JPH01270581A - Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系超電導膜形成用ターゲット材の製造法 - Google Patents
Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系超電導膜形成用ターゲット材の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は１例えばスパッタリング法例より基板表面に
Ｂｉ −Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導膜を形成す
る際に用いられるターゲット材の製造法に関するもので
ある。
Ｂｉ −Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導膜を形成す
る際に用いられるターゲット材の製造法に関するもので
ある。
近年、 Ｂｉ −Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導
セラミツクス材が提案され、これが、１ず、原料粉末と
してＢｉ酸化物（以下Ｂ １２０５で示す） 、 Ｃａ
炭酸塩（以下ＣａＣＯ３で示す） 、 Ｓｒ炭酸塩（以
下Ｓ ｒ Ｃ０３で示す）。
セラミツクス材が提案され、これが、１ず、原料粉末と
してＢｉ酸化物（以下Ｂ １２０５で示す） 、 Ｃａ
炭酸塩（以下ＣａＣＯ３で示す） 、 Ｓｒ炭酸塩（以
下Ｓ ｒ Ｃ０３で示す）。
およびＣｕ酸化物（以下ＣｕＯで示す）の粉末を用意し
、これら原料粉末を所定の割合に配合し、混合した後、
この混合粉末に、７００〜８００℃の範囲内の温度に所
定時間保持の焼成処理と粉砕音２〜３回繰υ返し施して
Ｂｉ −Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導酸化物粉
末とし、ついで、この超電導酸化物粉末を原料粉末とし
て用いて、通常の条件で圧粉体にプレス成形した後焼結
するか、またはホットプレスすることによりＢｉ −Ｃ
ａ−Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導膜形成用ターゲット材
が製造されることはよく知られるところである。
、これら原料粉末を所定の割合に配合し、混合した後、
この混合粉末に、７００〜８００℃の範囲内の温度に所
定時間保持の焼成処理と粉砕音２〜３回繰υ返し施して
Ｂｉ −Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導酸化物粉
末とし、ついで、この超電導酸化物粉末を原料粉末とし
て用いて、通常の条件で圧粉体にプレス成形した後焼結
するか、またはホットプレスすることによりＢｉ −Ｃ
ａ−Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導膜形成用ターゲット材
が製造されることはよく知られるところである。
し〃・し、上記従来法で製造されたＢｉ−Ｃａ−Ｓｒ−
Ｃｕ−０系超電導膜形成用ターケ゛ツト材においては。
Ｃｕ−０系超電導膜形成用ターケ゛ツト材においては。
Ｂｉ −Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導酸化物を主
体としているために熱伝導率が小さく、シたがって相対
的に冷却効率が低く、このだめスパッタ時のターゲット
材のスパッタ表面と冷却底面の温度差が大きくなること
からターゲット材に熱応力による割れが発生しやすく、
−１だ抵抗も筐いので、比較的安価な直流２極スパツタ
リング装置を用いることができず、高価な高周波スパッ
タリング装置を必要とし、ネらに機械的強度が低く、き
わめて脆いので、その取扱いには細心の注意を払わなけ
ればならない、 等の問題点があった。
体としているために熱伝導率が小さく、シたがって相対
的に冷却効率が低く、このだめスパッタ時のターゲット
材のスパッタ表面と冷却底面の温度差が大きくなること
からターゲット材に熱応力による割れが発生しやすく、
−１だ抵抗も筐いので、比較的安価な直流２極スパツタ
リング装置を用いることができず、高価な高周波スパッ
タリング装置を必要とし、ネらに機械的強度が低く、き
わめて脆いので、その取扱いには細心の注意を払わなけ
ればならない、 等の問題点があった。
そこで、本発明者等は１上述のような観点から、上記従
来のＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導膜形
成用ターゲット材のもつ問題点を解決し、すぐれたＢｉ
− Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導膜形成用ター
ゲット材を製造すべく研究を行なった結果、 まず、原料粉末としてＣａＣＯ３粉末％ ８ ｒ ＣＯ
５粉末。
来のＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導膜形
成用ターゲット材のもつ問題点を解決し、すぐれたＢｉ
− Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導膜形成用ター
ゲット材を製造すべく研究を行なった結果、 まず、原料粉末としてＣａＣＯ３粉末％ ８ ｒ ＣＯ
５粉末。
およびＣｕＯ粉末を用い、これら原料粉末の所定割合の
混合粉末を８５０〜１０５０℃の高温で焼成してＣａと
