JPH01276440A - 半導体レーザ制御装置 - Google Patents
半導体レーザ制御装置Info
- Publication number
- JPH01276440A JPH01276440A JP63103355A JP10335588A JPH01276440A JP H01276440 A JPH01276440 A JP H01276440A JP 63103355 A JP63103355 A JP 63103355A JP 10335588 A JP10335588 A JP 10335588A JP H01276440 A JPH01276440 A JP H01276440A
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- Japan
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- semiconductor laser
- beams
- output
- light
- laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は光デイスク装置等における半導体レーザ制御装
置に関する。
置に関する。
（従来技術）
半導体レーザを光源とした光デイスク装置等において第
２図に示すように半導体レーザ１から前方に出射された
ビーム２を光ディスクに照射して情報の書き込み又は再
生、消去を行い、半導体レーザ１と同じパッケージ３に
収容されている受光素子４により半導体レーザ１から後
方に出射されたビーム５を受光してその出力信号により
制御部で半導体レーザ１の出力を一定に制御する半導体
レーザ制御回路が特開昭５８−１５８０５１号公報等に
より知られている。
２図に示すように半導体レーザ１から前方に出射された
ビーム２を光ディスクに照射して情報の書き込み又は再
生、消去を行い、半導体レーザ１と同じパッケージ３に
収容されている受光素子４により半導体レーザ１から後
方に出射されたビーム５を受光してその出力信号により
制御部で半導体レーザ１の出力を一定に制御する半導体
レーザ制御回路が特開昭５８−１５８０５１号公報等に
より知られている。
また光デイスク装置は第３図に示すような光源として波
長の異なる２つのビームを発光する半導体レーザを有す
るマルチビーム光ピックアップを用いるものがある。こ
のマルチビーム光ピックアップにおいては半導体レーザ
１から前方に出射された２つの波長の異なるビーム２１
．２２はコリメートレンズ６により平行光となってビー
ムスプリッタ７で反射され、対物レンズ８で集光されて
光デイスク９上に照射されることにより２つのスポット
を形成する。光ディスク９からの反射光は再び対物レン
ズ８を通ってビームスプリッタ７を透過し、光検出装置
１０で検出されて電気信号に変換される。
長の異なる２つのビームを発光する半導体レーザを有す
るマルチビーム光ピックアップを用いるものがある。こ
のマルチビーム光ピックアップにおいては半導体レーザ
１から前方に出射された２つの波長の異なるビーム２１
．２２はコリメートレンズ６により平行光となってビー
ムスプリッタ７で反射され、対物レンズ８で集光されて
光デイスク９上に照射されることにより２つのスポット
を形成する。光ディスク９からの反射光は再び対物レン
ズ８を通ってビームスプリッタ７を透過し、光検出装置
１０で検出されて電気信号に変換される。
しかしこの光デイスク装置では光ディスク９からの反射
光の一部はビームスプリッタ７で反射されてコリメート
レンズ６を通り、半導体レーザ１に戻る。そして光ディ
スク９が対物レンズ８の焦点位置にある時には光ディス
ク９と半導体レーザ１の発光点が共役になるので、半導
体レーザ１への戻り光は必ず半導体レーザ１の活性層内
に再入射して光ディスク９が外部共振器となり、半導体
レーザ１の発光効率、前方へ発光する光量と後方へ発光
する光量との割合が変わる。
光の一部はビームスプリッタ７で反射されてコリメート
レンズ６を通り、半導体レーザ１に戻る。そして光ディ
スク９が対物レンズ８の焦点位置にある時には光ディス
ク９と半導体レーザ１の発光点が共役になるので、半導
体レーザ１への戻り光は必ず半導体レーザ１の活性層内
に再入射して光ディスク９が外部共振器となり、半導体
レーザ１の発光効率、前方へ発光する光量と後方へ発光
する光量との割合が変わる。
第４図は戻り光が有る場合の半導体レーザ１の駆動電流
、受光素子４の電流と半導体レーザ１の発光パワーとの
関係、戻り光がない場合の半導体レーザ１の駆動電流、
受光素子４の電流と半導体レーザ１の発光パワーとの関
係を示す。
、受光素子４の電流と半導体レーザ１の発光パワーとの
関係、戻り光がない場合の半導体レーザ１の駆動電流、
受光素子４の電流と半導体レーザ１の発光パワーとの関
係を示す。
上記半導体レーザ制御回路にあっては受′光素子４の電
流が一定になるように半導体レーザ１の駆動電流を制御
するが、半導体レーザ１への戻り光かない場合には動作
点が第４図の例えば点Ａであったのが、半導体レーザ１
への戻り光があると、動作点が第４図の点Ｂへ移り、半
導体レーザ１の前方への発光パワーが低下する。したが
って半導体レーザ１への戻り光により半導体レーザ１の
前方への発光パワーを所定の値に制御することができな
いという欠点がある。
