JPH01275747A - 金属薄膜の製造法 - Google Patents
金属薄膜の製造法Info
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- JPH01275747A JPH01275747A JP63106397A JP10639788A JPH01275747A JP H01275747 A JPH01275747 A JP H01275747A JP 63106397 A JP63106397 A JP 63106397A JP 10639788 A JP10639788 A JP 10639788A JP H01275747 A JPH01275747 A JP H01275747A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、真空蒸着によって金属薄膜を安定に形成する
ための製造法に関するものであシ、特に金属薄膜表面に
おける異物と金属薄膜の組成が、その機能に重要な影響
を及ぼす例えば高密度記録特性に優れた垂直磁気記録媒
体等の製造法に関するものである。
ための製造法に関するものであシ、特に金属薄膜表面に
おける異物と金属薄膜の組成が、その機能に重要な影響
を及ぼす例えば高密度記録特性に優れた垂直磁気記録媒
体等の製造法に関するものである。
従来の技術
一般に真空蒸着法はその高堆積速度の故に大面積、量産
用の薄膜形成法として用いられ、例えば金属薄膜形磁気
記録媒体の製造法としても適している。金属薄膜形の媒
体としてはＣｏ基磁性薄膜媒体、特にＣｏ −Ｃｒ媒体
が短波長記録特性の優れた垂直磁化型媒体として最適で
ある事がわかってろる。Ｃｏ−Ｃｒ媒体においては、媒
体膜中におけるＣｏとＣｒのｗｔ ％が約８０：２０で
ある場合にその磁気的特性が優れておシ、それ故蒸着法
によって上記媒体を製膜する場合、膜中てこの濃度割合
となる様に、蒸発るつぼ中でその組成を制御する必要が
ある。一般にＣｏおよびＣｒ金属は高融点材料であシ、
蒸着の場合その溶融蒸発手段としては電子線加熱法を用
いるのが一般的であシ、その例を第２図および第３図に
示す。第３図は単一るつぼの蒸発源を用いた方法であり
、あらかじめＣｏ−Ｃｒの合金、この場合Ｃｏ割合の多
い合金をるつぼ１に装填しておき、電子線２により加熱
溶融させるものである。この時、るつぼ１内の合金は、
その蒸気圧差が大きいために、蒸気圧の高いＣｒ成分が
先に蒸発し、膜中のＣｒ濃度が第４図に示す如くなシ、
例えば初期合金割合をＣｏ９３：Ｃｒ７としても蒸着初
期ではＣｒ濃度が高く、蒸着時間の経過と共に膜中のＣ
ｒ濃度が徐々に減少してゆく。そのため第３図において
は、Ｃｒ粒３を補給しながらその組成を制御するもので
ある。
用の薄膜形成法として用いられ、例えば金属薄膜形磁気
記録媒体の製造法としても適している。金属薄膜形の媒
体としてはＣｏ基磁性薄膜媒体、特にＣｏ −Ｃｒ媒体
が短波長記録特性の優れた垂直磁化型媒体として最適で
ある事がわかってろる。Ｃｏ−Ｃｒ媒体においては、媒
体膜中におけるＣｏとＣｒのｗｔ ％が約８０：２０で
ある場合にその磁気的特性が優れておシ、それ故蒸着法
によって上記媒体を製膜する場合、膜中てこの濃度割合
となる様に、蒸発るつぼ中でその組成を制御する必要が
ある。一般にＣｏおよびＣｒ金属は高融点材料であシ、
蒸着の場合その溶融蒸発手段としては電子線加熱法を用
いるのが一般的であシ、その例を第２図および第３図に
示す。第３図は単一るつぼの蒸発源を用いた方法であり
、あらかじめＣｏ−Ｃｒの合金、この場合Ｃｏ割合の多
い合金をるつぼ１に装填しておき、電子線２により加熱
溶融させるものである。この時、るつぼ１内の合金は、
その蒸気圧差が大きいために、蒸気圧の高いＣｒ成分が
先に蒸発し、膜中のＣｒ濃度が第４図に示す如くなシ、
例えば初期合金割合をＣｏ９３：Ｃｒ７としても蒸着初
期ではＣｒ濃度が高く、蒸着時間の経過と共に膜中のＣ
ｒ濃度が徐々に減少してゆく。そのため第３図において
は、Ｃｒ粒３を補給しながらその組成を制御するもので
ある。
また第３図は、ＣｏとＣｒの２元蒸着源を用いた方法で
の従来例を示した図であシ、Ｃｏおよびαを別々のるつ
