JPH01273213A - 薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 庄ｊＬｌ＝ユ刊■し辷１ 本発明は磁気記録・再主に使用される薄膜磁気ヘッドに
関するものであり、特に、その金属導体フィルの形成方
法に関する。

従来悲１１ 薄膜磁気ヘッドの従来の金属導体コイル形成方法につい
て、第３図を参照しながら説明する。なお、実際にはコ
イルの上・下部分に磁極となる金属膜、磁極とコイルを
分離するための絶縁層などが存在するが、それらは本発
明及び前提技術としては直接関連がないので、いたずら
に説明が複雑となるのをさけるため、従来技術ならびに
本発明の説明においては、磁極Ｏ絶縁層を省略して基板
とコイルのみについて説明する。

第３図は、従来の技術による金属導体コイルの形成プロ
セスを断面図により示している。第３図ａは、磁気ヘッ
ドの基板１の表面に金属導体膜２を形成し、その表面に
フォトリングラフィ技術によりコイルパターン状にフォ
トレジスト層３を形成した状態を示す。フォトレジスト
３は、金属導体膜２をコイルパターン状にエツチングす
るとき、パターン部分を積極的に露出させたり、或いは
逆に露出しよいようにマスキングするためのエツチング
マスクである。第３図すは金属導体膜２をエツチングし
おわった状態を示し、金属導体膜２のうちでフォトレジ
スト層３が表面に形成された部分だけがエツチングされ
ずに残っている。第３図Ｃは、フォトレジスト層３を除
去した状態を示し、この状態で、金属導体コイル６の形
成が完了する。

上記に説明した各工程の要素となる技術はすべて公知の
ものであって特に改めて説明することはない。

ロｓパ−ｉ” ところで、上述した金属導体コイルの従来の形成技術に
おいては、微細な塵の付着が原因となり、コイルとコイ
ルの間に金属導体残りが発生することがある。このこと
について、第４図を引用して説明する。第４図ａは先に
説明した第３図ａのプロセスと同じ工程にあるもので、
磁気ヘッド基板１の表面に金属導体膜２を形成し、その
表面にコイルパターン形状にフォトレジスト層３が形成
されている。ここで第４図ａが第３図ａと異なるのは、
第４図ａにおいては金属導体膜２の表面および内部に第
３図ａにはない微細な塵５が付着していることである。

なお、ここでは塵５の大きさがフォトレジスト層３同士
の間隔つまり、金属導体コイル６の間隔よりも小さいも
のを問題とする。

フォトレジスト層３をエツチングマスクとして、金属導
体膜２をエツチングすると、第４図すに示す状態になる
。これは前に説明した第３図すに対応している。しかし
第４図すにおいては、Ｉ！！５により金属導体膜２のエ
ツチングが阻止されて塵５と磁気ヘッド基板１にはさま
れた部分の金属導体膜２がエツチングされずに残ってし
まう。次にフォトレジスト層３を剥離することにより、
第４図Ｃの状態となる。これは第３図Ｃに対応するもの
であるが第３図Ｃと異なり、塵５によりエツチングされ
なかった金属導体膜２の一部が、金属導体残りスラッジ
７として、金属導体フィル６同士の間に残っている。こ
の金属導体残りスラッジ７が存在すると金属導体コイル
６同士の間の耐電圧が低くなること、また、金属導体コ
イル６にマイグレーシコンが発生したときにとなりの金
属導体コイル６と電気的にシロートするパスとなる虞れ
があることなどの不都合があるため、第４図Ｃのように
金属導体残りスラッジ７の有る薄膜磁気ヘッドは不良品
としなければならない。このために結果として、微小な
塵５のために薄膜磁気ヘッドの歩留まりが低（なり、価
格が高くなる。

。　゛　−の 上述したような、金属導体フィル間に微小なゴミにより
金属導体残りスラッジが発生しやすいという従来技術の
問題点を解決するために、本発明の薄膜磁気ヘッドは、
金属導体コイルのパターンとならない部分で、かつ磁気
ヘッド基板と金属導体膜との間に、金属導体コイルのパ
ターンをネガに反転した形状のダミーレジスト層を形成
することを特徴としている。