流が一定になるように半導体レーザ１の駆動電流を制御
するが、半導体レーザ１への戻り光かない場合には動作
点が第４図の例えば点Ａであったのが、半導体レーザ１
への戻り光があると、動作点が第４図の点Ｂへ移り、半
導体レーザ１の前方への発光パワーが低下する。したが
って半導体レーザ１への戻り光により半導体レーザ１の
前方への発光パワーを所定の値に制御することができな
いという欠点がある。
（目 的）
本発明は上記欠点を除去し、半導体レーザへの戻り光の
影響を受けずに半導体レーザの出力を安定に制御するこ
とができる半導体レーザ制御装置を提供することを目的
とする。
影響を受けずに半導体レーザの出力を安定に制御するこ
とができる半導体レーザ制御装置を提供することを目的
とする。
（構 成）
本発明は波長の異なる２つのビームを発光する半導体レ
ーザを光源とした装置において、前記半導体レーザから
前方に出射された波長の異なる２つのビームの一部を取
り出す部材と、フィルタと、受光素子と、制御手段とを
備えている。
ーザを光源とした装置において、前記半導体レーザから
前方に出射された波長の異なる２つのビームの一部を取
り出す部材と、フィルタと、受光素子と、制御手段とを
備えている。
前記部材で取り出された波長の異なる２つのビームのう
ちのどちらか一方のみがフィルタを透過して受光素子に
より受光され、制御手段が受光素子の出力により前記半
導体レーザの出力を所定の値に制御する。
ちのどちらか一方のみがフィルタを透過して受光素子に
より受光され、制御手段が受光素子の出力により前記半
導体レーザの出力を所定の値に制御する。
以下図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明を応用した光デイスク装置の一例の一部
を示す。
を示す。
この例は前述したマルチビーム光ピックアップを有する
光デイスク装置において、色フィルタ１１及び受光素子
１２により半導体レーザ１の出力を検出するようにした
ものであり、第３図と同一部分には同一符号が付しであ
る。
光デイスク装置において、色フィルタ１１及び受光素子
１２により半導体レーザ１の出力を検出するようにした
ものであり、第３図と同一部分には同一符号が付しであ
る。
マルチビーム光ピックアップを有する光デイスク装置に
おいては半導体レーザ１から前方に出射された２つの波
長の異なるビーム２１．２２を出射するが、その一方の
ビームは高出力であって光ディスク９に対する情′報の
書き込み、消去に用いられ、他方のビームは低出力であ
って光ディスク９に対する情報の再生もしくは書き込み
直後の情報を確認するための再生に用いられる。半導体
レーザ１は発光パワーが低出力の場合に戻り光により大
きく影響されるので、戻り光対策は半導体レーザ１の発
光パワーが低出力となる再生時に有効と考えられる。
おいては半導体レーザ１から前方に出射された２つの波
長の異なるビーム２１．２２を出射するが、その一方の
ビームは高出力であって光ディスク９に対する情′報の
書き込み、消去に用いられ、他方のビームは低出力であ
って光ディスク９に対する情報の再生もしくは書き込み
直後の情報を確認するための再生に用いられる。半導体
レーザ１は発光パワーが低出力の場合に戻り光により大
きく影響されるので、戻り光対策は半導体レーザ１の発
光パワーが低出力となる再生時に有効と考えられる。
半導体レーザ１は波長の異なる２つのビーム２１．２２
を前方に出射し、この２つのビーム２１゜２２は１つの
コリメートレンズ６に入って平行光となる。こめ平行光
となった２つのビームはビームスプリッタ７で反射され
て光ディスク９に行くものと、ビームスプリッタ７を透
過するものとに分かれる。ビームスプリッタ７で反射さ
れた２つのビームは対物レンズ８で集光されて光デイス
ク９上に照射されることにより２つのスポットを形成す
る。光ディスク９からの反射光は再び対物レンズ８を通
ってビームスプリッタ７を透過し、光検出装置１０で検
出されて電気信号に変換される。
を前方に出射し、この２つのビーム２１゜２２は１つの
コリメートレンズ６に入って平行光となる。こめ平行光
となった２つのビームはビームスプリッタ７で反射され
て光ディスク９に行くものと、ビームスプリッタ７を透
過するものとに分かれる。ビームスプリッタ７で反射さ
れた２つのビームは対物レンズ８で集光されて光デイス
ク９上に照射されることにより２つのスポットを形成す
る。光ディスク９からの反射光は再び対物レンズ８を通
ってビームスプリッタ７を透過し、光検出装置１０で検
出されて電気信号に変換される。
色フィルタ１１はビームスプリッタ７を透過した２つの
ビームのうち低出力のビームの波長の光のみが透過する
ものである。ビームスプリッタ７を透過した２つのビー
ムは色フィルタ１１を低出力のビームのみが透過し、受
光素子１２により受光される。制御部１３は従来と同様
に構成され、受光素子１２の出力（電流）を基準値と比
較してその誤差信号に比例した電流を半導体レーザ１に
流すことによって半導体レーザ１の発光パワーを一定に
制御し、上記基準値を光ディスク９に対する情報の再生
時又は記録時、消去時に切り換えることにより半導体レ
ーザ１の発光パワーを切り換える。
ビームのうち低出力のビームの波長の光のみが透過する
ものである。ビームスプリッタ７を透過した２つのビー
ムは色フィルタ１１を低出力のビームのみが透過し、受
