JPH01276121A - 非線形光学材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非線形光学材料、特にポリオチフェンおよび
／またはポリチオフェン誘導体からなる非線形光学材料
に関する。

〔従来の技術〕

非線形光学材料は、強い入射光に対して非線形応答特性
を有するものであり、光パラメトリツク増幅、光パラメ
トリツク発振、位相共役波発生、屈折率変化、２次また
は３次を始めとする高次の高調波発生などの非線形光学
現象を生ずるものである。このような非線形光学材料は
、その非線形光学特性を利用して、波長変換素子、光ス
イツチング素子、これらの素子を用いた光論理ゲート素
子、光トランジスタなどの光学素子として具現化され、
これらは光通信や光情報処理などの分野において有用で
ある。

従来、非線形光学材料としては、Ｋ　Ｈ，Ｐ　Ｏ，、Ｌ
　Ｉ　Ｎ　ｂ　Ｏｓ　、Ｎ　Ｈ４Ｈ２Ｐ　Ｏ４などの無
機の強誘電体結晶が知られており、また最近ではこれら
の無機の強誘電体結晶に比して大きな非線形光学特性を
有する有機化合物結晶として、２−メチル−４−ニトロ
アニリン、メタ−ニトロアニリン、尿素などが知られる
に至っている。

また、非線形光学現象を有効に発生させるために、非線
形光学材料を薄膜化し、導波路として利用することによ
り光のエネルギー密度を高くする方法が考えられている
。

このような要請に応える技術として、非線形光学特性を
有するポリジアセチレン誘導体をラングミュアープロフ
ジエツト法によって薄膜化して光導波路を形成する方法
が提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上述の無機の強誘電体結晶は、その非線
形光学特性が十分に大きいものではなく、しかもこれを
先導波路としての形状に加工することは困難な場合が多
い。例えばいＮ　ｂ　Ｏ３については、その結晶にチタ
ニウムなどを拡散することによって先導波路を形成する
ことが提案されているが、拡散によって形成した先導波
路の均一性が十分ではなく、また拡散物質の存在によっ
て非線形光学材料の光学損傷が大きくなるという問題点
がある。

また上述の有機化合物結晶は、前記のように無機の強誘
電体結晶に比して比較的大きな非線形光学特性を有する
ものであるが良質な結晶を得ることが困難であり、無機
の強誘電体結晶と同様にこれを光導波路としての形状に
加工することは困難な場合が多い。

また、上述のポリジアセチレンの誘導体による非線形光
学材料は、薄膜化は可能ではあるものの均一な膜の形成
性が十分とはいい難く、さらにそのような膜形成が可能
であっても空気中での保存安定性に欠けるという問題点
がある。

さらにラングミュアープロフジエツト法によるポリジア
セチレン誘導体の薄膜の作製においては、当該ラングミ
ュアーブロッジエ’７ト法自体が複雑な工程を必要とす
る方法であるため、工業的利用の見地から不利であり、
さらに薄膜を形成するためには、非線形光学特性に寄与
しない親水性基や疎水性基などの置換基をポリジアセチ
レンの誘導体の分子内に導入することが必要であり、こ
のため、ポリジアセチレンの誘導体が有する非線形光学
特性が低下するおそれがある。

以上のように、従来の非線形光学材料によっては、優れ
た非線形光学特性を有していてしかも光学素子として利
用される形態に容易に加工することのできるものが得ら
れない、という問題点がある。

本発明の目的は、以上のような従来の問題点を解決し、
優れた非線形光学特性を有していてしかも加工性に優れ
た非線形光学材料を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の非線形光学材料は、ポリチオフェンおよび／ま
たはポリチオフェン誘導体からなることを特徴とする。

本発明において用いるポリチオフェンおよび／またはポ
リチオフェン誘導体は、チオフェン、チオフェン誘導体
、チオフェンオリゴマーおよヒチオフエンオリゴマー誘
導体から選ばれる少なくとも１種（以下、「電解重合用
チオ７ふン等」と称する）を、後述する支持電解質の存
在下において電解重合させる電解重合法によって製造す
ることができる。

