JPH09199438A - 熱処理用治具 - Google Patents
熱処理用治具Info
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- JPH09199438A JPH09199438A JP2200796A JP2200796A JPH09199438A JP H09199438 A JPH09199438 A JP H09199438A JP 2200796 A JP2200796 A JP 2200796A JP 2200796 A JP2200796 A JP 2200796A JP H09199438 A JPH09199438 A JP H09199438A
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- ring
- heat treatment
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リング状トレ−を備えた熱処理用治具を用い
て、12インチサイズのシリコンウエハを縦型熱処理炉
内で熱処理するにあたり、スリップと呼ばれる結晶欠陥
や反り返りを防止すること。 【解決手段】 垂立する複数本の支柱にリング状トレ−
3を各々水平に固定して熱処理用治具を構成する。リン
グ状トレ−の内径Rは220mm〜250mm、支持面
の厚さDは2〜4mm、配列ピッチは18mm〜22m
mである。リング状トレ−の内径の決定については、そ
の内径により12インチサイズのウエハWの自重による
せん断応力がどのように変わるのかというシュミレ−シ
ョン結果と1150℃でのシリコンの許容応力(降伏せ
ん断応力)とを比較し、更に昇降温するときのウエハ面
内の温度差と前記内径との関係を把握し、こうして自重
によるウエハのせん断応力及び面内温度差によるせん断
応力の両面から決定している。
て、12インチサイズのシリコンウエハを縦型熱処理炉
内で熱処理するにあたり、スリップと呼ばれる結晶欠陥
や反り返りを防止すること。 【解決手段】 垂立する複数本の支柱にリング状トレ−
3を各々水平に固定して熱処理用治具を構成する。リン
グ状トレ−の内径Rは220mm〜250mm、支持面
の厚さDは2〜4mm、配列ピッチは18mm〜22m
mである。リング状トレ−の内径の決定については、そ
の内径により12インチサイズのウエハWの自重による
せん断応力がどのように変わるのかというシュミレ−シ
ョン結果と1150℃でのシリコンの許容応力(降伏せ
ん断応力)とを比較し、更に昇降温するときのウエハ面
内の温度差と前記内径との関係を把握し、こうして自重
によるウエハのせん断応力及び面内温度差によるせん断
応力の両面から決定している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、12インチサイズ
のシリコンウエハに対して縦型熱処理炉内で熱処理を行
うために用いられる熱処理用治具に関する。
のシリコンウエハに対して縦型熱処理炉内で熱処理を行
うために用いられる熱処理用治具に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ(以下「ウエハ」という)
の製造プロセスの1つとして、酸化膜の形成やドーパン
トの拡散などを行うために高温下で熱処理を行うプロセ
スがある。この熱処理を行う縦型熱処理装置において
は、多数のウエハを上下に間隔をおいて搭載する熱処理
用治具によりウエハが熱処理炉内にロードされ、所定の
熱処理が行なわれる。このような熱処理用治具では、4
本の支柱に支持溝を形成し、この支持溝にてウエハを保
持させることにより、ウエハの外周縁部の4点を支持す
るものが一般的であるが、この他リング状トレーを棚状
に配列し、各ウエハをこのリング状トレーの上に載せる
リングボートなどと呼ばれる構造のものが知られてい
る。
の製造プロセスの1つとして、酸化膜の形成やドーパン
トの拡散などを行うために高温下で熱処理を行うプロセ
スがある。この熱処理を行う縦型熱処理装置において
は、多数のウエハを上下に間隔をおいて搭載する熱処理
用治具によりウエハが熱処理炉内にロードされ、所定の
熱処理が行なわれる。このような熱処理用治具では、4
本の支柱に支持溝を形成し、この支持溝にてウエハを保
持させることにより、ウエハの外周縁部の4点を支持す
るものが一般的であるが、この他リング状トレーを棚状
に配列し、各ウエハをこのリング状トレーの上に載せる
リングボートなどと呼ばれる構造のものが知られてい
る。
【0003】このリングボートは、例えば昇降温速度の
早い熱処理装置に適用されている。その理由について
