JPH01272998A - ガス貯蔵処理装置の運転方法 - Google Patents

ガス貯蔵処理装置の運転方法

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JPH01272998A
JPH01272998A JP10029088A JP10029088A JPH01272998A JP H01272998 A JPH01272998 A JP H01272998A JP 10029088 A JP10029088 A JP 10029088A JP 10029088 A JP10029088 A JP 10029088A JP H01272998 A JPH01272998 A JP H01272998A
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JP
Japan
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electrode
gas
discharge cleaning
ion implantation
sputtering
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JP10029088A
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English (en)
Inventor
Yoshihiro Kobayashi
小林 喜広
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えば放射性廃棄ガス(以下、放射性ガスと
称す)をイオン化してそのイオンをスパッタ金属組織中
に注入し、封じ込めて貯蔵するガス貯蔵処]!12装置
の運転方法に関する。
(従来の技術) 一般に、たとえば核燃料再処理工場等の原子力施設から
有害な量の放射性ガスか環境に放出された場合、その影
響が広範囲かつ長期間にわたる可能性がある。そのため
、安全性の確保を他の一般産業に比べて格段に厳しくす
ることが駅務づけられており、ti’l、射性ガスの処
理は現在重要な技術分野となっている。
放射性ガスのうち、問題となる可能性のあるガスはクリ
プトン85 (Kr−85と略称覆−る)であるが、K
r −85は半減期が10.7年と長寿命であるため長
期間貯蔵する必要かある。
このためKr −85のような放射性ガスを確実に貯蔵
する方法としては現在、高圧ホンベ貯蔵法、ゼオライト
吸着法およびイオン注入法による固定化法が知られてい
る。
このうら、高圧ボンベによる貯蔵法は放射性ガスをボン
ベなどの耐圧性圧力容器に封入して永久保存する方法で
あるが、定期的に圧力容器の耐圧試験を行なうことが法
令で義務づ(プられでいる。
そのため、その都度、貯蔵ガスを移し換えなければなら
ないなどの煩雑な作業か要求され、長期間の安全貯蔵の
確保のうえから問題点かおる。
また、ゼオライ1〜にKr −85ガスを吸着処理させ
る吸看法は高温、高圧下での操作が必要でおり、実用化
するには故多くの改善すべき問題点がある。
さらに、イオン注入法は常温、低温で処分操作かできる
だけでなく、経済性や安定性でも他の方法に比べて優れ
た方法とされ注目されている。以下、第4図から第6図
を参照しながらイオン注入法を用い−C放放射ガスを固
定処理するための従来の)jスの貯蔵処理方法とその装
置を説明する。
このイオン注入法によるガス貯蔵装置は第4図に示した
ように有底の円筒状イオン注入電極1の」端間1]に平
板状陽極蓋2がかぶされ下端開口に陽極底3か取り何け
られて容器が形成されて密閉構造となっている。イオン
注入電極1の上部および下部には絶縁リング/la、4
bが介在されており、この絶縁リング4 a、 4 b
により陽極蓋2および陽極底3とイオン注入電極1とは
電気的に絶縁されている。なあ、イオン注入電極1.陽
極蓋2ならびに絶縁リング4a、4bによって形成され
た密閉構造体を以降の説明では容器と称す。
容器内はイオン化室5を構成覆る。容器内の中心部には
