JPH01274459A - 半導体装置用ステムの製造方法 - Google Patents
半導体装置用ステムの製造方法Info
- Publication number
- JPH01274459A JPH01274459A JP63105220A JP10522088A JPH01274459A JP H01274459 A JPH01274459 A JP H01274459A JP 63105220 A JP63105220 A JP 63105220A JP 10522088 A JP10522088 A JP 10522088A JP H01274459 A JPH01274459 A JP H01274459A
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- JP
- Japan
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- plating
- stem
- semiconductor device
- plated
- lead
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、筒状リングと、リード線とをガラスを介して
気密封止して作られたリード端子を金属ベースの貫通孔
にろう付けした半導体装置用ステムの製造方法に関する
。
気密封止して作られたリード端子を金属ベースの貫通孔
にろう付けした半導体装置用ステムの製造方法に関する
。
（従来の技術）
半導体装置用ステムを用いた半導体装置は、高出力化が
進展しており、半導体装置用ステムに用いる金属ベース
は、熱伝導性に富む銅又は銅合金が使用され、さらに、
放熱性改善のため人３＋１化が進んでいる。そして、搭
載する半導体素子あるいは、配線脇板を、外部に電気的
に導出するためのリード端子は、リード端子と金属ベー
スとの熱膨張差による気密性破壊を防止する目的で鉄系
の材料からなる筒状リングとリード線とを、ホウケイ酸
系のガラスで気密封止したコンプレッションシール構造
を用いて作られている。
進展しており、半導体装置用ステムに用いる金属ベース
は、熱伝導性に富む銅又は銅合金が使用され、さらに、
放熱性改善のため人３＋１化が進んでいる。そして、搭
載する半導体素子あるいは、配線脇板を、外部に電気的
に導出するためのリード端子は、リード端子と金属ベー
スとの熱膨張差による気密性破壊を防止する目的で鉄系
の材料からなる筒状リングとリード線とを、ホウケイ酸
系のガラスで気密封止したコンプレッションシール構造
を用いて作られている。
第２図は半導体装置用ステムの従来例を示す断面図であ
る。
る。
金属ベース１０は、銅または銅系合金からなり、貫通孔
を有する。リード端子２０は、ＦｅＮ１合金からなるリ
ード１２１と鉄系の筒状リング２２とがボウケイ酸ガラ
ス２３により融着封止されている。
を有する。リード端子２０は、ＦｅＮ１合金からなるリ
ード１２１と鉄系の筒状リング２２とがボウケイ酸ガラ
ス２３により融着封止されている。
金属ベース１０の口通孔に挿入されたリード端子２０は
ＡｇＣｕ合金のろう材３０でろうイ」けされている。ろ
う付けされた半導体装置用ステムは、搭載する半導体素
子（不図示）とリード線とをＡｕワイヤボンディング法
等で容易に接続することおよび防食を目的として、ステ
ムの金属部仝而に、ニッケルメッキ４０および金メッキ
５０が施される。
ＡｇＣｕ合金のろう材３０でろうイ」けされている。ろ
う付けされた半導体装置用ステムは、搭載する半導体素
子（不図示）とリード線とをＡｕワイヤボンディング法
等で容易に接続することおよび防食を目的として、ステ
ムの金属部仝而に、ニッケルメッキ４０および金メッキ
５０が施される。
そしてメッキを施す際、電解メッキ法を行うために、φ
０．１〜０．５ ｍの金属ワイヤであるからげ線６０で
金属ベース１０とリード線２１との電気的導通をとらな
ければならない。
０．１〜０．５ ｍの金属ワイヤであるからげ線６０で
金属ベース１０とリード線２１との電気的導通をとらな
ければならない。
上述した従来の半導体装置用ステムの製造方法は、半導
体装置用ステムの全面に金メッキが施され、材料費が高
くなるばかりでなく、からげ線６０のからげに手間がか
かり、コスト高をまねく欠点やからげ部でのメッキネ着
個所から、腐蝕が生じ易い欠点があり、コストを下げる
ためにからげを行なわず電解バレルメッキ法を用いると
、金属ベースが大きいものでは、リード線が変形し、修
正が必要になったり、リード先端部の打痕傷により、半
導体装置の組立ができないといった不良を発生させる欠
点もある。
体装置用ステムの全面に金メッキが施され、材料費が高