ＳｒとＣｕの複合酸化物（以下、Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ
−０系酸化物という）とすると、このＣａ−Ｓｒ−ｃｕ
−〇系酸化物は、上記の通り高温焼成処理のために炭酸
地の分解が完全に起ることからほとんど炭素を含有せず
、含有してもわずかであり、ついで上記Ｃａ−Ｓｒ−Ｃ
ｕ−０系酸化物を粉砕してＣａ −Ｓｒ −Ｃｕ、−０
系酸化物粉末とし、このＣａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系酸化物
粉末を用いて焼結′ｉたはホットプレス法によりＣａ−
Ｓｒ −Ｃｕ −０系酸化物多孔質体を製造し、このＣ
ａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系酸化物多孔質体に溶融Ｂｉ
を含浸させる方法により得られたターゲット材は。
混合粉末を８５０〜１０５０℃の高温で焼成してＣａと
ＳｒとＣｕの複合酸化物（以下、Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ
−０系酸化物という）とすると、このＣａ−Ｓｒ−ｃｕ
−〇系酸化物は、上記の通り高温焼成処理のために炭酸
地の分解が完全に起ることからほとんど炭素を含有せず
、含有してもわずかであり、ついで上記Ｃａ−Ｓｒ−Ｃ
ｕ−０系酸化物を粉砕してＣａ −Ｓｒ −Ｃｕ、−０
系酸化物粉末とし、このＣａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系酸化物
粉末を用いて焼結′ｉたはホットプレス法によりＣａ−
Ｓｒ −Ｃｕ −０系酸化物多孔質体を製造し、このＣ
ａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系酸化物多孔質体に溶融Ｂｉ
を含浸させる方法により得られたターゲット材は。
炭素含有量が著しく低く、金属Ｂｉが含浸されているた
めに熱伝導率が高く、電気抵抗も小さく、かつ機械的強
度も向上し、かかるターゲット材を用いてスパッタリン
グによりＢｉ−Ｃａ−Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導膜を
形成すると、炭素含有による超電導特性の低下がないの
で、−段と高い臨界温度を有するＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ
−Ｃｕ −０系超電導膜を得ることができ、さらに上
記ターゲット材は熱伝導率が高く、電気抵抗も小さいの
で比較的安価な直流２極スパツタリング装＃を用いてＢ
ｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導膜を形成すること
ができ、機械的強度も向上しているのでその取扱いが容
易になるという知見を得たのである。
めに熱伝導率が高く、電気抵抗も小さく、かつ機械的強
度も向上し、かかるターゲット材を用いてスパッタリン
グによりＢｉ−Ｃａ−Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導膜を
形成すると、炭素含有による超電導特性の低下がないの
で、−段と高い臨界温度を有するＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ
−Ｃｕ −０系超電導膜を得ることができ、さらに上
記ターゲット材は熱伝導率が高く、電気抵抗も小さいの
で比較的安価な直流２極スパツタリング装＃を用いてＢ
ｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導膜を形成すること
ができ、機械的強度も向上しているのでその取扱いが容
易になるという知見を得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って。
って。
原料粉末として、Ｃａ炭酸塩、 Ｓｒ炭酸塩、およびＣ
ｕ酸化物の粉末を用意し。
ｕ酸化物の粉末を用意し。
１ず、これら原料粉末のＣａ炭酸塩、 Ｓｒ炭酸塩。
およびＣｕ酸化物の粉末を所定割合に混合した後、所定
温度で焼成して、 ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物を形
成し、 」１記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物を粉砕して、 Ｃ
ａとＳｒとＣｕの複合酸化物粉末とし。
温度で焼成して、 ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物を形
成し、 」１記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物を粉砕して、 Ｃ
ａとＳｒとＣｕの複合酸化物粉末とし。
上記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物粉末を、圧粉体にプ
レス成形した後焼結するがオたはホットプレスすること
により、 ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物多孔質体を作
製し。
レス成形した後焼結するがオたはホットプレスすること
により、 ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物多孔質体を作
製し。