は、熱処理用治具に配列されたウエハは、互いに上下に
接近しているので、下側のウエハは、上側のウエハによ
りヒータからの熱線が遮られ、このためウエハのエッジ
部に比べて中心部の昇温速度が遅くなる。また降温時に
はウエハのエッジ部の周囲は空間なので、エッジ部の方
がセンター部に比べて放熱が早く、降温速度が早くな
る。従って昇降温時、特に昇降温速度が早い時(降温速
度は例えば強制冷却により早められる)に、ウエハ面内
の温度分布の不均一の程度が大きくなり、面内温度差に
基づき大きなせん断応力がウエハに発生するため、スリ
ップと呼ばれる結晶欠陥が発生するおそれれがある。な
おスリップとは、目視では確認しにくい程度の微小な断
層であり、拡大鏡や顕微鏡などにより見ることができ
る。そこで熱容量の大きい材質例えばSiCなどからな
るリング状トレー上にウエハを載せることにより、ウエ
ハのエッジ部の下面にSiCを接触させて昇温(降温)
しにくいようにし、こうしてウエハのエッジ部とセンタ
ー部との昇降温速度の差を揃えるようにしている。
早い熱処理装置に適用されている。その理由について
は、熱処理用治具に配列されたウエハは、互いに上下に
接近しているので、下側のウエハは、上側のウエハによ
りヒータからの熱線が遮られ、このためウエハのエッジ
部に比べて中心部の昇温速度が遅くなる。また降温時に
はウエハのエッジ部の周囲は空間なので、エッジ部の方
がセンター部に比べて放熱が早く、降温速度が早くな
る。従って昇降温時、特に昇降温速度が早い時(降温速
度は例えば強制冷却により早められる)に、ウエハ面内
の温度分布の不均一の程度が大きくなり、面内温度差に
基づき大きなせん断応力がウエハに発生するため、スリ
ップと呼ばれる結晶欠陥が発生するおそれれがある。な
おスリップとは、目視では確認しにくい程度の微小な断
層であり、拡大鏡や顕微鏡などにより見ることができ
る。そこで熱容量の大きい材質例えばSiCなどからな
るリング状トレー上にウエハを載せることにより、ウエ
ハのエッジ部の下面にSiCを接触させて昇温(降温)
しにくいようにし、こうしてウエハのエッジ部とセンタ
ー部との昇降温速度の差を揃えるようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これまでリングボ−ト
においては、ウエハ面内の温度差によって生じる応力に
ついての考慮が行われてはいるが、ウエハの自重によっ
て生じる応力についての考慮、またこの応力とウエハ面
内の温度差によって生じる応力との相乗作用についての
考慮はほとんど行われていない。
においては、ウエハ面内の温度差によって生じる応力に
ついての考慮が行われてはいるが、ウエハの自重によっ
て生じる応力についての考慮、またこの応力とウエハ面
内の温度差によって生じる応力との相乗作用についての
考慮はほとんど行われていない。
【0005】一方、ウエハは大口径化が進みつつあり、
そのサイズは8インチから12インチへの移行が検討さ
れている。しかしながらウエハが12インチサイズにも
なると、単に従来の治具の各寸法を変更したものを用い
た場合、次のような問題が起こる。即ちシリコンの融点
に近い温度、例えば1000℃程度の温度で熱処理を行
ったときに、上記の応力の相乗作用によりスリップや反
り返りがウエハに発生するおそれがある。
そのサイズは8インチから12インチへの移行が検討さ
れている。しかしながらウエハが12インチサイズにも
なると、単に従来の治具の各寸法を変更したものを用い
た場合、次のような問題が起こる。即ちシリコンの融点
に近い温度、例えば1000℃程度の温度で熱処理を行
ったときに、上記の応力の相乗作用によりスリップや反
り返りがウエハに発生するおそれがある。
【0006】本発明はこのような事情の下になされたも
のであり、その目的は12インチサイズのシリコンウエ
ハを熱処理する場合にスリップの発生や反り返りを防止
することのできる熱処理用治具を提供することにある。
のであり、その目的は12インチサイズのシリコンウエ
ハを熱処理する場合にスリップの発生や反り返りを防止
することのできる熱処理用治具を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、支柱
にリング状支持部材を各々上下に間隔をおいて設け、1
2インチサイズのシリコンウエハをリング状支持部材に
支持させて縦型熱処理炉内に搬入出する熱処理用治具に
おいて、前記リング状支持部材の内径が120mm〜2
50mmであることを特徴とする。
にリング状支持部材を各々上下に間隔をおいて設け、1
2インチサイズのシリコンウエハをリング状支持部材に
支持させて縦型熱処理炉内に搬入出する熱処理用治具に
