JPH01270351A - ゲートターンオフサイリスタ - Google Patents
ゲートターンオフサイリスタInfo
- Publication number
- JPH01270351A JPH01270351A JP9947588A JP9947588A JPH01270351A JP H01270351 A JPH01270351 A JP H01270351A JP 9947588 A JP9947588 A JP 9947588A JP 9947588 A JP9947588 A JP 9947588A JP H01270351 A JPH01270351 A JP H01270351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- base layer
- impurity concentration
- emitter
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ｐｎｐｎの４１１構造をもち、一方の主面の
エミッタ層が複数個に分割され、各エミッタ層部分を囲
むベース層にゲート電極が設けられるゲートターンオフ
（Ｇ’ｒＯ）サイリスタに関する。
エミッタ層が複数個に分割され、各エミッタ層部分を囲
むベース層にゲート電極が設けられるゲートターンオフ
（Ｇ’ｒＯ）サイリスタに関する。
従来のＧＴＯサイリスタは第２図に示すような単位ＧＴ
Ｏサイリスクの複数個が同一半導体基板に形成されてい
る。第２図において、シリコン基板はｐエミッタ層１＋
ｎベース層２． ｐベース層３およびｎエミッタ層４
の４層構造を有する。ｐエミッタ層部分はｐベース層３
より短冊状に突出していてセグメントと呼ばれる。ｐエ
ミッタ層１にはアノード電極５＋ｎエミッタ層４および
ｐベース層３にはそれぞれ酸化膜８の開口部で接触する
カソード電極６およびゲート電極７が設けられ、ゲート
電極７から電流を引きぬくことによりターンオフさせる
。短冊状ｎエミッタ層４は、通常ホトマスキングおよび
エツチング工程によって形成される。
Ｏサイリスクの複数個が同一半導体基板に形成されてい
る。第２図において、シリコン基板はｐエミッタ層１＋
ｎベース層２． ｐベース層３およびｎエミッタ層４
の４層構造を有する。ｐエミッタ層部分はｐベース層３
より短冊状に突出していてセグメントと呼ばれる。ｐエ
ミッタ層１にはアノード電極５＋ｎエミッタ層４および
ｐベース層３にはそれぞれ酸化膜８の開口部で接触する
カソード電極６およびゲート電極７が設けられ、ゲート
電極７から電流を引きぬくことによりターンオフさせる
。短冊状ｎエミッタ層４は、通常ホトマスキングおよび
エツチング工程によって形成される。
ＧＴＯサイリスタの可！１ｍ電流の向上にはｎエミンタ
Ｊｉ４の幅の縮小が効果的であるということは公知であ
る。従来のセグメントの幅は３００ ｎ程度であるが、
このセグメント幅を縮小による微細化を行い、かつｎエ
ミッタ層の総面積を一定に保とうとすれば、セグメント
の本数を増加しなければならず、各セグメントごとの電
気的特性のチエツクに時間がかかるという欠点がある。
Ｊｉ４の幅の縮小が効果的であるということは公知であ
る。従来のセグメントの幅は３００ ｎ程度であるが、
このセグメント幅を縮小による微細化を行い、かつｎエ
ミッタ層の総面積を一定に保とうとすれば、セグメント
の本数を増加しなければならず、各セグメントごとの電
気的特性のチエツクに時間がかかるという欠点がある。
本発明の１１題は、短冊状に突出したセグメントの本数
を増加させることなしにｎエミッタ層の幅を縮小して可
制御電流の向上したＧＴＯサイリスタを提供することに
ある。
を増加させることなしにｎエミッタ層の幅を縮小して可
制御電流の向上したＧＴＯサイリスタを提供することに
ある。
上記の課題の解決のために、本発明のＧＴＯサイリスタ
は、一方の第一導電形のベース層が他方の第二導電形の
ベース層に隣接する低不純物濃度層とその層に隣接する
高不純物濃度層とからなり、低不純物濃度ベース層は短
冊状の突出部を存し、その表面層に複数の短冊状の第二
導電形のエミッタ層層が形成され、高不純物濃度ベース
層が各エミッタ層の周囲を除いて低不純物濃度層の表面
を被覆しているものとする。
は、一方の第一導電形のベース層が他方の第二導電形の
ベース層に隣接する低不純物濃度層とその層に隣接する
高不純物濃度層とからなり、低不純物濃度ベース層は短
冊状の突出部を存し、その表面層に複数の短冊状の第二
導電形のエミッタ層層が形成され、高不純物濃度ベース
層が各エミッタ層の周囲を除いて低不純物濃度層の表面
を被覆しているものとする。
〔作用〕
セグメントをベース層で形成し、その表面層に複数のエ
ミッタ層を形成することにより、セグメント本数を増加
することなくベース層に囲まれたエミッタ層の幅を縮小
することができる。
ミッタ層を形成することにより、セグメント本数を増加