光素子１２により受光される。制御部１３は従来と同様
に構成され、受光素子１２の出力（電流）を基準値と比
較してその誤差信号に比例した電流を半導体レーザ１に
流すことによって半導体レーザ１の発光パワーを一定に
制御し、上記基準値を光ディスク９に対する情報の再生
時又は記録時、消去時に切り換えることにより半導体レ
ーザ１の発光パワーを切り換える。
（効 果）
以上のように本発明によれば波長の異なる２つのビーム
を発光する半導体レーザを光源とした装置において、前
記半導体レーザから前方に出射された波長の異なる２つ
のビームの一部を取り出す部材と、この部材で取り出さ
れた波長の異なる２つのビームのうちのどちらか一方の
みを透過するフィルタと、このフィルタを透過したビー
ムを受光する受光素子と、この受光素子の出力により前
記半導体レーザの出力を所定の値に制御する制御手段と
を備えたので、半導体レーザへの戻り光の影響を受けず
に半導体レーザの出力を安定に制御することができ、か
つ簡単な構成にて実現できる。
を発光する半導体レーザを光源とした装置において、前
記半導体レーザから前方に出射された波長の異なる２つ
のビームの一部を取り出す部材と、この部材で取り出さ
れた波長の異なる２つのビームのうちのどちらか一方の
みを透過するフィルタと、このフィルタを透過したビー
ムを受光する受光素子と、この受光素子の出力により前
記半導体レーザの出力を所定の値に制御する制御手段と
を備えたので、半導体レーザへの戻り光の影響を受けず
に半導体レーザの出力を安定に制御することができ、か
つ簡単な構成にて実現できる。
第１図は本発明を応用した光デイスク装置の一例の一部
を示す図、第２図は半導体レーザパッケージを示す図、
第３図は従来の光デイスク装置の一部を示す図、第４図
は同光デイスク装置の半導体レーザ駆動電流、受光素子
電流と半導体レーザ発光パワーとの関係を示すの特性図
である。 １・・・半導体レーザ、７・・・ビームスプリッタ、１
１・・・フィルタ、１２・・・受光素子、１３・・・制
御部。
を示す図、第２図は半導体レーザパッケージを示す図、
第３図は従来の光デイスク装置の一部を示す図、第４図
は同光デイスク装置の半導体レーザ駆動電流、受光素子
電流と半導体レーザ発光パワーとの関係を示すの特性図
である。 １・・・半導体レーザ、７・・・ビームスプリッタ、１
１・・・フィルタ、１２・・・受光素子、１３・・・制
御部。
Claims (1)
- 波長の異なる２つのビームを発光する半導体レーザを光
源とした装置において、前記半導体レーザから前方に出
射された波長の異なる２つのビームの一部を取り出す部
材と、この部材で取り出された波長の異なる２つのビー
ムのうちのどちらか一方のみを透過するフィルタと、こ
のフィルタを透過したビームを受光する受光素子と、こ
の受光素子の出力により前記半導体レーザの出力を所定
の値に制御する制御手段とを備えたことを特徴とする半
導体レーザ制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103355A JPH01276440A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体レーザ制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63103355A JPH01276440A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体レーザ制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276440A true JPH01276440A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14351825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63103355A Pending JPH01276440A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体レーザ制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0789354A3 (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP63103355A patent/JPH01276440A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0789354A3 (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk device |
| US5901125A (en) * | 1996-02-07 | 1999-05-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Recording and reproducing optical disk device with multi-disk type capability |
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