おいて、前記リング状支持部材の内径が120mm〜2
50mmであることを特徴とする。
【0008】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、リング状支持部材の内径が220mm〜250m
m、支持面における厚さが2〜4mm、配列ピッチが1
8mm〜22mmであることを特徴とする。また請求項
3の発明は、請求項1または2の発明において、100
0℃以上の処理温度で使用されるものであることを特徴
とする。
て、リング状支持部材の内径が220mm〜250m
m、支持面における厚さが2〜4mm、配列ピッチが1
8mm〜22mmであることを特徴とする。また請求項
3の発明は、請求項1または2の発明において、100
0℃以上の処理温度で使用されるものであることを特徴
とする。
【0009】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の形態に係
る熱処理用治具を含む縦型熱処理装置の一部を示す外観
斜視図、図2及び図3は、熱処理用治具の一部を示す図
である。熱処理用治具1は、上下にそれぞれ対向して配
置された円形の天板11及び底板12を備え、これらの
間に複数本例えば4本の支柱21〜24が固定されてい
る。なお図示の便宜上天板11は円形としてあるが、リ
ング状であってもよいし、支柱の数は6本であってもよ
い。
る熱処理用治具を含む縦型熱処理装置の一部を示す外観
斜視図、図2及び図3は、熱処理用治具の一部を示す図
である。熱処理用治具1は、上下にそれぞれ対向して配
置された円形の天板11及び底板12を備え、これらの
間に複数本例えば4本の支柱21〜24が固定されてい
る。なお図示の便宜上天板11は円形としてあるが、リ
ング状であってもよいし、支柱の数は6本であってもよ
い。
【0010】天板11と底板12との間には、例えば3
4枚のリング状支持部材であるリング状トレ−3が所定
の間隔をおいて平行に配置されている。この実施の形態
では、ウエハWの配列ピッチP(トレ−3の配列ピッ
チ)は20mmに設定されている。リング状トレ−3の
固定方法については、図3に示すように、支柱21〜2
4に形成された溝20内にリング状トレ−3の周縁部が
挿入されて保持されている。この熱処理用治具1の材質
としては、SiCや石英などが用いられる。リング状ト
レ−3は、周縁が、ウエハWの支持面よりも少し高い段
部30として形成されており、内径Rwが240mm,
外径rが315mm,支持面における厚さDが3mm、
段部30の幅が5.5mmに設定されている。
4枚のリング状支持部材であるリング状トレ−3が所定
の間隔をおいて平行に配置されている。この実施の形態
では、ウエハWの配列ピッチP(トレ−3の配列ピッ
チ)は20mmに設定されている。リング状トレ−3の
固定方法については、図3に示すように、支柱21〜2
4に形成された溝20内にリング状トレ−3の周縁部が
挿入されて保持されている。この熱処理用治具1の材質
としては、SiCや石英などが用いられる。リング状ト
レ−3は、周縁が、ウエハWの支持面よりも少し高い段
部30として形成されており、内径Rwが240mm,
外径rが315mm,支持面における厚さDが3mm、
段部30の幅が5.5mmに設定されている。
【0011】以上のように構成されたウエハボート1
は、図1に示すように下部にフランジ部40を備えた保
温筒4の上に着脱自在に装着されており、この保温筒4
はボートエレベータ41上に載置されている。このウエ
ハボート1の上方側には縦型炉5が配置されている。5
1は縦型熱処理炉5内の図では見えない反応管内に所定
のガスを供給するガス供給管、52は反応管内を排気す
る排気管である。
は、図1に示すように下部にフランジ部40を備えた保
温筒4の上に着脱自在に装着されており、この保温筒4
はボートエレベータ41上に載置されている。このウエ
ハボート1の上方側には縦型炉5が配置されている。5
1は縦型熱処理炉5内の図では見えない反応管内に所定
のガスを供給するガス供給管、52は反応管内を排気す
る排気管である。
【0012】次に上述の作用について説明する。先ず別
の領域においてウエハボート1へのウエハWの受け渡し
を行うが、この受け渡しは、図示しない突上げ機構をリ
ング状トレ−3の中を通過するように上昇させ、搬送ア
−ム上の12インチサイズのシリコンウエハWをこの突
上げ機構を介してリング状トレ−1の上に載置すること
により行われる。
の領域においてウエハボート1へのウエハWの受け渡し
を行うが、この受け渡しは、図示しない突上げ機構をリ
ング状トレ−3の中を通過するように上昇させ、搬送ア
−ム上の12インチサイズのシリコンウエハWをこの突
