JPH01273365A - 透光性表示パネル - Google Patents
透光性表示パネルInfo
- Publication number
- JPH01273365A JPH01273365A JP63101427A JP10142788A JPH01273365A JP H01273365 A JPH01273365 A JP H01273365A JP 63101427 A JP63101427 A JP 63101427A JP 10142788 A JP10142788 A JP 10142788A JP H01273365 A JPH01273365 A JP H01273365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- glass substrate
- emitting element
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は１例えば自動車９列車等の移動体の運転者の前
に設置されるヘットアップデイスプレィ、数字１文字等
のメツセージを高級感をもって表示するデバイスの如き
透光性表示パネルに関するものである。
に設置されるヘットアップデイスプレィ、数字１文字等
のメツセージを高級感をもって表示するデバイスの如き
透光性表示パネルに関するものである。
（従来技術〕
この種の透光性表示パネルは９例えば、実願昭６２−１
６８５３５号に記載されているように、ガラス基板の上
に設けられたＩＴＯ（Ｉｎ２０：＋ ” Ｓ ｎ ０２
）の透明電極と、この透明電極の上に絶縁層を介して
設けられた蛍光体と。
６８５３５号に記載されているように、ガラス基板の上
に設けられたＩＴＯ（Ｉｎ２０：＋ ” Ｓ ｎ ０２
）の透明電極と、この透明電極の上に絶縁層を介して
設けられた蛍光体と。
この蛍光体の上に絶縁層を介して設けられたＩＴＯの透
明電極と、これらの素子を囲むようにガラス基板に取付
けられたガラスハウジングと、このガラスハウジングに
注入されたシリコンオイルの如き透明封止材とを含む薄
膜エレクトロルミネセンス表示素子から成っている。
明電極と、これらの素子を囲むようにガラス基板に取付
けられたガラスハウジングと、このガラスハウジングに
注入されたシリコンオイルの如き透明封止材とを含む薄
膜エレクトロルミネセンス表示素子から成っている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、このような透光性表示パネルは９本質的にガラ
ス基板を通してみえる背景上に高輝度の文字、数字等か
浮き上がるように発光して表示するので上記の薄膜エレ
クトロルミネセンス表示素子のように可視域透過率か７
０％以上あるものよりも明るい初夏の昼光下や雪道を走
る場合の自動車走行環境下ては透過率か５０％程度のや
や暗い画面かむしろよく、また高級しストラン等て用い
られるメツセージ、金額等を表示するマルチメツセージ
ては高級感を印象づけるために透過率か低いいわゆるツ
ロンズガラス調のものか好まれることかあり、こねまて
透過率か高いことか必要条件てあった薄膜エレクトロル
ミネセンス表示素子は適さないことか解った。また、薄
膜エレクトロルミネセンス表示素子はその駆動電圧か２
００Ｖと高いためにその画素のオン・オフには３００Ｖ
程度の耐圧性か要求され、且つ駆動時のオン抵抗かｌＯ
Ω程度て耐圧性ＩＣか必要となって全体的に高価となる
欠点かあった。更に、Ｑ［エレクｌ−ロルミネセンス表
示素子はＬＥＤ （発光ダイオード）に比べて輝爪及び
効率か低い欠点かあった。
ス基板を通してみえる背景上に高輝度の文字、数字等か
浮き上がるように発光して表示するので上記の薄膜エレ
クトロルミネセンス表示素子のように可視域透過率か７
０％以上あるものよりも明るい初夏の昼光下や雪道を走
る場合の自動車走行環境下ては透過率か５０％程度のや
や暗い画面かむしろよく、また高級しストラン等て用い
られるメツセージ、金額等を表示するマルチメツセージ
ては高級感を印象づけるために透過率か低いいわゆるツ
ロンズガラス調のものか好まれることかあり、こねまて
透過率か高いことか必要条件てあった薄膜エレクトロル
ミネセンス表示素子は適さないことか解った。また、薄
膜エレクトロルミネセンス表示素子はその駆動電圧か２
００Ｖと高いためにその画素のオン・オフには３００Ｖ
程度の耐圧性か要求され、且つ駆動時のオン抵抗かｌＯ
Ω程度て耐圧性ＩＣか必要となって全体的に高価となる
欠点かあった。更に、Ｑ［エレクｌ−ロルミネセンス表
示素子はＬＥＤ （発光ダイオード）に比べて輝爪及び
効率か低い欠点かあった。
本発明の目的は、ｈ記の欠点を回避し、低い駆動電圧て
高い輝度を得ることかてき、また透過率を低くすること
かてきる薄型て軽量の透光性表示パネルを得ることにあ
る。
高い輝度を得ることかてき、また透過率を低くすること