この電解重合法において使用されるチオフェン誘導体と
しては、下記−数式（Ｉ）で表わされる化合物を挙げる
ことができる。

一般式（１） 一般式（＋）中、Ｒは、 ＣｎＨ２ｎ−１（ｎは１〜２０の整数である。）、−Ｃ
Ｈ２０（−ＣＨｚＣＨ２０ｂＣＨ＊　（ｍは０〜１０、
好ましくは１〜３の整数である。）、○ ｌ −ＣＨ２ＮＨＣＣｎＨ２ｎ−＋　（ｎは前記と同様であ
り、好ましくは２〜１２の整数である。）、−Ｃ１ＩＨ
２１１ＳＯ３Ｍ　（ｍは前記と同様テアリ、Ｍは水Ｓ＠
子またはアルカリ金属原子である。）、 ｏ　　ｃ　ｎ　Ｈ２ｎ　−ｌ（ｎは前記と同様であり、
好ましくは１〜３の整数である。）およびＳ　　ＣｎＨ
ｚｈ−＋（ｎは前記と同様であり、好ましくは１〜３の
整数である。） で表わされる基から選ばれる少なくとも１種の基である
。

またチオフェンオリゴマー誘導体としては、下記−数式
（ｎ）で表わされる化合物を挙げることができる。

一般式（ＩＩ） 一般式（Ｉｔ）中、Ｒ’、Ｒ２およびＲ３は互いに同一
であっても異なってもよく、上記一般式（１）における
Ｒと同様であり、ｑは１〜５の数である。

これらのチオフェン、チオフェン誘導体、チオフェンオ
リゴマーおよびチオフェンオリゴマー誘導体は１種また
は２種以上で用いることができる。

電解重合法で使用される支持電解質としては、例えば一
般式Ａ″Ｂ−で表わされる塩が使用される。ここで、Ａ
゛は、Ｈ”　；　Ｋ”、Ｎａ”、Ｌビなどのアルカリ金
属イオン；　Ｍｇ２−１Ｃａ”、Ｂ　ａ２−などのアル
カリ土類金属イオン；Ｆｅ２“、Ｃｏ”、Ｎｉ”、Ｃｕ
２−１Ｐｄ”、ｐｔ”、Ａｇ”などの遷移金属イオン；
または（Ｒ’）、Ｎ”、（Ｒ’）、Ｐ”、ＮＯ”、ＳＯ
２゛などのイオンを表わす。なお、Ｒ４は水素原子、ブ
チル基、エチル基、メチル基などの脂肪族炭化水素基、
シクロヘキシル基などの脂環式炭化水素基あるいはフェ
ニル基などの芳香族炭化水素基である。また、Ｂ−は、
Ｃ１０，−、ＢＦ、−１ＰＦ６−１ＳｂＦ６−１ＳｂＣ
１６−１ＡＳＦ６−１Ｓ○、′−１Ｈ３Ｏ，−１ＣＦ　
３　Ｓ　Ｏ３−１ＣＨ，ＣＯＯ−１Ｃａ　Ｈｓ　Ｓ　０
３−１ＣＨ１Ｃ＠Ｈ，ＳＯ３−などのイオンを表わす。

電解重合法において電解液の調製に使用する溶媒として
は、上記電解重合用チオフェン等および上記電解質を溶
解もしくは分散させ得るものであればいずれのものであ
ってもよく、例えばエタノール、メタノーノペテトラヒ
ドロフラン、１．４−ジオキサン、アセトン、γ−ブチ
ロラクトン、アセトニトリル、プロピオニトリル、ペン
ゾニトリノペピリジン、ホルムアミド、ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホル
トリアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルス
ルホキシド、スルホラン、１．２−ジクロロエタン、プ
ロピレンカーボネート、ニトロベンゼンなどを単独でま
たは２種以上混合して使用することができる。

以上の電解重合において、支持電解質および電解重合用
チオフェン等は、通常、溶媒１１当りそれぞれが０．０
０１〜ｌＯモル程度の濃度となる割合で使用される。上
記支持電解質の濃度が０．００１モル／１未満では重合
体の析出反応が十分に進行せず、一方１０モル／ｆ！を
超えると円滑な重合体の析出反応が進行しにくくなる。

電解重合によって得られたポリチオフェンおよび／また
はポリチオフェン誘導体は、電解重合時に使用した支持
電解質を一部含むことによりドーピングされたものであ
るが、さらに適当なドーパントを電気化学的ドーピング
または化学的ドーピングによってドープして使用するこ
ともできる。