上げ機構を介してリング状トレ−1の上に載置すること
により行われる。
【0013】このようなウエハWの受け渡しを例えばウ
エハボート1の上段側から順次行い、ウエハボート1に
所定枚数例えば34枚搭載した後、ボートエレベータ4
1上の保温筒4の上にウエハボート1を移載し、ボート
エレベータ41を上昇させてウエハWを縦型熱処理炉5
内にロードする。例えば約1150℃の温度で熱処理を
行う場合は、縦型熱処理炉5内は例えば約800℃に加
熱されており、ウエハWがロードされた後例えば最大昇
温速度50℃/分で約1150℃まで昇温され、所定の
熱処理が行われる。その後ボートエレベータ41が下降
して、ウエハWがアンロードされ、ウエハボート1が別
の領域に移し変えられて、上述と逆の操作でウエハWが
ウエハボート1から取り出される。
エハボート1の上段側から順次行い、ウエハボート1に
所定枚数例えば34枚搭載した後、ボートエレベータ4
1上の保温筒4の上にウエハボート1を移載し、ボート
エレベータ41を上昇させてウエハWを縦型熱処理炉5
内にロードする。例えば約1150℃の温度で熱処理を
行う場合は、縦型熱処理炉5内は例えば約800℃に加
熱されており、ウエハWがロードされた後例えば最大昇
温速度50℃/分で約1150℃まで昇温され、所定の
熱処理が行われる。その後ボートエレベータ41が下降
して、ウエハWがアンロードされ、ウエハボート1が別
の領域に移し変えられて、上述と逆の操作でウエハWが
ウエハボート1から取り出される。
【0014】このような実施の形態によれば、1000
℃を越える例えば1150℃程度の温度で熱処理を行っ
ても、リング状トレ−3の内径が240mmに設定され
ているため、ウエハWにスリップが入ったり、反り返り
が起こったりするおそれはない。その理由は、後述の説
明から分かるように、リング状トレ−3の内径により1
2インチサイズのウエハWの自重によるせん断応力がど
のように変わるのかというシュミレ−ション結果と11
50℃でのシリコンの許容応力(降伏せん断応力)とを
比較し、更に昇降温するときのウエハ面内の温度差とリ
ング状トレ−3の内径との関係を把握し、こうして自重
によるウエハのせん断応力及び面内温度差によるせん断
応力の両面からリング状トレ−3の内径を決定している
からである。
℃を越える例えば1150℃程度の温度で熱処理を行っ
ても、リング状トレ−3の内径が240mmに設定され
ているため、ウエハWにスリップが入ったり、反り返り
が起こったりするおそれはない。その理由は、後述の説
明から分かるように、リング状トレ−3の内径により1
2インチサイズのウエハWの自重によるせん断応力がど
のように変わるのかというシュミレ−ション結果と11
50℃でのシリコンの許容応力(降伏せん断応力)とを
比較し、更に昇降温するときのウエハ面内の温度差とリ
ング状トレ−3の内径との関係を把握し、こうして自重
によるウエハのせん断応力及び面内温度差によるせん断
応力の両面からリング状トレ−3の内径を決定している
からである。
【0015】上述の例において、熱処理後のすべてのウ
エハについて表面を観察したところスリップの発生は見
られず、また反り返りの起こったウエハもなかった。た
だし12インチサイズのウエハとは、ウエハの直径がほ
ぼ12インチであるということであり、300mmのも
のも含まれる。
エハについて表面を観察したところスリップの発生は見
られず、また反り返りの起こったウエハもなかった。た
だし12インチサイズのウエハとは、ウエハの直径がほ
ぼ12インチであるということであり、300mmのも
のも含まれる。
【0016】以下に本発明に至るまでの経緯について述
べる。従来までの8インチウエハでは、ウエハの自重応
力が小さく、この自重応力が許容応力付近になってスリ
ップが発生するといったおそれはなかったので、リング
状トレイの内径の許容値がどのくらいであるかというこ
とを考えなくてよかった。ここに本発明者は、ウエハサ
イズが12インチになるとウエハの自重が大きくなり、
一方処理温度が1000℃付近を越える熱処理が行われ
るようになり、高温になると許容応力が小さくなって、
この結果スリップの発生を招くことになるので、リング
状トレーの内径を適切な値に選定することによってウエ
ハのせん断応力を最小限に抑えることに着眼した。
べる。従来までの8インチウエハでは、ウエハの自重応
力が小さく、この自重応力が許容応力付近になってスリ
ップが発生するといったおそれはなかったので、リング
状トレイの内径の許容値がどのくらいであるかというこ
とを考えなくてよかった。ここに本発明者は、ウエハサ
イズが12インチになるとウエハの自重が大きくなり、
一方処理温度が1000℃付近を越える熱処理が行われ