ついで、上記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物多孔質体に
溶融Ｂｉを含浸させるＢｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系
超電導膜形成用ターゲット材の製造法に特徴を有するも
のである。
溶融Ｂｉを含浸させるＢｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系
超電導膜形成用ターゲット材の製造法に特徴を有するも
のである。
なお、この発明の方法において、 Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ
−Ｏ系酸化物の焼成温度を８５０〜１０５０’ｌＣ定め
たのは、その温度が８５０℃未満では炭酸塩の分解が不
十分で５反応後相対的に多量の炭素が残留するのが避け
られず、一方、その温度が１０５０℃を越えるとＣｕＯ
が溶融するようになって均質なＣａ−Ｓｒ −Ｃｕ −
０系酸化物の形成が不可能になるという理由によるもの
である。
−Ｏ系酸化物の焼成温度を８５０〜１０５０’ｌＣ定め
たのは、その温度が８５０℃未満では炭酸塩の分解が不
十分で５反応後相対的に多量の炭素が残留するのが避け
られず、一方、その温度が１０５０℃を越えるとＣｕＯ
が溶融するようになって均質なＣａ−Ｓｒ −Ｃｕ −
０系酸化物の形成が不可能になるという理由によるもの
である。
上記焼成して得られたＣａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系酸
化物は粉砕され、平均粒径二３〜１５μｍのＣａ−Ｓｒ
−Ｃｕ−０系酸化物粉末とし、このＣａ−３ｒ −Ｃ
ｕ −０系酸化物粉末を （１）圧カニ２ｔＯｎ／ｃｒｒＬ２でプレス成形して圧
粉体とし、ついでこの圧粉体を大気中、温度＝８ｏ。
化物は粉砕され、平均粒径二３〜１５μｍのＣａ−Ｓｒ
−Ｃｕ−０系酸化物粉末とし、このＣａ−３ｒ −Ｃ
ｕ −０系酸化物粉末を （１）圧カニ２ｔＯｎ／ｃｒｒＬ２でプレス成形して圧
粉体とし、ついでこの圧粉体を大気中、温度＝８ｏ。
〜１０５０℃保持の条件にて焼結するか、または
（ＩＩ） 大気中、真空中あるいはＡｒ雰囲気中で圧
カニ１５０ゆ／α２．温度： ５００〜１ｏｏｏ℃保持
の条件でホットプレスする、 ことにより多孔質体を作製する。
カニ１５０ゆ／α２．温度： ５００〜１ｏｏｏ℃保持
の条件でホットプレスする、 ことにより多孔質体を作製する。
上記多孔質体に溶融Ｂｉを含浸させるＫは、上記多孔質
体を８１融液中に浸漬させてもよいが、上記多孔質体の
上に固体Ｂｉを載置し、そのまま不活性雰囲気の炉内に
装入してＢｉの融点（２７２℃）以上に加熱し、浸透さ
せてもよい。
体を８１融液中に浸漬させてもよいが、上記多孔質体の
上に固体Ｂｉを載置し、そのまま不活性雰囲気の炉内に
装入してＢｉの融点（２７２℃）以上に加熱し、浸透さ
せてもよい。
つぎに、この発明の方法を実施例により具体的に説明す
る。
る。
原料粉末として、いずれも７μｍの平均粒径守Φ＋を有
し、かつ純度：９９９チ以上のＣａＣ０１５粉末、
Ｓｒｌ：０３粉末、およびＣｕＯ粉末を用意し、これら
原料粉末を第１表に示される配合組成に配合し。
し、かつ純度：９９９チ以上のＣａＣ０１５粉末、
Ｓｒｌ：０３粉末、およびＣｕＯ粉末を用意し、これら
原料粉末を第１表に示される配合組成に配合し。
ボールミルにて３時間湿式混合し、乾燥した後。
アルはす容器に入れ、大気中、第１表に示される温度に
５時間保持の条件で焼成してＣａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系酸
化物を形成し、さらに、上記Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系酸
化物をボールミルにて粉砕し、第１表の実施例１〜６に
示される平均粒径を有するＣａ −Ｓｒ −Ｃｕ−０系
酸化物粉末を製造した。これらＣａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系
酸化物粉末を原料粉末として用いて１次の方法によシＢ
ｉ −Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導膜形成用ターゲ
ット材を作製した。
５時間保持の条件で焼成してＣａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系酸
化物を形成し、さらに、上記Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系酸
化物をボールミルにて粉砕し、第１表の実施例１〜６に
示される平均粒径を有するＣａ −Ｓｒ −Ｃｕ−０系
酸化物粉末を製造した。これらＣａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系
酸化物粉末を原料粉末として用いて１次の方法によシＢ
ｉ −Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導膜形成用ターゲ
ット材を作製した。
ｆｌ） 第１表の実施例１〜６に示される平均粒径を
有するＣａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系酸化物粉末を、２
．Ｏｔ ｏ ｎ／ ｃｘ２の圧力で圧粉体にプレス成形
し、ついでこの圧粉体を、大気中にて第１表に示される