この電気化学的ドーピングまたは化学的ドーピングのド
ーパントとしては、周期律表のＶａ族元素のハロゲン化
物アニオン、例えばＰＦ６−１ＳｎＦ、−など、ｌａ族
元素のハロゲン化物アニオン、例えばＢＦ、−など、ハ
ロゲンアニオン、例えばｒ−１Ｂｒ−など、過塩素酸ア
ニオン、例えばＣ１○、−などのアニオンドーパント；
およびアルカリ金属イオン、例えば　い゛、Ｎａ＝など
、（Ｒ’）４Ｎ”　（ここで、Ｒ５は水素原子または炭
素数１〜２０の脂肪族、脂環式もしくは芳香族炭化水素
基である）で表わされる４級アンモニウムイオンなどの
カチオンドーパントが挙げられ、これらのカチオンドー
パントおよびアニオンドーパントを与える化合物の具体
例としては、例えばＬＩＰ　Ｆｇ　、ＬＩＳＩ）Ｆｇ　
、ＬＩＡＳＦ６　、ＬＩＣＩ０４、ＮａＩ、ＮａＰＦ、
　、Ｎａ５ｂＦ、　、ＮａＡｓＦ５、ＮａＣｌＯ４、Ｋ
　Ｉ、ＫＰＦ６　、ＫＳｂＦ６、ＫΔＳＦ６　、ＫＣｌ
０１、 Ｃ（Ｃ，Ｈ！１）、Ｎ）”・（Ａｓ　Ｆ　５）−１（（
Ｃ４Ｈ９）４Ｎ）”・（ＰＦ６）−１［：（Ｃ４Ｈ９）
４Ｎ］”・ＣＩＱ　ｓ−、Ｌ　＋　Ａ　Ｉ　Ｃ１４、Ｌ
ＩＢＦ４　、ＮＣｈ・ＢＦ４、ＮＯ・ＢＦ、、ＮＯ□・
ＡＳＦ６　、Ｎｏ・ＡＳＦ８　、ＮＯａ・ＣｌＯ４、Ｎ
ｏ−ＣｌＯ４などを挙げることができるが、必ずしもこ
れらに限定されるものではない。

電解重合は一般には窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰
囲気中で行うのが好ましい。反応温度は電解液が凝固も
しくは沸騰しない範囲内であればいずれの温度でもよい
が、通常、−１０℃〜５０℃程度である。

電解重合のための電圧（直流）は、通常、約０．１〜２
５Ｖ、好ましくは約１〜１５Ｖであり、電流密度は、通
常、約０．０５〜５０　ｍＡ／ｃｍ２、好ましくは約０
１〜２０　ｍＡ／ｃｎ＋２である。ｆＥＩｌ（２５Ｖ　
１ｔ３ｔ　ルと溶媒の分解などが発生する可能性があり
、また電圧が０．１ｖ未満の場合、電流密度が５０ｍＡ
／ｃｍ２を超えた場合、さらに０．０５ｍΔ／ｃｍ２未
満の場合は重合反応が充分に進行せず、均質で良好な物
性を有するポリチオフェンおよび／またはポリチオフェ
ン誘導体を得ることが困難である。さらに反応時間は、
通常、約１分〜２０時間、好ましくは約１０〜６０分間
である。

電解重合に使用する電極としては、白金、金、クロム、
銅、ニッケルなどの板状あるいはメツシュ状の電極、あ
るいは錫−インジウム酸化物を薄膜状にコートしたガラ
ス電極などが用いられる。

これら電極は、その表面上に薄膜状のポリチオフェンお
よび／またはポリチオフェン誘導体を析出させる場合に
は、表面が平滑であることが好ましい。

電解重合用チオフェン等の電解重合によって得られるポ
リチオフェンおよび／またはポリチオフェン誘導体の形
状は、支持電解質または溶媒の種類によって変化し、フ
ィルム状の他に、粉末状、ゲル状として得られることも
ある。従って、これら支持電解質または溶媒の種類を変
えることによって、得られるポリチオフェンおよび／ま
たはポリチオフェン誘導体の物性あるいは形状を制御す
ることができる。

電解重合により得られるポリチオフェンおよび／または
ポリチオフェン誘導体をフィルム状とした場合、その厚
さは、通常０．０５〜１００卿、好ましくは０．２〜Ｉ
ＪＩＩＩ＋である。