１且 本発明は前記の様なダミーレジスト層をとることにより
、金属導体コイル同士の間の位置に、コイル間隔よりも
小さな塵が存在していても、塵の直下にあってエツチン
グされない金属導体が、ダミーレジスト層を剥離するさ
いにダミーレジスト層と一緒に除去されてしまうので、
最終的に金属導体残りスラッジが発生したことにならず
、従来であれば不良品として扱わざるを得なかった薄膜
磁気ヘッドを良品とすることができる。

実」１例− 次に本発明の実施例について図面を引用して説明する。

第１図ａ　−Ｃは本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施
例を製造プロセスにしたがって説明する断面図である。

第１図ａにて、磁気ヘッド基板１の表面に、金属導体膜
２の形成より以前に、ダミーレジスト層４が形成され、
次に金属導体膜２、更にフォトレジスト層３が形成され
る。各々の形成させ方は公知のものでありここで特に述
べる特徴ハナイが、本発明の特徴はここでダミーレジス
ト層４を磁気ヘッド基板１と金属導体膜２との間に形成
することであり、ダミーレジスト層４は従来の技術には
見当たらない。ダミーレジスト層４は、材料としてはフ
ォトレジスト層３と同一の物質でよ（、たとえばＯ−ナ
フトキノンジアジドが適当である。そしてダミーレジス
ト層４のパターンはフォトレジスト層３のネガ、すなわ
ちフォトレジスト層３の有る部分にはダミーレジスト層
４がなく、ダミーレジストＢ４のある部分にはフォトレ
ジスト層３がないようなパターンになっている。

したがって実際のフォトリングラフィ工程においては、
ダミーレジスト層４用の露光用ガラスマスクはフォトレ
ジスト層３用の露光用ガラスマスクを、全くそのまま白
黒反転したものを使用すればよく、このことは露光用ガ
ラスマスクをダミーレジスト層４用に新規に設計・製作
する工数材料とを省いてくれる。

次にフォトレジスト層３をエツチング用マスクとして金
属導体膜２をエツチングすることにより、第１図すの形
状が得られる。ここでダミーレジスト層４はその上部に
有った金属導体膜２がエツチングされて無くなるため露
出した状態となる。次にフォトレジストＢ３及びダミー
レジスト層４をたとえば０２プラズマにより剥離するこ
とにより、どちらも消失して第１図Ｃに示すような金属
導体フィル６が得られる。このできあがり状態は、先に
説明した従来例第３図Ｃの工程と全く同じであり、した
がって金属導体Ｍ２の表面ないし内部に塵が無い場合は
ダミーレジスト層４は特に効果もないし、害にもならな
い。

しかし、金属導体膜２の表面ないし膜内部に塵が存在す
る場合は、状況が異なる。先に第４図ａ〜Ｃを引用して
説明したとおり塵が存在した場合には従来の方法によっ
ては、金属導体残りスラッジが金属導体コイル間に発生
して、磁気ヘッドが不良品となってしまうのが、本発明
の方法によれば、そのような場合にも金属導体残りスラ
ッジが発生せず、磁気ヘッドが不良となることがない。

このことを第２図ａ　−Ｃによって以下に説明する。

第２図ａは、前述した第１図ａに対応する工程の断面図
であり、磁気ヘッド基板１０表面に、まずダミーレジス
ト層４、次に金属導体膜２、最後にフォトレジスト層３
が形成された状態の断面構造水している。ここで第１図
ａと異なるのは、金属導体膜２の表面及び内部に塵５が
付着していることである。なお、本発明はｕ５の大きさ
が、後に形成される金属導体コイル６のコイル間間隔よ
りは小さいものを対象としている。