ぼ４．６よシ蒸発させ、キャン６上を走行する高分子フ
ィルム基板７に堆積させるものである。この時８は防着
板であシ、９は巻出しローラ、１ｏは巻取ジロー２であ
る。第２図においても、第３図と同じく、防着板８．キ
ャン６゜巻出しロー２９１巻取シローラ１ｏを備えて薄
膜を連続的に形成している。
の従来例を示した図であシ、Ｃｏおよびαを別々のるつ
ぼ４．６よシ蒸発させ、キャン６上を走行する高分子フ
ィルム基板７に堆積させるものである。この時８は防着
板であシ、９は巻出しローラ、１ｏは巻取ジロー２であ
る。第２図においても、第３図と同じく、防着板８．キ
ャン６゜巻出しロー２９１巻取シローラ１ｏを備えて薄
膜を連続的に形成している。
この様な真空蒸着法により製膜する場合、いずれも高分
子フィルム上に磁気記録媒体を構成し、磁気ヘッドと接
触して記録再生するため、媒体の平滑性、特にヘッドと
の間でスペーシング損失となるような異物のない事、あ
るいは磁気的特性が長尺に亘って維持されている事が必
要となシ、その長尺の程度は生産的規模に見合う長さで
ある事が必要とされる。しかるに第２図に示す方法では
以下の様な問題点を生じるものであった。すなわち、こ
の方法においては、蒸気圧の高いＯｒは、Ｃｒ濃度の高
い状態では金属状態としてその線材化等が難しく、それ
故金属粒としての補給となる。
子フィルム上に磁気記録媒体を構成し、磁気ヘッドと接
触して記録再生するため、媒体の平滑性、特にヘッドと
の間でスペーシング損失となるような異物のない事、あ
るいは磁気的特性が長尺に亘って維持されている事が必
要となシ、その長尺の程度は生産的規模に見合う長さで
ある事が必要とされる。しかるに第２図に示す方法では
以下の様な問題点を生じるものであった。すなわち、こ
の方法においては、蒸気圧の高いＯｒは、Ｃｒ濃度の高
い状態では金属状態としてその線材化等が難しく、それ
故金属粒としての補給となる。
この時、Ｃｒ金属は昇華性であるために加熱溶融させて
るつぼ１に補給する事ができず、それ故国に示す様な粒
状の供給となる。しかしながらこの場合、Ｃｒ粒は粒状
であるために種々の不凝縮ガスを吸着し易く、その状態
で溶湯内に供給されると所謂突沸現象が発生し、蒸着膜
中に比較的径の大きな溶湯と同一成分の異物が発生し、
磁気ヘッドとの接触において記録抜は等の大きな問題を
生じさせるものであった。また、第２図の従来例におい
て、Ｃｏ材料を供給しなから長尺に対応する方法もある
が、基本的に上記問題点を有しているものである。
るつぼ１に補給する事ができず、それ故国に示す様な粒
状の供給となる。しかしながらこの場合、Ｃｒ粒は粒状
であるために種々の不凝縮ガスを吸着し易く、その状態
で溶湯内に供給されると所謂突沸現象が発生し、蒸着膜
中に比較的径の大きな溶湯と同一成分の異物が発生し、
磁気ヘッドとの接触において記録抜は等の大きな問題を
生じさせるものであった。また、第２図の従来例におい
て、Ｃｏ材料を供給しなから長尺に対応する方法もある
が、基本的に上記問題点を有しているものである。
一方第３図に示す方法においては、基本的に第２図に示
した様な異物発生に対する問題はないが、次の様な問題
を有しているものである。すなわち、この様な磁気記録
媒体を真空蒸着法によって作製するメリットはその高速
量産性にあシ、蒸着速度は数千人／ｓｅｃ程度である。
した様な異物発生に対する問題はないが、次の様な問題
を有しているものである。すなわち、この様な磁気記録
媒体を真空蒸着法によって作製するメリットはその高速
量産性にあシ、蒸着速度は数千人／ｓｅｃ程度である。
この様な高蒸着速度の場合、２元蒸着法に於てはその組
成制御がうまくいかず、すなわち両者の蒸発粒子の混合
が不均一となり、フィルム基板の上流側と下流側すなわ
ち膜厚方向に濃度不均一を生じ特性を確保できないとい
う問題があった。
成制御がうまくいかず、すなわち両者の蒸発粒子の混合
が不均一となり、フィルム基板の上流側と下流側すなわ
ち膜厚方向に濃度不均一を生じ特性を確保できないとい
う問題があった。
発明が解決しようとする課題
このように蒸気圧差の大きい合金薄膜を製膜する場合に
は、蒸発源側で組成を制御する様に、例えば蒸気圧の高