円筒状スパッタ電極6が配置され、このスパッタ電極6
は陽極蓋7に嵌め込んだバーチメックシールなどの絶縁
嫡子7によって陽極蓋2と絶縁されている。
陽極蓋2には放射性ガスを導入するだめの吸気管8およ
び容器内を排気するための排気管9が接続されている。
排気管9は真空ポンプ等(図示Uず)に接続され、容器
内は一定の低圧力に保たれる。
スパッタ電極6にはスパッタ電源10が、イオン注入電
極1にはイオン注入電源11がそれぞれ接続されており
、イオン注入処理を行なうのに必要な電圧かそれぞれ印
加される。
第4図から第6図に示した符号12はイオン注入電極1
の内面に形成される放射性ガスのイオン層とスパッタ電
極6がスパッタリングして生じたコーティング層からな
るガス注入累積層(以下累積層と記す)である。符@1
3はガスのイオンを、符号14はスパッタ金属をそれぞ
れ示している。
次に上記ガス貯蔵処理装置を使用して放射性ガスを固定
化処理する方法について説明する。
上記放射性ガスの貯蔵装置では密閉されたイオン注入電
極1内のガス圧力とイオン注入電極1とスパッタ電極6
とに印加される電圧が適当な条件を満たす場合、イオン
化室5において放電が発生する。この放電によってガス
は電離し、イオン状態となって放電プラズマが形成され
る。
たとえばガス圧力を10−1〜10−3 Torrに維
持した状態で陽極蓋2とイオン注入電極1とを接地し、
スパッタ電源10とイオン注入電源11によってイオン
注入電極1に1kv以下の負電圧、スパッタ電極= 5
− 6に’lkV以上の負の高電圧をそれぞれ連続的に印加
する。
この電圧を印加することによってイオン化室5において
はガスのグロー放電が発生()、放射性ガスの電離が行
なわれガスイオン13が生成する。
この生成したガスイオン13は第5図に示ずように相対
的に強いスパッタ電極6の電界に沿って加速され、この
スパッタ電極6の表面に衝突してスパッタリングを起す
。その結果、叩き出されたスパッタリング金属14が対
向するイオン注入電極1の内面に付着して累積層12を
形成する。
また、これと同時に、一部のガスイオン13は第6図に
示すようにイオン注入電極1の電界の方に直接加速され
て累積層12内に打ち込まれ注入されていく。以後、累
積層12の累積を行ないながら、その累積層12内に放
射性ガスはガスイオンとなって連続的に注入されて固定
化処理される。
(発明が解決しようと覆る課題) このようなガス貯蔵処理装置の運転方法においてはガス
の注入固定化処理の定常運転を実施する前にイオン注入
電極とその上に形成される累積層との密着性を強固なも
のにするためにイオン注入電極を放電洗浄力る前処理運
転を行っている。放電洗浄は洗浄しようとする電極に負
の電圧を印加しガス放電を発生させる。これによりガス
をイオン化するとともにできたイオンを洗浄電極面に電
界力U速して叩きイ」(プることにより電極面等にイ」
着している酸化膜等の不純物を取り除く操作である。
この操作を行なわないでガスの注入固定化運転を実施す
るとイオン注入電極に(−1着していた湿気。
油分、異物、不純物ガス、酸化膜等が累積層との間に介
在し、イオン注入電極と累積層との付着力を低下させ密
着性を損なう。これによりガスの注入固定化運転中に累
積層か電極から剥れ落ちガスの再放出が生じたり、剥れ
落ちた累積層か電気的絶縁破壊を招来し、異常放電や装
置破損につながる。このため、従来は定常運転開始前の
前処理運転として、イオン注入電極についてのみ任意時
間の放電洗浄運転を行なうようにしていた。
しかしながら、本発明者の実験によればイオン注入電極
だけでなく、それと対向するスパッタ電極についても、
同様な放電洗浄操作を行なわないと強固な付着力が得ら
れないことが明らかになった。また、放電洗浄の効果を
実際に、かつ定量的に確認しない状態で放電洗浄運転を
単純に、任意時間実施するだけでは効率的かつ効果的な
放電洗浄を行なうことができないことも明らかになった
したがって、従来例においては累積層とイオン注入電極
の付着ツノ低下による影響が発生している問題点がある
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