フォトレジスト層３をエツチング用レジスト層として金
属導体膜２をエツチングすることにより、第２図すに示
すように、フォトレジスト層３と接する部分を除いて金
属導体膜２はエツチング除去される。しかし、第１図す
の場合と異なり、塵５が存在するために、金属導体膜２
のｕ５と接する部分についても望ましくないことながら
、エツチング除去されずに残っている。この状況は、従
来技術について説明した第４図すと同様である。

次にフォトレジスト層３およびダミーレジスト層４を、
０２プラズマ等の方法により剥離すると、フォトレジス
ト３およびダミーレジスト４が金属導体膜２および磁気
ヘッド基板１の表面から消失する。このとき、第２図す
にてみられる金属導体残りは、磁気ヘッド基板１に付着
しているのではなく、ダミーレジスト層４に付着してい
るため、ダミーレジスト層４が剥離・消失するのと同時
に除去される。（この点、従来技術である第４図すにお
いては、金属導体残りスラッジが、磁気ヘッド基板１に
直接付着しているため、金属導体残りスラッジを除去す
ることができない。）したがって、フォトレジスト層３
およびダミーレジスト層４の除去後は、第２図Ｃのよう
に、金属導体残りのない、完全な金属導体コイル６が、
あたかも塵５が存在しなかったごとく、第１図Ｃと同じ
ように得られる。

光」ｂ≧徒釆− 以上説明したように、本発明は、磁気ヘッド基板上に金
属導体膜、その上にエツチング用フォトレジスト形成し
たのち、フォトレジストをエツチングマスクとして金属
導体膜をエツチングして金属導体コイルを形成してなる
誘導型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気ヘッド基板と金属
導体膜の間に、エツチング用フォトレジストを反転した
ネガパターンで、ダミーレジストを形成しておき、金属
導体膜のエツチング後に、エツチング用フォトレジスト
およびダミーレジストを剥離することにより、金属導体
膜の表面ないし内部に塵が存在することにより発生する
金属導体エツチング残りを、ダミーレジストと共に除去
することができる。これにより、従来は塵に起因するコ
イル間導体残りスラッジ発生のために不良品とせざるを
得なかった磁気ヘッドが、塵が存在しても、コイル間導
体残りスラッジが発生しないために良品とすることが可
能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ−Ｃは、本発明によるダミーレジストを付加し
た、金属導体コイル形成法をプロセス類に説明した断面
図であり、塵が金属導体膜の表面ないし内部に付着して
いない場合のものである。 第２図ａ−Ｃは、第１図ａ　−Ｃと同様に本発明の詳細
な説明断面図であって塵が金属導体膜の表面ないし内部
に付着している場合でも欠陥の無い金属導体コイルが形
成されることを示す。 第３図ａ−Ｃは、従来技術の、金属導体コイルを形成す
るプロセス類に説明した断面図であり、第４図ａ−Ｃは
第３図ａ　−Ｃと同様であるが、但し、金属導体膜の表
面又は内部に塵が存在している場合のものであり、この
とき金属導体残りスラッジが発生することを示している
。 １・・・磁気ヘッド基板、 ２・・・金属導体膜、 ３・・・ブオトレジスト層、 ４・・・ダミーレジスト層、 ５・・・塵、 Ｎｄ　　　　　　　　　　　Ω　　　　　　　　巳−ノ
　　　　　　　　　　　　　　　　　−ノ閣 慨

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁気ヘッド基板上に、金属導体膜、その上にエッチング
   用フォトレジスト層を形成したのち、フォトレジスト層
   をエッチングマスクとして金属導体膜をエッチングして
   金属導体コイルを形成する誘導型薄膜磁気ヘッドのコイ
   ル形成方法において、金属導体コイルのパターンとなら
   ない部分で、かつ磁気ヘッド基板と金属導体膜との間に
   、ダミーレジスト層を形成しておき、金属導体膜のエッ
   チング後に、エッチング用フォトレジスト層およびダミ
   ーレジスト層を剥離することにより金属導体コイルを形
   成することを特徴とする、薄膜磁気ヘッドのコイル形成
   方法。