本発明の非線形光学材料は、電解重合によって得られる
ポリチオフェンおよび／またはポリチオフェン誘導体に
、電解重合終了後に脱ドーピングを施こしたものであっ
てもよい。この脱ドーピングは、電解重合によって得ら
れたポリチオフェンおよび／またはポリチオフェン誘導
体に、当該電解重合反応時とは逆極性の電界を印加する
ことによって行う。すなわち、脱ドーピングは、ポリチ
オフェンおよび／またはポリチオフェン誘導体中に陰イ
オン性のドーパントがドープされている場合には、当該
ポリチオフェンおよび／またはポリチオフェン誘導体を
支持電解質溶液中で参照電極に対して負の電界を印加す
ることによって行うことができる。同様に、ポリチオフ
ェンおよび／またはポリチオフン誘導体中に陽イオン性
のドーパントがドープされている場合には、当該ポリチ
オフェンおよび／またはポリチオフェン誘導体を支持電
解質溶液中で参照電極に対して正の電界を印加すること
によって行うことができる。この脱ドーピングにおいて
印加する電界（直流）は、通常、０、０５〜２５　Ｖ、
好ましくは０．１〜１０Ｖである。また脱ドーピングに
要する時間は、通常１ｏ分間〜ＩＯ日間程度であり、好
ましくは１時間〜１０日間程度である。

また、ポリチオフェンおよび／またはポリチオフェン誘
導体は、例えば２．５−ジハロゲン化チオフェンおよび
／または２．５−ジハロゲン化チオフェン誘導体を原料
としてニッケル触媒の存在下で重合させるグリニアール
法によっても得ることができる（例えば、Ｊ、　Ｐｏｌ
ｙｍ、Ｓｃｉ、、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｌｅｔｔ。

Ｅｄ、、　　１８．　９頁（１９８０）や、５ｙｎｔｈ
ｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ。

１８（１９８７）　２７７〜２８２　頁）。

このグリニアール法に使用される２、５−ジハロゲン化
チオフェン誘導体としては、下記−数式（ＩＩＩ）で表
わされるものなどを挙げることができる。

一般式゛（■） 一般式（ＩＩＩ）中、ＸおよびＹは同一でも異なっでも
よく、１％Ｂｒ、ＣＡ’などのハロゲン原子を表わし、
Ｒは前記−数式（Ｉ）と同様である。

本発明の非線形光学材料は、例えばファプリーベロー型
共振器を構成することができる。このファプリーベロー
型共振器は、第１図に示すように、２枚の光半透過性の
平面反射鏡ｉｏ、　ｉｏをその鏡面Ｍ、Ｍが対向するよ
う平行に設け、その一方の鏡面Ｍ上に非線形光学材料よ
りなる薄膜１１を設け、スペーサー１２．１２により、
平面反射鏡１０．１０間の距離ｄを特定の波長の光に干
渉する大きさに調整した構造を有する。光Ｌ１　は一方
の鏡面Ｍ側から、例えば鏡面に垂直に入射され、共振さ
せた後に取り出される。

ここに用いられる平面反射鏡１０の材料としては、例え
ばガラス、好ましくは表面を研磨した石英ガラスを挙げ
ることができる。また、スペーサー１２は種々の材料で
作製することができるが、特に粒径分布の均一なラテッ
クス粒子を用いることが好ましい。平面反射鏡１０．１
０間の距離ｄは、用いるスペーサー１２の径を選定する
ことによって調整することができるが、例えば波長５１
４．５ｎ＋ｎの入射光が用いられる場合には、ｄの大き
さが２５７．３ｎｍの整数倍となるように調整すること
が好ましい。

また、本発明の非線形光学材料は、先導波路型非線形光
学素子を構成することもできる。この先導波路型非線形
光学素子は、第２図に示すように、基板２０上に形成し
た薄膜光導波路２１に接するよう、非線形性を有する光
学材料よりなる薄膜２２を設けて構成されている。そし
て導波路２１に光り、を入射するカップラープリズム２
３および光Ｌ２を出射するカップラープリズム２４を設
け、光Ｌ１　の入射角度を変化させることにより、薄膜
光導波路２１および非線形光学材料薄膜２２中での光の
導波長を一部変化させることができる。また位相の整合
も、同様に光Ｌ１の入射角度を変化させて非線形光学材
料薄膜２２中での光の導波長を調整することによって行
うことができる。

さらに、本発明の非線形光学材料は、その微粉末を高分
子物質よりなる結着剤中に均一に分散させたものを用い
ることによっても、第１図や第２図に例示したファプリ
ーベロー型共振器や先導波路型非線形光学素子を構成す
ることができる。