るようになり、高温になると許容応力が小さくなって、
この結果スリップの発生を招くことになるので、リング
状トレーの内径を適切な値に選定することによってウエ
ハのせん断応力を最小限に抑えることに着眼した。
【0017】以下に12インチウエハを載せるリング状
トレーの内径の許容値について述べる。リング状トレー
の場合ウエハが完全な平面で支持されている保証がな
い。何故ならウエハは自重により周縁部に比べて中央部
が下がった椀状に歪むからである。従ってリング状トレ
ーの内径を支持直径とみなすことができる。そしてウエ
ハの歪み方によっては支持点が3点のみになることがあ
り、このときにはウエハに加わるせん断応力が最も大き
くなる。このため3点支持のときのウエハのせん断応力
が許容応力を越えないように設計する必要がある。
トレーの内径の許容値について述べる。リング状トレー
の場合ウエハが完全な平面で支持されている保証がな
い。何故ならウエハは自重により周縁部に比べて中央部
が下がった椀状に歪むからである。従ってリング状トレ
ーの内径を支持直径とみなすことができる。そしてウエ
ハの歪み方によっては支持点が3点のみになることがあ
り、このときにはウエハに加わるせん断応力が最も大き
くなる。このため3点支持のときのウエハのせん断応力
が許容応力を越えないように設計する必要がある。
【0018】図4はウエハを3点で支持したときの支持
直径に対する自重応力の最大値を示している。即ち図5
に示すように正三角形の頂点に対応する位置にて支持点
S1〜S3を設定し、この支持点S1〜S3を含む円C
の直径即ち支持直径Rwを横軸にとっている。また図4
において、点線(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)は夫々
1000℃、1100℃、1150℃、1200℃にお
けるシリコンウエハの許容応力(降状せん断応力)を示
す。
直径に対する自重応力の最大値を示している。即ち図5
に示すように正三角形の頂点に対応する位置にて支持点
S1〜S3を設定し、この支持点S1〜S3を含む円C
の直径即ち支持直径Rwを横軸にとっている。また図4
において、点線(イ)、(ロ)、(ハ)、(ニ)は夫々
1000℃、1100℃、1150℃、1200℃にお
けるシリコンウエハの許容応力(降状せん断応力)を示
す。
【0019】この許容応力は温度が高くなるにつれて小
さくなり、1200℃では支持直径がどのような値であ
っても、最大せん断応力が許容応力を越えてしまうた
め、理論上は1200℃の処理温度においてはウエハに
スリップが発生してしまう。実際にウエハに対して熱処
理炉で行われる処理温度の最高温度は1150℃程度で
あるため、スリップの発生を防止するためには、最大せ
ん断応力が1150℃での許容応力のラインよりも下回
るような支持直径であることが必要である。ただし許容
応力と同等のせん断応力がウエハに生じると、スリップ
が少量入るため、支持直径は120mm〜250mmで
あることが必要である。
さくなり、1200℃では支持直径がどのような値であ
っても、最大せん断応力が許容応力を越えてしまうた
め、理論上は1200℃の処理温度においてはウエハに
スリップが発生してしまう。実際にウエハに対して熱処
理炉で行われる処理温度の最高温度は1150℃程度で
あるため、スリップの発生を防止するためには、最大せ
ん断応力が1150℃での許容応力のラインよりも下回
るような支持直径であることが必要である。ただし許容
応力と同等のせん断応力がウエハに生じると、スリップ
が少量入るため、支持直径は120mm〜250mmで
あることが必要である。
【0020】以上において図4の自重応力の最大値の計
算は、コンピューターによる有限要素法で行っている。
またウエハの許容応力の計算は、次式に基づいて行っ
た。τyld=23.17exp(16.1−0.00916T)*
(dτ/dt)0.4ただし応力の単位はパスカル、Tは
温度(℃)、tは時間(秒)であり、応力速度dτ/d
tは、経験式である2.5*105 (pa/s)を用い
ている。
算は、コンピューターによる有限要素法で行っている。
またウエハの許容応力の計算は、次式に基づいて行っ
た。τyld=23.17exp(16.1−0.00916T)*
(dτ/dt)0.4ただし応力の単位はパスカル、Tは
温度(℃)、tは時間(秒)であり、応力速度dτ/d
tは、経験式である2.5*105 (pa/s)を用い
ている。
【0021】一方ウエハを昇降温するときに、ウエハの
面内に温度差が発生する。これはヒータからのウエハに
対する放射形態係数がウエハエッジ部で急激に増加して
いることに起因する。放射形態係数とは、定性的に云う