することなくベース層に囲まれたエミッタ層の幅を縮小
することができる。
第１図は本発明の一実施例の単位ＧＴＯサイリスクの断
面を示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付され
ている。ｐエミッタ層１＋ ｎベース層２の上にｐベ
ース層は突出してセグメントを形成している。このｐベ
ース層は低不純物濃度ｐ−ベース層３１と高不純物濃度
ｐ′″ベース層３２により構成されている。このセグメ
ント中に幅の狭いｎエミッタ層４が分割して埋込まれ、
第３図の平面図から明らかなようにｐ−ベース層３１の
突出部に囲まれ、さらにその周囲をｐ“ベース層３２に
囲まれている。ｎエミッタ層４は図のように分割しない
で一端で連結したＵ字状、あるいは両端で連結した０字
状にしてもよい、ｎエミッタ層４が分割されている場合
もあるいは連結されている場合も、例えばアルミニウム
からなる一つのカソード電極６が各ｎエミッタ層部分に
酸化膜８の開口部で接触している。これにより各セグメ
ントごとの単位ＧＴＯサイリスタの電気的特性のチエツ
クは、ｎエミッタ層が複数の場合も１回に行うことがで
きる。
面を示し、第２図と共通の部分には同一の符号が付され
ている。ｐエミッタ層１＋ ｎベース層２の上にｐベ
ース層は突出してセグメントを形成している。このｐベ
ース層は低不純物濃度ｐ−ベース層３１と高不純物濃度
ｐ′″ベース層３２により構成されている。このセグメ
ント中に幅の狭いｎエミッタ層４が分割して埋込まれ、
第３図の平面図から明らかなようにｐ−ベース層３１の
突出部に囲まれ、さらにその周囲をｐ“ベース層３２に
囲まれている。ｎエミッタ層４は図のように分割しない
で一端で連結したＵ字状、あるいは両端で連結した０字
状にしてもよい、ｎエミッタ層４が分割されている場合
もあるいは連結されている場合も、例えばアルミニウム
からなる一つのカソード電極６が各ｎエミッタ層部分に
酸化膜８の開口部で接触している。これにより各セグメ
ントごとの単位ＧＴＯサイリスタの電気的特性のチエツ
クは、ｎエミッタ層が複数の場合も１回に行うことがで
きる。
低不純物濃度ｐ−ベース層３１によるｎエミ７り層４と
ｐ０ベース層３２の間の分離は、ｐ−ベース層が高抵抗
であるため、カソード、ゲート間の逆耐圧を高くするの
に役立つ、一方、高不純物濃度ｐ゛ベース層２は、ター
ンオフ時のゲート電極７からの引きぬき電流の通路とし
て役立つ。
ｐ０ベース層３２の間の分離は、ｐ−ベース層が高抵抗
であるため、カソード、ゲート間の逆耐圧を高くするの
に役立つ、一方、高不純物濃度ｐ゛ベース層２は、ター
ンオフ時のゲート電極７からの引きぬき電流の通路とし
て役立つ。
本発明によれば、従来一方のエミッタ層で形成されたセ
グメントを高不純物濃度ベース層に囲まれた低不純物濃
度ベース層によって形成し、複数本のエミッタ層をその
低不純物濃度ベース層に埋め込み、一つのカソード電極
に接−触させることにより、セグメントの本数およびカ
ソード電極の数を増加することなくエミッタ層の幅の縮
小を実現して可制御電流の向上を可能にした。さらにベ
ース層の低不純物濃度層によりゲート電極エミフタ電極
間の逆耐圧が高められ、高不純物濃度層によりゲート電
流引きぬき効果が大となることにより、可制御電流は従
来のＧＴＯサイリスクに比較して３０％以上向上した。
グメントを高不純物濃度ベース層に囲まれた低不純物濃
度ベース層によって形成し、複数本のエミッタ層をその
低不純物濃度ベース層に埋め込み、一つのカソード電極
に接−触させることにより、セグメントの本数およびカ
ソード電極の数を増加することなくエミッタ層の幅の縮
小を実現して可制御電流の向上を可能にした。さらにベ
ース層の低不純物濃度層によりゲート電極エミフタ電極
間の逆耐圧が高められ、高不純物濃度層によりゲート電
流引きぬき効果が大となることにより、可制御電流は従
来のＧＴＯサイリスクに比較して３０％以上向上した。
第１図は本発明の一実施例の単位ＧＴＯサイリスクの断
面図、第２図は従来の単位ＧＴＯサイリスクの断面図、
第３図は第１図に示したＧＴＯサイリスクのセグメント
の電極、酸化膜を除いての上面図である。 ｌ：ｐエミッタ層、２＋ｎベ一ス層、３１：低不純物濃
度ｐベース層、３２：高不純物濃度ｐベース層、４：ｎ
エミッタ層、６：カソード電極、７：第１図 第２図
面図、第２図は従来の単位ＧＴＯサイリスクの断面図、
第３図は第１図に示したＧＴＯサイリスクのセグメント
の電極、酸化膜を除いての上面図である。 ｌ：ｐエミッタ層、２＋ｎベ一ス層、３１：低不純物濃
度ｐベース層、３２：高不純物濃度ｐベース層、４：ｎ
エミッタ層、６：カソード電極、７：第１図 第２図
Claims (1)
- （１）一方の第一導電形のベース層が他方の第二導電形
のベース層に隣接する低不純物濃度層と該層に隣接する
高不純物濃度層とからなり、低不純物濃度ベース層は短