放電洗浄運転を効率的かつ効果的に行なうことによって
、累積層とイオン注入電極との密着性(付着力)を強固
で完全なものとし、ガスの注入固定化処理に係わる前処
理運転および定常運転の効率、性能を高めるとともに、
安全性が向上した信頼性の高いガス貯蔵処理装置の運転
方法を提供するものである。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は負の高電圧を印加したスパッタ電極と負の電圧
を印加したイオン注入電極とを互いに接近した状態で設
置し、両電極間にガスを導入してグロー放電を生じさせ
、このグロー放電によって生成されたガスイオンを電界
加速し、前記スパッタ電極に衝突させて、スパッタリン
グ効果を起こさせ、そのスパッタリング効果ににっで生
じるスパッタ金属によるガス注入累積層を前記イオン注
入電極上に形成力るとともに前記ガスイオンを前記累積
層中に注入して封じ込めるガスの貯蔵処理装置の運転方
法において前記スパッタ電極、イオン注入電極の順に前
記両電極を定常運転開始前に放電洗浄することを特徴と
するガス貯蔵処理装置の運転方法でおる。
前記放電洗浄は前記両電極間にクリーンガスをフローさ
せながら洗浄すべき電極側に負の高電圧を印加し、グロ
ー放電を発生させて行なうとともに、この際の排ガスを
サンプリングし、放電洗浄排ガス中の不純物濃度を連続
的に測定して放電洗浄効果を定量的にモニタしながら放
電洗浄運転運転を制御する方式で行なうことを特徴とす
る。
(作 用) 本発明は、イオン注入電極の内面にスパッタ電極のスパ
ッタリング効果によって、ガスを注入固定化した累積層
を形成するガス貯蔵処理装置の前処理操作として、まず
、スパッタ電極を放電洗浄し、その後にイオン注入電極
を放電洗浄するとともに、放電洗浄中の排気ガスをサン
プリングし、連続的に排ガス中の不純物濃度を測定監視
することにより、放電洗浄効果を的確に確認しながら、
放電洗浄運転を行なって容器のずべての不純物を除去す
る。
また、この放電洗浄を確実に効率的かつ効果的に行なう
ために、イオン注入容器の排気系側に、不純物ガスの分
析装置を設置し、放電洗浄時に注入容器内から排出され
るガスをリアルタイムで分析し、放電ガスとして使用し
ている不活性ガス以外の成分(例えばH2,02、H2
0,CO2。
N2など)を連続的にモニタし、その不純物濃度レベル
か放電洗浄によって低下してゆくこと、っまり、放電洗
浄効果を実際に、かつ定量的に確認した上で、放電洗浄
操作を終了する。
(実施例) 以下、第1図から第2図を参照しながら本発明に係るガ
ス貯R処理装置の運転方法の一実施例について説明する
第1図は本発明に係る運転方法を実施するための要部の
みを原理的に示している。第2図は本発明の一実施例の
運転方法の手順を示すフロー工程図である。なお、第1
図中、第4図と同一部分には同一符号を付して重複する
部分の説明を省略する。
すなわち、第1図において、イオン注入電極1およびス
パッタ電極6はそれぞれの電源10.11に接続され、
ガスのイオン13はスパッタ電極6に引き寄せられ、不
純物18はガス分析装置19でその量が測定される。ガ
ス分析装置19の信号は電源10゜11に送られる。ガ
ス貯蔵処理装置の運転は第2図に示したように最初にイ
オン注入運転スタートと同時に、ガス貯蔵処理装置に付
設されている真空排気系を起動しく2a)、イオン注入
容器内を真空排気する(2b)。次に放電洗浄用クリー
ンガス(AI−、に+−などの不活性ガス)を容器内に
フローするとともに有害な被処理ガスを停止する(2C
)。これと同時に第1図におりるスパッタ電極6に電源
10から約−1000V程度の負電圧を印加して、グロ
ー放電を発生させる(2d)。この時、イオン注入電極
1は電圧が印加されていない状態となっている。
ここで、第1図に示すように放電によりイオン化したク
リーンガスのガスイオン13はスパッタ電極6の電界に
より強ノ〕に引きイ旧プられ加速されてついにはスパッ
タ電極6の表面層上でスパッタリングを起こす。このス
パッタ電極の放電洗浄(2e)により、スパッタ電極6