と温め易さであり、(数1)で表される。
面内に温度差が発生する。これはヒータからのウエハに
対する放射形態係数がウエハエッジ部で急激に増加して
いることに起因する。放射形態係数とは、定性的に云う
と温め易さであり、(数1)で表される。
【0022】
【数1】 即ちこの放射形態係数が大きければ昇降温速度が早く、
ウエハエッジ部はウエハ中心部よりも昇降温速度が早い
ので、ウエハの昇降温時に面内温度差が発生する。図6
はウエハ位置(ウエハ中心からの距離)と放射形態係数
との関係を示すグラフであり、a,b、cは夫々ウエハ
ボート上のウエハピッチ(ウエハ間の相互離間距離)が
18mm、20mm及び22mmのときの放射形態係数
を示す。ウエハピッチの値は、18mmから22mmの
間で設定される。18mmよりも狭いと搬送アームによ
るウエハの移載が困難になるし、22mmよりも広くす
ると、ウエハの最大搭載枚数が少なくなってしまい現実
的ではないからである。
ウエハエッジ部はウエハ中心部よりも昇降温速度が早い
ので、ウエハの昇降温時に面内温度差が発生する。図6
はウエハ位置(ウエハ中心からの距離)と放射形態係数
との関係を示すグラフであり、a,b、cは夫々ウエハ
ボート上のウエハピッチ(ウエハ間の相互離間距離)が
18mm、20mm及び22mmのときの放射形態係数
を示す。ウエハピッチの値は、18mmから22mmの
間で設定される。18mmよりも狭いと搬送アームによ
るウエハの移載が困難になるし、22mmよりも広くす
ると、ウエハの最大搭載枚数が少なくなってしまい現実
的ではないからである。
【0023】ところでリング状トレーの役割は、もとも
とウエハのエッジ部の下面を熱容量の大きな材質に接触
させて昇降温速度を遅くし、これによりウエハの中央部
とエッジ部との昇降温速度を揃えようとするものであ
り、従ってリング状トレーの内端は、放射形態係数が増
加し、昇降温速度が速くなり始めるポイントに位置させ
ることが必要である。このようなことから図6に基づい
てリング状トレーの最適な内端位置を求めると、ピッチ
が18mm、20mm及び22mmの場合夫々113m
m、120mm(グラフbについては便宜上、最適位置
を図示していない)及び124mmとなるが、このポイ
ントから多少外れても面内温度均一性は確保できるた
め、直径でいえばリング状トレーの内径は、220mm
から250mmであればよい。
とウエハのエッジ部の下面を熱容量の大きな材質に接触
させて昇降温速度を遅くし、これによりウエハの中央部
とエッジ部との昇降温速度を揃えようとするものであ
り、従ってリング状トレーの内端は、放射形態係数が増
加し、昇降温速度が速くなり始めるポイントに位置させ
ることが必要である。このようなことから図6に基づい
てリング状トレーの最適な内端位置を求めると、ピッチ
が18mm、20mm及び22mmの場合夫々113m
m、120mm(グラフbについては便宜上、最適位置
を図示していない)及び124mmとなるが、このポイ
ントから多少外れても面内温度均一性は確保できるた
め、直径でいえばリング状トレーの内径は、220mm
から250mmであればよい。
【0024】以上のようにウエハの自重によるせん断応
力から決まるリング状トレーの内径と、昇降温時の面内
温度均一性を良くして面内温度差に基づくせん断応力を
極力小さく抑えるという観点から決まるリング状トレー
の内径とのオーバラップの範囲は220mm〜250m
mであり、12インチサイズのシリコンウエハに対して
用いられるリング状トレーの内径はこの範囲に設定すべ
きである。
力から決まるリング状トレーの内径と、昇降温時の面内
温度均一性を良くして面内温度差に基づくせん断応力を
極力小さく抑えるという観点から決まるリング状トレー
の内径とのオーバラップの範囲は220mm〜250m
mであり、12インチサイズのシリコンウエハに対して
用いられるリング状トレーの内径はこの範囲に設定すべ
きである。
【0025】例えば20℃/分以上の昇降温速度の早い
縦型熱処理炉の場合には、リング状トレ−の内径は、上
記の範囲であることが好ましいが、本発明(請求項1の
発明)では、昇降温速度が遅い場合には、必ずしも図6
に示す放射形態係数の特性から決まる値に制限されるも
のではなく、120mm〜250mmであればよい。
縦型熱処理炉の場合には、リング状トレ−の内径は、上
記の範囲であることが好ましいが、本発明(請求項1の
発明)では、昇降温速度が遅い場合には、必ずしも図6
に示す放射形態係数の特性から決まる値に制限されるも
のではなく、120mm〜250mmであればよい。
【0026】ここで厚さ3mm、材質がSiCであるリ
ング状トレーについて、内径が250mm及び260m