い金属成分を補給したシ、２元蒸着源でそれぞれ組成を
制御する方法があるが、補給に際し、突沸現象を生じた
シ、長尺に亘っての膜組成が均一でなかったシ、膜厚方
向で組成ムラが発生するといった課題がある。
は、蒸発源側で組成を制御する様に、例えば蒸気圧の高
い金属成分を補給したシ、２元蒸着源でそれぞれ組成を
制御する方法があるが、補給に際し、突沸現象を生じた
シ、長尺に亘っての膜組成が均一でなかったシ、膜厚方
向で組成ムラが発生するといった課題がある。
課題を解決するための手段
蒸気圧の低い金属割合を大とし、蒸気圧の高い金属割合
を小とする合金薄膜を真空蒸着法によって形成する際に
、第１の電子線により蒸発るつぼを加熱し、第２の電子
線により所望膜組成での高蒸気圧成分の割合よりも、そ
の割合が少ない第１の蒸着材料と、第１の蒸着材料より
も蒸気圧の高い成分の割合を増やした第２の蒸着材料と
を選択的に加熱溶融させ、前記蒸発るつほに併給する。
を小とする合金薄膜を真空蒸着法によって形成する際に
、第１の電子線により蒸発るつぼを加熱し、第２の電子
線により所望膜組成での高蒸気圧成分の割合よりも、そ
の割合が少ない第１の蒸着材料と、第１の蒸着材料より
も蒸気圧の高い成分の割合を増やした第２の蒸着材料と
を選択的に加熱溶融させ、前記蒸発るつほに併給する。
作 用
蒸発るつぼからの蒸発組成に応じ、所望膜組成での高蒸
気圧成分の割合よりその割合の少ない蒸着材料と、それ
よりも蒸気圧の高い成分の割合を多くした蒸着材料とを
選択的に加熱溶融させてるつぼ内に供給する事により、
合金薄膜の膜組成を長尺に亘って均一化し、かつ突沸現
象をるつぼへの供給を溶湯状態で供給する事で防ぐ。
気圧成分の割合よりその割合の少ない蒸着材料と、それ
よりも蒸気圧の高い成分の割合を多くした蒸着材料とを
選択的に加熱溶融させてるつぼ内に供給する事により、
合金薄膜の膜組成を長尺に亘って均一化し、かつ突沸現
象をるつぼへの供給を溶湯状態で供給する事で防ぐ。
実施例
第１図は本発明の一実施例の製造法を具体化する真空蒸
着装置の内部構造である。
着装置の内部構造である。
図において、１１は長尺幅広の高分子フィルム基板であ
り、回転する１２の円筒状キャン周囲に沿って走行しな
がらその下部で合金薄膜を形成する。１３は防着板兼マ
スクであり、前記高分子フィルム基板１１への合金薄膜
の付着領域を限定している。この下部には、耐熱性材料
よシなるるつぼ１４が設置されており、この時るつぼ１
４は高分子フィルム基板１１の幅方向に細長い形状とし
ている。るつぼ１４内には蒸気圧の低い金属とそれより
も蒸気圧の高い金属とが溶融した状態で存在し、この溶
融金属１６は上方の第１の電子線１６で加熱されて蒸発
し、前記高分子フィルム１１上に堆積する。この時第１
の電子線源１６は矢印で示す如く、るつぼ１４の長さ方
向にある周波数でスキャンされているものである。また
この第１の電子線源１６への投入パワーおよびスキャン
周波数は蒸発粒子空間に設けた蒸発速度モニター１７に
より制御されている。
り、回転する１２の円筒状キャン周囲に沿って走行しな
がらその下部で合金薄膜を形成する。１３は防着板兼マ
スクであり、前記高分子フィルム基板１１への合金薄膜
の付着領域を限定している。この下部には、耐熱性材料
よシなるるつぼ１４が設置されており、この時るつぼ１
４は高分子フィルム基板１１の幅方向に細長い形状とし
ている。るつぼ１４内には蒸気圧の低い金属とそれより
も蒸気圧の高い金属とが溶融した状態で存在し、この溶
融金属１６は上方の第１の電子線１６で加熱されて蒸発
し、前記高分子フィルム１１上に堆積する。この時第１
の電子線源１６は矢印で示す如く、るつぼ１４の長さ方
向にある周波数でスキャンされているものである。また
この第１の電子線源１６への投入パワーおよびスキャン
周波数は蒸発粒子空間に設けた蒸発速度モニター１７に
より制御されている。
一方るつぼ１４の端部には、所望の合金薄膜を得
゛るために、まず所望膜組成中の高蒸気圧成分の割合よ
りその割合が少ない第１蒸着材料１８と第１蒸着材料よ
りも、蒸気圧の高い成分の割合を高めた第２蒸着材料１
９とが、ロッド状で設置されており、それぞれは供給装