かてきる薄型て軽量の透光性表示パネルを得ることにあ
る。
（課題を解決するための４段）
本発明は、ｈ記の課題を解決するために２画素毎に微細
な溝か形成されたガラス基板と、このガラス基板上にｐ
−ｎ接合を有する半導体化合物結晶の薄膜をエピタクシ
ー成長させて形成されたＬＥＤ発光素子と、このＬＥＤ
発光素子の１層とｎ層との上に設けられた電極と、ｐ層
電極とｎ層電極とを直交して結ぶボンディングワイヤと
から成っていることを特徴とする透光性表示パネルを提
供するものである。
な溝か形成されたガラス基板と、このガラス基板上にｐ
−ｎ接合を有する半導体化合物結晶の薄膜をエピタクシ
ー成長させて形成されたＬＥＤ発光素子と、このＬＥＤ
発光素子の１層とｎ層との上に設けられた電極と、ｐ層
電極とｎ層電極とを直交して結ぶボンディングワイヤと
から成っていることを特徴とする透光性表示パネルを提
供するものである。
（作用）
このように発光素子はｐ−ｎ接合を有する半導体化合物
結晶の薄膜をエピタクシーでＴ＆長させて形成されてい
るので低い駆動電圧で高い輝度を得ることができるか、
特に透過率を低く抑えてコントラストをよくすることか
できる。
結晶の薄膜をエピタクシーでＴ＆長させて形成されてい
るので低い駆動電圧で高い輝度を得ることができるか、
特に透過率を低く抑えてコントラストをよくすることか
できる。
（実施例）
本発ＩＪＩの実施例を図面を参照して詳細に説明すると
、第１図は本発明に係る透光性表示パネル１０を示し、
この透光性表示パネルｌＯは。
、第１図は本発明に係る透光性表示パネル１０を示し、
この透光性表示パネルｌＯは。
ガラス基板１２と、このガラス基板１２上にｐ−ｎ接合
を有する半導体化合物結晶のＦｉＭをエピタクシー成長
させて形成された発光素子１４と、この発光素子の９層
１４Ｂと０層１４Ａとの−Ｆにそれぞれ設けられた電極
１６．１８と。
を有する半導体化合物結晶のＦｉＭをエピタクシー成長
させて形成された発光素子１４と、この発光素子の９層
１４Ｂと０層１４Ａとの−Ｆにそれぞれ設けられた電極
１６．１８と。
０層電極１６と２層電極１８とを直交して結ぶボンディ
ングワイヤ２０とから成っている。ガラス基板１２は、
第２図に示すように１画素毎に微細なｙｔ２２が設けら
れており１発光素子１４はこの微細溝２２上に形成され
ている。
ングワイヤ２０とから成っている。ガラス基板１２は、
第２図に示すように１画素毎に微細なｙｔ２２が設けら
れており１発光素子１４はこの微細溝２２上に形成され
ている。
次に１本発明の透光性表示パネルの具体例をのべると、
ガラス基板１２は厚さか１．２ｍｍの硼硅酸ガラスの表
面を硝酸を用いるかまたはプラズマクリーニング法を用
いて洗浄した後この洗浄された表面にＳ ｉ Ｏ２膜を
０．５ＡＬｍの厚みでＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴
）プラズマＣＶＤ法によって形成する。尚、この場合、
基板温度はｉｏｏｏＣとし、パワーは１００Ｗ７６ｉｎ
ｃｈφとし、５ＩＨ４１０２で流量は１０／ＩＯ３ｃｃ
Ｍとした０次いで、この５ｉｆ２膜の上にレジストをス
ピンコーチ・インクによって０．２μｍの厚みて塗布し
、その後フォトリソグラフィー法によってレジストパタ
ーンを形成し、更にＥＣＲプラズマを用いた反応性イオ
ンエツチングによって２．Ｏｍｍｘ２．Ｏｍｍのドツト
画素毎に第２１Ａに示すように０−２ＪＬｍの深さで２
ルｍの幅の微細な溝を形成する。
ガラス基板１２は厚さか１．２ｍｍの硼硅酸ガラスの表
面を硝酸を用いるかまたはプラズマクリーニング法を用
いて洗浄した後この洗浄された表面にＳ ｉ Ｏ２膜を
０．５ＡＬｍの厚みでＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴
）プラズマＣＶＤ法によって形成する。尚、この場合、
基板温度はｉｏｏｏＣとし、パワーは１００Ｗ７６ｉｎ
ｃｈφとし、５ＩＨ４１０２で流量は１０／ＩＯ３ｃｃ
Ｍとした０次いで、この５ｉｆ２膜の上にレジストをス
ピンコーチ・インクによって０．２μｍの厚みて塗布し
、その後フォトリソグラフィー法によってレジストパタ
ーンを形成し、更にＥＣＲプラズマを用いた反応性イオ
ンエツチングによって２．Ｏｍｍｘ２．Ｏｍｍのドツト
画素毎に第２１Ａに示すように０−２ＪＬｍの深さで２
ルｍの幅の微細な溝を形成する。
尚、Ｓｉｎ、の成膜及びそのエツチングにＥＣＲプラズ
マＣＶＤ法を用いたのはこの方法で形成された膜は異方
性が高く、基板から成長する膜の方向にほぼ直角に近い
パターンでエツチングか行なわれ１通常の化学エツチン
グまたはスパッタリングによるエツチングて生ずる基板
表面近くの数１００人の径のエツチング残か生ずること
がないからである。
マＣＶＤ法を用いたのはこの方法で形成された膜は異方
性が高く、基板から成長する膜の方向にほぼ直角に近い
パターンでエツチングか行なわれ１通常の化学エツチン
グまたはスパッタリングによるエツチングて生ずる基板
表面近くの数１００人の径のエツチング残か生ずること
がないからである。
次に、このガラス基板の上にＬＥＤ発光素子を形成する
ために、ガラス基板に３０〜３５Ｖのバイアス電圧をか
けなからＧａＰの薄膜をＥＣＲプラズマＣＶＤ法によっ
て形成する。尚。
ために、ガラス基板に３０〜３５Ｖのバイアス電圧をか
けなからＧａＰの薄膜をＥＣＲプラズマＣＶＤ法によっ
て形成する。尚。
この際、基板温度は４００°Ｃて原料ガスとしてはトリ
メチルガリウムを３〜５ＳＣＣＭのｆｉｌ Ｍ）で、ま
たホスフィンを１５〜２０ＳＣＣＭの流量で流し、パワ
ーは６０Ｗ７６ｉｎｃｈφとし、ガス圧力は２ ｘ ｌ
Ｏ−’Ｔｏｒｒとした。そして、２層を形成するため
に原料ガス中にＺｎをジメチル亜鉛の形態でＨ２キャリ
アガスに０．２体積％トープし、またｎ層を形成するた
めにＮをアンモニアの形態てＨ２キャリアガス中に０．
３体積％ドープしてｐ−ｎ接合を形成した。この場合、
２層の厚みは３０μｍで、ｎ層の厚みは１１００ｐであ
り、ガラス基板上にｎ層、Ｐ層の順にエピタキシー成長
させてＬＥＤ発光層を形成した。尚、この時のＰ＋”各
層のキャリア濃度はそれぞれ７ｘｌＯ”ｃｍ−’、２ｘ
ｌＯ”ｃｍ−’で良好な結果を得ている。また、ｎ層を
形成した段階でエッチピット密度は１ｘ１０６／ｃｍ２
で通常のＧａＰエピタキシー基板を用いた時の値よりも
１桁程度低いか９発光ダイオード特性には大きな影響を
及ぼしていないことか解った。
メチルガリウムを３〜５ＳＣＣＭのｆｉｌ Ｍ）で、ま
たホスフィンを１５〜２０ＳＣＣＭの流量で流し、パワ
ーは６０Ｗ７６ｉｎｃｈφとし、ガス圧力は２ ｘ ｌ
Ｏ−’Ｔｏｒｒとした。そして、２層を形成するため
に原料ガス中にＺｎをジメチル亜鉛の形態でＨ２キャリ
アガスに０．２体積％トープし、またｎ層を形成するた
めにＮをアンモニアの形態てＨ２キャリアガス中に０．
３体積％ドープしてｐ−ｎ接合を形成した。この場合、
２層の厚みは３０μｍで、ｎ層の厚みは１１００ｐであ
り、ガラス基板上にｎ層、Ｐ層の順にエピタキシー成長
させてＬＥＤ発光層を形成した。尚、この時のＰ＋”各
層のキャリア濃度はそれぞれ７ｘｌＯ”ｃｍ−’、２ｘ
ｌＯ”ｃｍ−’で良好な結果を得ている。また、ｎ層を
形成した段階でエッチピット密度は１ｘ１０６／ｃｍ２
で通常のＧａＰエピタキシー基板を用いた時の値よりも
１桁程度低いか９発光ダイオード特性には大きな影響を
及ぼしていないことか解った。
このように形成されたｐ−ｎ接合のＬＥＤ発光層はフォ
トリソグラフィー法または化学エツチング法によって２
ｍ ｍ 幅て０．５ｍ間隔て画素毎に分割してＬＥＤ
発光素子を形成するようにパターニングされる。第３図
はこのパターニングの方法を工程順に示し、先ず第３図
（Ａ）乃至（Ｄ）に示すように、ＬＥＤ発光層の上にレ
ジスト２２を９０ｕＬｍの幅で塗布しく第３図（Ｂ）参
照）、ｘ−ｙ方向にＧａＰ膜をエツチングして０層１４
Ａのパターンを形成しく第３図（Ｃ）参照）、レジスト
２２を除去した後（第３図（Ｄ）参照）、ｎ層のパター
ンの上に他のレジスト２４を塗布しく第３図（Ｅ）参照
）、ＧａＰをエツチングして２層１４Ｂの一部を除去し
く第３図（Ｆ）参照）、その後、１層１４Ａｌｐ層１４
Ｂの上にレジスト２６を被覆した後１発光層の溝をポリ
アミド樹脂２８で６０ｇｍ厚みに埋め（第３図（Ｇ）参
照）、最後にレジスト２６を除去する。
トリソグラフィー法または化学エツチング法によって２
ｍ ｍ 幅て０．５ｍ間隔て画素毎に分割してＬＥＤ
発光素子を形成するようにパターニングされる。第３図
はこのパターニングの方法を工程順に示し、先ず第３図
（Ａ）乃至（Ｄ）に示すように、ＬＥＤ発光層の上にレ
ジスト２２を９０ｕＬｍの幅で塗布しく第３図（Ｂ）参
照）、ｘ−ｙ方向にＧａＰ膜をエツチングして０層１４
Ａのパターンを形成しく第３図（Ｃ）参照）、レジスト
２２を除去した後（第３図（Ｄ）参照）、ｎ層のパター
ンの上に他のレジスト２４を塗布しく第３図（Ｅ）参照
）、ＧａＰをエツチングして２層１４Ｂの一部を除去し
く第３図（Ｆ）参照）、その後、１層１４Ａｌｐ層１４
Ｂの上にレジスト２６を被覆した後１発光層の溝をポリ
アミド樹脂２８で６０ｇｍ厚みに埋め（第３図（Ｇ）参
照）、最後にレジスト２６を除去する。
ｎ層電極は０層１４Ａの上にＡ ｕ −Ｓ ｉをストラ
イプ状に成膜して形成し、１層電極は２層１４Ｂの上に
Ａｕ−Ｂｅを８．膜して形成し、またコンパクトバッド
を成膜して形成する。これらの電極及びコンパクトバッ
ドはマスクを用いた真空蒸着法によって容易に形成され
る。Ａｕボンディングワイヤ２０はｎ層電極と１層電極
とを結ぶ。
イプ状に成膜して形成し、１層電極は２層１４Ｂの上に
Ａｕ−Ｂｅを８．膜して形成し、またコンパクトバッド
を成膜して形成する。これらの電極及びコンパクトバッ
ドはマスクを用いた真空蒸着法によって容易に形成され
る。Ａｕボンディングワイヤ２０はｎ層電極と１層電極
とを結ぶ。
このように発光素子がｐ−ｎ接合を有する半導体化合物
結晶の薄膜をエピタクシーで成長させて形成すると、低
い駆動電圧で高い輝度を得ることができ、一方パネル全
体の透過率は発光素子の不透明性とガラス基板の微細な
溝とによって低く抑えられるのでコントラストをよくす
ることかてきる。測定の結果、上記のようにして形成さ
れたドツトマトリックス型表示パネルは、駆動電圧ｌＯ
ｖで輝度は１８０ ｃ ｄ ／ ｍ ”であってその効
率はｏ、ｉｉ％であり、また可視光透過度は５２％であ
った。
結晶の薄膜をエピタクシーで成長させて形成すると、低
い駆動電圧で高い輝度を得ることができ、一方パネル全
体の透過率は発光素子の不透明性とガラス基板の微細な
溝とによって低く抑えられるのでコントラストをよくす
ることかてきる。測定の結果、上記のようにして形成さ
れたドツトマトリックス型表示パネルは、駆動電圧ｌＯ
ｖで輝度は１８０ ｃ ｄ ／ ｍ ”であってその効
率はｏ、ｉｉ％であり、また可視光透過度は５２％であ
った。
尚、上記実施例では、エピタキシー膜としてＧａＰを用
いたか、これ以外にＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等＋７）Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物、５ｉＣ（７）如き１ｖ−ＩＶ族化合
物またはＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等のｌｌ−Ｖｌ族化合物を用
いることもてきる。
いたか、これ以外にＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等＋７）Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物、５ｉＣ（７）如き１ｖ−ＩＶ族化合
物またはＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等のｌｌ−Ｖｌ族化合物を用
いることもてきる。
本発明によれば、上記のように、低い駆動電圧で高い輝
度を得ることかできる上にパネルの透過率は低く抑えら
れているのてコントラストが向上し、且つすべての素子
か一体成形されるので安価に提供することかできる実益
がある。
度を得ることかできる上にパネルの透過率は低く抑えら
れているのてコントラストが向上し、且つすべての素子
か一体成形されるので安価に提供することかできる実益
がある。
第１図は本発明に係る透光性表示パネルの要部の拡大斜
視図、第２図は第１図のパネルの画素パターンを示す斜
視図、第３図（Ａ）乃至（Ｇ）は発光素子を形成する工
程を順に示す断面図である。 １０−−−−−一透光性表示パネル、１２−−−−−ガ
ラス基板、１４−−−−−ＬＥＤ発光素子、１６．１８
−−一−−ｎ層及び１層電極。 ２０−−−−−ボンデインクワイヤ。
視図、第２図は第１図のパネルの画素パターンを示す斜
視図、第３図（Ａ）乃至（Ｇ）は発光素子を形成する工
程を順に示す断面図である。 １０−−−−−一透光性表示パネル、１２−−−−−ガ
ラス基板、１４−−−−−ＬＥＤ発光素子、１６．１８
−−一−−ｎ層及び１層電極。 ２０−−−−−ボンデインクワイヤ。
Claims (1)
- 画素毎に微細な溝が形成されたガラス基板と、前記ガ
ラス基板上にｐ−ｎ接合を有する半導体化合物結晶の薄
膜をエピタクシー成長させて形成されたＬＥＤ発光素子
と、前記ＬＥＤ発光素子のｐ層とｎ層との上に設けられ
た電極と、前記ｐ層電極とｎ層電極とを直交して結ぶボ
ンディングワイヤとから成っていることを特徴とする透
光性表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101427A JPH01273365A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 透光性表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101427A JPH01273365A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 透光性表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273365A true JPH01273365A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14300408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101427A Pending JPH01273365A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 透光性表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273365A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006301639A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Crf Soc Consortile Per Azioni | 透明ｌｅｄディスプレイ |