mのものを夫々3枚づつ作成し、これをウエハボートの
支柱に取り付けて、その上に12インチサイズのウエハ
を保持し、熱処理炉内にて最大昇温速度50°/分で温
度1150℃まで昇温し、1時間加熱した。その後炉か
らウエハを取り出して表面を観察したところ、内径が2
60mmのリング状トレーを用いたウエハについては少
量のスリップが見られたが、内径が250mmのリング
状トレーを用いたウエハについてはスリップが全く見ら
れなかった。
ング状トレーについて、内径が250mm及び260m
mのものを夫々3枚づつ作成し、これをウエハボートの
支柱に取り付けて、その上に12インチサイズのウエハ
を保持し、熱処理炉内にて最大昇温速度50°/分で温
度1150℃まで昇温し、1時間加熱した。その後炉か
らウエハを取り出して表面を観察したところ、内径が2
60mmのリング状トレーを用いたウエハについては少
量のスリップが見られたが、内径が250mmのリング
状トレーを用いたウエハについてはスリップが全く見ら
れなかった。
【0027】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、12イン
チサイズのシリコンウエハをリング状トレ−を用いて熱
処理するにあたり、リング状トレ−の内径とウエハの自
重によるせん断応力との関係についてシミュレ−ション
を行い、その結果に基づいてリング状トレ−の内径を設
定しているため、スリップや反り返りの発生するおそれ
がない。
チサイズのシリコンウエハをリング状トレ−を用いて熱
処理するにあたり、リング状トレ−の内径とウエハの自
重によるせん断応力との関係についてシミュレ−ション
を行い、その結果に基づいてリング状トレ−の内径を設
定しているため、スリップや反り返りの発生するおそれ
がない。
【図1】本発明の実施の形態の全体を示す斜視図であ
る。
る。
【図2】本発明の実施の形態におけるリング状トレ−を
示す斜視図及び断面図である。
示す斜視図及び断面図である。
【図3】ウエハボートの一部を示す断面図である。
【図4】ウエハの支持位置と最大せん断応力との関係を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図5】ウエハの支持位置を示す説明図である。
【図6】ウエハの半径方向位置と放射形態係数との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
W ウエハ(被処理基板) 1 ウエハボート 21〜24 支柱 20 溝 3 リング状トレ− 30 段部 R リング状トレ−の内径 r リング状トレ−の外径
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 物江 修 神奈川県津久井郡城山町町屋1丁目2番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内
Claims (3)
- 【請求項1】 支柱にリング状支持部材を各々上下に間
隔をおいて設け、12インチサイズのシリコンウエハを
リング状支持部材に支持させて縦型熱処理炉内に搬入出
する熱処理用治具において、 前記リング状支持部材の内径が120mm〜250mm
であることを特徴とする熱処理用治具。 - 【請求項2】 リング状支持部材の内径が220mm〜
250mm、支持面における厚さが2〜4mm、配列ピ
ッチが18mm〜22mmであることを特徴とする請求
項1記載の熱処理用治具。 - 【請求項3】 1000℃以上の処理温度で使用される
ものであることを特徴とする請求項1または2記載の熱
処理用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2200796A JPH09199438A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 熱処理用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2200796A JPH09199438A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 熱処理用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199438A true JPH09199438A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=12070956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2200796A