08-30 1900-01-01
US3243122A (en) * 1965-02-24 1966-03-29 Alvin A Snaper Ultrasonic spray apparatus
US4360542A (en) * 1981-03-31 1982-11-23 Argus Chemical Corporation Process for the preparation of thin films of cadmium sulfide and precursor solutions of cadmium ammonia thiocyanate complex useful therein
JPS61166983A (ja) * 1985-01-17 1986-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 硫化物薄膜の形成方法
JPH06102831B2 (ja) * 1985-01-17 1994-12-14 松下電器産業株式会社 金属硫化物薄膜の形成方法
JPH0718015B2 (ja) * 1985-01-17 1995-03-01 松下電器産業株式会社 硫化物薄膜の形成方法
JPH0699809B2 (ja) * 1985-12-19 1994-12-07 松下電器産業株式会社 硫化物薄膜の形成方法
US4724161A (en) * 1986-09-15 1988-02-09 Rca Corporation Method for making deaggregated phosphors

Also Published As

Publication number Publication date
JP2615469B2 (ja) 1997-05-28
WO1989010326A1 (en) 1989-11-02
US5110622A (en) 1992-05-05

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