JPH0718015B2 - 硫化物薄膜の形成方法 - Google Patents
硫化物薄膜の形成方法Info
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- JPH0718015B2 JPH0718015B2 JP60006441A JP644185A JPH0718015B2 JP H0718015 B2 JPH0718015 B2 JP H0718015B2 JP 60006441 A JP60006441 A JP 60006441A JP 644185 A JP644185 A JP 644185A JP H0718015 B2 JPH0718015 B2 JP H0718015B2
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- thin film
- metal
- sulfide thin
- glass plate
- forming
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
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- C23C18/1245—Inorganic substrates other than metallic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
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- C23C18/1275—Process of deposition of the inorganic material performed under inert atmosphere
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は各種エレクトロニクスデバイスに使用される金
属硫化物薄膜の形成方法に関するものである。
属硫化物薄膜の形成方法に関するものである。
従来の技術 従来より、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化鉛、硫化銅
などの金属硫化物は薄膜あるいは結晶等の形でエレクト
ロニクス分野で広く使用されている。これら化合物の薄
膜は従来は主として真空蒸着あるいはスパッタ等の手法
で形成されてきた。
などの金属硫化物は薄膜あるいは結晶等の形でエレクト
ロニクス分野で広く使用されている。これら化合物の薄
膜は従来は主として真空蒸着あるいはスパッタ等の手法
で形成されてきた。
発明が解決しようとする問題点 上記、従来の方法は真空容器中で行われるため、生産性
が悪く、連続操業が困難であるか、あるいは非常に高額
の生産設備を必要とする。また、真空容器の大きさで製
品の大きさを規定され、大面積の製造が困難である等の
問題点を有している。
が悪く、連続操業が困難であるか、あるいは非常に高額
の生産設備を必要とする。また、真空容器の大きさで製
品の大きさを規定され、大面積の製造が困難である等の
問題点を有している。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するものであ
り、簡単にかつ生産性良く生産できる金属硫化物薄膜の
形成方法を提供するものである。
り、簡単にかつ生産性良く生産できる金属硫化物薄膜の
形成方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明が上記問題点を解決するための手段は、金属−硫
黄結晶を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物層
を基板上に印刷その他の方法で形成してのち、上記有機
金属化合物層を、不活性ガス中で熱分解することにより
金属硫化物を形成することである。
黄結晶を少なくとも一つ内部に有する有機金属化合物層
を基板上に印刷その他の方法で形成してのち、上記有機
金属化合物層を、不活性ガス中で熱分解することにより
金属硫化物を形成することである。
本発明に使用できる金属−硫黄結合を少なくとも一つ内
部に有する有機金属化合物としては、各種金属メルカプ
チド、各種チオカルボン酸またはジチオカルボン酸の各
種金属塩などを挙げることができる。これら化合物の合
成方法は公知である。
部に有する有機金属化合物としては、各種金属メルカプ
チド、各種チオカルボン酸またはジチオカルボン酸の各
種金属塩などを挙げることができる。これら化合物の合
成方法は公知である。
有機金属化合物を積層する基板としては、熱分解温度に
耐えるものであれば任意に選ぶことができる。通常熱分
解温度は350〜450℃程度であり、結晶化を促進させて六
方晶系の結晶等を得る時でも、500〜550℃程度の焼成で
可能であり、安価なガラス板を使用することができる。
耐えるものであれば任意に選ぶことができる。通常熱分
解温度は350〜450℃程度であり、結晶化を促進させて六
方晶系の結晶等を得る時でも、500〜550℃程度の焼成で
可能であり、安価なガラス板を使用することができる。
作用 上記本発明の手段を用いることにより、従来の手法のネ
ックとなっている真空容器を使用せずに、金属硫化物薄
膜を形成できるため、薄膜の製造に際して、生産性の向
上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うことができ
る。
ックとなっている真空容器を使用せずに、金属硫化物薄
膜を形成できるため、薄膜の製造に際して、生産性の向
上が計られ、かつ大面積の製造を容易に行うことができ
る。
実施例 以下実施例により説明する。
実施例１ ラウリルメルカプタンを水−アルコール溶媒中酢酸亜鉛
と反応させて得られる亜鉛ラウリルメルカプチド（J.A
m,Chem,Soc55 1090（1933）の手法による）を炭化水素
溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナー方式により塗布す
る。
と反応させて得られる亜鉛ラウリルメルカプチド（J.A
m,Chem,Soc55 1090（1933）の手法による）を炭化水素
溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナー方式により塗布す
る。
塗布されたガラス板は、約150℃で予備乾燥して溶媒を
揮散させた後、焼成炉中、550℃１時間焼成する。焼成
炉内部は、窒素ガス気流とする。
揮散させた後、焼成炉中、550℃１時間焼成する。焼成
炉内部は、窒素ガス気流とする。
焼成されたガラス板上には、ほぼ透明で膜厚1000〜5000
Åの薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より六方晶系
硫化亜鉛であることがまた、焼成した化合物の元素分折
も、Zn67.7％（計算値67.1％）,S32.3％（計算値32.9
％）と計算値とよく合うことが確認された。
Åの薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より六方晶系
硫化亜鉛であることがまた、焼成した化合物の元素分折
も、Zn67.7％（計算値67.1％）,S32.3％（計算値32.9
％）と計算値とよく合うことが確認された。
実施例２ ラウリルメルカプタンを水−アルコール溶媒中酢酸鉛と
反応させて得られる鉛ラウリルメルカプチドを炭化水素
系溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナー方式により塗布
する。
反応させて得られる鉛ラウリルメルカプチドを炭化水素
系溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナー方式により塗布
する。
塗布されたガラス板は、約150℃で予備乾燥して溶媒を
揮散させた後、焼成炉中、550℃１時間焼成する。
揮散させた後、焼成炉中、550℃１時間焼成する。
焼成炉内部は、窒素ガス気流とする。
焼成されたガラス板上には、ほぼ透明で膜厚1000〜5000
Åの薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より硫化鉛で
あることが確認された。
Åの薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より硫化鉛で
あることが確認された。
実施例３ ラウリルメルカプタンを水−エタノール溶媒中酢酸カド
ミウムと反応させて得られるカドミウムメルカプチドを
炭化水素溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナー方式によ
り塗布する。
ミウムと反応させて得られるカドミウムメルカプチドを
炭化水素溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナー方式によ
り塗布する。
塗布されたガラス板は、約150℃で予備乾燥して溶媒を
揮散させた後、焼成炉中、550℃１時間焼成する。
揮散させた後、焼成炉中、550℃１時間焼成する。
焼成炉内部は、窒素ガス気流とする。
焼成されたガラス板上には、ほぼ透明で膜厚1000〜5000
Åの薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より硫化カド
ミウムであることが確認された。
Åの薄膜が形成されており、Ｘ線回折測定より硫化カド
ミウムであることが確認された。
実施例４ 水酸化カリウム−エタノール溶液に硫化水素を飽和さ
せ、塩化ベンゾイルと反応して得られるチオ安息香酸カ
リウム（Org,Synth.,IV924（1963））を酢酸亜鉛と作用
させてチオ安息香酸亜鉛を合成する。これを炭化水素系
溶媒に溶かしてガラス板上に、スピナー方式で塗布す
る。
せ、塩化ベンゾイルと反応して得られるチオ安息香酸カ
リウム（Org,Synth.,IV924（1963））を酢酸亜鉛と作用
させてチオ安息香酸亜鉛を合成する。これを炭化水素系
溶媒に溶かしてガラス板上に、スピナー方式で塗布す
る。
塗布されたガラス板は、約150℃で予備乾燥して溶媒を
揮散させた後、焼成炉中で、550℃１時間焼成する。焼
成炉内部は、窒素ガス気流とする。
揮散させた後、焼成炉中で、550℃１時間焼成する。焼
成炉内部は、窒素ガス気流とする。
焼成されたガラス板上には、ほぼ透明な薄膜が形成され
ており、Ｘ線回折測定により硫化亜鉛であることが確認
された。
ており、Ｘ線回折測定により硫化亜鉛であることが確認
された。
実施例５ ２−ブロモ−Ｐ−シメンをグリニャール試薬化したもの
に二硫化炭素を反応させて得られるシミルカルビチオ酸
のナトリウム塩に塩化亜鉛を作用して合成されたシミル
カルビチオ酸亜鉛（J.Am,Chem,Soc,51 3106（1928））
を炭化水素系溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナー方式
で塗布する。
に二硫化炭素を反応させて得られるシミルカルビチオ酸
のナトリウム塩に塩化亜鉛を作用して合成されたシミル
カルビチオ酸亜鉛（J.Am,Chem,Soc,51 3106（1928））
を炭化水素系溶媒に溶かし、ガラス板上にスピナー方式
で塗布する。
塗布されたガラス板は、約150℃で予備乾燥して溶媒を
揮散させた後、焼成炉中で、550℃１時間焼成する。焼
成炉内部は、窒素ガス気流とする。
揮散させた後、焼成炉中で、550℃１時間焼成する。焼
成炉内部は、窒素ガス気流とする。
焼成されたガラス板上には、ほぼ透明な薄膜が形成され
ており、Ｘ線回折測定により硫化亜鉛であることが確認
された。
ており、Ｘ線回折測定により硫化亜鉛であることが確認
された。
発明の効果 以上、実施例から判るごとく、本発明にかかる手法を採
用することにより、真空蒸着あるいはスパッタ等による
製造方法と比較して、生産性に優れ、非常な高額の生産