以上において、結着剤として用いられる高分子物質とし
ては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリスチレン
、ポリメチルスチレン、ポリエチレンオキサイド、ポリ
酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリ
アセタール、ポリフェニレンオキサイド、ポリエチレン
テレフタレート、エポキン樹脂、フェノール樹脂などが
挙げられ、好ましくはポリカーボネート、ポリメチル（
メタ）アクリレートなどを挙げることができる。

また、この場合に用いる非線形光学材料の微粉末の粒径
は、通常、０．１〜１０−であり、前記高分子物質に対
する配合割合は、通常、１〜８０重量％である。

ここで、非線形光学材料の微粉末を前記高分子物質中に
分散させる方法としては、非線形光学材料の微粉末を、
必要に応じて高分子物質を溶融させた状態で混練する方
法や、高分子物質をベンゼン、トルエン、メチルエチル
ケトン、酢酸エチルエステル、テトラヒドロフラン、Ｔ
−ブチロラクトン、アセトニトリル、アセトアミド、Ｎ
、Ｎ”ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ’−ジメチルアセ
トアミドなどの溶媒に溶解し、これに非線形光学材料の
微粉末を混合したものを基板に塗布し乾燥する方法など
を挙げることができる。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこ
れらによって限定されるものではない。

実施例１ （１）ガラス製容器にニトロベンゼン１００ｍ１ヲ入れ
、これに０．０２モルのチオフェンと、０．００５モル
の（Ｃ２Ｈ５）４ＮＣ１０４とを添加し、撹拌して溶解
させ、アルゴンガスを１５分間吹き込んだ。そして、負
極に白金電橋、正極にインジウム−スズ酸化物層を有す
る透明電極（以下ｒｌＴｏ電極」という）を用い、６ｍ
Δ／ｃｍ２の電流密度で６０秒間電解重合を行なったと
ころ、正極のｔＴＯ電極上に、約０．２−の膜厚を有す
る暗茶褐色のポリチオフェンの薄膜が形成された。

このようにして得られたポリチオフェンの薄膜を有する
ＩＴＯ電極を、ニトロベンゼン溶液中に約１０分間浸漬
してリンスした後、ニトロベンゼン１００　ｒｎ１中に
０．００５モルの（Ｃ２Ｈ５）４ＮＣ１０４を添加して
撹拌した溶液中において、正極に白金電極、負極に上記
ポリチオフェンの薄膜が付着したＩＴＯ電極を用い、電
極と参照電極間の電位差を０．８Ｖの定電圧として約２
日間放置することにより、脱ドーピングを行なった。そ
の後、ポリチオフェンの薄膜を有するＩＴＯ電極を取り
出し、ニトロベンゼン中に約１０分間浸漬してリンスし
、真空乾燥を行ない、さらにこれをメチルアルコール中
に浸漬した状態で、静かにポリチオフェンの薄膜をＩＴ
Ｏ電掻電橋剥がして当該薄膜を石英基板上に掬い上げた
。

（２）上記（１）　において、石英基板の代りに直径３
０止の平面反射鏡を用いて１０ｍｍＸ１０＋ｕのポリチ
オフェンの薄膜を掬い上げ、斯くして得られたポリチオ
フェンの薄膜を有する平面反射鏡を、第１図に示した構
成に従って、ポリチオフェンの薄膜を有する平面反射鏡
と同程度の反射率を有する平面反射鏡とスペーサーを介
して平行に対向させて配置し、両平面反射鏡間の距離を
正確に２５７．３ｎｍの整数倍に調整した状態で両者を
接合することにより、ファプリーペロー型共振器を作製
した。

そしてこの共振器の一端から、波長５１４．５ｎｍのレ
ーザー光をスポット径１μｓで入射させ、入射光の強度
と出射光の強度との関係を室温（２０℃）において測定
したところ、第３図に示すように双安定特性を示す曲線
が得られた。

（３）上記（１）において、石英基板の代りに１０１０
ｍｍＸ２０の先導波路を有する基板を用いてポリチオフ
ェンの薄膜を掬い上げ、斯くして得られたポリチオフェ
ンの薄膜を有する基板を用い、第２図に示した構成に従
い、薄膜先導波路に光を入射する手段および光を出射す
る手段である２つのカップラープリズムを、各カップラ
ープリズムの対向面が平行となりかつ互いに離間してそ
の中間にポリチオフェンの薄膜が位置される状態となる
よう基板上に配置することにより、先導波路素子を作製
した。