の表面層に付着していた酸化膜等の不純物18か取り除
かれ、容器内をフローしているクリーンガス(不活性ガ
ス)とともに排気され、不純物濃度が低下する(2f)
一方、イオン注入容器の排気側には、例えばガスクロマ
トグラフィーや質量分析等のガス分析装置19が設置さ
れてあり、排気ガス中に含まれる、例えばl−12、N
20.02 、 N2 、 CO2その他、不活性ガス
以外の成分等を連続的に測定監視し、放電洗浄効果を定
量的にモニタする。不純物濃度が十分低下し、放電洗浄
が効果的に行われたことを確認した後、YESならば電
源装置10/11に指令して、印加電圧の切り換えを行
ない、Noならばスパッタ電極の放電洗浄(2e)側へ
フィードバックする。つまり、スパッタ電圧6に印加さ
れていた負電圧をイオン注入電極1側に印加して(2(
])、今度は、イオン注入電極の放電洗浄を実施づる(
2h)。上記と同様に放電洗浄の効果、つまり不純物濃
度低下(21)を定量的に確認してYESならば真空排
気系停止(2j)でガスの注入固定化処理運転に係わる
前処理運転を完了する。ここで、不純物濃度の低下がN
oでおればイオン注入電極の放電洗浄(2h)へフィー
ドバックする。
前処理運転終了後は、クリーンガスの供給を停止し、ガ
ス導入系統を有害な被処理ガス系統に切り換え、処理ガ
スをイオン注入容器に導<(2k)。
そして、スパッタ電極おにびイオン注入電極それぞれに
ガスの注入固定化を行なうのに最適な電圧を印加(21
)して有害な被処理ガスの固定化処理運転(2m)を安
全かつ効率的に実施してゆく。
第3図はガス貯蔵処理装置を核燃料再処理工場に設置し
た場合の構成の一例を示したシステム構成図である。な
お、この第3図中、従来例の第4図と同一部分には同一
符号で示し、重複する部分の説明を省略する。第3図申
付号15はガスの導入量および固定化処理量を測定する
ための流」L16はガス貯蔵処理装置内のガス圧力を常
時監視する圧力計、17はガスのイオン注入固定化シス
テム全体の運転制御を行なうシステム制御器、1つはガ
ス分析装置、20は真空排気装置、21は核燃料再処理
工場における使用済燃料の再処理−じん断・溶解工程、
22は再処理せん断溶解工程21から発生するオフガス
中の固定化貯蔵すべき放射性Krガスを抽出するKtガ
ス分離装置、23は抽出したKt−処理ガスの一時貯留
装置、24は放電洗浄前処理運転に使用するKrのクリ
ーンガス供給装置、25a。
25b 、 25cはシステム制御器17の指令により
開閉づる制御バルブをそれぞれ示している。
次に上記構成による装置で本発明方法の適用例を説明す
る。
まず、制御バルブ25aと26bか閉、25cが開状態
において真空排気装置20か起動し、ガス貯蔵処理装置
のイオン化室5を排気装置20で真空排気する。次に制
御バルブ25aを開いてに+−のクリーンガス24をフ
ローさせ、スパッタ電源10によりスパッタ電極6に約
1ooov程度の負電圧を印加し、装置内のイオン化室
5で放電を発生させて、スパッタ電極6の放電洗浄を実
施する。この期間中、ガスU[気管9から排出される排
気ガスを連続的にサンプリングし、ガス分析装置19て
Kiガス以外の不純物ガス濃度を測定して、放電洗浄効
果を定量的に監視する。
これにより、放電洗浄が確実に行われたことが確認され
た後は、印加電圧かイオン注入電源11によりイオン注
入電極1側に切り換えてイオン注入= 15− 電極1について同様な放電洗浄を実施する。
そして、スパッタ電極6およびイオン注入電極1の両電
極の放電洗浄が完全に実施し得たことをもって、制御バ
ルブ25aと25cが閉となり、核燃料再処理工程側の
制御バルブ26bが開となって通常の放射性Krガスの
注入固定化運転が実施されることになる。
このように本発明においては、実際のガス注入固定化処
理を行なう前にスパッタ電極およびイオン注入電極の順
に放電洗浄を確実にかつ効率J:り行なうものである。
この両電極の放電洗浄操作を確実に実施することによっ
てはじめて、定常運転時に形成される累積層12とイオ
ン注入電極1の内面との密着性を強固なものとすること