くなるばかりでなく、からげ線６０のからげに手間がか
かり、コスト高をまねく欠点やからげ部でのメッキネ着
個所から、腐蝕が生じ易い欠点があり、コストを下げる
ためにからげを行なわず電解バレルメッキ法を用いると
、金属ベースが大きいものでは、リード線が変形し、修
正が必要になったり、リード先端部の打痕傷により、半
導体装置の組立ができないといった不良を発生させる欠
点もある。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体装置用ステムの！ｌｌｌｌ決方法リード
線が筒状リングを貫通し、前記筒状リングにガラスによ
って固定されているリード端子と、ベース面に直角に貫
通孔を有する金属ベースとからなり、前記リード端子の
筒状リングが前記金属ベースの貫通孔にろう付けされて
いる半導体装１直用ステムの製造方法であって、 前記リード端子と金属ベースとにそれぞれメッキを施す
メッキ工程と、 メッキが施された金属ベースの貫通孔にメッキが施され
たリード端子を挿入し、挿入したリード端子の筒状リン
グを貫通孔にろう付けするろう付け工程とを有する。
線が筒状リングを貫通し、前記筒状リングにガラスによ
って固定されているリード端子と、ベース面に直角に貫
通孔を有する金属ベースとからなり、前記リード端子の
筒状リングが前記金属ベースの貫通孔にろう付けされて
いる半導体装１直用ステムの製造方法であって、 前記リード端子と金属ベースとにそれぞれメッキを施す
メッキ工程と、 メッキが施された金属ベースの貫通孔にメッキが施され
たリード端子を挿入し、挿入したリード端子の筒状リン
グを貫通孔にろう付けするろう付け工程とを有する。
金属ベースとリード端子とをそれぞれ別個にメッキし、
メッキ済のものをろう付けして、半導体装置用ステムを
完成しているので、電解メッキのような廉価なメッキ法
を用いてもリード端子は曲がることがなく完成品の手直
しが少くなり、からげが不要なのでからげによるメッキ
ネ良および工数の増加が防止できる。
メッキ済のものをろう付けして、半導体装置用ステムを
完成しているので、電解メッキのような廉価なメッキ法
を用いてもリード端子は曲がることがなく完成品の手直
しが少くなり、からげが不要なのでからげによるメッキ
ネ良および工数の増加が防止できる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）はそれぞれ本発
明の半導体装置用ステムの製造方法が適用された一実施
例である半導体装置用ステムの各製造］Ｆ程を示す断面
図である。
明の半導体装置用ステムの製造方法が適用された一実施
例である半導体装置用ステムの各製造］Ｆ程を示す断面
図である。
金属ベース１０は、ベース面に直角な貫通孔１１を有し
、メッキ工程でニッケルメッキ４０が施される（第１図
（ａ））。リード端子２０は、リード１１２１が筒状リ
ング２２を貫通するようにガラス２３で筒状リング２２
に固定されており、メッキ工程で金メッキ５０が施され
る（第１図（ｂ））。金メッキ５０が施されたリード端
子２０をニッケルメッキ４０が施された金属ベース１０
の貫通孔１１に挿入し、ろう材３０でろう付けして半導
体装置用ステムにする（第１図（Ｃ））。
、メッキ工程でニッケルメッキ４０が施される（第１図
（ａ））。リード端子２０は、リード１１２１が筒状リ
ング２２を貫通するようにガラス２３で筒状リング２２
に固定されており、メッキ工程で金メッキ５０が施され
る（第１図（ｂ））。金メッキ５０が施されたリード端
子２０をニッケルメッキ４０が施された金属ベース１０
の貫通孔１１に挿入し、ろう材３０でろう付けして半導
体装置用ステムにする（第１図（Ｃ））。
メッキ工程としてはバレル電解メッキ法で行っているが
、ニッケルメッキに関しては無電解メッキ法でもよい。
、ニッケルメッキに関しては無電解メッキ法でもよい。
金属ベース１のメッキはニッケルメッキ４０のみである
がニッケルメッキに加え金または銀メッキを施してもよ
い。また、リード端子２０のメッキは金メッキ５０のみ
であるがニツウ°ルメッギを施した上に金メッキ５０を
施してもよい。
がニッケルメッキに加え金または銀メッキを施してもよ
い。また、リード端子２０のメッキは金メッキ５０のみ
であるがニツウ°ルメッギを施した上に金メッキ５０を
施してもよい。
ろう材３０としてはＡｕＧｅまたはＡｕＳｎ合金のもの
を用いればよい。
を用いればよい。
以上説明したように本発明は、金属ベースとリード端子
とをそれぞれ別個にメッキし、メッキ済のものをろう付
けして、半導体装置用ステムを完成することにより、メ
ッキのためのからばか不要となり、工数を低減させ、か
らげによるメッキネ良をなくす効果があり、リード端子