設備を必要とせず、また大面積の製造が容易であるとい
う産業上極めて有益な特徴をもつ。
用することにより、真空蒸着あるいはスパッタ等による
製造方法と比較して、生産性に優れ、非常な高額の生産
設備を必要とせず、また大面積の製造が容易であるとい
う産業上極めて有益な特徴をもつ。
さらに、本発明にかかる手法は低温での結晶性、成膜性
も良好で、硫化亜鉛の場合、従来の手法では1000℃以上
で生成するα型六方晶系硫化亜鉛が、500℃程度の焼成
温度で得られるという点でも効果的な手法であるといえ
る。
も良好で、硫化亜鉛の場合、従来の手法では1000℃以上
で生成するα型六方晶系硫化亜鉛が、500℃程度の焼成
温度で得られるという点でも効果的な手法であるといえ
る。
フロントページの続き (72)発明者 岡野 和之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−166978（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−166983（ＪＰ，Ａ) 特公 昭42−9413（ＪＰ，Ｂ１) Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒ ｙ Ｖｏｌ．20 Ｎｏ．８（1981）（米) Ｐ．2631〜４
Claims (4)
- 【請求項１】金属−硫黄結合を少なくとも一つ内部に有
する有機金属化合物層を基板上に形成してのち、不活性
ガス中で上記有機金属化合物層を熱分解して形成するこ
とを特長とする硫化物薄膜の形成方法。 - 【請求項２】金属−硫黄結合を有する有機金属化合物が
金属メルカプチドであることを特徴とする特許請求の範
囲第一項に記載の硫化物薄膜の形成方法。 - 【請求項３】金属−硫黄結合を有する有機金属化合物が
金属のチオカルボン酸塩であることを特徴とする特許請
求の範囲第一項に記載の硫化物薄膜の形成方法。 - 【請求項４】金属−硫黄結合を有する有機金属化合物が
金属のジチオカルボン酸塩であることを特徴とする特許
請求の範囲第一項に記載の硫化物薄膜の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006441A JPH0718015B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化物薄膜の形成方法 |
| US07/910,215 US4885188A (en) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Process for forming thin film of metal sulfides |
| PCT/JP1986/000015 WO1986004362A1 (en) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Process for forming thin metal sulfide film |
| DE8686900838T DE3672285D1 (de) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Verfahren zur bildung duenner metallsulfidfilme. |
| EP86900838A EP0211083B1 (en) | 1985-01-17 | 1986-01-16 | Process for forming thin metal sulfide film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006441A JPH0718015B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化物薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166979A JPS61166979A (ja) | 1986-07-28 |
| JPH0718015B2 true JPH0718015B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=11638487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60006441A Expired - Lifetime JPH0718015B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化物薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0718015B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2615469B2 (ja) * | 1988-04-21 | 1997-05-28 | 松下電器産業株式会社 | 金属硫化物薄膜の製造方法 |
| JP3681870B2 (ja) | 1997-09-05 | 2005-08-10 | 松下電池工業株式会社 | 化合物半導体膜の製造方法および太陽電池 |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP60006441A patent/JPH0718015B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩｎｏｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙＶｏｌ．２０Ｎｏ．８（１９８１）（米）Ｐ．２６３１〜４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61166979A (ja) | 1986-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |