JPH01274418A - 半導体熱処理装置 - Google Patents
半導体熱処理装置Info
- Publication number
- JPH01274418A JPH01274418A JP10464988A JP10464988A JPH01274418A JP H01274418 A JPH01274418 A JP H01274418A JP 10464988 A JP10464988 A JP 10464988A JP 10464988 A JP10464988 A JP 10464988A JP H01274418 A JPH01274418 A JP H01274418A
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- JP
- Japan
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- wafers
- wafer
- heat treatment
- flat
- heaters
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体熱処理装置に関し、特に拡散炉に関する
。
。
［従来の技術］
第３図は従来の拡散炉の縦断面の模式図である。図にお
いて、従来、この種の拡散炉は、石英あるいは炭化ケイ
素製のボート５上にウェーハ２を近接させて並へ、これ
を石英あるいは炭化ケイ素製の円筒型炉心管４に入れ、
炉心管を外部の電熱ヒータ６で加熱する方式になってお
り、ウェーハ２の出し入れは炉の温度を上げた状態で、
ウェーハ２を並べたボート５をゆっくり出し入れするこ
とによって行っていた。
いて、従来、この種の拡散炉は、石英あるいは炭化ケイ
素製のボート５上にウェーハ２を近接させて並へ、これ
を石英あるいは炭化ケイ素製の円筒型炉心管４に入れ、
炉心管を外部の電熱ヒータ６で加熱する方式になってお
り、ウェーハ２の出し入れは炉の温度を上げた状態で、
ウェーハ２を並べたボート５をゆっくり出し入れするこ
とによって行っていた。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の拡散炉では、ボート５上にウェーハ２を
３〜５ｍｍの間隔で並べそのまま一括して人出炉及び熱
処理を行う方式となっている。
３〜５ｍｍの間隔で並べそのまま一括して人出炉及び熱
処理を行う方式となっている。
この方式ではウェーハ２が両隣のウェーハから受ける熱
輻射が大゛きく、しかも第４図に示すウェーハ２上のＡ
とβのような位置では単位面積当たりに受ける熱輻射量
が違ってくるために、系が熱平衡にない昇降温時の状態
では、ウェーハ２の面内で温度の差が大きくなってウェ
ーハにスリップやそり、歪みが発生し易い。
輻射が大゛きく、しかも第４図に示すウェーハ２上のＡ
とβのような位置では単位面積当たりに受ける熱輻射量
が違ってくるために、系が熱平衡にない昇降温時の状態
では、ウェーハ２の面内で温度の差が大きくなってウェ
ーハにスリップやそり、歪みが発生し易い。
ウェーハにスリップが発生した場合、スリップが発生し
た領域では特性の正常な製品は期待できないし、又、ウ
ェーハにそりや歪みが発生した場合は露光工程における
パターンの目合わせが困難になり、共に大きな問題であ
る。
た領域では特性の正常な製品は期待できないし、又、ウ
ェーハにそりや歪みが発生した場合は露光工程における
パターンの目合わせが困難になり、共に大きな問題であ
る。
ウェーハのスリップやそり、歪みは、ウェーハを近接し
て平行に並べ、そのまま−括して人出炉させる限り避け
られない現象であるから、通常は人出炉をできるだけゆ
っくりと行い、系を準平面状態にして昇降温させること
により、その発生を緩和させているが、その分作業時間
が長くなるという欠点がある。
て平行に並べ、そのまま−括して人出炉させる限り避け
られない現象であるから、通常は人出炉をできるだけゆ
っくりと行い、系を準平面状態にして昇降温させること
により、その発生を緩和させているが、その分作業時間
が長くなるという欠点がある。
既に、直径１２５ｍｍのウェーハの場合でも、薄い酸化
膜の形成の工程などでは必要な熱処理の時間よりも必要
な人出炉時間の方が長くなっているが、今後ウェーハ２
が大口径化してゆくに従って更に一層スリップやそり、
歪みが発生し易くなるので、ますます人出炉時間を長く
しなければならなくなる。
膜の形成の工程などでは必要な熱処理の時間よりも必要
な人出炉時間の方が長くなっているが、今後ウェーハ２
が大口径化してゆくに従って更に一層スリップやそり、
歪みが発生し易くなるので、ますます人出炉時間を長く
しなければならなくなる。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体熱処理装置を
提供することにある。
提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来の拡散炉が円筒型の炉心管を有し、その炉
心管の中にウェーハを３〜５ｍｍ間隔で並べたボートを
入れ、炉心管の外側を囲む電熱ヒータで加熱することに
よって熱処理を行う構造であるのに対し、本発明はウェ
ーハ面積以上の大きさの対をなす平行平板型ヒータを有
し、その対をなす平行平板型ヒータ間の一平面上にウェ
ーハを配置し熱処理を行うことにより、ウェーハ、は他
のウェーハからの熱輻射を受けず、しかも両側の平行平
板型ヒータはウェーハよりも十分に面積が大きいので、
単位面積当たりに受ける熱輻射量が均一になり、高速で
ウェーハの出し入れを行フてもスリップやそり、歪みは
発生しないという相違点を有する。
心管の中にウェーハを３〜５ｍｍ間隔で並べたボートを
入れ、炉心管の外側を囲む電熱ヒータで加熱することに
