JPH02168428A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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JPH02168428A
JPH02168428A JP63322627A JP32262788A JPH02168428A JP H02168428 A JPH02168428 A JP H02168428A JP 63322627 A JP63322627 A JP 63322627A JP 32262788 A JP32262788 A JP 32262788A JP H02168428 A JPH02168428 A JP H02168428A
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JP
Japan
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film
splash
magnetic layer
magnetic recording
molten
Prior art date
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Pending
Application number
JP63322627A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuji Sugita
龍二 杉田
Kiyokazu Toma
清和 東間
Kazuyoshi Honda
和義 本田
Yasuhiro Kawawake
康博 川分
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高密度記録特性の優れた長尺の磁気記録媒体を
長尺にわたって一定組成で作製するための磁気記録媒体
の製造方法に関する。
従来の技術 短波長記録特性の優れた磁気記録方式として垂直磁気記
録方式がある。この方式において使用される磁気記録媒
体の磁性層は、垂直磁気異方性を有することが必要であ
る。垂直磁気記録媒体に信号を記録すると磁化は媒体の
膜面の垂直方向を向き易く、短波長になる程媒体内反磁
界は減少する。
その結果、短波長領域において高い再生出力が得られる
垂直磁気記録媒体用磁性層としては、Co基合金薄膜が
多く検討されている。その中でも特に、c。
とOrあるいはCoとNiとCrを主成分とする合金薄
膜が、優れた記録再抽特性及び耐食性のゆえに最も注目
を集めている。
Co−CrあるいはCo−Nl−Crを主成分とする合
金薄膜は一般に真空蒸着法あるいはスパッタ法により作
製される。真空蒸着法とスパッタ法を比較すると、前者
は後者に対して、100倍以上高い膜堆積速度で成膜で
きるために、量産においては前者が極めて有利である。
なお真空蒸着法においては、Co、Nl。
Crは高融点゛金属であるために、蒸発源としては電子
ビーム蒸発源を用いる必要がある。
しかし、CoとCrの蒸気圧が大幅に異なるために、真
空蒸着法で長尺に一定組成のCo−CrあるいはCo−
N1−0rを主成分とする合金薄膜を作製することは困
難である。なお、NIの蒸気圧はCoとほぼ等しいので
、旧の組成制御は容易である。COとCrを同一の蒸発
源から蒸発させて、移動しつつある長尺の基板上に連続
的にCo−Cr膜を蒸着すると、第2図に示すように蒸
着初期においてはCrを多く含んだCo−0r膜が形成
され、蒸着終期にはCrをあまり含まないCo−0r膜
が形成される。Co−Cr膜において、膜の組成が異な
ると磁気特性も変化するので、これでは量産が困難であ
る。
上記問題点は、CrもしくはCo−0r合金あるいはC
o−N1−Cr合金を蒸発物質の溶湯中に供給しつつ蒸
着を行うことにより解決出来る。−例として粒状のOr
を蒸発物質の溶湯中に供給しつつ蒸着を行う方法につい
て第3図及び第4図を用いて以下に説明する。
第3図に基板を走行させつつ蒸着を行う真空蒸着装置内
部の一例の概略図を示す。1は高分子基板であり、円筒
状キャン2の周面に沿って走行する。蒸発物質の溶湯7
が電子ビーム蒸発源のるつぼ6の中に入っている。なお
蒸発物質はCo−Cr膜あるいはCo−N1−Cr合金
である。蒸発したCo、Cr、Nl原子は円筒状キャン
2の周面上を移動しつつある高分子基板1に付着しCo
−0r膜あるいはCo−N1−Cr膜が形成される。3
,4は高分子基板1を巻くボビンである。5は不要な原
子が高分子基板1に付着するのを防止するための遮へい
板である。12は粒状のCr14を供給するための装置
である。Cr粒14はCr供給路13に添って蒸発物質
の溶湯7に入る。この様にCr供給装置12によりCr
粒を、借を制御して蒸発物質の溶湯7内に供給しつつ膜
を作製すると、長尺に組成一定のCo−Cr膜が得られ
る。第4図にCr粒を供給しつつ蒸着を行った場合の、
膜組成の蒸着時間依存性を示す。第4図より、時間が経
過しても第2図の様なx■成変動はなく、組成がほぼ一
定になっていることがわかる。
発明が解決しようとする課題 以上の如(、Cr粒を溶湯中に供給しつつCo−Cr膜
あるいはCo−旧−Cr膜を蒸着すると、長尺にわたっ
て一定組成の膜を作製出来るが、供給中にスプラッシュ
が発生するという問題が明らかになった。
ここでスプラッシュとは、高温になっている溶湯から飛
び出す直径数10μm以下の合金粒のことである。スプ
ラッシュは、電子ビーム蒸発源では溶湯中において電子
ビームの1j((射されている部分から発生し易い。ス
プラッシュが発生すると、それが基板上に付着する。ス
プラッシュの付着している磁気記録媒体に信号を記録す
ると、スプラッシュの部分において媒体と磁気ヘッドと
の接触が不十分になり信号が欠除してしまう。従って、
溶湯中へのCr粒供給時のスプラッシュの発生は好まし
くない。
課題を解決するための手段 上記の問題を解決するための本発明は、電子ビーム蒸発
源を用いた真空蒸着法により、COとOrあるいはCo
とNiとCrを主成分とする合金を磁性層として、移動
しつつある基板上に連続的に形成する磁気記録媒体の製