はリード端子のみでメッキされるのでｆｆ１ｆｆｉの重
い金属ベースに当り曲がったり、傷ついたりすることが
なく品質を向上させる効果もある。
とをそれぞれ別個にメッキし、メッキ済のものをろう付
けして、半導体装置用ステムを完成することにより、メ
ッキのためのからばか不要となり、工数を低減させ、か
らげによるメッキネ良をなくす効果があり、リード端子
はリード端子のみでメッキされるのでｆｆ１ｆｆｉの重
い金属ベースに当り曲がったり、傷ついたりすることが
なく品質を向上させる効果もある。
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、 （ｃ）はそれぞれ本発
明の半導体装置用ステムの製造方法が適用された一実施
例である半導体装置用スデムの各製造：［程を示す断面
図、第２図は従来の製造方法を示す半導体装置用ステム
の断面図である。 １０・・・金属ベース、 １１・−・與通孔、２０・・
・リード端子、 ２１・・・リード線、２２・・・筒
状リング、 ２３・・・ガラス、３０・・・ろう材、
４０・・・ニッケルメッキ、５０・・・金メッキ
。 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 内 原 晋
明の半導体装置用ステムの製造方法が適用された一実施
例である半導体装置用スデムの各製造：［程を示す断面
図、第２図は従来の製造方法を示す半導体装置用ステム
の断面図である。 １０・・・金属ベース、 １１・−・與通孔、２０・・
・リード端子、 ２１・・・リード線、２２・・・筒
状リング、 ２３・・・ガラス、３０・・・ろう材、
４０・・・ニッケルメッキ、５０・・・金メッキ
。 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リード線が筒状リングを貫通し、前記筒状リングにガ
ラスによって固定されているリード端子と、ベース面に
直角に貫通孔を有する金属ベースとからなり、前記リー
ド端子の筒状リングが前記金属ベースの貫通孔にろう付
けされている半導体装置用ステムの製造方法であって、 前記リード端子と金属ベースとにそれぞれメッキを施す
メッキ工程と、 メッキが施された金属ベースの貫通孔にメッキが施され
たリード端子を挿入し、挿入したリード端子の筒状リン
グを貫通孔にろう付けするろう付け工程とを有する半導
体装置用ステムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63105220A JPH01274459A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63105220A JPH01274459A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01274459A true JPH01274459A (ja) | 1989-11-02 |
Family
ID=14401585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63105220A Pending JPH01274459A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置用ステムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01274459A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014027307A (ja) * | 2011-11-30 | 2014-02-06 | Panasonic Corp | 窒化物半導体発光装置 |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63105220A patent/JPH01274459A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014027307A (ja) * | 2011-11-30 | 2014-02-06 | Panasonic Corp | 窒化物半導体発光装置 |
| US9059569B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-06-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting system |
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