そしてこの光導波路素子の一方のカップラープリズムか
ら波長５１４．５ｒ＋ｍのレーザー光を入射させると共
に、その入射角度を変化させて入射光強度と出射光強度
との関係を測定したところ、第３図に示したと同様の双
安定特性を有することが認められた。

実施例２ （１）実施例１で得られたポリチオフェンの薄膜を乾燥
し、粒径０．２〜２即の微粉末とした。このポリチオフ
ェンの微粉末３ｇを、ベンゼン２０ｇ１：ポリメチルア
クリレートｌＯｇを溶解させたものに添加し、撹拌する
ことにより分散させ、ポリチオフェン微粉末含有ポリメ
チルメタクリレート溶液を得た。

（２）実施例１（２）において、ポリチオフェンの薄膜
の代わりに、上記（１）で得られたポリチオフェン微粉
末含有ポリメチルメタクリレート溶液を平面反射鏡上に
塗布し、乾燥し、膜厚０．２μｓのポリチオフェン微粉
末含有ポリメチルメタクリレートからなる層を形成した
こと以外は、実施例１（２）と同様にしてファプリーペ
ロー型共振器を作製し、入射光強度と出射光強度の関係
を測定したところ、この共振器も、第３図に示したと同
様の双安定特性を有することが認められた。

（３）実施例１（３）において、ポリチオフェンの薄膜
の代わりに、上記（１）で得られたポリチオフェン微粉
末含有ポリメチルメタクリレート溶液を光導波路を有す
る基板に塗布し、乾燥し、膜厚１馳のポリチオフェン微
粉末含有ポリメチルメタクリレートからなる層を形成し
たこと以外は、実施例１（３）と同様にして先導波路素
子を作製し、入射光強度と出射光強度の関係を測定した
ところ、この先導波路素子も、第３図に示したと同様の
双安定特性を有することが認められた。

実施例３ （１）実施例１（１）において、チオフェン０．０２モ
ルノ代すにα−ターチェニル０．０２モルを用い、（Ｃ
２Ｈ８）４ＮＣＩＯ，の０．００５モルの代わりに（Ｃ
ＩＨ９）４ＮＢＦ、の０．０６モルを用い、電流密度を
３ｍＡ／ｃｍ’　とし、電解重合時間を１０分間とした
こと以外は、実施例１（１）と同様にして電解重合およ
び脱ドーピングを行ったところ、正極のＩＴＯ電楊上に
約０．２ＡＩＩｎの膜厚を有するポリ　（α−ターチェ
ニル）の薄膜が得られた。その後、実施例１（１）と同
様にしてポリ（α−ターチェニル）の薄膜をＩＴＯ電極
より剥がして当該薄膜を石英基板上に掬い上げた。

（２）実施例１（２）において、ポリチオフェンの薄膜
の代りに上記（１）で得られたポリ　（α−ターチェニ
ル）の薄膜を用いたこと以外は、実施例１（２）と同様
にしてファプリーペロー型共振器を作製し、入射光強度
と出射光強度の関係を測定したところ、この共振器も、
第３図に示したと同様の双安定特性を有することが認め
られた。

（３）実施例１（３）において、ポリチオフェンの薄膜
の代わりに上記（１）で得られたポリ　（α−ターチェ
ニル）の薄膜を用いたこと以外は、実施例１（３）と同
様にして光導波路素子を作製し、入射光強度と出射光強
度の関係を測定したところ、この先導波路素子も、第３
図に示したと同様の双安定特性を有することが認められ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の非線形光学材料よりなる薄膜によるフ
ァプリーペロー型共振器の構成の一例を示す説明用断面
図、第２図は本発明の非線形光学材料よりなる薄膜によ
る光導波路素子の構成の一例を示す説明用断面図、第３
図は本発明の一実施例に係る非線形光学材料よりなる薄
膜により作製したファプリーペロー型共振器の特性を示
す曲線図である。 １０・・・平面反射鏡　　　Ｍ・・・鏡面１１・・・薄
膜１２・・・スペーサー ２０・・・基板　　　　　　２１・・・光導波路２２・
・・薄膜 ２３、２４・・・カップラープリズム 羽纂永舐安（堤寂絹

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）ポリチオフェンおよび／またはポリチオフェン誘導
   体からなることを特徴とする非線形光学材料。