温度に５時間保持して焼結することにょシ、直径：５゜
１ｌｌＩＸ厚さ二Ｌｏｗの円盤状Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ
−０系酸化物多孔質体（以下、円盤状多孔質体という
）を作製した。
有するＣａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系酸化物粉末を、２
．Ｏｔ ｏ ｎ／ ｃｘ２の圧力で圧粉体にプレス成形
し、ついでこの圧粉体を、大気中にて第１表に示される
温度に５時間保持して焼結することにょシ、直径：５゜
１ｌｌＩＸ厚さ二Ｌｏｗの円盤状Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ
−０系酸化物多孔質体（以下、円盤状多孔質体という
）を作製した。
これら円盤状多孔質体の上に金属Ｂｉをのせ、加熱炉に
装入して、大気中雰囲気にて温度二り００℃、３時間保
持の条件で加熱し、上記円盤状多孔置体に金属Ｂｉを含
浸せしめ、 Ｂｉ −Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導
膜形成用ターゲット材を作製した。
装入して、大気中雰囲気にて温度二り００℃、３時間保
持の条件で加熱し、上記円盤状多孔置体に金属Ｂｉを含
浸せしめ、 Ｂｉ −Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電導
膜形成用ターゲット材を作製した。
（２）一方、第１表の実施例１〜６に示される平均粒径
を有するＣａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系酸化物粉末を。
を有するＣａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系酸化物粉末を。
圧カニ １５０ ｋｇ／ｃｔｎ２．大気中にて第１表に
示される温度に３時間保持し、直径：５０ＨＸ厚さ：１
０驕の円盤状多孔質体をホットプレスによシ作製した。
示される温度に３時間保持し、直径：５０ＨＸ厚さ：１
０驕の円盤状多孔質体をホットプレスによシ作製した。
これら円盤状多孔質体を上記ｆ１）と全く同様にして金
属Ｂｉを含浸させ、Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超
電導膜形成用ターケ゛ツト材を作製した。
属Ｂｉを含浸させ、Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超
電導膜形成用ターケ゛ツト材を作製した。
（３） さらに、従来例として、上記原料粉末のほか
に平均粒径ニアμｍの８１２０５粉末を用意し、これら
原料粉末を１重量−で、 ｃａｃｏ３： １５．６ Ｌ
ＳｒＣＯ５：２３．１％、ＣｕＯ：２４．９％、 ５
ｉ２ｏ３：３６．４％の割合で配合し、５時間の混合を
行なった後、乾燥し、ついで大気中、温度： ＳＯＯ℃
に１０時間保持後、粉砕することを１ザイクルとし、こ
れを５サイクル繰９返し行なうことによシ従来法による
Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電専酸化物粉末を製
造し、この従来法で得られたＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ −
Ｃｕ−０系超電導酸化物粉末を用いて、２ｔＯｎ／Ｃ１
１Ｌ２の圧力で圧粉体にプレス成形し、ついでこの圧粉
体を、大気中、温度＝８５０℃に１０時間保持の条件で
焼結することにより、直径：５０ｎＸ厚さ２１０ｍのタ
ーゲット材を作製した。
に平均粒径ニアμｍの８１２０５粉末を用意し、これら
原料粉末を１重量−で、 ｃａｃｏ３： １５．６ Ｌ
ＳｒＣＯ５：２３．１％、ＣｕＯ：２４．９％、 ５
ｉ２ｏ３：３６．４％の割合で配合し、５時間の混合を
行なった後、乾燥し、ついで大気中、温度： ＳＯＯ℃
に１０時間保持後、粉砕することを１ザイクルとし、こ
れを５サイクル繰９返し行なうことによシ従来法による
Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超電専酸化物粉末を製
造し、この従来法で得られたＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ −
Ｃｕ−０系超電導酸化物粉末を用いて、２ｔＯｎ／Ｃ１
１Ｌ２の圧力で圧粉体にプレス成形し、ついでこの圧粉
体を、大気中、温度＝８５０℃に１０時間保持の条件で
焼結することにより、直径：５０ｎＸ厚さ２１０ｍのタ
ーゲット材を作製した。
以上、実施例で得られたターゲット材の８１含有量を測
定するとともに、上記実施例および従来例のターゲット
材の冷却効率を評価する目的で熱伝導率を測定し、１だ
電気抵抗も測定し、さらに機械的強度を評価する目的で
抗折力も測定し、その結果を第１表に示した。
定するとともに、上記実施例および従来例のターゲット
材の冷却効率を評価する目的で熱伝導率を測定し、１だ
電気抵抗も測定し、さらに機械的強度を評価する目的で
抗折力も測定し、その結果を第１表に示した。
ついで、これらの各種ターゲット材を、それぞれ直流マ
グネトロンスパッタリング装置に装入し、雰囲気全体圧
力：ユ０ 引’ｏｒｒ 雰囲気二Ａｒのみ 供給基カニ０．５ＡＸ５００Ｖ 基板材質：Ｍｇ０（１００）面単結晶 基板−ターゲット間距離：５０ＣＦｒＬの条件でスパッ