Pending JPH09199438A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 熱処理用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199438A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332250A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-11-21 | Asm Internatl Nv | 炉内でウェハをバッチ処理するための方法および装置 |
| US6799940B2 (en) | 2002-12-05 | 2004-10-05 | Tokyo Electron Limited | Removable semiconductor wafer susceptor |
| KR100475011B1 (ko) * | 1997-09-22 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | 박막형성장치,그제조방법및이를이용한박막형성방법 |
| WO2005045917A1 (ja) | 2003-11-07 | 2005-05-19 | Sumco Corporation | 半導体基板用熱処理治具および半導体基板の熱処理方法 |
| KR100492977B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-06-07 | 삼성전자주식회사 | 다공성 실리카 박막의 소결을 위한 웨이퍼 보트 |
| US7022192B2 (en) | 2002-09-04 | 2006-04-04 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer susceptor |
| JP2006265096A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Siltronic Ag | シリコンウェーハおよびシリコンウェーハを熱処理する方法 |
| JP2006310848A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-09 | Tera Semicon Corp | 半導体の製造装置とその基板ローディング用ホルダーの製造方法及びその基板ローディング用バッチ式ボート並びに半導体基板のローディング及び/又はアンローディング方法 |
| EP1422753A4 (en) * | 2001-08-30 | 2007-01-24 | Shinetsu Handotai Kk | MANUFACTURING PROCESS FOR ANNEAL WAFER AND ANNEAL WAFER |
| US7210925B2 (en) | 2004-06-21 | 2007-05-01 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Heat treatment jig for silicon semiconductor substrate |
| JP2007329238A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | ウェーハ収納容器 |
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| US7665367B2 (en) | 2007-01-29 | 2010-02-23 | Asahi Glass Company, Limited | Method and apparatus for measuring shape of heat treatment jig |
| US8105078B2 (en) | 2005-08-12 | 2012-01-31 | Sumco Corporation | Heat treatment jig for semiconductor silicon substrates and method for manufacturing the same |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP2200796A patent/JPH09199438A/ja active Pending
Cited By (17)
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050607 |