| JP2006301650A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Crf Soc Consortile Per Azioni | 透明なｌｅｄディスプレイ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63101427A patent/JPH01273365A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006301639A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Crf Soc Consortile Per Azioni | 透明ｌｅｄディスプレイ |
| JP2006301650A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Crf Soc Consortile Per Azioni | 透明なｌｅｄディスプレイ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20250255060A1 (en) | Unit pixel having light emitting device, pixel module and displaying apparatus | |
| US7781778B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same employing nanowires and a phosphor film | |
| US8344353B2 (en) | Light emitting diode having a transparent substrate | |
| JPH09153644A (ja) | ３族窒化物半導体表示装置 | |
| CN111129062B (zh) | Led显示模组、led显示屏及制作方法 | |
| CN115458645B (zh) | 一种集成式彩色Micro LED的防串扰结构制造方法 | |
| CN101256309A (zh) | Led背光装置和lcd装置 | |
| CN114975699B (zh) | 一种全彩氮化物半导体Micro-LED阵列的单片集成制备方法 | |
| FR3083045A1 (fr) | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes | |
| CN110416243A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| JPH0553511A (ja) | カラーデイスプレイ装置 | |
| CN105552087B (zh) | 一种led微型阵列透明显示装置 | |
| CN109390368B (zh) | 微显示器件及其制备方法、显示面板 | |
| JPH01273365A (ja) | 透光性表示パネル | |
| KR20050113227A (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JPS60253286A (ja) | メサエツチング分離型モノリシツク表示発光ダイオ−ド | |
| JPS6187381A (ja) | 半導体装置 | |
| CN114975507B (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
| JPH0213988A (ja) | 多色ディスプレイとその製造方法 | |
| CN1750280A (zh) | 一种发光元件及其制造方法 | |
| CN108735102A (zh) | 一种柔性显示屏及其生产方法 | |
| JPS6216583A (ja) | メサ型モノリシック発光ダイオードアレイ | |
| JPS58121690A (ja) | ＳｉＣ発光ダイオ−ド | |
| JP2025073978A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP2025008930A (ja) | マイクロｌｅｄの製造方法と発光素子および表示装置 |