タリングを行ない、薄膜の浮さ：２１ｔｍのＢｉ −Ｃ
ａ −５ｒ−Ｃｕ −０系超電導ＭＫ ’ｆｒ：形成し
、酸素雰囲気中、８８０℃１時間保持の条件で熱処理後
、４端子法によ）臨界温度を測定した。
グネトロンスパッタリング装置に装入し、雰囲気全体圧
力：ユ０ 引’ｏｒｒ 雰囲気二Ａｒのみ 供給基カニ０．５ＡＸ５００Ｖ 基板材質：Ｍｇ０（１００）面単結晶 基板−ターゲット間距離：５０ＣＦｒＬの条件でスパッ
タリングを行ない、薄膜の浮さ：２１ｔｍのＢｉ −Ｃ
ａ −５ｒ−Ｃｕ −０系超電導ＭＫ ’ｆｒ：形成し
、酸素雰囲気中、８８０℃１時間保持の条件で熱処理後
、４端子法によ）臨界温度を測定した。
これらの測定結果を第１表に示す。
第１表の結果から、多孔質体に溶融Ｂｉを含浸させて製
造した実施例１〜６のターゲット材は、従来例のターゲ
ット材よシも一段と高い熱伝導車（冷却効率）および低
い電気抵抗を有するので、直流マグネトロンスパッタリ
ング装置を用いて、すぐれたＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ −
Ｃｕ −０系超電導Ｘ膜を形成できるのに対し、従来法
により製造し九ターゲット材では、直流マグネトロンス
ノξツタリング装置によりスパッタリング薄膜は形成で
きないことがわかる。
造した実施例１〜６のターゲット材は、従来例のターゲ
ット材よシも一段と高い熱伝導車（冷却効率）および低
い電気抵抗を有するので、直流マグネトロンスパッタリ
ング装置を用いて、すぐれたＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ −
Ｃｕ −０系超電導Ｘ膜を形成できるのに対し、従来法
により製造し九ターゲット材では、直流マグネトロンス
ノξツタリング装置によりスパッタリング薄膜は形成で
きないことがわかる。
上述の如く、この発明の方法でターゲット材を製造する
と、冷却効率がすぐれ、高速スパッタを行なっても熱応
力による割れの発生がなく、かつ電気抵抗が低く機械的
強度の高いＢｉ −Ｃａ−Ｓｒ −Ｃ’ｕ−○系超電導
膜形成用ターゲット材を得ることができ、取扱いが容易
となシ、このターゲット材を用いて安価な値流ス、ｏツ
タリング装置にヨリスフれたＢｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ
−０系超電導膜を得ることができる等のすぐれた効果を
奏するものである。
と、冷却効率がすぐれ、高速スパッタを行なっても熱応
力による割れの発生がなく、かつ電気抵抗が低く機械的
強度の高いＢｉ −Ｃａ−Ｓｒ −Ｃ’ｕ−○系超電導
膜形成用ターゲット材を得ることができ、取扱いが容易
となシ、このターゲット材を用いて安価な値流ス、ｏツ
タリング装置にヨリスフれたＢｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ
−０系超電導膜を得ることができる等のすぐれた効果を
奏するものである。
Claims (2)
- （１）原料粉末として、Ｃａ炭酸塩、Ｓｒ炭酸塩、およ
びＣｕ酸化物の粉末を用意し、 まず、これら原料粉末のＣａ炭酸塩、Ｓｒ炭酸塩、およ
びＣｕ酸化物の粉末を所定の割合に混合したのち、所定
の温度で焼成して、ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物を形
成し、 上記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物を粉砕して、Ｃａと
ＳｒとＣｕの複合酸化物粉末とし、 上記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物粉末を、圧粉体にプ
レス成形した後焼結することにより、ＣａとＳｒとＣｕ
の複合酸化物多孔質体を作製し、 ついで、上記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物多孔質体に
溶融Ｂｉを含浸させることを特徴とするＢｉ−Ｃａ−Ｓ
ｒ−Ｃｕ−Ｏ系超電導膜形成用ターゲット材の製造法。 - （２）原料粉末として、Ｃａ炭酸塩、Ｓｒ炭酸塩、およ
びＣｕ酸化物の粉末を用意し、 まず、これら原料粉末のＣａ炭酸塩、Ｓｒ炭酸塩、およ
びＣｕ酸化物の粉末を所定の割合に混合したのち、所定
の温度で焼成して、ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物を形
成し、 上記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物を粉砕して、Ｃａと
ＳｒとＣｕの複合酸化物粉末とし、 上記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物粉末を、ホットプレ
スすることにより、ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物多孔
質体を作製し、 ついで、上記ＣａとＳｒとＣｕの複合酸化物多孔質体に
溶融Ｂｉを含浸させることを特徴とするＢｉ−Ｃａ−Ｓ
ｒ−Ｃｕ−Ｏ系超電導膜形成用ターゲット材の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098942A JPH01270581A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系超電導膜形成用ターゲット材の製造法 |