ができ、形成された累積層12の剥れ落ら現象によって
誘発される諸々の不具合や危険な事故、装置破損等を防
止できる。
かくして、本発明に係るガスの貯蔵処理装置の運転方法
ではイオン注入固定化処理運転前の前処理としてスパッ
タ電極、イオン注入電極の順に両電極を放電洗浄すると
ともに、その放電洗浄効果を定量的かつ的確に確認しな
がらこれを行なう放電洗浄は前記両電極間にクリーンガ
スをフローさせながら洗浄すべき電極側に負の高電圧を
印加し、グロー放電を発生させて行なうとともに、この
時の排ガスをサンプリングし、放電洗浄排ガス中の不純
物濃度を連続的に測定して放電洗浄効果を定量的にモニ
タしながら放電洗浄処理運転を制御する。これにより注
入累積層とイオン注入電極との密着性を良好とし剥れ難
い注入累積層を形成しながら被処理ガスの注入固定化処
理の定常運転を安定かつ安全にしかも効率的に行なうこ
とができる。
[発明の効果] 本発明によれば次のような効果を奏する。
(1)放電洗浄を確実に行なうことができ、前処理運転
の効率向上が削れる。
(2)注入累積層とイオン注入電極の密着性を強固なも
のにすることが出来るため、人口のガスの貯蔵処理が行
なえ、生産性が向上する。
(3)ガス注入固定化運転中におけるイオン注入電極か
らの注入累積層の剥れ落ちによるガスの再放出現象を防
止できるためガスの注入固定化運転の効率向上が計れる
(4)注入累積層の剥れ落ちによる不具合や危険な事故
、装置破損等を防止でき、ガス注入固定化運転の安全性
が向上するとともに信頼性の高い装置となり得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るガス貯蔵処理装置の運転方法の一
実施例の原理を説明するための装置の要部のみを示す模
式図、第2図は本発明の一実施例の運転手順を示すフロ
ー工程図、第3図は本発明に係る運転方法を適用した他
のガス貯蔵処理装置を示すシステム構成図、第4図は従
来のガス貯蔵処理装置の運転方法を説明するためのガス
貯蔵処理装置の概略を示ず縦断面図、第5図および第6
図は第4図の原理と作用を説明するだめの横断面図であ
る。 1・・・イオン注入電極 2・・・陽極蓋 3・・・陽極底 4a、4b・・・絶縁リング 5・・・イオン化室 6・・・スパッタ電極 7・・・絶縁体 8・・・吸気管 9・・・排気管 10・・・スパッタ電源 11・・・イオン注入電源 12・・・ガス注入累積層 13・・・ガスのイオン 14・・・スパッタ金属 15・・・流量訂 16・・・圧力計 17・・・システム制御器 18・・・不純物 19・・・ガス分析装置 20・・・真空排気装置 21・・・核燃料再処理せん断溶解工程22・・・K1
−ガス分離装置 23・・・Kr処理ガス貯留装置 24・・・Krクリーンガス供給装置 25a 、 25b 、 25c ・・・制御バルブ(
8733)代理人 弁理士 猪 股 祥 晃(ばか 1
名) 第5図 第8 tF。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 負の高電圧を印加したスパッタ電極と負の電圧を印加し
    たイオン注入電極とを互いに接近した状態で設置し、両
    電極間にガスを導入してグロー放電を生じさせ、このグ
    ロー放電によつて生成されたガスイオンを電界加速し前
    記スパッタ電極に衝突させてスパッタリング効果を起こ
    させ、そのスパッタリング効果によって生じるスパッタ
    金属によるガス注入累積層を前記イオン注入電極面に形
    成するとともに前記ガスイオンを前記累積層中に注入し
    て封じ込めるガス貯蔵処理装置の運転方法において、前
    記スパッタ電極、イオン注入電極の順に前記両電極を定
    常運転開始前に放電洗浄することを特徴とするガス貯蔵
    処理装置の運転方法。
JP10029088A 1988-04-25 1988-04-25 ガス貯蔵処理装置の運転方法 Pending JPH01272998A (ja)

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