造方法において、蒸着時に前記磁性層を蒸発物質の溶湯
に対して負電位にし、かつ蒸発物質の溶湯から発生する
スプラッシュを電子より負帯電させ、望ましくは蒸発物
質の溶湯に対する前記磁性層の電位を一+OOV以下に
する。
作用 本発明によれば、蒸発物質の溶湯から発生するスプラッ
シュは電子により負に帯電するので、蒸発物質の溶湯に
対して負の電位(望ましくは一100V以下)が印加さ
れた磁性層から斥力を受ける。その結果、スプラッシュ
は基板に到達しにくくなるので、信号欠如の殆どない高
密度磁気記録媒体が得られることになる。したがって、
組成がほぼ一定になった高密度磁気記録媒体を高い生産
性で毒産可能となる。
実施例 以下、本発明の製造方法を具体的な実施例に基づいて説
明する。
第1図に示される構成の真空蒸着装置を用いて垂直磁気
記録媒体を作製した。高分子基板1としては、膜厚8μ
mのポリイミドフィルムを使用した。
円筒杖キャン2の直径は50cmであり、周面の温度を
250°Cとした。電子ビーム蒸発源の電子銃lOは加
速電圧30kVのピアス型直進銃を用いた。るつぼ6と
してはマグネジするつぼを使用し、この中にC。
−Cr合金を充填した。高分子基板1と蒸発物質の溶湯
7表面の距離は25cmとした。膜堆積速度を1μm/
秒、高分子基板の走行速度を24m/分として、膜厚0
.25μmのCo−Cr膜を前記基板上に形成した。8
は蒸発物質の溶湯表面において電子ビームに照射されて
いる電子ビーム照射部分であり、原子の蒸発及びスプラ
ッシュは主にこの部分で生じる。9は蒸発原子であり、
この中にスプラッシュが含まれている。このスプラッシ
ュは電子銃10から発生する電子11と衝突することに
よって負に帯電する。なお、長尺にわたって膜組成を一
定に保つために、Cr供給装置I2によって粒経約0.
2mmの粒状Crを蒸発物質の溶湯中に供給しつつ成膜
を行った。I5は磁性層の形成された高分子基板と接触
している金属製のフリーローラであり、このフリーロー
ラによって磁性層に負電位を印加する。I6はフリーロ
ーラ15に負電位を印加するための電源である。なお、
高分子基板1は矢印I7の方向に走行する。
以上の条件のもとでCo−Cr膜を高分子基板1上に蒸
着し、形成された膜表面のスプラッシュの数を調べた。
その結果を第5図に示す。第5図の横軸は電源16の電
圧−V(ボルト)であり、縦軸は1cm2当りのスプラ
ッシュの個数である。なおスプラッシュは光学顕微鏡及
び走査型電子顕微鏡により観察した。第5図から、■=
0の場合には極めて多数のスプラッシュが高分子基板上
に付着するが、−v≧100ボルトの場合にはスプラッ
シュが大幅に減少していることがわかる。また従来法を
用いて、すなわち、電子銃IOを動作させずにV=0と
して成膜した場合のスプラッシュの数は約70個/C1
2であった。
なお、蒸発物質の溶湯中に供給するCr粒の粒経が大き
いと、スプラッシュの粒経も大きくなる。
例えば、供給するCr粒の粒経が0.2mm程度の場合
には、スプラッシュの粒経が約0.4μm以下であるが
、01粒の粒経を2mm程度にすると約10t1mの粒
経のスプラッシュが発生する。0.4μm以下程度の粒
経のスプラッシュであれば第5図のような結果が寄られ
たが、粒経!θμm程度のスプラッシュに対しては本発
明の効果は見られなかった。従って、本発明は供給する
01粒の粒経が小さい場合に有効である。また、01粒
のかわりに、棒状Cr合金の供給も考えられるがこの場
合に発生するスプラッシュの粒経は小さく、O数μm以
下のものが多い。従って、棒状Cr合金を供給する場合
も本発明は有効である。
スプラッシュを帯電させるための電子銃10の条件は殆
ど限定されない。すなわち電子が発生しさえすれば効果
が見られた。
発明の効果 以上の説明の如く本発明の磁気記録媒体の製造方法によ
れば、蒸発物質の溶湯から発生したスプラッシュは斥力
のために基板に近づきにく(なる。
その結果、信号欠除の殆どない高密度磁気記録媒体を高
い生産性で提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造方法の一例を説明するための真空
落首装置内部の概略図、第2図はCrあるいはCr合金
を供給せずに長尺のCo−Cr膜を作製した場合の蒸着
時間と膜組成との関係の一例を示すグラフ、第3図は連
続的に01粒を供給するための装置を備えた真空蒸芒装
厩内部の(既略図、第4図は粒状Crを供給しつつCo
−Cr膜を蒸着した場合の蒸着時間と膜組成との関係の
一例を示すグラフ、第5図は落首膜に印加する電圧とス
プラッシュの数との関係を示すグラフである。 1・・・・高分子基板、7・・・・蒸発物質の溶湯、8
・・・・電子ビーム照射部、9・・・・蒸発原子、10
・・・・電子銃、 L[・・・電子。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか1名?−蒸発最
チ 纂 図 第 図 纂看時間 (分)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電子ビーム蒸発源を用いた真空蒸着法により、C
    oとCrあるいはCoとNiとCrを主成分とする合金
    を磁性層として移動しつつある基板上に連続的に形成す
    る磁気記録媒体の製造方法において、蒸着時に前記磁性
    層を蒸発物質の溶湯に対して負電位にし、かつ蒸発物質
    の溶湯から発生するスプラッシュを電子により負帯電さ
    せることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
  2. (2)蒸発物質の溶湯に対する前記磁性層の電位を−1
    00V以下にする請求項1記載の磁気記録媒体の製造方
    法。
JP63322627A 1988-12-21 1988-12-21 磁気記録媒体の製造方法 Pending JPH02168428A (ja)

Priority Applications (1)

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