置２０．２１を介してるつぼ１４上部に進入する如く構
成されている。またこの蒸着材料１８．１９の上部には
この蒸着材 。
゛るために、まず所望膜組成中の高蒸気圧成分の割合よ
りその割合が少ない第１蒸着材料１８と第１蒸着材料よ
りも、蒸気圧の高い成分の割合を高めた第２蒸着材料１
９とが、ロッド状で設置されており、それぞれは供給装
置２０．２１を介してるつぼ１４上部に進入する如く構
成されている。またこの蒸着材料１８．１９の上部には
この蒸着材 。
料１８，１９を加熱溶融させるための第２の電子線源２
２が位置されており、この電子線源２２からの電子線は
、蒸着材料１８．１９にそれぞれ選択的に照射可能な様
に内部磁界により偏向される。
２が位置されており、この電子線源２２からの電子線は
、蒸着材料１８．１９にそれぞれ選択的に照射可能な様
に内部磁界により偏向される。
更にこの電子線照射の選択と投入パワーおよび蒸着材料
１８．１９の送り速度は蒸発粒子空間に設けた蒸発組成
モニター２３の信号により制御されているものである。
１８．１９の送り速度は蒸発粒子空間に設けた蒸発組成
モニター２３の信号により制御されているものである。
この様に構成された実施例での作用様態は次の如くであ
る。すなわち、蒸着を開始するにあたり、まず所望膜組
成例えばＣｏ−０ｒの垂直媒体でその ゛組成が、Ｃ
ｏ８０％−Ｃｒ２０チの膜を得ようとする場合、第２成
分であるＣｒの割合が所望膜組成のＣｒ割合よりも少な
い第１蒸着材料１８を供給装置２ｏにより供給しながら
第２の電子線源２２よりの電子線で選択的に加熱溶融さ
せてるつぼ１４内に供給し、第１電子線源１６により加
熱蒸発させる。この時蒸発粒子の組成は第４図に示す如
く、供給材料のＣｒ割合が低いＣｏ９３％−Ｃｒ７％の
場合でも初期にはおよそ３０チのＣｒ組成となり、その
後徐々にＣｒ濃度が減少し、ある所定時間経過後に所望
の膜組成であるＣｏ８０％−〇ｒ２０％になる。この状
態になった時点でシャッター２４を開放し高分子フィル
ム基板１１に蒸着させるものである。またこの状態でし
ばらくするとＣｒ濃度が減少する。そこでＣｒ割合が高
い第２蒸着材料１９に第２電子線源２２よシの電子線を
照射して加熱溶融させてるつぼ１４に供給する事により
蒸発粒子の組成をＣｏ ８０ ％ −Ｃｒ ２０％に維
持させる事が可能となる。またこの時、そのままで第２
蒸着材料１９のみを加熱溶融させていると、再びＣｒ割
合が高くなるので、第２電子線源２２の照射を第１蒸着
材料へ再照射して制御する。この時るつぼ１４内の溶湯
量をある程度維持して長時間連続蒸着するためには、第
１蒸着材料の加熱浴―量で制御する事が望ましく、更に
そのためには、第１蒸着材料中の蒸気圧の高い成分の割
合を極力低く抑えた材料組成とする方が良く（例えば、
Ｏｒ濃度２〜３チ）、こうする事によって蒸着の立上げ
から蒸着開始までのロス時間も少なして済む。
る。すなわち、蒸着を開始するにあたり、まず所望膜組
成例えばＣｏ−０ｒの垂直媒体でその ゛組成が、Ｃ
ｏ８０％−Ｃｒ２０チの膜を得ようとする場合、第２成
分であるＣｒの割合が所望膜組成のＣｒ割合よりも少な
い第１蒸着材料１８を供給装置２ｏにより供給しながら
第２の電子線源２２よりの電子線で選択的に加熱溶融さ
せてるつぼ１４内に供給し、第１電子線源１６により加
熱蒸発させる。この時蒸発粒子の組成は第４図に示す如
く、供給材料のＣｒ割合が低いＣｏ９３％−Ｃｒ７％の
場合でも初期にはおよそ３０チのＣｒ組成となり、その
後徐々にＣｒ濃度が減少し、ある所定時間経過後に所望
の膜組成であるＣｏ８０％−〇ｒ２０％になる。この状
態になった時点でシャッター２４を開放し高分子フィル
ム基板１１に蒸着させるものである。またこの状態でし
ばらくするとＣｒ濃度が減少する。そこでＣｒ割合が高
い第２蒸着材料１９に第２電子線源２２よシの電子線を
照射して加熱溶融させてるつぼ１４に供給する事により
蒸発粒子の組成をＣｏ ８０ ％ −Ｃｒ ２０％に維
持させる事が可能となる。またこの時、そのままで第２
蒸着材料１９のみを加熱溶融させていると、再びＣｒ割
合が高くなるので、第２電子線源２２の照射を第１蒸着
材料へ再照射して制御する。この時るつぼ１４内の溶湯