よって熱処理を行う構造であるのに対し、本発明はウェ
ーハ面積以上の大きさの対をなす平行平板型ヒータを有
し、その対をなす平行平板型ヒータ間の一平面上にウェ
ーハを配置し熱処理を行うことにより、ウェーハ、は他
のウェーハからの熱輻射を受けず、しかも両側の平行平
板型ヒータはウェーハよりも十分に面積が大きいので、
単位面積当たりに受ける熱輻射量が均一になり、高速で
ウェーハの出し入れを行フてもスリップやそり、歪みは
発生しないという相違点を有する。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため、本発明の半導体熱処理装置に
おいては、ウェーハ面積以上の大きさの対をなす平行平
板型ヒータを有し、対をなす該平行平板型ヒータ間の一
平面上にウェーハを配置して熱処理を行うようにしたも
のである。
おいては、ウェーハ面積以上の大きさの対をなす平行平
板型ヒータを有し、対をなす該平行平板型ヒータ間の一
平面上にウェーハを配置して熱処理を行うようにしたも
のである。
［実施例］
次に、本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１である拡散炉の炉心部の模式
図である。図において、対をなす平行平板型ヒータ１，
１はウェーハ２の面積よりも十分に大きな面積を有して
おり、去の２枚の平板型ヒータ１．１に挟まれた空間の
中央に、平板型ヒータ１と平行にウェーハ２を配置し、
熱処理を行う。
図である。図において、対をなす平行平板型ヒータ１，
１はウェーハ２の面積よりも十分に大きな面積を有して
おり、去の２枚の平板型ヒータ１．１に挟まれた空間の
中央に、平板型ヒータ１と平行にウェーハ２を配置し、
熱処理を行う。
（実施例２）
第２図は本発明の第２の実施例である拡散炉の炉心部の
模式図である。本実施例の並列に複数枚配列した平行平
板型ヒータ３はウェーハ１枚の面積より十分大きな面積
をもった平行平板型ヒータを並べたものであり、各ヒー
タのすき間にウェーハを１枚ずつ入れて熱処理を行う。
模式図である。本実施例の並列に複数枚配列した平行平
板型ヒータ３はウェーハ１枚の面積より十分大きな面積
をもった平行平板型ヒータを並べたものであり、各ヒー
タのすき間にウェーハを１枚ずつ入れて熱処理を行う。
本実施例によれば、複数のウェーハを同時に熱処理を行
うことができるという利点がある。
うことができるという利点がある。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、ウェーハが他のウ
ェーハからの熱輻射を受けず、しかもウェーハを挟む平
行平板型ヒータはウェーハよりも十分に面積が大きいの
で、ウェーハ面内の単位面積当たりに受ける熱輻射量が
ほぼ均一になり、スリップやそり、歪みが発生しにくく
なることにより、短時間でウェーハの出し入れができる
効果がある。
ェーハからの熱輻射を受けず、しかもウェーハを挟む平
行平板型ヒータはウェーハよりも十分に面積が大きいの
で、ウェーハ面内の単位面積当たりに受ける熱輻射量が
ほぼ均一になり、スリップやそり、歪みが発生しにくく
なることにより、短時間でウェーハの出し入れができる
効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す模式図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す模式図、第３図は従来の拡
散炉の縦断面の模式図、第４図は２枚のウェーハ間の輻
射の様子を示す模式図である。
本発明の第２の実施例を示す模式図、第３図は従来の拡
散炉の縦断面の模式図、第４図は２枚のウェーハ間の輻
射の様子を示す模式図である。
Claims (1)
- （１）基板にスリップやそり、歪みが発生し得る程度の
高温でウェーハを処理する熱処理装置において、ウェー
ハ面積以上の大きさの対をなす平行平板型ヒータを有し
、対をなす該平行平板型ヒータ間の一平面上にウェーハ
を配置して熱処理を行うようにしたことを特徴とする半
導体熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10464988A JPH01274418A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10464988A JPH01274418A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01274418A true JPH01274418A (ja) | 1989-11-02 |
Family
ID=14386311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10464988A Pending JPH01274418A (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01274418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436231U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-26 |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP10464988A patent/JPH01274418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0436231U (ja) * | 1990-07-20 | 1992-03-26 |
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