冊状の突出部を有し、該突出部の表面層に複数の短冊状
の第二導電形のエミッタ層が形成され、高不純物濃度ベ
ース層が各エミッタ層の周囲を除いて低不純物濃度層の
表面を被覆していることを特徴とするゲートターンオフ
サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9947588A JPH01270351A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | ゲートターンオフサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9947588A JPH01270351A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | ゲートターンオフサイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270351A true JPH01270351A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14248340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9947588A Pending JPH01270351A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | ゲートターンオフサイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270351A (ja) |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP9947588A patent/JPH01270351A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0671769B1 (en) | Insulated gate field effect transistor | |
| CN108292669B (zh) | 关断型功率半导体器件及其制造方法 | |
| EP0154082B1 (en) | Gate turn-off thyristor | |
| US5936267A (en) | Insulated gate thyristor | |
| JP7390868B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08288524A (ja) | 高耐圧半導体素子 | |
| JPH061831B2 (ja) | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ | |
| JPH01270351A (ja) | ゲートターンオフサイリスタ | |
| JP2003115590A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4010848B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3277701B2 (ja) | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ | |
| JP2000022176A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JPH02153570A (ja) | 半導体素子 | |
| EP0147776B1 (en) | Semiconductor device provided with control electrode | |
| JP2829026B2 (ja) | 自己消弧型半導体素子 | |
| JPH05226643A (ja) | ターンオフ可能なパワー半導体素子 | |
| JP2630080B2 (ja) | ゲートターンオフサイリスタ | |
| JPH0220069A (ja) | ゲートターンオフサイリスタ | |
| JP2764830B2 (ja) | ゲートターンオフサイリスタ | |
| JPH06302810A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63265465A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6252967A (ja) | Ｇｔｏサイリスタ | |
| JPH10313115A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ | |
| JPH04162777A (ja) | 双方向電圧阻止型半導体装置 | |
| JPH01111375A (ja) | ゲート・ターン・オフ・サイリスタ |