量をある程度維持して長時間連続蒸着するためには、第
１蒸着材料の加熱浴―量で制御する事が望ましく、更に
そのためには、第１蒸着材料中の蒸気圧の高い成分の割
合を極力低く抑えた材料組成とする方が良く（例えば、
Ｏｒ濃度２〜３チ）、こうする事によって蒸着の立上げ
から蒸着開始までのロス時間も少なして済む。
層材料と、それよりも高蒸気圧成分割合を高めた蒸着材
料とを選択的に電子線によって加熱溶融させてるつぼに
供給し、更にるつぼを別の電子線によって加熱する事で
、蒸着材料を直接るつぼ内に供給する場合に発生するよ
うな突沸現象がなく、もし蒸着材料に不純物があったと
しても供給部で発生するだけであり、基板に付着させな
い構成とする事が容易であり、結果として膜表面性に優
れた媒体を作製できる。更に、蒸発中の組成制御は、蒸
着材料へ選択的に電子線を照射するだけで可能であり、
また量産時等のかなシの長尺に亘っても、その組成が制
御できるものである。
料とを選択的に電子線によって加熱溶融させてるつぼに
供給し、更にるつぼを別の電子線によって加熱する事で
、蒸着材料を直接るつぼ内に供給する場合に発生するよ
うな突沸現象がなく、もし蒸着材料に不純物があったと
しても供給部で発生するだけであり、基板に付着させな
い構成とする事が容易であり、結果として膜表面性に優
れた媒体を作製できる。更に、蒸発中の組成制御は、蒸
着材料へ選択的に電子線を照射するだけで可能であり、
また量産時等のかなシの長尺に亘っても、その組成が制
御できるものである。
また、本実施例では、蒸着材料の供給部としてるつぼの
片端に設けているが、基板が幅広となった場合には、他
端にも設けると基板幅方向での組成均一化が図れる。
片端に設けているが、基板が幅広となった場合には、他
端にも設けると基板幅方向での組成均一化が図れる。
発明の効果
本発明によれば、所望膜組成での高蒸気圧成分割合より
も、その成分割合が少ない蒸着材料と、この蒸着材料よ
りも高蒸気圧成分の割合が多い蒸着材料とを選択的に加
碕熔融させてるつぼに供給しながら蒸着する事により、
突沸現象等のない平滑な膜を作製でき、更に長尺に亘っ
て安定に膜組成の均一な垂直磁気媒体を作製する事がで
きる。
も、その成分割合が少ない蒸着材料と、この蒸着材料よ
りも高蒸気圧成分の割合が多い蒸着材料とを選択的に加
碕熔融させてるつぼに供給しながら蒸着する事により、
突沸現象等のない平滑な膜を作製でき、更に長尺に亘っ
て安定に膜組成の均一な垂直磁気媒体を作製する事がで
きる。
第１図は本発明の一実施例の金属薄膜製造法を具体化す
る蒸着装置の構成図、第２図および第３図は従来法によ
る金属薄膜製造装置の構成図、第４図はＣｏ−Ｃｒ合金
蒸発におけるＣｒ濃度と時間の関係を示す図である。 １１・・・・・・高分子フィルム基板、１４・・・・・
・るつぼ、１６・・・・・・第１の電子線源、１８・・
・・・・第１の蒸着材料、１９・・・・・・第２の蒸着
材料、２２・旧・・第２の電子線源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−一一高々ト子フィルム３ｔｋ［ ｌΔ−４）ｌコ゛′ ／６−−− ；ｌ−７の電子線源 １８−−−矛１め蒸着＃料 １９−−一矛どの蒸着２甘看 第２図 ？ 第３図
る蒸着装置の構成図、第２図および第３図は従来法によ
る金属薄膜製造装置の構成図、第４図はＣｏ−Ｃｒ合金
蒸発におけるＣｒ濃度と時間の関係を示す図である。 １１・・・・・・高分子フィルム基板、１４・・・・・
・るつぼ、１６・・・・・・第１の電子線源、１８・・
・・・・第１の蒸着材料、１９・・・・・・第２の蒸着
材料、２２・旧・・第２の電子線源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
−一一高々ト子フィルム３ｔｋ［ ｌΔ−４）ｌコ゛′ ／６−−− ；ｌ−７の電子線源 １８−−−矛１め蒸着＃料 １９−−一矛どの蒸着２甘看 第２図 ？ 第３図
Claims (2)
- （１）第１の電子線により坩堝内を加熱し、所望膜組成
中の高蒸気圧成分の割合よりその割合が少ない第１蒸着
材料と、前記第１蒸着材料よりも高蒸気圧成分の割合が
多い第２蒸着材料とを第２の電子線により選択的に加熱
溶融しながら前記坩堝内に供給し、低蒸気圧成分割合を
大とし、高蒸気圧成分割合を小とする金属薄膜を真空蒸
着法によって形成することを特徴とする金属薄膜の製造
法。 - （２）高蒸気圧成分としてはＣｒであり、低蒸気圧成分
としてはＣｏであることを特徴とした請求項１記載の金
属薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10639788A JPH0610344B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 金属薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10639788A JPH0610344B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 金属薄膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275747A true JPH01275747A (ja) | 1989-11-06 |
| JPH0610344B2 JPH0610344B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=14432558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10639788A Expired - Fee Related JPH0610344B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 金属薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610344B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4053303A1 (en) * | 2021-03-01 | 2022-09-07 | Carl Zeiss Vision International GmbH | Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10639788A patent/JPH0610344B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4053303A1 (en) * | 2021-03-01 | 2022-09-07 | Carl Zeiss Vision International GmbH | Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition |
| WO2022184585A1 (en) | 2021-03-01 | 2022-09-09 | Carl Zeiss Vision International Gmbh | Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition |
| CN116368257A (zh) * | 2021-03-01 | 2023-06-30 | 卡尔蔡司光学国际有限公司 | 用于涂覆眼镜片的气相沉积方法、物理气相沉积系统及用于物理气相沉积的坩埚 |
| JP2023543324A (ja) * | 2021-03-01 | 2023-10-13 | カール ツァイス ヴィジョン インターナショナル ゲーエムベーハー | 眼鏡レンズをコーティングするための蒸着方法、物理蒸着システム及び物理蒸着のためのるつぼ |
| US11866818B2 (en) | 2021-03-01 | 2024-01-09 | Carl Zeiss Vision International Gmbh | Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610344B2 (ja) | 1994-02-09 |
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