| EP89107131A EP0338556B1 (en) | 1988-04-21 | 1989-04-20 | Target of superconductive oxide having low resistivity |
| DE68916835T DE68916835T2 (de) | 1988-04-21 | 1989-04-20 | Target aus supraleitenden Oxyd mit geringem Widerstand. |
| US07/341,190 US5059585A (en) | 1988-04-21 | 1989-04-21 | Method of making a sputtering target for a bismuth based superconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63098942A JPH01270581A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系超電導膜形成用ターゲット材の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270581A true JPH01270581A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14233165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63098942A Pending JPH01270581A (ja) | 1988-04-21 | 1988-04-21 | Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系超電導膜形成用ターゲット材の製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5059585A (ja) |
| EP (1) | EP0338556B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01270581A (ja) |
| DE (1) | DE68916835T2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5361720A (en) * | 1988-04-22 | 1994-11-08 | British Technology Group Ltd. | Epitaxial deposition |
| RU2385517C1 (ru) * | 2008-12-22 | 2010-03-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИШЕНИ ДЛЯ МАГНЕТРОННОГО НАНЕСЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК СОСТАВА Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MX164959B (es) * | 1986-05-08 | 1992-10-09 | Lanxide Tecnology Company Lp | Un metodo para producir un cuerpo compuesto ceramico |
| JPS63241823A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-07 | Nissin Electric Co Ltd | 超電導薄膜の製造方法 |
| YU125388A (en) * | 1987-07-06 | 1990-04-30 | Lanxide Technology Co Ltd | Processes for shaping complex products of oxidation reactions including supra conducting articles |
-
1988
- 1988-04-21 JP JP63098942A patent/JPH01270581A/ja active Pending
-
1989
- 1989-04-20 EP EP89107131A patent/EP0338556B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-20 DE DE68916835T patent/DE68916835T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-21 US US07/341,190 patent/US5059585A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0338556B1 (en) | 1994-07-20 |
| DE68916835D1 (de) | 1994-08-25 |
| EP0338556A2 (en) | 1989-10-25 |
| EP0338556A3 (en) | 1990-11-22 |
| DE68916835T2 (de) | 1994-10-27 |
| US5059585A (en) | 1991-10-22 |
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